JPS6251459B2 - - Google Patents
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- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N tris(2-chloroethyl) phosphate Chemical compound ClCCOP(=O)(OCCCl)OCCCl HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、石版印刷板、複写ラツカ及び該類似
物の製造に好適なポジ作業する感光性混合物に関
する。
物の製造に好適なポジ作業する感光性混合物に関
する。
像に応じて露光された範囲が現像液に可溶性と
なり、露光されてない範囲が不溶である感光性混
合物ないしはこの形式の複写材料は久しく公知で
ある。この種の材料の製造に関しては実地におい
てなかんずくo―キノンジアジドを有する層がな
おアルカリ可溶化基を有する樹脂、例えばフエノ
ール樹脂を今有する感光性化合物として使用され
る。
なり、露光されてない範囲が不溶である感光性混
合物ないしはこの形式の複写材料は久しく公知で
ある。この種の材料の製造に関しては実地におい
てなかんずくo―キノンジアジドを有する層がな
おアルカリ可溶化基を有する樹脂、例えばフエノ
ール樹脂を今有する感光性化合物として使用され
る。
しかしながら、この種の複写層は比較的劣悪な
感光度を有する。従つて、すでに過去において、
この種のo―ナフトキノンジアジド化合物と膜形
成するアルカリ溶融性フエノール樹脂とからなる
感光性複写材料の写真感光度を改善するための
種々の提案がなされた。しかしながら、この種の
試みは、これまでなお顕著な成功を収めていなか
つた。これ故、実際に複写層におけるo―ナフト
キノンジアジド化合物の量比の減少は著しく感光
度を上昇させるが、この種の変化は複写層の不十
分な現像液耐蝕膜を生じる。
感光度を有する。従つて、すでに過去において、
この種のo―ナフトキノンジアジド化合物と膜形
成するアルカリ溶融性フエノール樹脂とからなる
感光性複写材料の写真感光度を改善するための
種々の提案がなされた。しかしながら、この種の
試みは、これまでなお顕著な成功を収めていなか
つた。これ故、実際に複写層におけるo―ナフト
キノンジアジド化合物の量比の減少は著しく感光
度を上昇させるが、この種の変化は複写層の不十
分な現像液耐蝕膜を生じる。
電子ビームに対するo―ナフトキノンジアジド
膜の感光度は、米国特許第3661582号明細書に記
載されているように、一定の複素環式化合物、例
えば2―アザシクロノナン―2―オン、インドー
ル、キナゾリン及びテトラゾールの添加によつて
上昇させることができる。また、この分類系も上
記した場合と同様の極端に狭い現像範囲を有する
にすぎない。
膜の感光度は、米国特許第3661582号明細書に記
載されているように、一定の複素環式化合物、例
えば2―アザシクロノナン―2―オン、インドー
ル、キナゾリン及びテトラゾールの添加によつて
上昇させることができる。また、この分類系も上
記した場合と同様の極端に狭い現像範囲を有する
にすぎない。
特公昭46−42449号には、写真感光度を上昇さ
せるための種々の添加剤、例えばトリフエニルメ
タン染料、ベンズアルデヒド―m―トリルヒドラ
ゾン、ハロゲン化炭化水素及びアゾ染料が記載さ
れているが、これらの化合物は顕著な作用を有し
ない。
せるための種々の添加剤、例えばトリフエニルメ
タン染料、ベンズアルデヒド―m―トリルヒドラ
ゾン、ハロゲン化炭化水素及びアゾ染料が記載さ
れているが、これらの化合物は顕著な作用を有し
ない。
最後に、西ドイツ国特許公開公報第2657922号
には、同じ目的に対する環式酸無水物の添加剤が
記載されている。また、この場合も、感光度の明
らかな上昇は現像抑制剤のコストに対してのみ達
成される。
には、同じ目的に対する環式酸無水物の添加剤が
記載されている。また、この場合も、感光度の明
らかな上昇は現像抑制剤のコストに対してのみ達
成される。
従つて、本発明の課題は、o―ナフトキノンジ
アジド化合物及びアルカリ可溶性フエノール樹脂
を含有する感光性混合物の感光度を、この際他の
重要な性質に不利に影響を与えることなしに改善
することである。
アジド化合物及びアルカリ可溶性フエノール樹脂
を含有する感光性混合物の感光度を、この際他の
重要な性質に不利に影響を与えることなしに改善
することである。
本発明は、
a 感光性化合物としての1,2―ナフトキノン
ジアジドスルホン酸又は1,2―ナフトキノン
ジアジドカルボン酸のエステル又はアミド、 b アルカリ性水溶液に可溶の水不溶性フエノー
ル樹脂及び c 少なくとも1個のフエノール性ヒドロキシ基
を有する芳香族ケト化合物を含有する感光性混
合物から出発する。
ジアジドスルホン酸又は1,2―ナフトキノン
ジアジドカルボン酸のエステル又はアミド、 b アルカリ性水溶液に可溶の水不溶性フエノー
ル樹脂及び c 少なくとも1個のフエノール性ヒドロキシ基
を有する芳香族ケト化合物を含有する感光性混
合物から出発する。
本発明による混合物は、芳香族ケト化合物がヒ
ドロキシベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの
縮合生成物であることを特徴とする。
ドロキシベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの
縮合生成物であることを特徴とする。
西ドイツ国特許公開公報第2547905号には、こ
こに記載した種類の、特にポリヒドロキシベンゾ
フエノンを含有する感光性複写材料が記載されて
いる。該化合物は、ホルムアルデヒドと縮合せ
ず、支持体への層付着を改善するために添加され
る。これと関連して、感光度を高めることは問題
ではない。
こに記載した種類の、特にポリヒドロキシベンゾ
フエノンを含有する感光性複写材料が記載されて
いる。該化合物は、ホルムアルデヒドと縮合せ
ず、支持体への層付着を改善するために添加され
る。これと関連して、感光度を高めることは問題
ではない。
本発明による混合物及びそれから形成された複
写層に含有される芳香族ケト化合物は、ベンゾフ
エノン単位がメチレン架橋によつて互いに結合さ
れている、ヒドロキシベンゾフエノンとホルムア
ルデヒドとの重縮合生成物である。この場合、少
なくとも1個のOH基はカルボニル基を有するC
原子に隣接していなければならない。この優れた
縮合生成物は、一般式(): で示すことができ、この場合R1,R2,R4及びR5
はそれぞれ水素原子を表わすか又はOH基を表わ
し、nは1〜10の数を表わす。
写層に含有される芳香族ケト化合物は、ベンゾフ
エノン単位がメチレン架橋によつて互いに結合さ
れている、ヒドロキシベンゾフエノンとホルムア
ルデヒドとの重縮合生成物である。この場合、少
なくとも1個のOH基はカルボニル基を有するC
原子に隣接していなければならない。この優れた
縮合生成物は、一般式(): で示すことができ、この場合R1,R2,R4及びR5
はそれぞれ水素原子を表わすか又はOH基を表わ
し、nは1〜10の数を表わす。
