JPS6251416A - Resin encapsulating mold - Google Patents
Resin encapsulating moldInfo
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- JPS6251416A JPS6251416A JP19171085A JP19171085A JPS6251416A JP S6251416 A JPS6251416 A JP S6251416A JP 19171085 A JP19171085 A JP 19171085A JP 19171085 A JP19171085 A JP 19171085A JP S6251416 A JPS6251416 A JP S6251416A
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- heated
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- resin
- integrated circuit
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体集積回路チンfをトランスファモ
ールド成形で24ツケージするに使用して好適な樹脂封
止金型に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a resin-sealing mold suitable for use, for example, in packaging a semiconductor integrated circuit circuit f by transfer molding.
本発明は例えば半導体集積回路チップをトランス7アモ
ールド成形でパッケージするに使用されるキャビティが
形成されたキャビティブロックと該キャビティブロック
全支持する支持部材とを有する樹脂封止金型において、
キャビティブロックに加熱手段を形成したことによシ、
加熱及び冷却時間を短縮し金型交換の段取時間の短縮及
び消費電力の低減ができるようにすると共に封止樹脂を
均一温度分布で加熱できるようにし不良品発生率の低減
を図ることができるようにしたものである。The present invention relates to a resin sealing mold having a cavity block in which a cavity is formed and a supporting member that fully supports the cavity block, which is used for packaging a semiconductor integrated circuit chip by transformer 7 amolding, for example.
By forming a heating means in the cavity block,
By shortening the heating and cooling time, it is possible to shorten the setup time for mold replacement and reduce power consumption, and it is also possible to heat the sealing resin with uniform temperature distribution, reducing the incidence of defective products. This is how it was done.
従来、半導体集積回路チップ6ヲトランスファモールド
成形で・ダツケージするに使用される樹脂封止金型とし
て第5図に示す如きものが提案されている。Conventionally, a resin sealing mold as shown in FIG. 5 has been proposed as a resin sealing mold used for transfer molding and dicing a semiconductor integrated circuit chip 6.
この第5図だおいて(1)及び(2)は夫々キャビティ
ブロックを示し、キャビティブロック(1)にはキャビ
ティ(3)及びf−)(4)が形成されておシ、キャビ
ティブロック(2)にはキャビティ(5)が形成されて
いる。そこで第5図に示す樹脂封止金型は、第6図に示
す如く封止樹脂の流路となるランナ(6)全有するラン
ナブロック(7) ?キャビティブロック(1) (1
)で挾持して之等を型板(8)に定着したキャビティチ
ェイス(9)に固定すると共にランナブロックαI′t
−キャビテイブロック<2) (2)で挾持して之等を
型板αpに定着したキャビティチェイス(2〕に固定し
、また型板(8)αυにヒータ(6)a◆及び温度検出
素子(ト)α119ヲ設ける如くして構成されている。In FIG. 5, (1) and (2) indicate cavity blocks, respectively, and cavities (3) and f-(4) are formed in cavity block (1), and cavity block (2) is formed in cavity block (1). ) is formed with a cavity (5). Therefore, the resin sealing mold shown in FIG. 5 has a runner block (7) that has all the runners (6) that serve as flow paths for the sealing resin, as shown in FIG. Cavity block (1) (1
) and fix them to the cavity chaser (9) fixed to the template (8), and also the runner block αI't.
-Cavity block <2) These are clamped by (2) and fixed to the cavity chaser (2) fixed to the template αp, and the heater (6) a◆ and the temperature detection element ( g) It is configured such that α119 is provided.
この様に構成された樹脂封止金型において半導体集積回
路チップを例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、ま
ず第7図に示す如く半導体集積回路チップα′/)ヲリ
ードフレームα樽上に載置し、半導体集積回路チップα
ηの電極とリードフレームα樽に ゛設けられたリード
とをAu線α傷で接続した後、このリードフレームαカ
を半導体集積回路チップ(ロ)載置部がキャピテイ(3
〕の中央部に配される如くキャビティブロック(1)上
に置せ、このリードフレームQ樽をキャビティブロック
(1)とキャビティブロック(2)とで挟持圧接する如
く支持する。When sealing a semiconductor integrated circuit chip with, for example, epoxy resin in the resin sealing mold configured in this way, first place the semiconductor integrated circuit chip α′/) on the lead frame α barrel as shown in FIG. Place the semiconductor integrated circuit chip α
After connecting the electrodes of η and the leads provided on the lead frame α barrel with the Au wire α scratches, the semiconductor integrated circuit chip (B) mounting part is placed on the lead frame α barrel (3).
