JPH03284857A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03284857A JPH03284857A JP2086135A JP8613590A JPH03284857A JP H03284857 A JPH03284857 A JP H03284857A JP 2086135 A JP2086135 A JP 2086135A JP 8613590 A JP8613590 A JP 8613590A JP H03284857 A JPH03284857 A JP H03284857A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- die pad
- lead frame
- chip
- die
- Prior art date
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- Pending
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07321—Aligning
- H10W72/07327—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/381—Auxiliary members
- H10W72/387—Flow barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体チップをリードフレームのダイパッドにダイボン
ディングする工程が含まれる半導体装置の製造方法に関
し、 半導体チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且
つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、半導体チップの裏面に設け
た凹部をリードフレームのダイパッドに設けた凸部に導
電性の微粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂を介在さ
せて嵌合して、半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成
する。
ディングする工程が含まれる半導体装置の製造方法に関
し、 半導体チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且
つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とし、半導体チップの裏面に設け
た凹部をリードフレームのダイパッドに設けた凸部に導
電性の微粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂を介在さ
せて嵌合して、半導体チップをダイパッドにダイボンデ
ィングする工程を含ませて半導体装置の製造方法を構成
する。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体チップを
リードフレームのダイパッドの所定位置に正確に搭載し
且つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方
法に関する。
リードフレームのダイパッドの所定位置に正確に搭載し
且つそのまま固定することのできる半導体装置の製造方
法に関する。
リードフレームのダイパッドにダイボンディングされた
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
櫛状のリードとの電気的な接続は、自動ワイヤボンディ
ング装置を用いて金属細線、例えば金（Ａｕ）線をワイ
ヤボンディングして行うのが一般的となっている。
半導体チップのポンディングパッドとリードフレームの
櫛状のリードとの電気的な接続は、自動ワイヤボンディ
ング装置を用いて金属細線、例えば金（Ａｕ）線をワイ
ヤボンディングして行うのが一般的となっている。
従って、自動ワイヤボンディング装置を使用してワイヤ
ボンディング作業を円滑に行うには、半導体チップをダ
イパッドの予め設定した所定の位置に正確に搭載するこ
とが必要である。
ボンディング作業を円滑に行うには、半導体チップをダ
イパッドの予め設定した所定の位置に正確に搭載するこ
とが必要である。
特に、ポンディングパッド数が多く且つその面積が小さ
くなっている昨今の半導体チップにおいては、尚更のこ
とである。
くなっている昨今の半導体チップにおいては、尚更のこ
とである。
第２図は、従来のダイボンディング方法を説明するため
の要部概略側断面図である。
の要部概略側断面図である。
尚、同じ部品・材料に対しては全図を通して同じ記号を
付与しである。
付与しである。
即ち、従来のダイボンディング方法は、第２図に示すよ
うに半導体チップ２０の平坦な裏面とリードフレーム２
１の平坦なダイパッド２２の表面との間に、導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂１５を介在させ、
半導体チップ２０をダイパッド２２にダイボンディング
（樹脂ボンディング）して搭載した後、液状樹脂１５を
１５０度Ｃ程度の温度で１時間前後加熱して硬化させる
ものであった。
うに半導体チップ２０の平坦な裏面とリードフレーム２
１の平坦なダイパッド２２の表面との間に、導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂１５を介在させ、
半導体チップ２０をダイパッド２２にダイボンディング
（樹脂ボンディング）して搭載した後、液状樹脂１５を
１５０度Ｃ程度の温度で１時間前後加熱して硬化させる
ものであった。
従来のダイボンディング方法は、前述したように半導体
チップ２０の平坦な裏面とリードフレーム２１の平坦な
ダイパッド２２の表面との間に液状樹脂１５を介在させ
て行っていた。
チップ２０の平坦な裏面とリードフレーム２１の平坦な
ダイパッド２２の表面との間に液状樹脂１５を介在させ
て行っていた。
従って、半導体チップ２０とグイパッド２２との間に介
在させた液状樹脂１５が未硬化状態で流動性がある状態
で、半導体チップ２０を搭載した直後のリードフレーム
２１をハンドリングした際に、半導体チップ２０がダイ