ベンゾフエノン単位は、この製造から明らかな
ように場合によつては2つのメチレン架橋によつ
て互いに結合していてもよい。
ように場合によつては2つのメチレン架橋によつ
て互いに結合していてもよい。
ホルムアルデヒドとの反応に好適なヒドロキシ
ベンゾフエノンは、フエノール核に少なくとも1
つの自由なo―又はp位を有するものである。ホ
ルムアルデヒドとの縮合後に添加剤として本発明
による混合物に特に好適であるヒドロキシベンゾ
フエノンの例は、次のものである: 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン、 2,4―ジヒドロキシ―ベンゾフエノン、 2,4,6―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン、 2,3,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノン、 2,2′,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノン、 2,4,4′―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン。
ベンゾフエノンは、フエノール核に少なくとも1
つの自由なo―又はp位を有するものである。ホ
ルムアルデヒドとの縮合後に添加剤として本発明
による混合物に特に好適であるヒドロキシベンゾ
フエノンの例は、次のものである: 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン、 2,4―ジヒドロキシ―ベンゾフエノン、 2,4,6―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン、 2,3,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノン、 2,2′,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノン、 2,4,4′―トリヒドロキシ―ベンゾフエノ
ン。
少なくとも2個のOH基を1分子中に有するヒ
ドロキシベンゾフエノンが一般に優れている。
ドロキシベンゾフエノンが一般に優れている。
前記ヒドロキシベンゾフエノンをホルムアルデ
ヒド水溶液(38重量%)と、一般にフエノール性
化合物1モル当り1〜1.5モルの量で、有利に酸
性触媒の存在下に反応させる。この化合物を他の
添加剤なしにか又は有機溶剤中で互いに縮合させ
る。重縮合に対する有機溶剤としては、例えばメ
チルエチルケトン、テトラヒドロフラン及び殊に
1,4―ジオキサンが好適である。
ヒド水溶液(38重量%)と、一般にフエノール性
化合物1モル当り1〜1.5モルの量で、有利に酸
性触媒の存在下に反応させる。この化合物を他の
添加剤なしにか又は有機溶剤中で互いに縮合させ
る。重縮合に対する有機溶剤としては、例えばメ
チルエチルケトン、テトラヒドロフラン及び殊に
1,4―ジオキサンが好適である。
酸性触媒としては、例えば塩酸、蓚酸又はp―
トルオールスルホン酸が好適である。
トルオールスルホン酸が好適である。
重縮合するためには、反応混合物を若干の時
間、例えば1時間70℃〜100℃に加熱する。一般
には縮合生成物は反応溶液から生じ、他の場合に
は比較的薄い液状混合物を撹拌下に過剰量の氷水
中に少しずつ流し込み、常法で後処理する。
間、例えば1時間70℃〜100℃に加熱する。一般
には縮合生成物は反応溶液から生じ、他の場合に
は比較的薄い液状混合物を撹拌下に過剰量の氷水
中に少しずつ流し込み、常法で後処理する。
フエノールホルムアルデヒド樹脂の製造と全く
同様に実施される縮合の場合、一般には重縮合生
成物の重合体均質混合物が形成される。縮合性核
位置、すなわちOH基に対する空のo―又はp位
のみを有するフエノール性原料物質を使用するな
らば、一般にメチレン基によつて結合した2つの
ヒドロキシベンゾフエノン単位を有する純粋な反
応生成物が形成される。
同様に実施される縮合の場合、一般には重縮合生
成物の重合体均質混合物が形成される。縮合性核
位置、すなわちOH基に対する空のo―又はp位
のみを有するフエノール性原料物質を使用するな
らば、一般にメチレン基によつて結合した2つの
ヒドロキシベンゾフエノン単位を有する純粋な反
応生成物が形成される。
感光性混合物中のヒドロキシベンゾフエノン縮
合生成物の濃度は、比較的広範な範囲内を変動す
ることができる。この濃度は、該混合物ないしは
複写層の全固体含量に対して一般に4〜20重量
%、有利に6〜10重量%である。
合生成物の濃度は、比較的広範な範囲内を変動す
ることができる。この濃度は、該混合物ないしは
複写層の全固体含量に対して一般に4〜20重量
%、有利に6〜10重量%である。
1,2―ナフトキノンジアジド化合物として
は、スルホン酸誘導体、殊に芳香族ヒドロキシ化
合物とのエステルが優れている。スルホン酸基は
一般にナフタリン核の4―又は5位に存在し、5
―スルホン酸誘導体が優れている。適当なナフト
キノンジアジドは、公知であり、例えば西ドイツ
国特許第938233号明細書、同第1124817号明細
書、同第1109521号明細書、同第1120273号明細
書、同第1114705号明細書及び同第1543721号明細
書ならびに先願である西ドイツ国特許出願明細書
第P2742631号及び同第P2828037号に記載されて
いる。該混合物中のナフトキノンジアジド化合物
の量は、固体ないしは非揮発性成分の含量に対し
て一般に10〜30重量%、有利に15〜25重量%であ
る。
は、スルホン酸誘導体、殊に芳香族ヒドロキシ化
合物とのエステルが優れている。スルホン酸基は
一般にナフタリン核の4―又は5位に存在し、5
―スルホン酸誘導体が優れている。適当なナフト
キノンジアジドは、公知であり、例えば西ドイツ
国特許第938233号明細書、同第1124817号明細
書、同第1109521号明細書、同第1120273号明細
書、同第1114705号明細書及び同第1543721号明細
書ならびに先願である西ドイツ国特許出願明細書
第P2742631号及び同第P2828037号に記載されて
いる。該混合物中のナフトキノンジアジド化合物
の量は、固体ないしは非揮発性成分の含量に対し
て一般に10〜30重量%、有利に15〜25重量%であ
る。
本発明による混合物中に含有される感光性でな
い、水不溶性の、膜形成するアルカリ可溶性フエ
ノール樹脂は、約300〜5000の分子量を有し、フ
エノール又は置換フエノールとホルムアルデヒド
との縮合によつて得られる。適当な置換フエノー
ルは、クレゾール、キシレノール、ブチルフエノ
ール及び該類似物である。特に優れた膜形成する
アルカリ可溶性フエノール樹脂は、フエノール/
ホルムアルデヒド―ノボラツク、クレゾール/ホ
ルムアルデヒド―ノボラツク及びフエノール変性
キシレノール/ホルムアルデヒド―ノボラツクで
ある。フエノール樹脂の量は、全ての非揮発性成
分の約50〜90重量%、有利に65〜85重量%の範囲
内にある。
い、水不溶性の、膜形成するアルカリ可溶性フエ
ノール樹脂は、約300〜5000の分子量を有し、フ