) is placed on the cavity block (1) so as to be disposed in the center of the lead frame Q barrel, and the lead frame Q barrel is supported so as to be sandwiched and pressed between the cavity block (1) and the cavity block (2).
次に型板(8)αη内に設けられたヒータに)α→に所
定の電流を供給しキャビティブロック(1) (2)が
共に170℃になる如く加熱した後、溶融した130℃
のエポキシ樹脂をランナ(6)及びゲート(4)を介し
てキャビティ(3) (5)内に加圧注入して硬化させ
ることによって第8図に示す如きエポキシ樹脂で封止し
た牛導体集積回路チツ7″を得ることができる。そこで
、その後、リーrフレームQlのうちリード部(18a
) ’に残し不要な部分を切断して、リード部(18a
) を所要の形に折曲することによってM9図忙示す如
き半導体集積回路装置を得ることができる。Next, a predetermined current is supplied to α→ to the heater installed in the template (8) αη, and the cavity blocks (1) and (2) are heated to 170°C, and then melted to 130°C.
A conductive integrated circuit sealed with epoxy resin as shown in FIG. Therefore, after that, the lead part (18a
)' and cut off the unnecessary part left on the lead part (18a
) can be bent into a desired shape to obtain a semiconductor integrated circuit device as shown in Figure M9.
しかしながら、斯る従来の樹脂封止金型においては、型
板(8)αでに設けられたヒータ(2)α◆によって型
板(8)α])を加熱し間接的にキャビティブロック(
1)(2]ヲ加熱制御しているため、キャビティブロッ
ク(1) (2)を加熱又は冷却するためには金型全体
を加熱又は冷却する必要がるシ、このため加熱又は冷却
に必要以上の時間を要し型交換の段取に長時間を要する
と共に消費電力も大きいという不都合があった。However, in such a conventional resin-sealed mold, the mold plate (8) α]) is heated by the heater (2) α◆ provided at the mold plate (8) α, and the cavity block (
1) (2) Since the heating is controlled, the entire mold needs to be heated or cooled in order to heat or cool the cavity blocks (1) and (2). There are disadvantages in that it takes a long time to set up mold exchange, and it also consumes a lot of power.
またヒータ(ト)CI樽とキャピテイ(3) (5)と
の距離が大きいため、キャピテイ(1)の正確な温度制
御が翔しく、キャピテイ(3] (5)の温度分布が不
均一になり、このため注入された封止樹脂が不均一に凝
縮し半導体集積回路チップαηの電極とリードとを接続
しているAu線(至)を断腺させてしまう場合があると
いう不都合もあった。In addition, since the distance between the heater (g) CI barrel and the capites (3) and (5) is large, accurate temperature control of the capites (1) is difficult and the temperature distribution of the capites (3) and (5) becomes uneven. For this reason, there was also the problem that the injected sealing resin condensed non-uniformly and could break the Au wires connecting the electrodes and leads of the semiconductor integrated circuit chip αη.
本発明は、斯る点に鑑み、キャビティブロック(1)(
2)の加熱及び冷却を短時間で行うことができると共に
封止樹脂を均一温度分布で加熱することができるように
した樹脂封止金型を提供することを目的とする。In view of these points, the present invention provides a cavity block (1) (
It is an object of the present invention to provide a resin sealing mold that can perform the heating and cooling of 2) in a short time and also heat the sealing resin with uniform temperature distribution.
本発明は、第1図〜第4図に示す如く、キャビティ(3
) (4)が形成されたキャビティブロック(1) (
2J ト該キャビティブロック(1) (2) t−支
持する支持部材(8)(9)とを有する樹脂封止金型に
おいて キャビティブロック(1) (2)に加熱手段
翰eメを形成したものである。As shown in FIGS. 1 to 4, the present invention provides a cavity (3
) (4) is formed in the cavity block (1) (
2J In a resin sealing mold having supporting members (8) and (9) for supporting the cavity blocks (1) and (2), a heating means holder is formed on the cavity blocks (1) and (2). It is.