ボンディングした直後の位置から動いてしまう問題があ
った。
在させた液状樹脂１５が未硬化状態で流動性がある状態
で、半導体チップ２０を搭載した直後のリードフレーム
２１をハンドリングした際に、半導体チップ２０がダイ
ボンディングした直後の位置から動いてしまう問題があ
った。
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、
その目的は半導体チップをグイパッドの所定位置に正確
に搭載し且つそのまま固定することのできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
その目的は半導体チップをグイパッドの所定位置に正確
に搭載し且つそのまま固定することのできる半導体装置
の製造方法を提供することにある。
前記目的は、第１図に示すように半導体チップ１０の裏
面に設けた凹部１１をリードフレーム１２のダイパッド
１３に設けた凸部１４に導電性の微粒子を分散させた熱
硬化性の液状樹脂１５を介在させて嵌合して、半導体チ
ップ１０をダイパッド１３にダイボンディングする工程
が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
面に設けた凹部１１をリードフレーム１２のダイパッド
１３に設けた凸部１４に導電性の微粒子を分散させた熱
硬化性の液状樹脂１５を介在させて嵌合して、半導体チ
ップ１０をダイパッド１３にダイボンディングする工程
が含まれていることを特徴とする半導体装置の製造方法
により達成される。
本発明の半導体装置の製造方法に於けるダイボンディン
グは、半導体チップ１０の裏面に凹部１１を設けるとと
もに、リードフレーム１２のダイパッド１３には凸部１
４を設け、半導体チップ１０の凹部１１とリードフレー
ム１２のダイパッド１３の凸部１４との間に導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂１５を介在させ、
半導体チップ１０の凹部１１にダイパッド１３の凸部１
４を嵌込んで半導体チップ１０をダイパット１３に搭載
するものである。
グは、半導体チップ１０の裏面に凹部１１を設けるとと
もに、リードフレーム１２のダイパッド１３には凸部１
４を設け、半導体チップ１０の凹部１１とリードフレー
ム１２のダイパッド１３の凸部１４との間に導電性の微
粒子を分散させた熱硬化性の液状樹脂１５を介在させ、
半導体チップ１０の凹部１１にダイパッド１３の凸部１
４を嵌込んで半導体チップ１０をダイパット１３に搭載
するものである。
従って、半導体チップ１０は、ダイパッド１３に液状樹
脂１５及び凸部１４と凹部１１との機械的な嵌合により
確りとダイボンディングされた位置に保持されることと
なる。
脂１５及び凸部１４と凹部１１との機械的な嵌合により
確りとダイボンディングされた位置に保持されることと
なる。
斯くして、半導体チップ１０は、ダイボンディング直後
で液状樹脂１５が未硬化状態においても動くことがない
ため、グイパッド１３の所定位置に正確に固定されるこ
ととなる。
で液状樹脂１５が未硬化状態においても動くことがない
ため、グイパッド１３の所定位置に正確に固定されるこ
ととなる。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例の説明図で、同図（ａ）は
半導体チップの裏面図、同図（ｂ）は半導体チップのＡ
−Ａ線断面図、同図（ｃ）はリードフレームの要部平面
図、同図（ｄ）はリードフレームのＢ−Ｂ線断面図、同
図（ｅ）は半導体チップをダイボンディングしたリード
フレームの要部側断面図である。
半導体チップの裏面図、同図（ｂ）は半導体チップのＡ
−Ａ線断面図、同図（ｃ）はリードフレームの要部平面
図、同図（ｄ）はリードフレームのＢ−Ｂ線断面図、同
図（ｅ）は半導体チップをダイボンディングしたリード
フレームの要部側断面図である。
同図（ａ）及び同図（ｂ）に示した半導体チップ１０の
播鉢形をした凹部１１は、半導体チップ１０を分離前の
図示しない半導体ウェーハ表面に凹部１１を形成される
部分を除いてレジストを被着した後、半導体ウェーハを
所定深さまでエツチングして形成したものである。
播鉢形をした凹部１１は、半導体チップ１０を分離前の
図示しない半導体ウェーハ表面に凹部１１を形成される
部分を除いてレジストを被着した後、半導体ウェーハを
所定深さまでエツチングして形成したものである。
また、同図（ｃ）及び同図（ｄ）に示したリードフレー
ム１２の台形状のダイパッド１３の凸部１４は、燐青銅
製のフープ材等を抜き金型を使用して抜き加工によりリ
ードフレーム１２を形成する際、同時に押し加工を施す
ことで形成したものである。
ム１２の台形状のダイパッド１３の凸部１４は、燐青銅
製のフープ材等を抜き金型を使用して抜き加工によりリ
ードフレーム１２を形成する際、同時に押し加工を施す
ことで形成したものである。
上記のような半導体チップ１０を斯かるリードフレーム
１２のダイパッド１３に搭載には、まず半導体チップ１
０を搭載するダイパッド１３の所定領域に適量の液状樹
脂１５、例えば銀（Ａｇ）粉を分散させたエポキシ系樹
脂を滴下する。
１２のダイパッド１３に搭載には、まず半導体チップ１
０を搭載するダイパッド１３の所定領域に適量の液状樹
脂１５、例えば銀（Ａｇ）粉を分散させたエポキシ系樹
脂を滴下する。
次いで、真空チャック（図示せず）により半導体チップ
１０の表面を真空吸着した後、半導体チップ１０の凹部
１１がリードフレーム１２のダイパッド１３の凸部１４
を一致させながら、半導体チップ１０をリードフレーム
１２に押圧する。
１０の表面を真空吸着した後、半導体チップ１０の凹部
１１がリードフレーム１２のダイパッド１３の凸部１４
を一致させながら、半導体チップ１０をリードフレーム
１２に押圧する。
すると、半導体チップ１０は、液状樹脂１５の接着力及
び半導体チップ１０の凹部１１とダイパッド１３の凸部
１４との機械的な嵌合により確りとダイパッド１３に保
持される。
び半導体チップ１０の凹部１１とダイパッド１３の凸部
１４との機械的な嵌合により確りとダイパッド１３に保
持される。
そして、斯かる状態で半導体チップ１０を保持したリー
ドフレーム１２を恒温槽（図示せず）に入れて、１５０
度Ｃ程度の温度で１時間程度加熱して液状樹脂１５を硬
化させると半導体チップ１０はリードフレーム１２の定
位置に正確に固定されることとなる。
