JPS6251416A - 樹脂封止金型 - Google Patents
樹脂封止金型Info
- Publication number
- JPS6251416A JPS6251416A JP19171085A JP19171085A JPS6251416A JP S6251416 A JPS6251416 A JP S6251416A JP 19171085 A JP19171085 A JP 19171085A JP 19171085 A JP19171085 A JP 19171085A JP S6251416 A JPS6251416 A JP S6251416A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- heated
- cavity blocks
- resin
- integrated circuit
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば半導体集積回路チンｆをトランスファモ
ールド成形で２４ツケージするに使用して好適な樹脂封
止金型に関する。
ールド成形で２４ツケージするに使用して好適な樹脂封
止金型に関する。
本発明は例えば半導体集積回路チップをトランス７アモ
ールド成形でパッケージするに使用されるキャビティが
形成されたキャビティブロックと該キャビティブロック
全支持する支持部材とを有する樹脂封止金型において、
キャビティブロックに加熱手段を形成したことによシ、
加熱及び冷却時間を短縮し金型交換の段取時間の短縮及
び消費電力の低減ができるようにすると共に封止樹脂を
均一温度分布で加熱できるようにし不良品発生率の低減
を図ることができるようにしたものである。
ールド成形でパッケージするに使用されるキャビティが
形成されたキャビティブロックと該キャビティブロック
全支持する支持部材とを有する樹脂封止金型において、
キャビティブロックに加熱手段を形成したことによシ、
加熱及び冷却時間を短縮し金型交換の段取時間の短縮及
び消費電力の低減ができるようにすると共に封止樹脂を
均一温度分布で加熱できるようにし不良品発生率の低減
を図ることができるようにしたものである。
従来、半導体集積回路チップ６ヲトランスファモールド
成形で・ダツケージするに使用される樹脂封止金型とし
て第５図に示す如きものが提案されている。
成形で・ダツケージするに使用される樹脂封止金型とし
て第５図に示す如きものが提案されている。
この第５図だおいて（１）及び（２）は夫々キャビティ
ブロックを示し、キャビティブロック（１）にはキャビ
ティ（３）及びｆ−）（４）が形成されておシ、キャビ
ティブロック（２）にはキャビティ（５）が形成されて
いる。そこで第５図に示す樹脂封止金型は、第６図に示
す如く封止樹脂の流路となるランナ（６）全有するラン
ナブロック（７） ？キャビティブロック（１） （１
）で挾持して之等を型板（８）に定着したキャビティチ
ェイス（９）に固定すると共にランナブロックαＩ′ｔ
−キャビテイブロック＜２） （２）で挾持して之等を
型板αｐに定着したキャビティチェイス（２〕に固定し
、また型板（８）αυにヒータ（６）ａ◆及び温度検出
素子（ト）α１１９ヲ設ける如くして構成されている。
ブロックを示し、キャビティブロック（１）にはキャビ
ティ（３）及びｆ−）（４）が形成されておシ、キャビ
ティブロック（２）にはキャビティ（５）が形成されて
いる。そこで第５図に示す樹脂封止金型は、第６図に示
す如く封止樹脂の流路となるランナ（６）全有するラン
ナブロック（７） ？キャビティブロック（１） （１
）で挾持して之等を型板（８）に定着したキャビティチ
ェイス（９）に固定すると共にランナブロックαＩ′ｔ
−キャビテイブロック＜２） （２）で挾持して之等を
型板αｐに定着したキャビティチェイス（２〕に固定し
、また型板（８）αυにヒータ（６）ａ◆及び温度検出
素子（ト）α１１９ヲ設ける如くして構成されている。
この様に構成された樹脂封止金型において半導体集積回
路チップを例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、ま
ず第７図に示す如く半導体集積回路チップα′／）ヲリ
ードフレームα樽上に載置し、半導体集積回路チップα
ηの電極とリードフレームα樽に ゛設けられたリード
とをＡｕ線α傷で接続した後、このリードフレームαカ
を半導体集積回路チップ（ロ）載置部がキャピテイ（３
〕の中央部に配される如くキャビティブロック（１）上
に置せ、このリードフレームＱ樽をキャビティブロック
（１）とキャビティブロック（２）とで挟持圧接する如
く支持する。
路チップを例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、ま
ず第７図に示す如く半導体集積回路チップα′／）ヲリ
ードフレームα樽上に載置し、半導体集積回路チップα
ηの電極とリードフレームα樽に ゛設けられたリード
