JPS62567B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62567B2 JPS62567B2 JP11758376A JP11758376A JPS62567B2 JP S62567 B2 JPS62567 B2 JP S62567B2 JP 11758376 A JP11758376 A JP 11758376A JP 11758376 A JP11758376 A JP 11758376A JP S62567 B2 JPS62567 B2 JP S62567B2
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- Japan
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- ceramic
- sheet
- laminated
- electrode
- density
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- Expired
Links
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は積層セラミツクコンデンサの製造方法
に関する。
に関する。
従来この種の積層セラミツクコンデンサは断面
を第1図に示す如く表面に電極を形成させたセラ
ミツクシート1の積層ブロツクの上下に電極を形
成させていないブランクセラミツクシート2を必
要枚数重ね合せ加圧積層化していた。このため電
極の存在する部分の重ね合わされた個所は厚みが
重畳され加圧された圧力が直接伝わり密度が高く
なるが電極の存在しない部分では圧力が電極部分
で吸収されてしまうので低密度のまま積層化され
ていた。このような積層密度の不均一さは第2図
に示す如く積層セラミツクブロツクを加圧プレス
した後切断しコンデンサチツプにする際に電極の
存在しない低密度部分では強度が弱くまた切断刃
の圧力による変位量が大きいなどの欠点を生じ、
クラツクや電極はがれの原因となつていた。すな
わち第3図に部分拡大図示した如く、圧力が充分
に加えられていないセラミツク積層ブロツクの密
度に低い部分では切断の際切断刃によつて加えら
れる圧力のため急な曲がりによるクラツク6や電
極10の歪による電極のはがれ個所5が生じる。
これらの欠陥個所は高温におけるセラミツクの焼
結過程である程度回復するか、欠陥の生ずる前の
正常な状態までは回復せず、残存した僅かな欠陥
部分が積層セラミツクコンデンサの使用状態での
負荷印加に際して、成長する結果、絶縁劣化や短
絡事故を起こす原因となつていた。
を第1図に示す如く表面に電極を形成させたセラ
ミツクシート1の積層ブロツクの上下に電極を形
成させていないブランクセラミツクシート2を必
要枚数重ね合せ加圧積層化していた。このため電
極の存在する部分の重ね合わされた個所は厚みが
重畳され加圧された圧力が直接伝わり密度が高く
なるが電極の存在しない部分では圧力が電極部分
で吸収されてしまうので低密度のまま積層化され
ていた。このような積層密度の不均一さは第2図
に示す如く積層セラミツクブロツクを加圧プレス
した後切断しコンデンサチツプにする際に電極の
存在しない低密度部分では強度が弱くまた切断刃
の圧力による変位量が大きいなどの欠点を生じ、
クラツクや電極はがれの原因となつていた。すな
わち第3図に部分拡大図示した如く、圧力が充分
に加えられていないセラミツク積層ブロツクの密
度に低い部分では切断の際切断刃によつて加えら
れる圧力のため急な曲がりによるクラツク6や電
極10の歪による電極のはがれ個所5が生じる。
これらの欠陥個所は高温におけるセラミツクの焼
結過程である程度回復するか、欠陥の生ずる前の
正常な状態までは回復せず、残存した僅かな欠陥
部分が積層セラミツクコンデンサの使用状態での
負荷印加に際して、成長する結果、絶縁劣化や短
絡事故を起こす原因となつていた。
本発明の目的はこれらの欠点を除去した内部ク
ラツクや微小間隙がなく、高密度にして耐湿性の
良い積層セラミツクコンデンサの製造方法を提供
することにある。
ラツクや微小間隙がなく、高密度にして耐湿性の
良い積層セラミツクコンデンサの製造方法を提供
することにある。
本発明によれば表面に電極を形成させた第1の
セラミツクシートの複数枚を積層化して後、切断
するセラミツクコンデンサの製造方法において、
前記電極部分に対応する部分の厚みが他の領域よ
り小さい第2のセラミツクシートをあらかじめ作
成しておいて、第1のセラミツクシートと共に積
層化することを特徴とする積層セラミツクコンデ
ンサの製造方法が得られる。
セラミツクシートの複数枚を積層化して後、切断
するセラミツクコンデンサの製造方法において、
前記電極部分に対応する部分の厚みが他の領域よ
り小さい第2のセラミツクシートをあらかじめ作
成しておいて、第1のセラミツクシートと共に積
層化することを特徴とする積層セラミツクコンデ
ンサの製造方法が得られる。
かかる本発明によれば積層セラミツクブロツク
の密度を均一化し信頼性品質を向上させることが
できる。すなわち本発明によれば表面に電極の形
成されたセラミツクシートの加圧積層化の際に別
のセラミツクシートによつて厚みを調整し均一な
密度の積層ブロツクとするため切断刃によつて加
えられる圧力に対しては適当な抗力が生じセラミ
ツクシートの曲がりや電極の歪などの欠陥を発生
させずにコンデンサチツプに切断できる利点があ
る。
の密度を均一化し信頼性品質を向上させることが
できる。すなわち本発明によれば表面に電極の形
成されたセラミツクシートの加圧積層化の際に別
のセラミツクシートによつて厚みを調整し均一な
密度の積層ブロツクとするため切断刃によつて加
えられる圧力に対しては適当な抗力が生じセラミ
ツクシートの曲がりや電極の歪などの欠陥を発生
させずにコンデンサチツプに切断できる利点があ
る。
以下本発明の一実施例を第4図乃至第5図を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
第4図は本発明の実施例を示す断面図であり1
1はドクターブレード法などにより泥漿から形成
させた10μm〜50μmのセラミツク薄膜に例えば
Pdペースト電極10を印刷して、作製したセラ
ミツクシート、12は電極を形成させていないブ
ランクシート、13は電極10に対応する部分の
厚みに凹部を設けたセラミツクアテシートであ
り、これは例えばブランクシートを、約100℃に
加熱して凹みの部分を、選択的に金型棒によつて
加圧することによつて得られる。このような構造
のものを100〜150℃に加熱して、150Kg/cm2程度
の圧力で15分間加圧した後80〜100℃の温度を保
持して、カミソリ状薄刃で加圧切断する場合には
第5図のようになり均一に加圧された効果によ
り、切断刃による変位量や歪は極めて小なくな
る。ここでセラミツク薄膜はプラスチツク板の如
く湾曲させることが出来る程度の弾力性と柔軟性
を有している。
1はドクターブレード法などにより泥漿から形成
させた10μm〜50μmのセラミツク薄膜に例えば
Pdペースト電極10を印刷して、作製したセラ
ミツクシート、12は電極を形成させていないブ
ランクシート、13は電極10に対応する部分の
