JPS6251815A - 利得制御回路 - Google Patents

利得制御回路

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JPS6251815A
JPS6251815A JP19145085A JP19145085A JPS6251815A JP S6251815 A JPS6251815 A JP S6251815A JP 19145085 A JP19145085 A JP 19145085A JP 19145085 A JP19145085 A JP 19145085A JP S6251815 A JPS6251815 A JP S6251815A
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transistor
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は8N比を極めて向上させることができる利得
制御回路に関する。
「従来の技術」 第4図は、従来の利得制御回路の一例を示す回路図であ
り、この図に示す回路は、制御端子1に印加される制御
電圧vcによって利得が制御されるようになっている。
以下にこの回路について説明する。
第4図に示す回路に8いて、トランジスタQl。
Q2の各エミッタ電流を各々iza、ilaとすれば、
トランジスタのpn接合の性質から la v c =: −K l o g −=−−−−−・−
(11里2a jsb vC=KlOg−丁・・・・・・(2)なる関係が成り
立つ。ただし、K=kT/qであり、にはボルツマン定
数、qは電子の電荷である。
また、定電流源2,3の電流値′fr:IB、入力端子
4に印加される入力電圧をvi、トランジスタQ1〜Q
4のベース−エミッタ関電圧をそれぞれvbとすれば、 (ただし、Raは抵抗5,6の値であり、また。
Yi>>vbとする) なる関係が成り立つ。そして、前記(1)、(2)式か
らila、izbを弐す式を求め、この求めた式に上記
(3)、(4)式から求めたiia、1xbz−代入し
て適宜式変形を行えば。
なる式が導かれる。
一方、出力端子8における出力電流10は、1o==i
ta−iza  ・−・−+71であるから、この(7
)式に上記(5)、(6)式を代入して整理すれば、 なる関係が得られる。また、出力端子10に得られる出
力電圧vOは、演算項IIII器11の性質力)らvo
==−io・R,b  ・・・・・・(9)(ただし、
fLbは抵抗12の値である)と表され、この(9)式
に上記(8)式を代入して第4図に示す回路の利得AV
を求めると。
となる。そして、(10)入力)ら判るように第4図に
示す回路においては、制御電圧viによって利得AVが
制御される。
また、上記構成における定電流源2.3の電流値IBは
、入力端子4から抵抗5,6を介して流れ込む電流、あ
るいは抵抗5,6を介して入力端子4へ流れ出る電流よ
り大きな値に設定されている。これは、抵抗61に:介
して流れ込む電流が電流値IBより大きい場合は、定1
を流源3が流れ込む電流を吸収しきれなくなり、この結
果、電流izb。
ixbが吸収されなくなってトランジスタQ3#Q4が
カットオフしてしまい、また、抵抗5を介して流出する
電流が電流値IBより大きい場合は、定電流源2の出力
電流が不足して電流自a、izaが流れなくなり、トラ
ンジスタQl、Q2がカットオフしてしまう力1らであ
る。トランジスタQl。
Q2またはトランジスタQ3.Q4がカットオフすると
、カットオフ歪が生じて好ましくないことは周知のとお
りである。したがって、電流値IBの値は入力電圧vi
の最大値に対応しである程度大きく設定する必要がある
「発明か解決しようとする問題点」 ここで、上述した回路に右けるSN比を考えてみる。ト
ランジスタQl 、Q2 、Q3 、Q4の出力に生じ
る雑音電流inoはナイキストの定理から1no==(
2sq@ip3*Δf)””  −・・−Ql)(ただ
し、iEはエミッタ電流、Δfは雑音帯域) と表わされることが知られている。したがって、(11
)式から判るように、8N比を改善するには、なるべ(
iE f小さくするほうがよい。しかしながら、上述し
た従来の回路に詔いてエミッタ電流を小さく、すなわち
、定電流源2,3の電流値IBを小さくすると、トラン
ジスタQl、Q2またはトランジスタQ3.Q4がカッ
トオフしてしまうという問題が生じる。この結果、従来
の利得制御回路においては、入力電圧viの大小によら
ず、電流値IBの値をある程度大きくとらなければなら
ず、SN比が悪化するという欠点があり、特にマスキン
グ効果が期待できない無信号時の8N比が悪化するとい
う欠点があった。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもので、差動
トランジスタをカットオフさせることなく、シかも、エ
ミッタ電流を必JjI最小限に設定し得て8N比を向上
させることができる利得制御回路を提供することを目的
としている。
[問題点を解決するための手段」 この発明は上記問題点を解決するために、エミッタが共
通接続された第1、第2トランジスタから成る第1差動
トランジスタペアと、エミッタが共通接続されたg3.