とをＡｕ線α傷で接続した後、このリードフレームαカ
を半導体集積回路チップ（ロ）載置部がキャピテイ（３
〕の中央部に配される如くキャビティブロック（１）上
に置せ、このリードフレームＱ樽をキャビティブロック
（１）とキャビティブロック（２）とで挟持圧接する如
く支持する。
次に型板（８）αη内に設けられたヒータに）α→に所
定の電流を供給しキャビティブロック（１） （２）が
共に１７０℃になる如く加熱した後、溶融した１３０℃
のエポキシ樹脂をランナ（６）及びゲート（４）を介し
てキャビティ（３） （５）内に加圧注入して硬化させ
ることによって第８図に示す如きエポキシ樹脂で封止し
た牛導体集積回路チツ７″を得ることができる。そこで
、その後、リーｒフレームＱｌのうちリード部（１８ａ
） ’に残し不要な部分を切断して、リード部（１８ａ
） を所要の形に折曲することによってＭ９図忙示す如
き半導体集積回路装置を得ることができる。
定の電流を供給しキャビティブロック（１） （２）が
共に１７０℃になる如く加熱した後、溶融した１３０℃
のエポキシ樹脂をランナ（６）及びゲート（４）を介し
てキャビティ（３） （５）内に加圧注入して硬化させ
ることによって第８図に示す如きエポキシ樹脂で封止し
た牛導体集積回路チツ７″を得ることができる。そこで
、その後、リーｒフレームＱｌのうちリード部（１８ａ
） ’に残し不要な部分を切断して、リード部（１８ａ
） を所要の形に折曲することによってＭ９図忙示す如
き半導体集積回路装置を得ることができる。
しかしながら、斯る従来の樹脂封止金型においては、型
板（８）αでに設けられたヒータ（２）α◆によって型
板（８）α］）を加熱し間接的にキャビティブロック（
１）（２］ヲ加熱制御しているため、キャビティブロッ
ク（１） （２）を加熱又は冷却するためには金型全体
を加熱又は冷却する必要がるシ、このため加熱又は冷却
に必要以上の時間を要し型交換の段取に長時間を要する
と共に消費電力も大きいという不都合があった。
板（８）αでに設けられたヒータ（２）α◆によって型
板（８）α］）を加熱し間接的にキャビティブロック（
１）（２］ヲ加熱制御しているため、キャビティブロッ
ク（１） （２）を加熱又は冷却するためには金型全体
を加熱又は冷却する必要がるシ、このため加熱又は冷却
に必要以上の時間を要し型交換の段取に長時間を要する
と共に消費電力も大きいという不都合があった。
またヒータ（ト）ＣＩ樽とキャピテイ（３） （５）と
の距離が大きいため、キャピテイ（１）の正確な温度制
御が翔しく、キャピテイ（３］ （５）の温度分布が不
均一になり、このため注入された封止樹脂が不均一に凝
縮し半導体集積回路チップαηの電極とリードとを接続
しているＡｕ線（至）を断腺させてしまう場合があると
いう不都合もあった。
の距離が大きいため、キャピテイ（１）の正確な温度制
御が翔しく、キャピテイ（３］ （５）の温度分布が不
均一になり、このため注入された封止樹脂が不均一に凝
縮し半導体集積回路チップαηの電極とリードとを接続
しているＡｕ線（至）を断腺させてしまう場合があると
いう不都合もあった。
本発明は、斯る点に鑑み、キャビティブロック（１）（
２）の加熱及び冷却を短時間で行うことができると共に
封止樹脂を均一温度分布で加熱することができるように
した樹脂封止金型を提供することを目的とする。
２）の加熱及び冷却を短時間で行うことができると共に
封止樹脂を均一温度分布で加熱することができるように
した樹脂封止金型を提供することを目的とする。
本発明は、第１図〜第４図に示す如く、キャビティ（３
） （４）が形成されたキャビティブロック（１） （
２Ｊ ト該キャビティブロック（１） （２） ｔ−支
持する支持部材（８）（９）とを有する樹脂封止金型に
おいて キャビティブロック（１） （２）に加熱手段
翰ｅメを形成したものである。
） （４）が形成されたキャビティブロック（１） （
２Ｊ ト該キャビティブロック（１） （２） ｔ−支
持する支持部材（８）（９）とを有する樹脂封止金型に
おいて キャビティブロック（１） （２）に加熱手段
翰ｅメを形成したものである。
斯る本発明に依れば、キャビティブロック（１）（２）
に加熱手段ＷａＣが設けられているので、キャピテ
゛イブロック（１） （２）は加熱手段（イ）Ｑｌ
）によシ直接加熱される１従って、短時間でキャビティ
ブロック（１）（２）の加熱、冷却ができると共にキャ
ピテイ（３） （５）の温度変化に迅速に対応し微制御
全行うことができるのでキャビティ（３） （５）の温
度分布全均一にし、封止樹脂を均一温度分布で加熱する
ことができる。
に加熱手段ＷａＣが設けられているので、キャピテ
゛イブロック（１） （２）は加熱手段（イ）Ｑｌ
）によシ直接加熱される１従って、短時間でキャビティ
ブロック（１）（２）の加熱、冷却ができると共にキャ
ピテイ（３） （５）の温度変化に迅速に対応し微制御
全行うことができるのでキャビティ（３） （５）の温
