JPS6260244A - 半導体装置の封止方法及び装置 - Google Patents

半導体装置の封止方法及び装置

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JPS6260244A
JPS6260244A JP60200743A JP20074385A JPS6260244A JP S6260244 A JPS6260244 A JP S6260244A JP 60200743 A JP60200743 A JP 60200743A JP 20074385 A JP20074385 A JP 20074385A JP S6260244 A JPS6260244 A JP S6260244A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
base member
sealing
chamber
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP60200743A
Other languages
English (en)
Inventor
Shunichi Imaoka
俊一 今岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Publication of JPS6260244A publication Critical patent/JPS6260244A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W95/00Packaging processes not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置を気密に封止する方法及びその実施
に使用する装置に関し、更に詳述すれば歩留りが高く、
信頼性の高い半導体装置の気密封止方法及びその実施に
使用する装置を提案するものである。
〔従来技術〕
半導体集積回路等の半導体装置をパッケージ内に気密封
止するについては、ソルダ封止、ガラス封止あるいは溶
接封止が採用されている。そして、ソルダ封止及びガラ
ス封止においては、第5図に示すようにパッケージPを
構成するキャップ部材1とベース部材2とを、それらの
接合面に封止剤3を介在させて重合させるとともにクリ
ップ4で挟持した後、気密封止をするためのチャンバ内
に収容して、チャンバ内の気体を不活性ガスで置換した
後に封止剤3を加熱溶融させて接合部を封止する。その
後にクリップ4を取り外して気密封IJ:された半導体
装置を得ている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来の封止方法においては、気密封止後の気密
性をより高めるために、封止剤3を挾んで対向させるキ
ャップ部材1とベース部材2との接合面を平坦に加工し
ており、そのため気密封止する以前にパッケージPはあ
る程度の密閉状態となっていて、パッケージP内への不
活性ガスの導入量が不足する虞がある。また気密封止を
するための封止剤3の加熱で、封止剤3の溶融と併せて
パッケージP内では半導体チップやグイポンド材から多
量のガスが発生し、軟化した封止剤3を通ってパッケー
ジP内からの出ガスが生し、封止剤3にガスリーク部分
が生してそのまま封止剤3が硬化してパッケージPの気
密封止が損なわれる虜がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はチャンバ内に、気密封止するべき半導体装置を
収容するパッケージのキャップ部材とベース部材とを分
離させた状態で不活性ガスの導入を行い、また封止剤の
加熱による熔融を図るとともにキャップ部材とベース部
材との接合面に押圧力を作用させてキャップ部材とベー
ス部材との接合を行なうことにより、前述した問題点の
解決を図ることを目的としている。
即ち、本発明に係る半導体装置の封止方法は、真空状態
を得るチャンバ内にてキャップ部材とベース部材とから
なるパッケージで半導体装置を気密封止する方法におい
て、前記チャンバ内に前記キャップ部材とベース部材と
を分離状態として不活性ガスを導入する工程と、前記キ
ャップ部材又はベース部材を加熱する工程と、前記加熱
する工程の後に封止剤を介して前記キャップ部材とベー
ス部材とを重合させて封止剤を加熱硬化する工程と重合
されたキャップ部材とベース部材との接合面に押圧力を
与える工程とを含むことを特徴とする。
また本発明に係る半導体装置の封止装置は、真空状態を
得るチャンバ内にてキャップ部材とベース部材とからな
るパッケージで半導体装置を封止する装置において、前
記パッケージの一方の部材を位置決めするパッケージ固
