JPS6249631A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6249631A JPS6249631A JP6554286A JP6554286A JPS6249631A JP S6249631 A JPS6249631 A JP S6249631A JP 6554286 A JP6554286 A JP 6554286A JP 6554286 A JP6554286 A JP 6554286A JP S6249631 A JPS6249631 A JP S6249631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- atoms
- wafer
- oxygen concentration
- defects
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオード、トランジスタ、ＩＣ等の半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の半導体素子の製造にはＣＺ結晶とＦＺ結晶とが使
用されている。これらの結晶は素子の種類、素子の製造
条件によって使いわけされているが、いずれも一長一短
の性質を有している。
用されている。これらの結晶は素子の種類、素子の製造
条件によって使いわけされているが、いずれも一長一短
の性質を有している。
即ちまずＣＺ結晶について述べると、この結晶は通常１
０１′オーダー、例えば１．３ ｘ １０＋ｓ原子／ｃ
ｒｔ＋３程度と高濃度の酸素を含有している。ところが
ＣＺ結晶を例えば１１００℃で熱処理すれば、この熱処
理温度での酸素固溶限界（４Ｘ１０”原子／ｃＩ１１３
）をこえる過剰分の酸素が析出物として成長してしまい
、またこの析出物から積層欠陥や転位も発生する。これ
らの結晶欠陥は素子の特性を悪化させることになる。但
し、酸素やその析出物は、半導体ウェハの周辺や裏面で
発生した転位がウェハ全体に伝播するのを阻止するとい
う、いわゆるピンニング（Ｐｉｎｎｉｎｇ）効果を有し
ている。
０１′オーダー、例えば１．３ ｘ １０＋ｓ原子／ｃ
ｒｔ＋３程度と高濃度の酸素を含有している。ところが
ＣＺ結晶を例えば１１００℃で熱処理すれば、この熱処
理温度での酸素固溶限界（４Ｘ１０”原子／ｃＩ１１３
）をこえる過剰分の酸素が析出物として成長してしまい
、またこの析出物から積層欠陥や転位も発生する。これ
らの結晶欠陥は素子の特性を悪化させることになる。但
し、酸素やその析出物は、半導体ウェハの周辺や裏面で
発生した転位がウェハ全体に伝播するのを阻止するとい
う、いわゆるピンニング（Ｐｉｎｎｉｎｇ）効果を有し
ている。
他方、ＦＺ結晶には通常５Ｘ１０１５原子／ｃｒｎ”以
下（例えば１０″原子／ｃｍ３）の酸素しか含まれてい
ないので、ＣＺ結晶において見られたような上述の欠陥
は発生しないが、酸素濃度が低いために上記のピンニン
グ効果がなく、ウェハの周辺や裏面からの多くの転位が
熱処理中に伝播してしまうという欠点がある。
下（例えば１０″原子／ｃｍ３）の酸素しか含まれてい
ないので、ＣＺ結晶において見られたような上述の欠陥
は発生しないが、酸素濃度が低いために上記のピンニン
グ効果がなく、ウェハの周辺や裏面からの多くの転位が
熱処理中に伝播してしまうという欠点がある。
本発明は上述の如き欠点を是正すべ〈発明されたもので
あって、半導体基板に対する熱処理工程を含む半導体装
置の製造方法において、５×１０１５〜ｌＸｌ０”原子
／ｃｍ’の酸素を含有するシリコン基板を前記半導体基
板として用い、前記熱処理工程の前に前記シリコン基板
に対する裏面ゲッタリングを行うようにしたことを特徴
とする半導体装置の製造方法に係るものである。このよ
うに構成することによって、従来のＣ２結晶及びＦＺ結
晶の夫々の長所を生かしつつ結晶欠陥の発生を皆無にし
た装置を提供することができる。
あって、半導体基板に対する熱処理工程を含む半導体装
置の製造方法において、５×１０１５〜ｌＸｌ０”原子
／ｃｍ’の酸素を含有するシリコン基板を前記半導体基
板として用い、前記熱処理工程の前に前記シリコン基板
に対する裏面ゲッタリングを行うようにしたことを特徴