度分布全均一にし、封止樹脂を均一温度分布で加熱する
ことができる。
以下、第１図〜第４図を参照して本発明の樹脂封止金型
の一実施例につき説明しよう。この第１図〜第４図にお
いて第５図〜第７図に対応する部分には同一符号を付し
、その詳細説明は省略する。
の一実施例につき説明しよう。この第１図〜第４図にお
いて第５図〜第７図に対応する部分には同一符号を付し
、その詳細説明は省略する。
この第１図において（１）はキャビティブロックを示し
１本例においてはこのキャビティブロック１をアルミナ
セラミックで形成し、このキャビティブロック（１）に
第２図に示す如くキャピテイ（３〕とグー ） （４）
とを形成すると共に第３図及び第４図に示す如く例えば
タングステンよシなるヒータｗｔ−設ける。この場合、
キャビティブロック（１）の底面にメタライズ法によシ
タングステンよシなる所望のヒータパターン（ホ）を形
成し、その端子部（イ）及び（イ）に例えばニッケルリ
ード線（ハ）をロウ付けすると共に、斯る底面を絶縁採
掘するためにアルミナセラミックでコーティングし、温
度検出素子α→もキャビティブロック（１）内に設ける
如くする。またキャビティブロック（２）についてもア
ルミナセラミックで形成し、キャピテイ（５）ｔ−形成
すると共にキャビティブロック（１）と同様にタングス
テンよシなるヒータ（ハ）及び温度検出素子ａＱｔ−設
ける如くする。
１本例においてはこのキャビティブロック１をアルミナ
セラミックで形成し、このキャビティブロック（１）に
第２図に示す如くキャピテイ（３〕とグー ） （４）
とを形成すると共に第３図及び第４図に示す如く例えば
タングステンよシなるヒータｗｔ−設ける。この場合、
キャビティブロック（１）の底面にメタライズ法によシ
タングステンよシなる所望のヒータパターン（ホ）を形
成し、その端子部（イ）及び（イ）に例えばニッケルリ
ード線（ハ）をロウ付けすると共に、斯る底面を絶縁採
掘するためにアルミナセラミックでコーティングし、温
度検出素子α→もキャビティブロック（１）内に設ける
如くする。またキャビティブロック（２）についてもア
ルミナセラミックで形成し、キャピテイ（５）ｔ−形成
すると共にキャビティブロック（１）と同様にタングス
テンよシなるヒータ（ハ）及び温度検出素子ａＱｔ−設
ける如くする。
そこで本例においては、斯るキャビティブロック（１）
（１）でランナブロック（６）全挾持して之等を型板（
８）に定着したキャビティチェイス（９）に固定すると
共にキャビティブロック（１〕（２）でランナブロック
α１を挾持して応等ｔ−型板αηに定着したキャビティ
チェイス（６）に固定する如くして樹脂封止金型を構成
する・ この様に構成された本実施例において半導体集積回路チ
ンｆ２例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、従来例
の場合と同様にまず半導体集積回路チップαカ全リード
フレーム（至）上に載置し、半導体集積回路チップα力
の電極とリードフレームα榎に設けられたリード（１８
＆）とｉＡｕ線（６）で接続した後、このリードフレー
ム（財）′ｔ−牛導体集積回路チツブαη載置部がキャ
ビティ（３）の中央部に配される如くキャビティブロッ
ク（１）上に載せ、このリードフレーム（ｌｌ’ｔ−キ
ャビティブロック（１）とキャビティブロック（２）と
で挾持圧接する如く支持する。次にキャビティブロック
（１）（２）に設けられたヒータ（１）ａｌ）に所定の
電流を供給しキャビティブロック（１）（２）が共に１
７０℃になる如く加熱した後、溶融した１３０℃のエポ
キシ樹脂をランナ（６）及びグー） （４） を介して
キャビティ（３） （５）内に加圧注入して硬化させる
ことＫよって第８図に示す如きエポキシ樹脂で封止した
半導体集積回路チン７″ヲ得ることができる。そこで、
リードフレームに）のうちリード部（１８ａ） を残し
不要な部分を切断して、リード部（１８ａ） ｔ−所要
の形に折曲することによって第９図に示す如き半導体集
積回路装置金得ることができる。
（１）でランナブロック（６）全挾持して之等を型板（
８）に定着したキャビティチェイス（９）に固定すると
共にキャビティブロック（１〕（２）でランナブロック
α１を挾持して応等ｔ−型板αηに定着したキャビティ
チェイス（６）に固定する如くして樹脂封止金型を構成
する・ この様に構成された本実施例において半導体集積回路チ
ンｆ２例えばエポキシ樹脂で封止する場合には、従来例
の場合と同様にまず半導体集積回路チップαカ全リード
フレーム（至）上に載置し、半導体集積回路チップα力
の電極とリードフレームα榎に設けられたリード（１８
＆）とｉＡｕ線（６）で接続した後、このリードフレー
ム（財）′ｔ−牛導体集積回路チツブαη載置部がキャ
ビティ（３）の中央部に配される如くキャビティブロッ
ク（１）上に載せ、このリードフレーム（ｌｌ’ｔ−キ
ャビティブロック（１）とキャビティブロック（２）と
で挾持圧接する如く支持する。次にキャビティブロック