定台と、前記パッケージ固定台に対して昇降動作が可能
であり前記パッケージの他方の部材を吸着可能にした固
定針とを備えたことを特徴とする。
〔実施例〕
以下に本発明をその実施例を示す図面によって詳述する
第1図は本発明に係る半導体装置の気密封止装置を備え
たチャンバの内部構造図である。第1図において、1は
真空状態が得られるチャンバであって、不活性ガスを導
入するためのガス導入口1aと、真空ポンプ等の真空排
気装置が接続されてチャンバ1内を真空に排気するため
の排気口11)とを備えている。チャンバ1は例えば吊
り上げることにより内部を開放できるベル型のものであ
り、チャンバ1内への器物の出し入れが自由になってい
る。チャンバlの底部には、例えば電気ヒータ等からな
る加熱体2を下側に設けたパッケージ固定台3を配設し
ており、前記加熱体2は前記パンケージ固定台3を約3
00℃迄加熱できるようになっている。また加熱体2へ
の通電は図示しないケーブルによりチャンバ1の外から
行われるようになっている。パッケージ固定台3はその
上面に、半導体装置を気密封止するためのパッケージP
を落人させ得てパッケージPの厚さ寸法を略等しい深さ
寸法のパッケージ孔3aが適宜間隔を隔てて横並びに開
設されている。
なお、このパンケージ孔3aの2個の数は単なる一例で
あって、この数に限定されるものではない。
前記パッケージ固定台3の両側には固定台3内に摺動可
能に挿入されており、連動して昇降させ得る支持柱4,
4を設けており、この支持柱4,4は例えばモータ等の
図示しない駆動機構によって昇降駆動されるようになっ
ている。前記支持柱4゜4の上端部には、前記パッケー
ジ固定台3と平行し2てり・j向する固定針取付台5を
跨設しである。そして、この固定針数イ」台5の下面で
前記パッケージ孔3aと対向する位置には、下方に伸び
る小径管状の固定釘6,6が取付りられている。固定釘
6の先端側は先端に向がって次第に小径となっており、
先端部は前記パッケージ孔3aに落人させたパッケージ
Pの上面と対接し得る平坦面に形成されている。この固
定針6の長さ寸法は、固定針ル付台5を所定位置まで上
昇させた場合に、固定針6の先端部がパッケージ固定台
3の」二面より−1一方に位置し、固定針数(=j台5
を最下限まで下降する以前に、パッケージ孔りa内に落
人させたり−ドpを備えたパッケージI)の上面と対接
するように選定されている。また固定釘6の中心を長さ
方向に貫通している排気孔6aば、固定針取付台5の内
部に形成している共通排気孔5aと連通させている。共
通排気孔5aの開口端部は、固定針数イ」台5の上丁動
を妨げない1法とした可撓性排気管7の一端と気密に接
続され、可撓性排気管7の他端はチャンバ1を気密に貫
通して取付けている吸着用排気口8と連通させてその内
端部に気密に接続されている。
そして吸着用排気口8の外端部には図示しない真空ポン
プを接続して排気させることにより、固定針6の下端部
の平坦面側に吸着力が生じるようになっている。
次に本発明に係る封止装置によって、半導体集積回路等
の半導体装置をセラミックからなるパッケージを用いて
、ガラスにより気密封止する方法を第1図乃至第4図に
よって説明する。第2図及び第3図はパッケージを気密
封止する操作過程を示す拡大図、第4図は気密封止する
ときの熱サイクルを示す温度特性図である。
半導体装置を収容してそれに接するリードlを備えたセ
ラミックのキャップ部材Pcとベース部材pbとからな
るパッケージPを用いてガラスによる気密封止するに際
し、パッケージPのキャップ部材Pcとベース部材Pb
との接合面の夫々にガラス系の封止剤9く第2図、第3
図参照)を塗布した後、キャップ部材Pcとベース部材
Pbとを接合面を対向させて重合し、キャップ部材Pc
を下側にしてパッケージ固定台3のパッケージ孔3aに
落人する。その後第1図に示す如く固定針取付台5を下
降させて固定釘6の下端面をパッケージPのベース部材
ph上面に当接させる。続いてチャンバ1の排気口11
1から図示しない真空ポンプにより排気してチャンバ1
内を真空状態にするとともに、吸着用排気口8から排気
して可撓性排気管7、共通排気孔5a及び排気孔6a内
を真空状態とすることにより固定針6の下端面側に吸着
力を生じさせてパッケージPのベース部材phを吸着さ
せる。このときキャップ部材Pcはパッケージ孔3aに
残ったままである。そして加熱体1に通電してパッケー
ジ固定台3のパッケージ孔3aに落人しているキャップ
部材Pcを加熱する。この加熱は、第4図に示す熱サイ
クルの温度特性の如くガラス系の封止剤9がその軟化点
150〜160℃になるまで行われる。そして封止剤9
の温度が一定となった状態を所定時限継続させた後、時
点T、に達したときに、不活性ガス導入口1aがらチャ