とする半導体装置の製造方法に係るものである。このよ
うに構成することによって、従来のＣ２結晶及びＦＺ結
晶の夫々の長所を生かしつつ結晶欠陥の発生を皆無にし
た装置を提供することができる。
一般に、半導体素子の製造においては出発材料として使
用する結晶を問題にする場合、ＣＺ結晶かＦＺ結晶かと
いう択一的な議論はなされてきたが、その本質である酸
素濃度については全く考慮されていなかった。本発明は
従来の考え方を根本的に変更し、結晶中の酸素濃度を従
来のＦＺ結晶より高い５Ｘ１０”原子７ｃｍ３以上とし
てＦＺ結晶にはなかった上記のピンニング効果を具備せ
しめ、またその酸素濃度を各種熱処理温度での固溶限界
以下であるｌＸｌ０”原子７ｃｍ３以下として過剰酸素
による析出物の成長を防止したのである。
用する結晶を問題にする場合、ＣＺ結晶かＦＺ結晶かと
いう択一的な議論はなされてきたが、その本質である酸
素濃度については全く考慮されていなかった。本発明は
従来の考え方を根本的に変更し、結晶中の酸素濃度を従
来のＦＺ結晶より高い５Ｘ１０”原子７ｃｍ３以上とし
てＦＺ結晶にはなかった上記のピンニング効果を具備せ
しめ、またその酸素濃度を各種熱処理温度での固溶限界
以下であるｌＸｌ０”原子７ｃｍ３以下として過剰酸素
による析出物の成長を防止したのである。
各熱処理温度における酸素固溶限は下記に示す通りであ
る。
る。
熱処理温度（’Ｃ） 酸素固溶限（原子／ｃｍ’）９
００ １ｘｌＯ” １０００ ２ｘｌＯ” １１００ ４Ｘ１０” １２００ ７Ｘ１０” １３００ １．３Ｘ１０” １４００ １．８Ｘ１０” 本発明では、酸素濃度の下限は５Ｘ１０”原子／ｃｍ”
以上とし、また上限はＩＸ １０”原子／ｃｍ’以下
とすれば、ＦＺ結晶の利点を生かしつつその欠点を除去
できる上に、酸素濃度最高温度における１０”オーダー
の固溶限以下に保持し得て１３００〜１４００℃以下、
特に実用温度範囲である１０００−１２００℃において
酸素の析出を有効に防止して欠陥の発生をなくすことが
できる。
００ １ｘｌＯ” １０００ ２ｘｌＯ” １１００ ４Ｘ１０” １２００ ７Ｘ１０” １３００ １．３Ｘ１０” １４００ １．８Ｘ１０” 本発明では、酸素濃度の下限は５Ｘ１０”原子／ｃｍ”
以上とし、また上限はＩＸ １０”原子／ｃｍ’以下
とすれば、ＦＺ結晶の利点を生かしつつその欠点を除去
できる上に、酸素濃度最高温度における１０”オーダー
の固溶限以下に保持し得て１３００〜１４００℃以下、
特に実用温度範囲である１０００−１２００℃において
酸素の析出を有効に防止して欠陥の発生をなくすことが
できる。
この結果、雑音特性、漏れ電流特性、スイソチン□グ特
性、ＣＣＤ等のストレイジ特性等を飛曜的に改善できる
。
性、ＣＣＤ等のストレイジ特性等を飛曜的に改善できる
。
次に、本発明を実施例に付き詳細に説明する。
跋料
まず試料としては、酸素濃度が〜１０１８原子／ｃｍ３
（ＣＺウェハ：試料１）、〜１０１７原子／ｃｍｊ（
試料２）、〜１０′６原子／ｃｍ３（試料３）、〜１０
１５原子／ｃｍ” （ＦＺウェハ：試料４）の４種類
のシリコンウェハを使用した。このうち、酸素濃度が〜
１０′７又は〜１０′６原子／ｃｍ’のウェハ（試料２
及び３）はＥＺウェハと称され、ＣＺ法で得られたイン
ゴットをＦＺ法によって酸素濃度を減らしつつ結晶に育
成し、この育成結晶から切り出して得られたものである
。
（ＣＺウェハ：試料１）、〜１０１７原子／ｃｍｊ（
試料２）、〜１０′６原子／ｃｍ３（試料３）、〜１０
１５原子／ｃｍ” （ＦＺウェハ：試料４）の４種類
のシリコンウェハを使用した。このうち、酸素濃度が〜
１０′７又は〜１０′６原子／ｃｍ’のウェハ（試料２
及び３）はＥＺウェハと称され、ＣＺ法で得られたイン
ゴットをＦＺ法によって酸素濃度を減らしつつ結晶に育
成し、この育成結晶から切り出して得られたものである
。
そして素子特性の評価のために、上記の各ウェハを用い
てＭＯＳキャパシタ（図示せず）を製作する。なお各ウ
ェハは２０〜３０Ω−ｃｆｆｌでディスロケーションの
ないＰ型のものであり、表面ば機械的化学的研磨され、
裏面は化学エツチングによって仕上げられている。そし
てＭＯＳキャパシタを製作するには次の各工程を経る。