（１）（２）に設けられたヒータ（１）ａｌ）に所定の
電流を供給しキャビティブロック（１）（２）が共に１
７０℃になる如く加熱した後、溶融した１３０℃のエポ
キシ樹脂をランナ（６）及びグー） （４） を介して
キャビティ（３） （５）内に加圧注入して硬化させる
ことＫよって第８図に示す如きエポキシ樹脂で封止した
半導体集積回路チン７″ヲ得ることができる。そこで、
リードフレームに）のうちリード部（１８ａ） を残し
不要な部分を切断して、リード部（１８ａ） ｔ−所要
の形に折曲することによって第９図に示す如き半導体集
積回路装置金得ることができる。
斯る本実施例に依れば、キャビティブロック（１）（２
）にヒータ（ホ）ａｌ）が設けられているので、キャビ
ティブロック（１） （２）はヒータ（７）０１）によ
り直接加熱される。従って、短時間でキャビティブロッ
ク（１） （２）の加熱、冷却が行われるので、型交換
の段取時間全短縮することができると共に消費電力も低
減することができるという利益がある。
）にヒータ（ホ）ａｌ）が設けられているので、キャビ
ティブロック（１） （２）はヒータ（７）０１）によ
り直接加熱される。従って、短時間でキャビティブロッ
ク（１） （２）の加熱、冷却が行われるので、型交換
の段取時間全短縮することができると共に消費電力も低
減することができるという利益がある。
またキャビティ（３） （５）とヒータＨＯＩ）との距
離が短いためキャビティ（３） （５）の温度変化に迅
速に対応し微制御を行うことができるので、＝？キャビ
イ（３） （５）の温度分布を均一にすることができる
。従って、エポキシ樹脂を均一温度分布で加熱すること
ができ、半導体集積回路チップα力の電極とリードとを
接続するＡｕ線（至）を断線することがなく、不良品発
生率を低減することができるという利益がある。
離が短いためキャビティ（３） （５）の温度変化に迅
速に対応し微制御を行うことができるので、＝？キャビ
イ（３） （５）の温度分布を均一にすることができる
。従って、エポキシ樹脂を均一温度分布で加熱すること
ができ、半導体集積回路チップα力の電極とリードとを
接続するＡｕ線（至）を断線することがなく、不良品発
生率を低減することができるという利益がある。
また本例においては、キャビティブロック（１）（２）
をアルミナセラミックで形成したので、従来例のダイス
鋼に比し硬度が増し、エポキシ樹脂に含まれるシリカ等
によシΦヤピテイブロック（１） （２）が破損される
ことがないという利益があると共に離型性が向上し、エ
ポキシ樹脂に含まれる離型剤としてのワックスを減らす
ことができ、従って、このワックスの炭化によるキャビ
ティ（３） （５）面への付着を取り除くためのメラミ
ン樹脂での洗浄回数を低減できるという利益がある。
をアルミナセラミックで形成したので、従来例のダイス
鋼に比し硬度が増し、エポキシ樹脂に含まれるシリカ等
によシΦヤピテイブロック（１） （２）が破損される
ことがないという利益があると共に離型性が向上し、エ
ポキシ樹脂に含まれる離型剤としてのワックスを減らす
ことができ、従って、このワックスの炭化によるキャビ
ティ（３） （５）面への付着を取り除くためのメラミ
ン樹脂での洗浄回数を低減できるという利益がある。
尚、上述実施例においてはタングステンを使用してと−
８１カを形成した場合について述べたが、このタングス
テンの代わシに他の金属材料全使用しても同様の作用、
効果を得ることができる。
８１カを形成した場合について述べたが、このタングス
テンの代わシに他の金属材料全使用しても同様の作用、
効果を得ることができる。
また上述実施例においてはアルミナセラミックでキャビ
ティブロック（１）（２）を形成した場合について述べ
たが、他の材料を使用しても同様の作用効果を得ること
ができる。
ティブロック（１）（２）を形成した場合について述べ
たが、他の材料を使用しても同様の作用効果を得ること
ができる。
更に本発明は上述実施例に限らず、本発明の要旨を逸脱
することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論で
ある。
することなくその他種々の構成が取り得ることは勿論で
ある。
本発明に依れば、短時間で±４４しび４型丹キヤピテイ
ブロツクの加熱、冷却が行われるので、型交換の段取時
間を短縮することができると共に消費電力も低減するこ
とができるという利益がある。
ブロツクの加熱、冷却が行われるので、型交換の段取時
間を短縮することができると共に消費電力も低減するこ
とができるという利益がある。
またキャビティの温度変化に迅速に対応し微制御を行う
ことができるのでキャピテイの温度分布を均一にし、封
止樹脂を均一温度分布で加熱することができ、不良品発
生率を低減できるという利益がある。
ことができるのでキャピテイの温度分布を均一にし、封
止樹脂を均一温度分布で加熱することができ、不良品発
生率を低減できるという利益がある。