M41−ランジスタから成る第2差動トランジスタペア
と、前記gt、第2差動トランジスタペアに一定の直流
バイアスを供給するバイアス供給回路とを設けるととも
に、前記第1、第3トランジスタのベースおよび第1、
第4トランジスタのコレクタを各々接地し、前記各共通
エミッタに入力信号を供給し、前記第2、第3トランジ
スタの共通コレクタから出力信号を取り出し、さらに前
記第2.第4トランジスタの共通ベースに制御域EEf
、印加して利得を制御するようにした利得制御回路にお
いて、前記入力信号のピーク値を検出し、検出したピー
ク値に対応する電流を前記第1差動トランジスタペアの
共通エミッタに供給するとともに、前記ピーク値に対応
する電流を第2差動トランジスタペアの共通エミッタか
ら引き抜くピーク値対応電流供給手段を設けている。
「作 用」 ピーク′It流供給手段から、第1.5%2差動トラン
ジスタペアの共通エミッタに対し、ピーク値に対応する
電流の供給および引き抜きがあるため、バイアス供給回
路の出力電流が不足するということがなくたつ必要最小
限に抑えられるので、これにより、入力信号がどのよう
な値となってもトランジスタQl 、Q2 、Q3 、
Q4がカットオフするということがなく、かつSN比も
良好となる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
始めに、この発明の基本原理について第1図を参照して
説明する。なお、この図において、前述した第4Li!
Jの各部と対応する部分には同一の符号を付しその説明
を省略する。
第1図において、15はtt電流供給回路あり、入力電
圧viのピークを検出し、ピーク値に対応する′kL流
を1点aに供給するとともに、点すから引き込む回路で
ある。例えば、入力電圧viがピークとなった時に、第
1図に示すように抵抗5゜6を介して点a、bに流れ込
む電流が谷々Ipであったとすると、電流供給回路15
は、ピーク値の検出結果に基づいて点aに′12c流I
pを供給し、点すから電流Ipを引き込むように動作す
る。この結果、点aからトランジスタQl 、Q2の共
通エミッタに流れ込む電流の値は、2Ip・IBとなり
、また、トランジスタQ3.Q4の共通エミッタから点
すに流れ込む電流の値は、抵抗6を介して点すに流れ込
む電流Ipが電流供給回路15によってすべて引き込ま
れるため、定電流源3の出力電流値に等しくIBとなる
。すなわち、トランジスタQ 1 ? Q 2には大き
なエミッタ電流が流れて大信号の無歪増幅を可能とし、
また、トランジスタQ3.Q4には定電流源3の出力′
WL流のみが流れ電流IBによる動作状態を維持させる
。一方、抵抗5,6から入力端子4側にピーク電流が流
れ出るときは、上述した場合とは逆に、トランジスタQ
l、Q2には定電流第2の出力電流のみが流れ、トラン
ジスタQ3.Q4には大きなエミッタ電流(供給エミッ
タ電流値が2ψIp+IB )が流れる。
また、抵抗5,6を介して点a、bに流れ込む電流、あ
るいは1点a、bから抵抗5,6f、介して流れ出る電
流の値が′電流供給回路15の出力電流値と異なった場
合は、点a、bの一方で発生しタアンバランス量と他方
で発生したアンバランス宝とが、調度つり合う状態とな
るので、歪等が発生することはない。
そして、電流供給回w515が上述した動作を行うと、
入力電圧viが大きな値となっても定電流源2,3の各
出力電流は、トランジスタQl〜Q4のエミッタ電流と
して流れ続けるから、トランジスタQl−Q4がカット
オフすることはない。
したがって、第1図に示す回路においては、定電流源2
.3の出力電流値IB、すなわち、トランジスタQ1〜
Q4の直流バイアス値を、谷トランジスタQ1〜Q4が
辛うじてカットオフしない程度に極めて小さく設定する
ことができる。この結果、前述した(11)式のiBを