てＭＯＳキャパシタ（図示せず）を製作する。なお各ウ
ェハは２０〜３０Ω−ｃｆｆｌでディスロケーションの
ないＰ型のものであり、表面ば機械的化学的研磨され、
裏面は化学エツチングによって仕上げられている。そし
てＭＯＳキャパシタを製作するには次の各工程を経る。
０工程：酸素の影響が結晶欠陥の発生及び素子の特性に
顕著に現われるように、高温 で長時間（１１００℃、乾燥０２中、 １００時間）熱酸化する工程。
顕著に現われるように、高温 で長時間（１１００℃、乾燥０２中、 １００時間）熱酸化する工程。
Ｐ工程：結晶欠陥を裏面ゲッタリングで除去し得るかど
うかを明確にするため、燐を １１００℃で１時間裏面に付着させて拡散させる工程。
うかを明確にするため、燐を １１００℃で１時間裏面に付着させて拡散させる工程。
Ｍ工程：熱酸化膜上に電極を形成して通常のＭＯ３素子
を製作する工程。
を製作する工程。
これら各工程を３通りに組合せて３種類のＭＯＳキャパ
シタを製作した。即ち、（１）、Ｏ工程−Ｐ工程−Ｍ工
程（以下０→Ｐ−Ｍ工程と称する。）の順で製作する場
合。（２）、Ｐ工程→０工程→Ｍ工程（以下Ｐ→Ｏ→Ｍ
工程と称する。）の順で製作する場合。（３）、０工程
−Ｍ工程（以下０−Ｍ工程と称する。）の順で製作する
場合の３通りであった。
シタを製作した。即ち、（１）、Ｏ工程−Ｐ工程−Ｍ工
程（以下０→Ｐ−Ｍ工程と称する。）の順で製作する場
合。（２）、Ｐ工程→０工程→Ｍ工程（以下Ｐ→Ｏ→Ｍ
工程と称する。）の順で製作する場合。（３）、０工程
−Ｍ工程（以下０−Ｍ工程と称する。）の順で製作する
場合の３通りであった。
ｌ七日ノ の Ｓ
まずＭＯＳキャパシタに対して段階的に電圧を印加して
電極下に空乏層を発生させ、一旦低下したキャパシタン
スが定常上端に到達する迄の回復時間ｔ ｆ （ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）を測定した。しかる後、工
程中に発生した欠陥を観察するために、表面の電極及び
酸化膜と裏面に存在している拡散によるダメージ層とを
除去した。ウェハ内のディスロケーションの分布はＸ線
トラバーストポグラフィ−によって、また表面から深さ
方向への欠陥の分布はＸ線セクシシントボグラフィーに
よって観察した。またＸ線トポグラフィ−では撮影でき
ない小さな結晶欠陥は、ウェハ表面を腐食処理して欠陥
を露出させてから光学顕微鏡で観察した。
電極下に空乏層を発生させ、一旦低下したキャパシタン
スが定常上端に到達する迄の回復時間ｔ ｆ （ｇｅｎ
ｅｒａｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）を測定した。しかる後、工
程中に発生した欠陥を観察するために、表面の電極及び
酸化膜と裏面に存在している拡散によるダメージ層とを
除去した。ウェハ内のディスロケーションの分布はＸ線
トラバーストポグラフィ−によって、また表面から深さ
方向への欠陥の分布はＸ線セクシシントボグラフィーに
よって観察した。またＸ線トポグラフィ−では撮影でき
ない小さな結晶欠陥は、ウェハ表面を腐食処理して欠陥
を露出させてから光学顕微鏡で観察した。
（ａ）、ウェハ周辺からのディスロケーションの伝播
ディスロケーションの伝播範囲は明らかに酸素濃度に関
係しており、酸素濃度〜１０ｒａ原子／ｃＩＩ１３の試
料１では伝播は殆ど見られながった。またウェハ全体に
おけるディスロケーション密度は、試料ｌ （酸素濃度
〜１Ｑ１８原子／ｃｍ３）−試料２（酸素濃度〜１０１
７原子／ｃｍ３）−試料３ （Ｍ素濃度〜１０１ｂ原子
／ｃＩ１１３）−試料４ （酸素濃度〜ｌＯ′ｓ原子／
ｃｍ３）の順に多くなり、この順にディスロケーション
の伝播範囲が広くなっていることが分かった。
係しており、酸素濃度〜１０ｒａ原子／ｃＩＩ１３の試
料１では伝播は殆ど見られながった。またウェハ全体に
おけるディスロケーション密度は、試料ｌ （酸素濃度
〜１Ｑ１８原子／ｃｍ３）−試料２（酸素濃度〜１０１
７原子／ｃｍ３）−試料３ （Ｍ素濃度〜１０１ｂ原子
／ｃＩ１１３）−試料４ （酸素濃度〜ｌＯ′ｓ原子／
ｃｍ３）の順に多くなり、この順にディスロケーション
の伝播範囲が広くなっていることが分かった。
（ｂ）、ウェハ断面内での欠陥分布