エノール又は置換フエノールとホルムアルデヒド
との縮合によつて得られる。適当な置換フエノー
ルは、クレゾール、キシレノール、ブチルフエノ
ール及び該類似物である。特に優れた膜形成する
アルカリ可溶性フエノール樹脂は、フエノール/
ホルムアルデヒド―ノボラツク、クレゾール/ホ
ルムアルデヒド―ノボラツク及びフエノール変性
キシレノール/ホルムアルデヒド―ノボラツクで
ある。フエノール樹脂の量は、全ての非揮発性成
分の約50〜90重量%、有利に65〜85重量%の範囲
内にある。
本発明による混合物は、自体公知の方法でなお
充填剤、染料、顔料、光分解性酸結合剤、例えば
1,2―ナフトキノン―(2)―4―スルホン酸クロ
リド、及び他の常用の添加剤及び助剤を含有する
ことができる。
充填剤、染料、顔料、光分解性酸結合剤、例えば
1,2―ナフトキノン―(2)―4―スルホン酸クロ
リド、及び他の常用の添加剤及び助剤を含有する
ことができる。
複写層支持体としては、複写工業において常用
の、例えばアルミニウム又は亜鉛のような金属か
らなる、相当する予備処理面を有する板又はシー
ト、例えばクロム/真ちゆう、クロム/銅/アル
ミニウム、クロム/銅/亜鉛からなる多層金属
板、さらに紙シート、プラスチツクシート、シル
クスクリン印刷に好適な織物又は金属メツキ絶縁
板を使用することができる。複写層の付着を改善
するため及び層支持体表面の親水性を改善するた
めに相当する予備処理がなされたアルミニウム薄
板、例えば機械的又は電気化学的に粗面化されか
つ場合によつて陽極酸化されたか又は化学的に予
備処理されたアルミニウム薄板が好ましい。
の、例えばアルミニウム又は亜鉛のような金属か
らなる、相当する予備処理面を有する板又はシー
ト、例えばクロム/真ちゆう、クロム/銅/アル
ミニウム、クロム/銅/亜鉛からなる多層金属
板、さらに紙シート、プラスチツクシート、シル
クスクリン印刷に好適な織物又は金属メツキ絶縁
板を使用することができる。複写層の付着を改善
するため及び層支持体表面の親水性を改善するた
めに相当する予備処理がなされたアルミニウム薄
板、例えば機械的又は電気化学的に粗面化されか
つ場合によつて陽極酸化されたか又は化学的に予
備処理されたアルミニウム薄板が好ましい。
支持体材料の被覆は、自体公知の方法で、例え
ばロール又は槽を用いる塗布によつてか又は噴霧
又は注入によつて行なわれる。乾燥に基づく層重
量の適当な範囲は、1.0〜3.0g/m2である。少な
い被覆物量は、実際に写真感光度を有利なものと
するが、膜強度を減少させかつ印刷発行部数を減
少させる欠点を有する。
ばロール又は槽を用いる塗布によつてか又は噴霧
又は注入によつて行なわれる。乾燥に基づく層重
量の適当な範囲は、1.0〜3.0g/m2である。少な
い被覆物量は、実際に写真感光度を有利なものと
するが、膜強度を減少させかつ印刷発行部数を減
少させる欠点を有する。
感光性複写材料は、露光後に常法で、少量の有
機溶剤又は湿潤剤を含有していてもよいアルカリ
性水溶液で現像される。この現像は、適当な処理
器具中での浸漬、刷毛塗り、噴霧によつてかある
いは手での刷毛を用いる擦過によつて行なうこと
ができる。
機溶剤又は湿潤剤を含有していてもよいアルカリ
性水溶液で現像される。この現像は、適当な処理
器具中での浸漬、刷毛塗り、噴霧によつてかある
いは手での刷毛を用いる擦過によつて行なうこと
ができる。
本発明によれば、公知のポジ作業する複写層に
対する明らかな感光度の上昇は、同時に顕著に複
写技術及び印刷技術の欠点なしに達成される、す
なわち複写層の耐現像液性、階調、像のコントラ
スト又は印刷発行部数の低下は、甘受する必要は
ない。
対する明らかな感光度の上昇は、同時に顕著に複
写技術及び印刷技術の欠点なしに達成される、す
なわち複写層の耐現像液性、階調、像のコントラ
スト又は印刷発行部数の低下は、甘受する必要は
ない。
本発明を次の実施例につき詳説する。
例 1
2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド3モルとからなるエ
ステル化生成物 0.73重量部 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とからなるエステル化生成物 0.55重量部 DIN53181の毛管法による軟化点105℃〜120℃
を有するクレゾール―ホルムアルデヒド―ノボラ
ツク 5.33重量部 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.17重量部 クリスタルバイオレツト(カラーインデツクス
番号42555) 0.06重量部 及び 以下に記載した2,3,4―トリヒドロキシ―
ベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの縮合生成
物 0.68重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤合物に溶かす。
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド3モルとからなるエ
ステル化生成物 0.73重量部 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とからなるエステル化生成物 0.55重量部 DIN53181の毛管法による軟化点105℃〜120℃
を有するクレゾール―ホルムアルデヒド―ノボラ
ツク 5.33重量部 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.17重量部 クリスタルバイオレツト(カラーインデツクス
番号42555) 0.06重量部 及び 以下に記載した2,3,4―トリヒドロキシ―
ベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの縮合生成
物 0.68重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。この場合、乾燥物質の層重量は2.3g/m2で
ある。
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。この場合、乾燥物質の層重量は2.3g/m2で
ある。
印刷版を製造するには、こうして得られた印刷
板を透明ポジの下方で露光し、公知方法で次の溶
液: メタ珪酸ナトリウム・9H2O 5.3重量部 オルト燐酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 燐酸二水素ナトリウム(無水) 0.3重量部 水 91重量部 を用いて現像し、この場合露光した層範囲を除去
する。こうして製造した印刷版によつてオフセツ
ト印刷機で約150000枚の満足な印刷物を得ること
ができる。
板を透明ポジの下方で露光し、公知方法で次の溶
液: メタ珪酸ナトリウム・9H2O 5.3重量部 オルト燐酸三ナトリウム・12H2O 3.4重量部 燐酸二水素ナトリウム(無水) 0.3重量部 水 91重量部 を用いて現像し、この場合露光した層範囲を除去
する。こうして製造した印刷版によつてオフセツ