小さな値とすることができ、SN比を向上させることが
できる。特に、ノイズが極めて目立ち易い無信号時にお
いては、各トランジスタの共通エミッタには、定電流゛
 源2,3の出力電流IBが流れるのみであるから。
ノイズ発生波は極めて小さくなり、この結果、無信号時
の8N比が著しく向上する。
次に、第2図は、この発明の具体的な実施例の構成を示
す回路図であり、第1図に示す各部と対応する部分には
同一の符号か付しである。
第2図に示すトランジスタQaおよび抵抗20は、直流
バイアス用の定電流11jを発磁する定電流源であり、
第1図に示す定電流源2,3に対応している。21は入
力電圧viのピーク値を検出して保持するピークホール
ド回路であり、演算増幅器OP1.ダイオードd%保持
コンデンサ22およびホールド値を徐々にリセットする
ための高抵抗23とからなっている。また、トランジス
タQ5は、ピークホールド回路21の出力信号に基づい
て、ピーク値に対応する電鱈II)を発生し、さらに、
この電流Ipと直流バイアス電流IBとを加算するトラ
ンジスタである。この場合、ピーク値に対応する電流I
I)は、トランジスタQ5、抵抗24′t−順次介して
接地側に流れ込むようになっている。次に、トランジス
タQ6 $Q7eQsはカレントミラー回路を構成して
おり、トランジスタQ6が制御側、トランジスタQ7.
Q8が従動側となっている。また、トランジスタQ 9
e Q10もカレントミラー回路を構成しており、トラ
ンジスタQ9が制御側、トランジスタQIOが従動側と
なっている。このような構成によると、トランジスタQ
8.QIOの各コレクタ電流の値は、トランジスタQ5
のコレクタ電流の値に等しく(Ip+IB)となる。
次に、30は点eにおける[流の和(代数和)に対応す
る電流をトランジスタQl、Q2のエミッタに供給する
回路であり、抵抗5の右端を定電位に保持している。3
1は点fにおける電流の和(代数和)に対応する電流を
トランジスタQatQ4のエミッタから引き込む回路で
あり、抵抗6の右端を定電位に保持している。また、i
)1.D2、D3.D4は各々ダイオード接続されたト
ランジスタであり、トランジスタQl #Q2 、Qa
Q4の各エミッタ抵抗を増すために設けられている。
上記構成において、入力電圧yiの値が+V、抵抗5,
6を介して点e、fに流れ込む電流が各々I (I=V
/Ra )であったとすると、トランジスタQl、Q2
の共通エミッタに流れ込む電流は、(I+I p+I 
B )となり、また、トランジスタQ3#Q4の共通エ
ミッタから流れ出る電流は(Ip+IB−I)となる。
またこの時、工p子Iであれば、上記各電流の値は、各
々(2I+Ip)およびIBとなる。
一方、入力電流viが一■であったとすると。
トランジスタQl、Q2の共通エミッタに流れ込む電流
は、(Ip+IB−1,)となり、トランジスタQ3.
Q4の共通エミッタから流れ出る電流は(I p+I 
B+I )となる。またこの場合において、I=Ipで
あったとすると、上記各電流は谷々IBおよび(2Ip
+IB)となる。
上述した説明から判るように、第2図憂こ示す回路の動
作は、前述した第1図に示す回路の動作と同様である。
したがって、入力電圧viがどのような値をとってもト
ランジスタQl 、Q2 、Qa。
Q4がカットオフすることがなく5この結果、直流バイ
アス電流IBの値を、トランジスタQl。
Q2 #Q3 、Q4が辛うじてカットオフしない程度
に設定することができる。
ここで参考のために、第2図に示す回路各部の波形を第
3図に示す。な詔%第3図に示す各波形は、制御電圧v
cを同図(へ)に示すように変化させた場合の波形例で
ある。次いで、各波形について説明すると、まず、第3
図(イ)は入力電圧viの波形を示しており、抵抗5.