試料１では多くの析出物と積層欠陥が一様に成長したが
、試料２及び３（ＥＺウェハ）及び試料４（ＦＺウェハ
）では析出物や積層欠陥が発生器しなかった。但し、こ
れらのウェハでもｐ−ｏ−Ｍ工程による素子では、Ｐ工
程にょるディスロケーションがＯ工程で動き易くなって
、ウェハの周辺又は裏面からディスロケーションが伝播
してきてウェハ全体に分布した。
、試料２及び３（ＥＺウェハ）及び試料４（ＦＺウェハ
）では析出物や積層欠陥が発生器しなかった。但し、こ
れらのウェハでもｐ−ｏ−Ｍ工程による素子では、Ｐ工
程にょるディスロケーションがＯ工程で動き易くなって
、ウェハの周辺又は裏面からディスロケーションが伝播
してきてウェハ全体に分布した。
（Ｃ）、ウェハ表面での欠陥観察
試料１では処理方法によらず一次積層欠陥（０工程で発
生したもの）とディスロケーションとが多数観察された
。試料２．３及び４では欠陥の発生はウェハの処理方法
に依存した。即ち、Ｏ−Ｐ−Ｍ工程で処理されたウェハ
には欠陥が殆ど発生しないが、Ｐ−０−Ｍ工程で処理さ
れたウェハには多数のディスロケーションが発生した。
生したもの）とディスロケーションとが多数観察された
。試料２．３及び４では欠陥の発生はウェハの処理方法
に依存した。即ち、Ｏ−Ｐ−Ｍ工程で処理されたウェハ
には欠陥が殆ど発生しないが、Ｐ−０−Ｍ工程で処理さ
れたウェハには多数のディスロケーションが発生した。
また。
−Ｍ工程で処理されたウェハには二次積層欠陥（Ｍ工程
で発生した微小な積層欠陥）が観察された。
で発生した微小な積層欠陥）が観察された。
以上の結果は下記表に示した。
この表から、ディスロケーション密度は。−Ｐ−Ｍ工程
及びＯ−Ｍ工程では非常に少なく、二次積層欠陥はＯ−
Ｐ−Ｍ工程及びＰ−０−Ｍ工程では非常に少ないことが
分り、またこれらの工程において酸素濃度が１ｏＩｆｆ
原子／ｃ原子上り少ないと、−次積層欠陥密度が著しく
少なくなることが分る。
及びＯ−Ｍ工程では非常に少なく、二次積層欠陥はＯ−
Ｐ−Ｍ工程及びＰ−０−Ｍ工程では非常に少ないことが
分り、またこれらの工程において酸素濃度が１ｏＩｆｆ
原子／ｃ原子上り少ないと、−次積層欠陥密度が著しく
少なくなることが分る。
ディスロケーションの発生原因は２種類考えられる。ま
ずＣＺウェハ（酸素濃度１０”原子／ｃｍ３）では、デ
ィスロケーションがＯ工程中にウェハ内部で成長する析
出物からパンチアウトされ、表面近傍の析出物から出た
ものは容易に表面に到達する。ＥＺウェハ（酸素濃度１
０′７又は１０１６原子／ｃｍ３）やＦＺウェハ（酸素
濃度１０′５原子／ｃｍ３）では、酸化温度１１００℃
での固溶限が４Ｘ１０”原子／ｃｍ３）であるために析
出物は成長せず、従ってディスロケーションも著しく少
なくなる。一方、Ｐ−０−Ｍ工程で処理されたウェハで
は、上述したようにＰ工程によるミスフィツトディスロ
ケーションがＯ工程中に表面にまで伝播する。ＣＺウェ
ハではこの種の伝播は、上記のピンニング効果のために
殆どない。ＥＺウェハにおけるディスロケーションの伝
播がＦＺウェハの場合よりも起こりにくいのは、酸素原
子又はそのクラスタのピンニング効果によるものと考え
られる。
ずＣＺウェハ（酸素濃度１０”原子／ｃｍ３）では、デ
ィスロケーションがＯ工程中にウェハ内部で成長する析
出物からパンチアウトされ、表面近傍の析出物から出た
ものは容易に表面に到達する。ＥＺウェハ（酸素濃度１
０′７又は１０１６原子／ｃｍ３）やＦＺウェハ（酸素
濃度１０′５原子／ｃｍ３）では、酸化温度１１００℃
での固溶限が４Ｘ１０”原子／ｃｍ３）であるために析
出物は成長せず、従ってディスロケーションも著しく少
なくなる。一方、Ｐ−０−Ｍ工程で処理されたウェハで
は、上述したようにＰ工程によるミスフィツトディスロ
ケーションがＯ工程中に表面にまで伝播する。ＣＺウェ
ハではこの種の伝播は、上記のピンニング効果のために
殆どない。ＥＺウェハにおけるディスロケーションの伝
播がＦＺウェハの場合よりも起こりにくいのは、酸素原
子又はそのクラスタのピンニング効果によるものと考え
られる。
−次積層欠陥はＣＺウェハのみに観察され、他のウェハ
では殆ど観察されなかったが、ＣＺウェハでの一次積層
欠陥はウェハ内部の酸素に関与した歪が原因であると思