ト印刷機で約150000枚の満足な印刷物を得ること
ができる。
前記のように製造した感光性石版印刷板を、露
光試験グレースケールの下で5000Wの金属ハロゲ
ン化物ランプを用いて103cmのランプ距離で25秒
間露光した。最適な露光時間は、ここで使用され
る10段階の網分解グレースケールが該板を完全に
被う値として測定された。使用された露光試験グ
レースケールの濃度値は、相前後してそれぞれ
0.15の段階を有している。最高の濃度値は、第13
段階で1.95である。
光試験グレースケールの下で5000Wの金属ハロゲ
ン化物ランプを用いて103cmのランプ距離で25秒
間露光した。最適な露光時間は、ここで使用され
る10段階の網分解グレースケールが該板を完全に
被う値として測定された。使用された露光試験グ
レースケールの濃度値は、相前後してそれぞれ
0.15の段階を有している。最高の濃度値は、第13
段階で1.95である。
同じ印刷版を、但し2,3,4―トリヒドロキ
シ―ベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの縮合
生成物の添加なしに同じ層厚及び同じ支持材料
で、しかも同じ試験条件下に製造する場合、使用
される10段階の露光グレースケールが現像される
印刷版を完全に覆う露光時間は44秒である。従つ
て、感光度は、2,3,4―トリヒドロキシ―ベ
ンゾフエノン/ホルムアルデヒド縮合生成物を複
写層に添加することによつて約76%上昇させるこ
とができる。
シ―ベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの縮合
生成物の添加なしに同じ層厚及び同じ支持材料
で、しかも同じ試験条件下に製造する場合、使用
される10段階の露光グレースケールが現像される
印刷版を完全に覆う露光時間は44秒である。従つ
て、感光度は、2,3,4―トリヒドロキシ―ベ
ンゾフエノン/ホルムアルデヒド縮合生成物を複
写層に添加することによつて約76%上昇させるこ
とができる。
本発明の他の顕著な利点は、該縮合生成物の添
加によつて印刷発行部数も、分離印刷の間の印刷
技術的挙動、例えば水流も、他の複写技術的性
質、例えば階調、像のコントラスト及びなかんず
くアルカリ性現像液に対するステンシルの耐蝕膜
も、不利に影響を受けることがないことである。
加によつて印刷発行部数も、分離印刷の間の印刷
技術的挙動、例えば水流も、他の複写技術的性
質、例えば階調、像のコントラスト及びなかんず
くアルカリ性現像液に対するステンシルの耐蝕膜
も、不利に影響を受けることがないことである。
ヒドロキシベンゾフエノン/ホルムアルデヒド
縮合生成物の製造は、フエノール/ホルムアルデ
ヒド―ノボラツクの製造と同様に行なわれる。例
1で使用された2,3,4―トリヒドロキシ―ベ
ンゾフエノンとホルムアルデヒドとの低分子反応
生成物は、過剰のホルムアルデヒド溶液(38重量
%)中の2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフ
エノンの溶液を1n塩酸の存在下で80℃〜100℃に
加熱することによつて比較的簡単に得られる。
縮合生成物の製造は、フエノール/ホルムアルデ
ヒド―ノボラツクの製造と同様に行なわれる。例
1で使用された2,3,4―トリヒドロキシ―ベ
ンゾフエノンとホルムアルデヒドとの低分子反応
生成物は、過剰のホルムアルデヒド溶液(38重量
%)中の2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフ
エノンの溶液を1n塩酸の存在下で80℃〜100℃に
加熱することによつて比較的簡単に得られる。
メチレン架橋によつて互いに結合した2個のヒ
ドロキシベンゾフエノン基からなる縮合生成物
は、比較的短時間後に反応溶液から純粋な形で生
じる。メタノールから再結晶させると、該縮合生
成物は223℃で溶融する。
ドロキシベンゾフエノン基からなる縮合生成物
は、比較的短時間後に反応溶液から純粋な形で生
じる。メタノールから再結晶させると、該縮合生
成物は223℃で溶融する。
次の実施例では、感光度の上昇に関して例1と
同様の結果が得られる。判明した短時間の露光時
間は、それぞれヒドロキシベンゾフエノン/ホル
ムアルデヒド縮合生成物の添加なしの相当する複
写層と比較して記載されている。
同様の結果が得られる。判明した短時間の露光時
間は、それぞれヒドロキシベンゾフエノン/ホル
ムアルデヒド縮合生成物の添加なしの相当する複
写層と比較して記載されている。
全ての比較実験は、それぞれ例1と同様の試験
条件下で実施された。絶対露光時間は、明らかに
ランプの型及びランプの距離に応じて変更可能で
ある。また、次の各実施例の場合も例1と同様一
層短かい露光時間にも拘らず印刷板の印刷技術的
及び複写技術的欠点は確認されない。全ての実施
例において、少なくとも100000枚刷りの発行部数
を得ることができる。
条件下で実施された。絶対露光時間は、明らかに
ランプの型及びランプの距離に応じて変更可能で
ある。また、次の各実施例の場合も例1と同様一
層短かい露光時間にも拘らず印刷板の印刷技術的
及び複写技術的欠点は確認されない。全ての実施
例において、少なくとも100000枚刷りの発行部数
を得ることができる。
例 2
ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸の4―(α,α―ジメチル―ベンジ
ル)―フエニルエステル 0.880重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.437重量部 例1に記載されたノボラツク 5.300重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.200重量部、 2,3,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノンとホルムアルデヒドとの重縮合生成物
0.640重量部及び クリスタルバイオレツト 0.062重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 40重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
―スルホン酸の4―(α,α―ジメチル―ベンジ
ル)―フエニルエステル 0.880重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.437重量部 例1に記載されたノボラツク 5.300重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.200重量部、 2,3,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノンとホルムアルデヒドとの重縮合生成物
0.640重量部及び クリスタルバイオレツト 0.062重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 40重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。
