JPS6252906A - アモルフアス磁性体の絶縁コ−テイング方法 - Google Patents
アモルフアス磁性体の絶縁コ−テイング方法Info
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- JPS6252906A JPS6252906A JP19208385A JP19208385A JPS6252906A JP S6252906 A JPS6252906 A JP S6252906A JP 19208385 A JP19208385 A JP 19208385A JP 19208385 A JP19208385 A JP 19208385A JP S6252906 A JPS6252906 A JP S6252906A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(発明の属する技術分野)
本発明は変圧器などの電力用機器の鉄心に用いられるア
モルファス磁性体の薄板に超薄膜の絶縁物を形成する方
法に関するものである。
モルファス磁性体の薄板に超薄膜の絶縁物を形成する方
法に関するものである。
(従来の技術)
非晶質(アモルファス)磁性体は電気抵抗率が高くヒス
テリシス損失が小さいため、変圧器などの電力用機器の
鉄心として用いたときの電力損失を著しく小さくするこ
とができるという特長がある。磁性体中に生じる損失に
はヒステリシス損失と渦電流損失がある。このうち渦電
流損失を低減するには磁性体を薄い板状にし、その表面
に絶縁物をコーティングしてから重ね合わせることが効
果的である。従来のケイ素鋼板を用いた鉄心にはこの方
法が用いられている。この方法は無機あるいは有機の材
料の被膜をケイ素鋼板に塗装形成させるものであるが、
従来の方法ではその厚さが数ミクロン(μm)以上であ
った。従来のケイ素鋼板のように板目体の厚さが数10
0μm程度であれば被膜の厚さはほとんど問題でなかっ
たが、アモルファス磁性体では製法上それ自体の厚さが
数10μm程度の非常に薄い板というより箔状になるた
め、従来と同じコーティングを施した場合には鉄心とし
て重ね合わせたときの磁性体の体積分率が著しく低下す
るから、鉄心の磁気抵抗やヒステリシス損失の増大を招
くという欠点が残されていた3(発明の具体的な目的) 本発明は上記の欠点を解消することを目的として開発し
たもので、気相中で絶縁性の超薄膜をアモルファス磁性
体の板上にコーティングする方法であるが、これにより
得られた板を積重ねて鉄心として用いたときの磁気抵抗
およびヒステリシス損失を従来より増大させることなく
、渦電流損失による電力損失を低減できる画期的な製造
方法である。
テリシス損失が小さいため、変圧器などの電力用機器の
鉄心として用いたときの電力損失を著しく小さくするこ
とができるという特長がある。磁性体中に生じる損失に
はヒステリシス損失と渦電流損失がある。このうち渦電
流損失を低減するには磁性体を薄い板状にし、その表面
に絶縁物をコーティングしてから重ね合わせることが効
果的である。従来のケイ素鋼板を用いた鉄心にはこの方
法が用いられている。この方法は無機あるいは有機の材
料の被膜をケイ素鋼板に塗装形成させるものであるが、
従来の方法ではその厚さが数ミクロン(μm)以上であ
った。従来のケイ素鋼板のように板目体の厚さが数10
0μm程度であれば被膜の厚さはほとんど問題でなかっ
たが、アモルファス磁性体では製法上それ自体の厚さが
数10μm程度の非常に薄い板というより箔状になるた
め、従来と同じコーティングを施した場合には鉄心とし
て重ね合わせたときの磁性体の体積分率が著しく低下す
るから、鉄心の磁気抵抗やヒステリシス損失の増大を招
くという欠点が残されていた3(発明の具体的な目的) 本発明は上記の欠点を解消することを目的として開発し
たもので、気相中で絶縁性の超薄膜をアモルファス磁性
体の板上にコーティングする方法であるが、これにより
得られた板を積重ねて鉄心として用いたときの磁気抵抗
およびヒステリシス損失を従来より増大させることなく
、渦電流損失による電力損失を低減できる画期的な製造
方法である。
(発明の構成と作用)
図面は本発明方法を実施した気相中でアモルファス磁性
体に薄膜をコーティングさせる表面処理装置の構成例図
である。この図において1は反応槽(反応室)、2はア
モルファス磁性体の箔、3は4極、4はモノマー、5は
放電用電源、6は排気口、7と8はそれぞれアモルファ
ス磁性体の箔2の巻取ドラム、9は差動排気のための低
真空室である。
体に薄膜をコーティングさせる表面処理装置の構成例図
である。この図において1は反応槽(反応室)、2はア
モルファス磁性体の箔、3は4極、4はモノマー、5は
放電用電源、6は排気口、7と8はそれぞれアモルファ
ス磁性体の箔2の巻取ドラム、9は差動排気のための低
真空室である。
さて反応槽1に導入された帯状のアモルファス磁性体2
は、反応槽中に満たされた気体中で発生した放電、たと
えばグロー放電にさらされる。反応槽を満たす気体4と
してはエチレン、フッ化エチレン、シラン系など重合体
を生成し易く、その重合物の絶縁性、耐熱性が優れたも
のを選択して用いる。また放電の発生方法には種々なも
のが知られているが安定な放電が続けばよく、図の例で
は電極3と接地電位にあるアモルファス磁性体箔20間
に行われる。アモルファス磁性体箔2を大気中から真空
の反応槽1に連続して導入したり引出すには、大気との
間に設けた低い真空室9を介して行うことが必要で、こ
れを差動排気を利用するということも知られている。こ
のようにしてアモルファス磁性体箔には連続して絶縁体
薄膜の生成処理を行うことができる。
は、反応槽中に満たされた気体中で発生した放電、たと
えばグロー放電にさらされる。反応槽を満たす気体4と
してはエチレン、フッ化エチレン、シラン系など重合体
を生成し易く、その重合物の絶縁性、耐熱性が優れたも
のを選択して用いる。また放電の発生方法には種々なも
のが知られているが安定な放電が続けばよく、図の例で
は電極3と接地電位にあるアモルファス磁性体箔20間
に行われる。アモルファス磁性体箔2を大気中から真空