第１図は本発明樹脂封止金型の一実施例を示・す要部断
面図、第２図は本発明の一実施例で使用するキャビティ
ブロックの斜視図、第３図は第２図Ａ −Ａ’線断面図
、第４図は第２図のＢ−Ｂ’線断面図、第５図は従来例
を示す要部断面図、第６図、第７図、第８図及び第９図
は夫々従来例の説明に供する線図である。 （１）及び（２）は夫々キャビティブロック、 （３）
及ヒ（５）は夫々中ヤビテイ、（８）及びαηは夫々
型板、翰及びに）は夫々ヒータである。 ！午イピ°ティア゛ロック ータ（′万艶イ列の１酬Ｗ 断ｅｆｌ１ｍり第１図 キイヒ゛ティプロ０．りのか１ネＬロ 第２図 Ａ−Ａ’ｆｉｌ［＋ＩＩＤ 第３図 Ｂ−Ｅ’鵠ｌ！／ｒ面口 第４図
面図、第２図は本発明の一実施例で使用するキャビティ
ブロックの斜視図、第３図は第２図Ａ −Ａ’線断面図
、第４図は第２図のＢ−Ｂ’線断面図、第５図は従来例
を示す要部断面図、第６図、第７図、第８図及び第９図
は夫々従来例の説明に供する線図である。 （１）及び（２）は夫々キャビティブロック、 （３）
及ヒ（５）は夫々中ヤビテイ、（８）及びαηは夫々
型板、翰及びに）は夫々ヒータである。 ！午イピ°ティア゛ロック ータ（′万艶イ列の１酬Ｗ 断ｅｆｌ１ｍり第１図 キイヒ゛ティプロ０．りのか１ネＬロ 第２図 Ａ−Ａ’ｆｉｌ［＋ＩＩＤ 第３図 Ｂ−Ｅ’鵠ｌ！／ｒ面口 第４図
Claims (1)
- キャビティが形成されたキャビティブロックと該キャビ
ティブロックを支持する支持部材とを有する樹脂封止金
型において、上記キャビティブロックに加熱手段を形成
したことを特徴とする樹脂封止金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171085A JPS6251416A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 樹脂封止金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19171085A JPS6251416A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 樹脂封止金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251416A true JPS6251416A (ja) | 1987-03-06 |
Family
ID=16279189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19171085A Pending JPS6251416A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 樹脂封止金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251416A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| JP2009105273A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| JP2012256925A (ja) * | 2012-08-10 | 2012-12-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| CN109664470A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-23 | 佛山市顺德区震旭塑料机械有限公司 | 一种具有温控模槽变形功能的注塑机模具 |
-
1985
- 1985-08-30 JP JP19171085A patent/JPS6251416A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0730937A1 (en) * | 1994-11-21 | 1996-09-11 | Apic Yamada Corporation | A resin molding machine with release film |
| JP2009105273A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| JP2012256925A (ja) * | 2012-08-10 | 2012-12-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
| CN109664470A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-04-23 | 佛山市顺德区震旭塑料机械有限公司 | 一种具有温控模槽变形功能的注塑机模具 |
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