われる。二次積層欠陥は、長時間酸化後にウェハを炉か
ら引出す冷却過程で生じる過剰の金属不純物等が表面近
くに集まってできた微小欠陥が原因となって発生する。
では殆ど観察されなかったが、ＣＺウェハでの一次積層
欠陥はウェハ内部の酸素に関与した歪が原因であると思
われる。二次積層欠陥は、長時間酸化後にウェハを炉か
ら引出す冷却過程で生じる過剰の金属不純物等が表面近
くに集まってできた微小欠陥が原因となって発生する。
ｏ−ｐ−Ｍ及びＰ−０−Ｍ工程ではそのような微小欠陥
が発生しなかったのは、Ｐ拡散によるミスフィツトディ
スロケーション（格子歪）が過剰の金属不純物等を吸収
して微小欠陥の発生を阻止したためであると思われる。
が発生しなかったのは、Ｐ拡散によるミスフィツトディ
スロケーション（格子歪）が過剰の金属不純物等を吸収
して微小欠陥の発生を阻止したためであると思われる。
またＯ−Ｍ工程では、酸素濃度が１０１７又はｌＯＩ″
原子／ｃｍ’のものが１０１５原子／ｃＩ１１３のもの
より少ないのは、酸素と金属不純物等とが相互作用し、
５ｔ−５ｉＯ□界面に成長するはずの微小欠陥の発生を
ある程度阻止したためと考えられる。ＣＺウェハでは、
−次積層欠陥や析出物が過剰金属不純物等を吸収する働
きがあるので、その発生核である微小欠陥の成長がなく
、二次積層欠陥の発生がなくなる。
原子／ｃｍ’のものが１０１５原子／ｃＩ１１３のもの
より少ないのは、酸素と金属不純物等とが相互作用し、
５ｔ−５ｉＯ□界面に成長するはずの微小欠陥の発生を
ある程度阻止したためと考えられる。ＣＺウェハでは、
−次積層欠陥や析出物が過剰金属不純物等を吸収する働
きがあるので、その発生核である微小欠陥の成長がなく
、二次積層欠陥の発生がなくなる。
（ｄ）、回復時間と欠陥との関係
一般に、工程中に発生した結晶欠陥の密度は上述の回復
時間ｔｆに反比例し、欠陥密度が小さい程、ｔｒが大き
い。上述の各ウェハに対して３通りの工程で処理したと
きに得られた結果を第１図に示した。これによれば、い
ずれの処理においても、ウェハの酸素濃度が１０”（実
際には５×１０”）原子７０１１１２以上、１０１ｓ原
子／ｃ＋＋＋”以下、即ちＥＺウェハでは回復時間ｔｆ
が大きくて望ましいことが分る。
時間ｔｆに反比例し、欠陥密度が小さい程、ｔｒが大き
い。上述の各ウェハに対して３通りの工程で処理したと
きに得られた結果を第１図に示した。これによれば、い
ずれの処理においても、ウェハの酸素濃度が１０”（実
際には５×１０”）原子７０１１１２以上、１０１ｓ原
子／ｃ＋＋＋”以下、即ちＥＺウェハでは回復時間ｔｆ
が大きくて望ましいことが分る。
特にＥＺウェハのうち、酸素濃度が１０′６〜７ｘｌＱ
Ｉ？原子／ｃＩＩ＋″であるものが、回復時間が大きい
こと及び実用性の両面からみてより望ましく、その範囲
では酸素濃度が大きくて固溶限近傍のものがディスロケ
ーションの動きを防止し易い点で更に望ましい。なおＯ
−Ｍ工程の場合は、７×１０１Ｓ〜１０１７原子／ｃＩ
ｌ１３の酸素濃度が良好な結果をもたらす。
Ｉ？原子／ｃＩＩ＋″であるものが、回復時間が大きい
こと及び実用性の両面からみてより望ましく、その範囲
では酸素濃度が大きくて固溶限近傍のものがディスロケ
ーションの動きを防止し易い点で更に望ましい。なおＯ
−Ｍ工程の場合は、７×１０１Ｓ〜１０１７原子／ｃＩ
ｌ１３の酸素濃度が良好な結果をもたらす。
図面の結果を更に詳述すると、Ｐ−０−Ｍ工程による素
子では、主としてＰ拡散によるミスフィツトディスロケ
ーションが素子特性を支配するが、裏面のゲッタリング
効果が大きいためにディスロケーションは不純物によっ
てデコレートされておらず、特性への影響は比較的小さ
い。またＯ−Ｍ工程による素子の特性が最も悪いのは、
デコレートされた積層欠陥が原因になっているものと思
われる。またＯ−Ｐ−Ｍ工程による素子では、ディスロ
ケーションも積層欠陥も少ないために最良の特性を示す
ものと思われる。
子では、主としてＰ拡散によるミスフィツトディスロケ
ーションが素子特性を支配するが、裏面のゲッタリング
効果が大きいためにディスロケーションは不純物によっ
てデコレートされておらず、特性への影響は比較的小さ
い。またＯ−Ｍ工程による素子の特性が最も悪いのは、