露光時間:29秒
ヒドロキシベンゾフエノン/ホルムアルデヒド
縮合生成物を添加しない場合、露光時間は44秒で
ある。
縮合生成物を添加しない場合、露光時間は44秒で
ある。
2,3,4,4′―テトラヒドロキシ―ベンゾフ
エノンとホルムアルデヒドとの縮合生成物は、例
1の記載と同様にフエノール成分と過剰のホルム
アルデヒドとの反応によつて製造される。該反応
生成物は、種々の縮合度を有する同族体の樹脂状
混合物である。
エノンとホルムアルデヒドとの縮合生成物は、例
1の記載と同様にフエノール成分と過剰のホルム
アルデヒドとの反応によつて製造される。該反応
生成物は、種々の縮合度を有する同族体の樹脂状
混合物である。
例 3
2,4―ジヒドロキシ―3,5―ジブロム―ベ
ンゾフエノン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 1.40重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.32重量部、 クリスタルバイオレツト 0.06重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.18重量部及び 2,4,4′―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの重縮合生成物0.56重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
ンゾフエノン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 1.40重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.32重量部、 クリスタルバイオレツト 0.06重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.18重量部及び 2,4,4′―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの重縮合生成物0.56重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
露光時間:24秒
ベンゾフエノン/ホルムアルデヒド縮合生成物
を添加しない場合露光時間は35秒である。
を添加しない場合露光時間は35秒である。
例 4
2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド2モルとのエステル
化生成物 1.26重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.700重量部、 例1に記載されたノボラツク 4.905重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.055重量部及び 2,4―ジヒドロキシ―ベンゾフエノンとホル
ムアルデヒドとの重縮合生成物 0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド2モルとのエステル
化生成物 1.26重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.700重量部、 例1に記載されたノボラツク 4.905重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.055重量部及び 2,4―ジヒドロキシ―ベンゾフエノンとホル
ムアルデヒドとの重縮合生成物 0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。
つ陽極酸化されたアルミニウムシートを被覆す
る。
露光時間:21秒
ジヒドロキシ―ベンゾフエノン/ホルムアルデ
ヒド縮合生成物を添加しない場合露光時間は35秒
である。
ヒド縮合生成物を添加しない場合露光時間は35秒
である。
例 5
2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド3モルとのエステル
化生成物 0.760重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.640重量部、 軟化点112℃〜118℃のフエノール/ホルムアル
デヒド―ノボラツク(フエノール含有量14重量
%) 4.750重量部、 ポリビニルブチラール 0.155重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.070重量部、 クリスタルバイオレツト塩基 0.136重量部、 燐酸―トリス―(2―クロル―エチル)―エス
テル 0.550重量部及び 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの縮合生成物 0.690重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド3モルとのエステル
化生成物 0.760重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.640重量部、 軟化点112℃〜118℃のフエノール/ホルムアル
デヒド―ノボラツク(フエノール含有量14重量
%) 4.750重量部、 ポリビニルブチラール 0.155重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.070重量部、 クリスタルバイオレツト塩基 0.136重量部、 燐酸―トリス―(2―クロル―エチル)―エス
テル 0.550重量部及び 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの縮合生成物 0.690重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
露光時間:23秒
トリヒドロキシ―ベンゾフエノン/ホルムアル
デヒド縮合生成物を添加しない場合、露光時間は
35秒である。
デヒド縮合生成物を添加しない場合、露光時間は
35秒である。
例 6
2,4―ジヒドロキシ―ベンゾフエノン1モル
とナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―5
―スルホン酸クロリド2モルとのエステル化生成
物 0.893重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.446重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.320重量部、 クリスタルバイオレツト 0.061重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.199重量部及び 2,4,6―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの重縮合生成物
0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
とナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―5
―スルホン酸クロリド2モルとのエステル化生成
物 0.893重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ジナフチル―(1,
1′)―メタン1モルとナフトキノン―(1,2)
―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロリド2モル
とのエステル化生成物 0.446重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.320重量部、 クリスタルバイオレツト 0.061重量部、 ナフトキノン―(1,2)―ジアジド―(2)―4
―スルホン酸クロリド 0.199重量部及び 2,4,6―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの重縮合生成物
0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
40重量部、 テトラヒドロフラン 50重量部 及び 酢酸ブチル 10重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、電気化学的に粗面化されか
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
つ陽極酸化されたアルミニウム薄板を被覆する。
露光時間:27秒
トリヒドロキシ―ベンゾフエノン/ホルムアル
デヒド縮合生成物を添加しない場合には、35秒の
露光時間が得られる。
デヒド縮合生成物を添加しない場合には、35秒の
露光時間が得られる。
例 7
2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド2モルとのエステル
化生成物 0.871重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ベンゾフエノン―
(1,1′)―メタン1モルとナフトキノン―
(1,2)―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロ
リド2モルとのエステル化生成物 0.49重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.44重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.046重量部、 クリスタルバイオレツト 0.073重量部及び 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの縮合生成物 0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
35重量部、 テトラヒドロフラン 45重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
1モルとナフトキノン―(1,2)―ジアジド―
(2)―5―スルホン酸クロリド2モルとのエステル
化生成物 0.871重量部、 2,2′―ジヒドロキシ―ベンゾフエノン―
(1,1′)―メタン1モルとナフトキノン―
(1,2)―ジアジド―(2)―5―スルホン酸クロ
リド2モルとのエステル化生成物 0.49重量部、 例1に記載されたノボラツク 5.44重量部、 スダンエローGGN(カラーインデツクス番号
11021) 0.046重量部、 クリスタルバイオレツト 0.073重量部及び 2,3,4―トリヒドロキシ―ベンゾフエノン
とホルムアルデヒドとの縮合生成物 0.600重量部 を、 エチレングリコールモノメチルエーテル
35重量部、 テトラヒドロフラン 45重量部 及び 酢酸ブチル 8重量部 からなる溶剤混合物に溶かす。
この溶液を用いて、針金ブラシで機械的に粗面
化されたアルミニウムシートを被覆する。
化されたアルミニウムシートを被覆する。
露光時間:20秒
トリヒドロキシ―ベンゾフエノン/ホルムアル
デヒド縮合生成物を添加しない場合、露光時間は
37秒である。
デヒド縮合生成物を添加しない場合、露光時間は
37秒である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 a 感光性化合物としての1,2―ナフトキ
ノリンジアジドスルホン酸又は1,2―ナフト
キノリンジアジドスルホン酸のエステル又はア
ミド、 b アルカリ水溶液に可溶の水不溶性フエノール
樹脂及び c 少なくとも1個のフエノール性ヒドロキシ基
を有する芳香族ケト化合物を含有する感光性混
合物において、芳香族ケト化合物がヒドロキシ
ベンゾフエノンとホルムアルデヒドとの縮合生
成物であることを特徴とする、感光性混合物。 2 縮合生成物が一般式(): [式中、R1,R2,R4及びR5はそれぞれ水素原
子を表わすか又はOH基を表わし、nは1〜10の
数を表わす]で示される縮合生成物に相当する、
特許請求の範囲第1項記載の感光性混合物。 3 縮合生成物を非揮発性成分の重量に対して3
〜20重量%量で含有する、特許請求の範囲第1項
記載の感光性混合物。 4 ヒドロキシベンゾフエノンが1分子中に少な
くとも2個のヒドロキシ基を含有する、特許請求
の範囲第1項記載の感光性混合物。 5 ヒドロキシベンゾフエノンが2,3,4―ト
リヒドロキシ―ベンゾフエノンである、特許請求
の範囲第4項記載の感光性混合物。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19782847878 DE2847878A1 (de) | 1978-11-04 | 1978-11-04 | Lichtempfindliches gemisch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5573045A JPS5573045A (en) | 1980-06-02 |
| JPS6251459B2 true JPS6251459B2 (ja) | 1987-10-30 |
Family
ID=6053855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14214179A Granted JPS5573045A (en) | 1978-11-04 | 1979-11-05 | Photosensitive mixture * and copying material containing same |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4275139A (ja) |
| EP (1) | EP0010749B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5573045A (ja) |
| AT (1) | ATE2100T1 (ja) |
| AU (1) | AU526647B2 (ja) |
| BR (1) | BR7907125A (ja) |
| CA (1) | CA1151933A (ja) |