ドフレーム１２を恒温槽（図示せず）に入れて、１５０
度Ｃ程度の温度で１時間程度加熱して液状樹脂１５を硬
化させると半導体チップ１０はリードフレーム１２の定
位置に正確に固定されることとなる。
なお、半導体チップｌＯの凹部１１は播鉢状に、またリ
ードフレーム１２のダイパッド１３の凸部１４は台形状
（富士山形）に形成しているために、半導体チップ１０
をリードフレーム１２にダイボンディングする際の凹部
１１と凸部１４との多少位置ずれは、簡単に修正される
ように構成しである。
ードフレーム１２のダイパッド１３の凸部１４は台形状
（富士山形）に形成しているために、半導体チップ１０
をリードフレーム１２にダイボンディングする際の凹部
１１と凸部１４との多少位置ずれは、簡単に修正される
ように構成しである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且つその
まま固定することのできる半導体装置の製造方法を提供
できる。
チップをダイパッドの所定位置に正確に搭載し且つその
まま固定することのできる半導体装置の製造方法を提供
できる。
従って、本発明の半導体装置の製造方法により半導体チ
ップをリードフレームのダイパントに搭載することによ
り、半導体チップのポンディングパッドとリードフレー
ムのリードとのワイヤボンディングを円滑に実行するこ
とが可能となる。
ップをリードフレームのダイパントに搭載することによ
り、半導体チップのポンディングパッドとリードフレー
ムのリードとのワイヤボンディングを円滑に実行するこ
とが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例の説明図、第２図は、従来
のダイボンディング方法を説明するための要部概略側断
面図である。 図において、 １０と２０は半導体チップ、 ・１１は凹部、 １２と２１はリードフレーム、 １３と２２はダイパッド、 １４は凸部、 １５は液状樹脂をそれぞれ示す。
のダイボンディング方法を説明するための要部概略側断
面図である。 図において、 １０と２０は半導体チップ、 ・１１は凹部、 １２と２１はリードフレーム、 １３と２２はダイパッド、 １４は凸部、 １５は液状樹脂をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 半導体チップ（１０）の裏面に設けた凹部（１１）を
リードフレーム（１２）のダイパッド（１３）に設けた
凸部（１４）に導電性の微粒子を分散させた熱硬化性の
液状樹脂（１５）を介在させて嵌合して前記半導体チッ
プ（１０）を当該ダイパッド（１３）にダイボンディン
グする工程が含まれていることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086135A JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2086135A JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03284857A true JPH03284857A (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=13878273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2086135A Pending JPH03284857A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03284857A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6177729B1 (en) | 1999-04-03 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Rolling ball connector |
| US6255208B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Selective wafer-level testing and burn-in |
| JP2017103394A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| WO2024219063A1 (ja) * | 2023-04-20 | 2024-10-24 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2086135A patent/JPH03284857A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6255208B1 (en) | 1999-01-25 | 2001-07-03 | International Business Machines Corporation | Selective wafer-level testing and burn-in |
| US6177729B1 (en) | 1999-04-03 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Rolling ball connector |
| JP2017103394A (ja) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| CN107017217A (zh) * | 2015-12-03 | 2017-08-04 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
| CN107017217B (zh) * | 2015-12-03 | 2021-08-20 | 拉碧斯半导体株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
| WO2024219063A1 (ja) * | 2023-04-20 | 2024-10-24 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | 半導体装置 |
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