斯る本発明に依れば、キャビティブロック(1)(2)
に加熱手段WaCが設けられているので、キャピテ
゛イブロック(1) (2)は加熱手段(イ)Ql
)によシ直接加熱される1従って、短時間でキャビティ
ブロック(1)(2)の加熱、冷却ができると共にキャ
ピテイ(3) (5)の温度変化に迅速に対応し微制御
全行うことができるのでキャビティ(3) (5)の温
度分布全均一にし、封止樹脂を均一温度分布で加熱する
ことができる。According to the present invention, the cavity blocks (1) (2)
Since the heating means WaC is installed in the
゛I block (1) (2) is the heating means (A) Ql
) 1 Therefore, the cavity blocks (1) and (2) can be heated and cooled in a short time, and it is also possible to quickly respond to temperature changes in the cavities (3) and (5) and perform fine control. Therefore, the temperature distribution in the cavities (3) and (5) can be made uniform throughout, and the sealing resin can be heated with a uniform temperature distribution.
以下、第1図〜第4図を参照して本発明の樹脂封止金型
の一実施例につき説明しよう。この第1図〜第4図にお
いて第5図〜第7図に対応する部分には同一符号を付し
、その詳細説明は省略する。Hereinafter, one embodiment of the resin-sealed mold of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. In FIGS. 1 to 4, parts corresponding to those in FIGS. 5 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
この第1図において(1)はキャビティブロックを示し
1本例においてはこのキャビティブロック1をアルミナ
セラミックで形成し、このキャビティブロック(1)に
第2図に示す如くキャピテイ(3〕とグー ) (4)
とを形成すると共に第3図及び第4図に示す如く例えば
タングステンよシなるヒータwt−設ける。この場合、
キャビティブロック(1)の底面にメタライズ法によシ
タングステンよシなる所望のヒータパターン(ホ)を形
成し、その端子部(イ)及び(イ)に例えばニッケルリ
ード線(ハ)をロウ付けすると共に、斯る底面を絶縁採
掘するためにアルミナセラミックでコーティングし、温
度検出素子α→もキャビティブロック(1)内に設ける
如くする。またキャビティブロック(2)についてもア
ルミナセラミックで形成し、キャピテイ(5)t−形成
すると共にキャビティブロック(1)と同様にタングス
テンよシなるヒータ(ハ)及び温度検出素子aQt−設
ける如くする。In this FIG. 1, (1) indicates a cavity block, and in this example, this cavity block 1 is made of alumina ceramic, and this cavity block (1) has a cavity (3) and a goo as shown in FIG. 4)
A heater made of tungsten, for example, is provided as shown in FIGS. 3 and 4. in this case,
A desired heater pattern (E) made of tungsten is formed on the bottom of the cavity block (1) by a metallization method, and nickel lead wires (C), for example, are brazed to its terminal parts (A) and (A). At the same time, the bottom surface is coated with alumina ceramic for insulating mining, and a temperature detection element α→ is also provided in the cavity block (1). The cavity block (2) is also made of alumina ceramic, has a cavity (5) formed therein, and is provided with a heater (c) made of tungsten and a temperature detection element aQt, as in the cavity block (1).
そこで本例においては、斯るキャビティブロック(1)
(1)でランナブロック(6)全挾持して之等を型板(
8)に定着したキャビティチェイス(9)に固定すると
共にキャビティブロック(1〕(2)でランナブロック
α1を挾持して応等t−型板αηに定着したキャビティ
チェイス(6)に固定する如くして樹脂封止金型を構成
する・
この様に構成された本実施例において半導体集積回路チ
ンf2例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、従来例
の場合と同様にまず半導体集積回路チップαカ全リード
フレーム(至)上に載置し、半導体集積回路チップα力
の電極とリードフレームα榎に設けられたリード(18
&)とiAu線(6)で接続した後、このリードフレー
ム(財)′t−牛導体集積回路チツブαη載置部がキャ
ビティ(3)の中央部に配される如くキャビティブロッ
ク(1)上に載せ、このリードフレーム(ll’t−キ
ャビティブロック(1)とキャビティブロック(2)と
で挾持圧接する如く支持する。次にキャビティブロック
(1)(2)に設けられたヒータ(1)al)に所定の
電流を供給しキャビティブロック(1)(2)が共に1
70℃になる如く加熱した後、溶融した130℃のエポ
キシ樹脂をランナ(6)及びグー) (4) を介して
キャビティ(3) (5)内に加圧注入して硬化させる
ことKよって第8図に示す如きエポキシ樹脂で封止した
半導体集積回路チン7″ヲ得ることができる。そこで、
リードフレームに)のうちリード部(18a) を残し
不要な部分を切断して、リード部(18a) t−所要
の形に折曲することによって第9図に示す如き半導体集
積回路装置金得ることができる。Therefore, in this example, such a cavity block (1)
Hold the runner block (6) completely with (1) and place it on the template (
At the same time, the runner block α1 is clamped between the cavity blocks (1) and (2) and fixed to the cavity chaser (6) fixed on the matching T-shaped plate αη. In this embodiment configured in this way, when sealing the semiconductor integrated circuit chip f2 with, for example, epoxy resin, the semiconductor integrated circuit chip α is first sealed as in the conventional example. Place it on the entire lead frame (18), and connect the electrodes of the semiconductor integrated circuit chip α and the leads (18) provided on the lead frame α.