デコレートされた積層欠陥が原因になっているものと思
われる。またＯ−Ｐ−Ｍ工程による素子では、ディスロ
ケーションも積層欠陥も少ないために最良の特性を示す
ものと思われる。
以上説明したように、この例によるウェハは熱処理によ
って生じ得る結晶欠陥の発生又は成長を防止することが
できる。従って、従来公知の方法で、ウェハ内にダイオ
ードやトランジスタ等の素子を形成した場合、このプロ
セス温度では結晶欠陥が現われないことから、素子動作
時の雑音特性、漏れ電流特性等を飛曜的に改善すること
ができる。
って生じ得る結晶欠陥の発生又は成長を防止することが
できる。従って、従来公知の方法で、ウェハ内にダイオ
ードやトランジスタ等の素子を形成した場合、このプロ
セス温度では結晶欠陥が現われないことから、素子動作
時の雑音特性、漏れ電流特性等を飛曜的に改善すること
ができる。
なお、上述の熱処理によってウェハ表面に成長した熱酸
化膜は除去してもよいし、或いはそのまま残して従来公
知のように拡散マスクとして用いてもよい。
化膜は除去してもよいし、或いはそのまま残して従来公
知のように拡散マスクとして用いてもよい。
以上、本発明を実施例に基いて説明したが、この実施例
は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能であるこ
とが理解されるであろう。例えば形成すべき半導体素子
は様々であってよいし、ＩＣやＣＯＤにも勿論適用でき
る。
は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能であるこ
とが理解されるであろう。例えば形成すべき半導体素子
は様々であってよいし、ＩＣやＣＯＤにも勿論適用でき
る。
図面は本発明の一実施例によるウェハを用いて製作した
ＭＯＳキャパシタのキャパシタンス回復時間ｔｒと酸素
濃度との関係を示すグラフである。
ＭＯＳキャパシタのキャパシタンス回復時間ｔｒと酸素
濃度との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 半導体基板に対する熱処理工程を含む半導体装置の製造
方法において、５×１０＾１＾５〜１×１０＾１＾８原
子／ｃｍ＾３の酸素を含有するシリコン基板を前記半導
体基板として用い、前記熱処理工程の前に前記シリコン
基板に対する裏面ゲッタリングを行うようにしたことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6554286A JPS6249631A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6554286A JPS6249631A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61037844A Division JPS61198638A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249631A true JPS6249631A (ja) | 1987-03-04 |
| JPH0351295B2 JPH0351295B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=13290006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6554286A Granted JPS6249631A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6249631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281290A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-11-16 | Samsung Electron Devices Co Ltd | プラズマデイスプレーパネルのスキャンライン駆動分離回路及び分離方法 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6554286A patent/JPS6249631A/ja active Granted