| DE (2) | DE2847878A1 (ja) |
| FI (1) | FI793431A7 (ja) |
| ZA (1) | ZA795889B (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS566236A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive material and pattern forming method using it |
| DE3043967A1 (de) * | 1980-11-21 | 1982-06-24 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch auf basis von o-naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial |
| DE3100077A1 (de) | 1981-01-03 | 1982-08-05 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters |
| US4460674A (en) * | 1981-01-16 | 1984-07-17 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Posi-type quinone diazide photosensitive composition with sensitizer therefor |
| US4486518A (en) * | 1981-02-20 | 1984-12-04 | Polychrome Corporation | Duplicating film mask with radiation absorbing benzophenone in processed positive-working radiation sensitive layer on transparent substrate |
| DE3421471A1 (de) * | 1984-06-08 | 1985-12-12 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Perfluoralkylgruppen aufweisende 1,2-naphthochinondiazidverbindungen und reproduktionsmaterialien, die diese verbindungen enthalten |
| JPS61141441A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JPS61185741A (ja) * | 1985-02-13 | 1986-08-19 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| US4626492A (en) * | 1985-06-04 | 1986-12-02 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound |
| US4650745A (en) * | 1985-06-04 | 1987-03-17 | Philip A. Hunt Chemical Corporation | Method of forming a resist pattern by radiation exposure of positive-working resist coating comprising a dye and a trihydroxybenzophenone compound and subsequent aqueous alkaline development |
| JPS6261047A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物 |
| JP2614847B2 (ja) * | 1986-06-16 | 1997-05-28 | 東京応化工業 株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
| DE3629122A1 (de) * | 1986-08-27 | 1988-03-10 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung eines o-naphthochinondiazidsulfonsaeureesters und diesen enthaltendes lichtempfindliches gemisch |
| DE3718416A1 (de) * | 1987-06-02 | 1988-12-15 | Hoechst Ag | Lichtempfindliches gemisch auf basis von 1,2-naphthochinondiaziden, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und dessen verwendung |
| JP2654947B2 (ja) * | 1987-07-16 | 1997-09-17 | 日本ゼオン株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
| DE3729035A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-03-09 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial |
| US5002851A (en) * | 1988-05-31 | 1991-03-26 | Olin Hunt Specialty Products, Inc. | Light sensitive composition with o-quinone diazide and phenolic novolak resin made using methylol substituted trihydroxybenzophenone as reactant |
| US5177172A (en) * | 1988-05-31 | 1993-01-05 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions |
| US5239122A (en) * | 1988-05-31 | 1993-08-24 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions |
| US5254440A (en) * | 1988-05-31 | 1993-10-19 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Selected methylol-substituted trihydroxybenzophenones and their use in phenolic resin compositions and processes of forming resist images |