の反応槽1に連続して導入したり引出すには、大気との
間に設けた低い真空室9を介して行うことが必要で、こ
れを差動排気を利用するということも知られている。こ
のようにしてアモルファス磁性体箔には連続して絶縁体
薄膜の生成処理を行うことができる。
アモルファス磁性体箔に生成された薄膜は均一で非常に
薄く、放電パラメータや処理時間を変えることばより膜
厚は容易に制御できる。
薄く、放電パラメータや処理時間を変えることばより膜
厚は容易に制御できる。
また放電中で生成するため膜の内部が高度に架橋してい
て耐熱温度が高いので、この薄膜付アモルファス磁性体
を機器の鉄心として用いたときの使用温度を従来の材料
使用のものより高くとることができる。
て耐熱温度が高いので、この薄膜付アモルファス磁性体
を機器の鉄心として用いたときの使用温度を従来の材料
使用のものより高くとることができる。
(発明の効果)
本発明による薄膜付アモルファス磁性体箔による鉄心を
用いた機器では、鉄心の磁気抵抗やヒステリシス損失を
増大させることなく渦電流損失を低減でき、電力効率の
向上と機器の小形化に著しい効果が期待できる。
用いた機器では、鉄心の磁気抵抗やヒステリシス損失を
増大させることなく渦電流損失を低減でき、電力効率の
向上と機器の小形化に著しい効果が期待できる。
図面は本発明を実施したアモルファス磁性体に絶縁薄膜
をコーティングする表面処理装置の構成例図である。 1・・・反応槽、 2・・・アモルファス磁性体の箔
、3・・・電極、 4・・・モノマー、 5・・・電
源、 6・・・排気口、 7.訃・・巻取りドラム、
9・・・低真空室。
をコーティングする表面処理装置の構成例図である。 1・・・反応槽、 2・・・アモルファス磁性体の箔
、3・・・電極、 4・・・モノマー、 5・・・電
源、 6・・・排気口、 7.訃・・巻取りドラム、
9・・・低真空室。
Claims (1)
- 排気された反応室内に送り込まれたエチレン、シラン系
などの重合合成を起こし易い気体中に起させた放電を利
用して、該反応室内を通過するアモルファス磁性体の薄
い箔状の帯の面上にごく薄い絶縁体の膜を連続して形成
することを特徴とするアモルファス磁性体の絶縁コーテ
ィング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19208385A JPS6252906A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | アモルフアス磁性体の絶縁コ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19208385A JPS6252906A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | アモルフアス磁性体の絶縁コ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6252906A true JPS6252906A (ja) | 1987-03-07 |
Family
ID=16285359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19208385A Pending JPS6252906A (ja) | 1985-09-02 | 1985-09-02 | アモルフアス磁性体の絶縁コ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6252906A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6931713B2 (en) * | 2001-03-15 | 2005-08-23 | Waseem A. Roshen | Methods of making low loss, high frequency composite magnetic material |
| JP2008071982A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 変圧器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204104A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of insulating film for amorphous magnetic substance |
-
1985
- 1985-09-02 JP JP19208385A patent/JPS6252906A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204104A (en) * | 1981-06-11 | 1982-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | Forming method of insulating film for amorphous magnetic substance |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6931713B2 (en) * | 2001-03-15 | 2005-08-23 | Waseem A. Roshen | Methods of making low loss, high frequency composite magnetic material |
| JP2008071982A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co Ltd | 変圧器 |
| US8198973B2 (en) | 2006-09-15 | 2012-06-12 | Hitachi Industrial Equipment Systems Co., Ltd. | Transformer |
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