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF APPLIED PHYSICS=1975 * |
| SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY=1975 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02281290A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-11-16 | Samsung Electron Devices Co Ltd | プラズマデイスプレーパネルのスキャンライン駆動分離回路及び分離方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351295B2 (ja) | 1991-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930000310B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| EP0635879A2 (en) | Semiconductor silicon wafer and process for producing it | |
| JP2000272995A (ja) | シリコン単結晶、シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ | |
| JP3381816B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0817163B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2998330B2 (ja) | Ｓｉｍｏｘ基板及びその製造方法 | |
| TW202507096A (zh) | 磊晶晶圓及soi晶圓以及該等的製造方法 | |
| JPH10303208A (ja) | 半導体基板およびその製造方法 | |
| JPS6142855B2 (ja) | ||
| JPH11204534A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP3579069B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102858653B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼 | |
| JPH0410544A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6120337A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6249630A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0351295B2 (ja) | ||
| JPH0346972B2 (ja) | ||
| KR102847759B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 에피택셜 실리콘 웨이퍼 | |
| JPH0574784A (ja) | シリコン基板の製造方法 | |
| JPH0247836A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01258414A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0339998B2 (ja) | ||
| JPH09199379A (ja) | 高品位エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | |
| JPH03160725A (ja) | 半導体ウェーハ | |
| JPS6249629A (ja) | 半導体装置 |