| US5200293A (en) * | 1989-02-23 | 1993-04-06 | Ciba-Geigy Corporation | Photoresist composition containing specific amounts of a naphthoquinone diazide sulfonyl ester of tetrahydroxy diphenyl sulfide and a polyhydroxy compound |
| WO1990013058A1 (en) * | 1989-04-27 | 1990-11-01 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Hexahydroxybenzophenone compounds as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures |
| EP1225478B1 (en) | 1998-04-06 | 2012-12-19 | FUJIFILM Corporation | Photosensitive resin composition |
| US6475693B1 (en) | 1998-12-10 | 2002-11-05 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Positively photosensitive resin composition |
| AU713776B3 (en) * | 1999-08-13 | 1999-12-09 | Villani, Damien | Cutting device |
| JP4213366B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2009-01-21 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 厚膜レジストパターンの形成方法 |
| JP4153912B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-09-24 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物 |
| JP2004177683A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Clariant (Japan) Kk | 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法 |
| JP4440600B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-03-24 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
| US7314810B2 (en) * | 2006-05-09 | 2008-01-01 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming fine pattern of semiconductor device |
| TW200839442A (en) * | 2006-11-15 | 2008-10-01 | Asahi Chemical Ind | Photosensitive resin composition, and flexible print circuit board using the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1418019A (fr) * | 1963-12-23 | 1965-11-19 | Couche sensible pour plaque diazotype positive pour impression offset et son procédé d'obtention | |
| US3567453A (en) * | 1967-12-26 | 1971-03-02 | Eastman Kodak Co | Light sensitive compositions for photoresists and lithography |
| US3647443A (en) * | 1969-09-12 | 1972-03-07 | Eastman Kodak Co | Light-sensitive quinone diazide polymers and polymer compositions |
| US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
| JPS505083B1 (ja) * | 1970-09-16 | 1975-02-28 | ||
| DE2331377C2 (de) * | 1973-06-20 | 1982-10-14 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Lichtempfindliches Kopiermaterial |
| US4105450A (en) * | 1973-07-27 | 1978-08-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Spectrally sensitized positive light-sensitive o-quinone diazide containing composition |
| US4123279A (en) * | 1974-03-25 | 1978-10-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-sensitive o-quinonediazide containing planographic printing plate |
| US4009033A (en) * | 1975-09-22 | 1977-02-22 | International Business Machines Corporation | High speed positive photoresist composition |
| DE2547905C2 (de) * | 1975-10-25 | 1985-11-21 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial |
| JPS5280022A (en) * | 1975-12-26 | 1977-07-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | Light solubilizable composition |
-
1978
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