&) and the iAu wire (6), place the lead frame on the cavity block (1) so that the conductor integrated circuit chip αη mounting part is placed in the center of the cavity (3). The lead frame (ll't) is supported so that the cavity block (1) and the cavity block (2) are sandwiched and pressed together.Next, the heater (1) provided on the cavity block (1) and (2) is ) by supplying a predetermined current to the cavity blocks (1) and (2).
After heating to 70°C, molten epoxy resin at 130°C is injected under pressure into the cavities (3) and (5) through the runner (6) and goo (4) and cured. A semiconductor integrated circuit chip 7" sealed with epoxy resin as shown in FIG. 8 can be obtained.
A semiconductor integrated circuit device as shown in FIG. 9 is obtained by cutting unnecessary parts of the lead frame (18a) and bending the lead part (18a) into a desired shape. I can do it.
斯る本実施例に依れば、キャビティブロック(1)(2
)にヒータ(ホ)al)が設けられているので、キャビ
ティブロック(1) (2)はヒータ(7)01)によ
り直接加熱される。従って、短時間でキャビティブロッ
ク(1) (2)の加熱、冷却が行われるので、型交換
の段取時間全短縮することができると共に消費電力も低
減することができるという利益がある。According to this embodiment, the cavity blocks (1) (2)
) are provided with heaters (e)al), so the cavity blocks (1) and (2) are directly heated by the heaters (7)01). Therefore, since the cavity blocks (1) and (2) are heated and cooled in a short time, there is an advantage that the setup time for mold exchange can be completely shortened, and power consumption can also be reduced.
またキャビティ(3) (5)とヒータHOI)との距
離が短いためキャビティ(3) (5)の温度変化に迅
速に対応し微制御を行うことができるので、=?キャビ
イ(3) (5)の温度分布を均一にすることができる
。従って、エポキシ樹脂を均一温度分布で加熱すること
ができ、半導体集積回路チップα力の電極とリードとを
接続するAu線(至)を断線することがなく、不良品発
生率を低減することができるという利益がある。Also, since the distance between the cavity (3) (5) and the heater HOI) is short, it is possible to quickly respond to temperature changes in the cavity (3) (5) and perform fine control. The temperature distribution in the cavities (3) and (5) can be made uniform. Therefore, the epoxy resin can be heated with uniform temperature distribution, and the Au wires connecting the electrodes and leads of the semiconductor integrated circuit chip will not be disconnected, reducing the incidence of defective products. There is an advantage in being able to do so.
また本例においては、キャビティブロック(1)(2)
をアルミナセラミックで形成したので、従来例のダイス
鋼に比し硬度が増し、エポキシ樹脂に含まれるシリカ等
によシΦヤピテイブロック(1) (2)が破損される
ことがないという利益があると共に離型性が向上し、エ
ポキシ樹脂に含まれる離型剤としてのワックスを減らす
ことができ、従って、このワックスの炭化によるキャビ
ティ(3) (5)面への付着を取り除くためのメラミ
ン樹脂での洗浄回数を低減できるという利益がある。In addition, in this example, cavity blocks (1) (2)
Since it is made of alumina ceramic, it has increased hardness compared to the conventional die steel, and has the advantage that the Φ Yapity block (1) (2) will not be damaged by silica etc. contained in the epoxy resin. Mold releasability is improved and the amount of wax as a mold release agent contained in the epoxy resin can be reduced. There is an advantage that the number of washings can be reduced.
尚、上述実施例においてはタングステンを使用してと−
81カを形成した場合について述べたが、このタングス
テンの代わシに他の金属材料全使用しても同様の作用、
効果を得ることができる。In the above embodiment, tungsten is used.