厚みに凹部を設けたセラミツクアテシートであ
り、これは例えばブランクシートを、約100℃に
加熱して凹みの部分を、選択的に金型棒によつて
加圧することによつて得られる。このような構造
のものを100〜150℃に加熱して、150Kg/cm2程度
の圧力で15分間加圧した後80〜100℃の温度を保
持して、カミソリ状薄刃で加圧切断する場合には
第5図のようになり均一に加圧された効果によ
り、切断刃による変位量や歪は極めて小なくな
る。ここでセラミツク薄膜はプラスチツク板の如
く湾曲させることが出来る程度の弾力性と柔軟性
を有している。
また高温焼結過程においても密度の均一化され
たコンデンサチツプは、反応収縮に伴うセラミツ
クシートのソリの発生がなく極めて良好な積層セ
ラミツク焼結体が得られる。第4図、第5図に示
すセラミツクアテシート13は電極の厚さに対応
して厚みと重ね枚数を最適な値に選ぶことが可能
であり、また挿入する個所も積層方向の密度を均
一にできる位置であれば最上層、中間層、最下層
のいづれであつてもよい。
たコンデンサチツプは、反応収縮に伴うセラミツ
クシートのソリの発生がなく極めて良好な積層セ
ラミツク焼結体が得られる。第4図、第5図に示
すセラミツクアテシート13は電極の厚さに対応
して厚みと重ね枚数を最適な値に選ぶことが可能
であり、また挿入する個所も積層方向の密度を均
一にできる位置であれば最上層、中間層、最下層
のいづれであつてもよい。
以上説明したように本発明によりコンデンサチ
ツプに切断する際のセラミツクシートにおけるク
ラツクや電極はがれなどの欠陥を除くことができ
る。このため耐湿性が向上し、絶縁劣化や短絡事
故のない信頼度の高い積層セラミツクコンデンサ
を生産でき、また製造工程上の不良率も著しく改
善され、安価なコンデンサを供給できる効果もあ
る。
ツプに切断する際のセラミツクシートにおけるク
ラツクや電極はがれなどの欠陥を除くことができ
る。このため耐湿性が向上し、絶縁劣化や短絡事
故のない信頼度の高い積層セラミツクコンデンサ
を生産でき、また製造工程上の不良率も著しく改
善され、安価なコンデンサを供給できる効果もあ
る。
第1図、第2図および第3図は従来の積層セラ
ミツクコンデンサのそれぞれの断面図、チツプに
切断する方法を示す図および部分断面図であり、
第4図、第5図は本発明の一実施例である積層セ
ラミツクコンデンサの断面図である。 図中の符号、1,11:セラミツクシート、
2,12:ブランクシート、13:アテシート、
10:電極、5:電極のはがれ個所、6:クラツ
ク部分。
ミツクコンデンサのそれぞれの断面図、チツプに
切断する方法を示す図および部分断面図であり、
第4図、第5図は本発明の一実施例である積層セ
ラミツクコンデンサの断面図である。 図中の符号、1,11:セラミツクシート、
2,12:ブランクシート、13:アテシート、
10:電極、5:電極のはがれ個所、6:クラツ
ク部分。
Claims (1)
- 1 表面に電極を形成させた第1のセラミツクシ
ートの複数枚を積層化して後、切断するセラミツ
クコンデンサの製造方法において、前記電極部分
に対応する部分の厚みが他の領域より小さい第2
のセラミツクシートをあらかじめ作成しておいて
第1のセラミツクシートと共に積層化することを
特徴とする積層セラミツクコンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11758376A JPS5342353A (en) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | Laminated ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11758376A JPS5342353A (en) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | Laminated ceramic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5342353A JPS5342353A (en) | 1978-04-17 |
| JPS62567B2 true JPS62567B2 (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=14715402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11758376A Granted JPS5342353A (en) | 1976-09-29 | 1976-09-29 | Laminated ceramic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5342353A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08256942A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | Kenyuu Chikushima | ユニットティッシュ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147617A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | 日本電気株式会社 | 積層セラミツクコンデンサ |
| JPS61204920A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミツク素子の成形方法 |
| WO1989008923A1 (en) | 1988-03-07 | 1989-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of producing laminated ceramic electronic parts |
| JPH03192712A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-22 | Tokin Corp | セラミック複合体コンデンサの製造方法 |
| EP0923094B1 (en) | 1997-12-03 | 2006-09-20 | TDK Corporation | Multilayer ceramic electronic element and manufacturing method therefor |
-
1976
- 1976-09-29 JP JP11758376A patent/JPS5342353A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08256942A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | Kenyuu Chikushima | ユニットティッシュ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5342353A (en) | 1978-04-17 |
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