6を介してe、f点に流れ込む電流工の波形もこの(イ
)に示す波形と相似の波形となる。同図(ロ)は抵抗2
4を介して接地点に流れ込む電流Ip(ピーク値に対応
する電流)の波形を示し、(ハ)はトランジスタQaの
コレクターエミッタ間?:流れるバイアス゛鎮流IBの
波形を示している。同図(ニ)はトランジスタQ8のコ
レクタから点eに流れ込む電流および点fからトランジ
スタQIOのコレクタへ流れ込む電流(すなわち、Ip
+IB)を示しており、(ホ)はトランジスタQl、Q
2の共通エミッタに流れ込む電流およびトランジスタQ
3.Q4の共通エミッタから流れ出る電流の波形を示し
ている。なお、実際にはトランジスタQl 、Q2の共
通エミッタに流れ込む電流と、トランジスタQ3.Q4
の共通エミッタか′ら流れ出る電流の波形は移相が18
00ずれるが、個々の波形は同様であるので、図では一
括して示しである。また、g3図(ト)は出力信号vO
の波形を示している。そして、この図から判るようにT
1は減資率一定の減衰期間、T2は増幅率一定の増幅期
間、T3は増幅率が両次低下する増41iIIA間、T
4は減衰率が漸次上昇する減衰期間である。
なお、この実施例においては、トランジスタQ1、Q2
と、トランジスタQatQ4の各バイアス電流IBをト
ランジスタQaと抵抗20によって一括して発生してい
るので、構成やv!4整が簡単となる利点を有している
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、エミッタが共
通接続されたgi、 第2 トランジスタから成る第・
1差動トランジスタペアと、エミッタが共通接続された
第3.3g4 トランジスタから成る第2差動トランジ
スタペアと、前記第1、第2差動トランジスタペアに一
定の直流バイアスを供給するバイアス供給回路とを設け
るとともに、前記第1、第3トランジスタのベースおよ
びal、第4トランジスタのコレクタを各々接地し、前
記各共通エミッタに入力信号を供給し、前記第2、第3
トランジスタの共通コレクタから出力信号を取り出し、
さらに前記第2、第4トランジスタの共通ベースに制御
電圧を印加して利得を制御するようにした利得制御回路
において、前記入力信号のピーク値を検出し、検出した
ピーク値に対応する電流を前記第1差動トランジスタペ
アの共通エミッタに供給するとともに、前記ピーク値に
対応する電流を第2差動トランジスタペアの共通エミッ
タから引さ抜くピークイ区対応電流供耐手段を設けたの
で、差動トランジスタ全カットオフさせることなく、し
かも、エミッタ電流を必要賊小限に設定し得てS rJ
比を同上させることができる。したがって、特にノイズ
が目立ち易い無信号時に2いてのSN比を大幅に向上さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の基本的原理を示す回路図。 第2図は、この発明の具体的な実施列の構成を示す回路
図、 第3図は、第2図に示す回路各部の波形図、第4図は、
従来の利得制御回路の構成を示す回路図である。 15・・・・・・電流供給回路(ピーク値対応電流供給
手段)、20・・・・・・抵抗(バイアス供給回路)、
21・・・・・・ピークホールド回路(ピーク値対応電
流供給手段)%Q5〜QIO・・・・・・トランジスタ
(ピーク値対応電流供給回路)、Qa・・・・・・トラ
ンジスタ(バイアス供給回路)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 エミッタが共通接続された第1、第2トランジスタから
    成る第1差動トランジスタペアと、エミッタが共通接続
    された第3、第4トランジスタから成る第2差動トラン
    ジスタペアと、前記第1、第2差動トランジスタペアに
    一定の直流バイアスを供給するバイアス供給回路とを設
    けるとともに、前記第1、第3トランジスタのベースお
    よび第1、第4トランジスタのコレクタを各々接地し、
    前記各共通エミッタに入力信号を供給し、前記第2、第
    3トランジスタの共通コレクタから出力信号を取り出し
    、さらに前記第2、第4トランジスタの共通ベースに制
    御電圧を印加して利得を制御するようにした利得制御回
    路において、 前記入力信号のピーク値を検出し、検出したピーク値に
    対応する電流を前記第1差動トランジスタペアの共通エ
    ミッタに供給するとともに、前記ピーク値に対応する電
    流を第2差動トランジスタペアの共通エミッタから引き
    抜くピーク値対応電流供給手段を設けたことを特徴とす
    る利得制御回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01144308U (ja) * 1988-03-25 1989-10-04

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