Although we have described the case where 81 metals are formed, the same effect can be obtained even if all other metal materials are used instead of tungsten.
effect can be obtained.
また上述実施例においてはアルミナセラミックでキャビ
ティブロック(1)(2)を形成した場合について述べ
たが、他の材料を使用しても同様の作用効果を得ること
ができる。Further, in the above embodiments, the cavity blocks (1) and (2) are formed of alumina ceramic, but similar effects can be obtained by using other materials.
更に本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸脱
することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論で
ある。Furthermore, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can take various other configurations without departing from the gist of the present invention.
本発明に依れば、短時間で±44しび4型丹キヤピテイ
ブロツクの加熱、冷却が行われるので、型交換の段取時
間を短縮することができると共に消費電力も低減するこ
とができるという利益がある。According to the present invention, heating and cooling of the ±44mm and 4-inch tan capital block can be performed in a short time, so it is possible to shorten the setup time for mold change and to reduce power consumption. There is an advantage in being able to do so.
またキャビティの温度変化に迅速に対応し微制御を行う
ことができるのでキャピテイの温度分布を均一にし、封
止樹脂を均一温度分布で加熱することができ、不良品発
生率を低減できるという利益がある。In addition, since it is possible to quickly respond to temperature changes in the cavity and perform fine control, the temperature distribution in the cavity can be made uniform, and the sealing resin can be heated with a uniform temperature distribution, which has the advantage of reducing the incidence of defective products. be.
第1図は本発明樹脂封止金型の一実施例を示・す要部断
面図、第2図は本発明の一実施例で使用するキャビティ
ブロックの斜視図、第3図は第2図A −A’線断面図
、第4図は第2図のB−B’線断面図、第5図は従来例
を示す要部断面図、第6図、第7図、第8図及び第9図
は夫々従来例の説明に供する線図である。
(1)及び(2)は夫々キャビティブロック、 (3)
及ヒ(5)は夫々中ヤビテイ、(8)及びαηは夫々
型板、翰及びに)は夫々ヒータである。
!午イピ°ティア゛ロック
ータ(′万艶イ列の1酬W 断efl1mり第1図
キイヒ゛ティプロ0.りのか1ネLロ
第2図
A−A’fil[+IID
第3図
B−E’鵠l!/r面口
第4図Fig. 1 is a cross-sectional view of essential parts showing an embodiment of a resin-sealed mold according to the present invention, Fig. 2 is a perspective view of a cavity block used in an embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a sectional view taken along line B-B' in FIG. 2, FIG. 5 is a sectional view of main parts showing a conventional example, FIGS. FIG. 9 is a diagram for explaining each conventional example. (1) and (2) are respectively cavity blocks, (3)
(5) and (8) are respectively the mold plates; (8) and (αη) are the heaters, respectively. ! Afternoon Ipi ° Tear Lokta ('1st W of the 100th Anniversary Line Cutting Efl1m Fig. 1 Key Hity Pro 0. Rika 1 Ne L Ro Fig. 2 A-A'fil [+IID Fig. 3 B-E') l!/r side figure 4
Claims (1)
ティブロックを支持する支持部材とを有する樹脂封止金
型において、上記キャビティブロックに加熱手段を形成
したことを特徴とする樹脂封止金型。1. A resin-sealing mold comprising a cavity block in which a cavity is formed and a support member for supporting the cavity block, characterized in that a heating means is formed in the cavity block.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171085A JPS6251416A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Resin encapsulating mold |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171085A JPS6251416A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Resin encapsulating mold |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251416A true JPS6251416A (en) | 1987-03-06 |
Family
ID=16279189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19171085A Pending JPS6251416A (en) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | Resin encapsulating mold |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251416A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| JP2009105273A (en) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Resin sealing mold |
| JP2012256925A (en) * | 2012-08-10 | 2012-12-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Resin seal mold |
| CN109664470A (en) * | 2018-12-27 | 2019-04-23 | 佛山市顺德区震旭塑料机械有限公司 | A kind of injection machine mould with temperature control die cavity deformation function |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19171085A patent/JPS6251416A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| JP2009105273A (en) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Resin sealing mold |
| JP2012256925A (en) * | 2012-08-10 | 2012-12-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Resin seal mold |
| CN109664470A (en) * | 2018-12-27 | 2019-04-23 | 佛山市顺德区震旭塑料机械有限公司 | A kind of injection machine mould with temperature control die cavity deformation function |
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