ンバ1内に不活性ガスを導入してチャンバ1の内部を不
活性ガスで満たず。このときパッケージPはキャップ部
材Pcとベース部材pbとに分離されているため、それ
らの表面は不活性ガスで覆れた状態が得られる。また、
キャップ部材Pcは既に加熱されていてキャップ部材P
cがらの出ガスが生じる。
その後、支持柱4,4を駆動させて固定針取付台5を下
降させることにより、固定針6に吸着されているベース
部材phをキャップ部材Pc上に重ねるとともに接合面
に固定針6によって所定の押圧力を加える。この押圧状
態で加熱体2への通電量を増して発熱量を一段と高め、
パンケージ孔りa内にあるパッケージPの封止剤9を第
4図に示すようニ150〜160℃から220〜230
℃ノ温度マチ昇温させて温度を一定にした後、所定時間
継続させる。
バラlr−’;PM220〜230 ’cに達したこと
により封止剤9の硬化が進み、パンケージPの接合面は
所定の押圧力が加わった状態で封止剤9が硬化を完了し
て完全な気密封止状態が得られる。気密封止が完了した
後は、加熱体2への通電を停止1−シてパッケージPの
温度を陣下さセるとともにチャンバ1内を常圧に戻して
、吸着用排気口8からの排気動作をも停止させて、チャ
ンバJ内より気密封止された半導体装置のパッケージP
を得ることができる。
このようにしたパッケージPのキャップ部材Pcとベー
ス部材Phとの気密封Iに操作では、キャップ部材Pc
 とベース部材Phとが分離した状態Fで夫々が不活性
ガスの雰囲気に際されるため、キャップ部材Pcとベー
ス部材phとを重合したときにパッケージP内には多量
の不活性ガスを存在させることになり、気密封止したパ
ッケージP内にお&Jる不活性ガスの導入量が不足する
事態は生じない。またキャップ部材Pcとベース部材p
bとが分離した状態でキャップ部材Pcが先に加熱され
て出ガスを出しつくすため、キA・ヮプ部祠Pcとベー
ス部材pHとを重合した以後の出ガスは少なく、またキ
ャップ部材PCと重合させるベース部材Pcとの接合面
には、封止剤9の硬化途中の間、固定針6による押圧力
が加わっているため、重合状態にあるパッケージPの内
部がら出ガスが生しることがなく、前記接合面にはガス
リーク通路が形成されず、ガスリークによるパッケージ
Pの不良品が発生しない。
なお、前述した出ガスがより重視される場合には、ベー
ス部材phとキャップ部材Pcとの接合面を対接させる
タイミングを封止剤9の温度が150〜160℃から2
20〜230℃の範囲内で見計らい、封止剤9が硬化す
る少し前までは、パッケージPに対する押圧力を加えな
い単なる接合としておき、完全硬化するタイミングと併
せて押圧力を加えれば出ガスによるガスリークの不都合
を解消できる。
なお、本実施例では固定針取付台5の昇降をモータによ
り行ったが、油圧シリンダにより行ってもよい。油圧シ
リンダによれば昇降量を微細に調整でき、また押圧力の
調整も円滑となる。また封止剤9の加熱温度150〜1
60℃及び220〜230 ℃は単なる一例であって、
封止剤9の材料により個々に選定されるものであり、本
実施例tこ特定されるものではない。
更に実施例ではキャップ部材Pcをパッケージ固定台3
Lこ位置決めしたが、ベース部材Phを位置決めさせて
もよいことば言うまでもない。
〔効果〕
以上詳述したように本発明の半導体装置の気密封止方法
は気密封止するに際し、キャップ部材Pc。
とベース部材pbとを分離した状態で不活性ガスの雰囲
気下に一月配置した後、それらを重合して封止するため
、気密封止したパッケージ内の不活性ガス量の不足は生
しない。
また、キャップ部材Pcとベース部JJ P hとを分
離した状態でそれらが加熱されるので、パンケージPの
気密封止時における出ガスを半減させ得て、しかも接合
面に押圧力を与えて封止剤9を硬化させるため出ガスに
よるリーク不良は全く生しない。
そL7て、本発明の気密封止装置によれば、前述したと
同様の効果が得られるとともに、パンケージ固定台3と
固定針6とを備えたことによりキャップ部材Pcとベー
ス部材pbとの分離、重合が極めて円滑となり、重合さ
せる場合の部材相互の位置ズレが生じず、構造が簡単で
あり操作が容易であり気密封止の不良品が発生しない。
従って、本発明は半導体装置を収容したパンケージを歩
留りを向上させて、気密封止が完全な高信頼度の半導体
装置のパッケージを製造することができ、産業上大きく
貢献するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る封止装置を備えたチャンバ内部の
概略構造図、第2図及び第3図は本発明に係る封止装置
による気密封止操作の説明図、第4図は気密封止すると
きの熱サイクルを示す温度特性図、第5図はパッケージ
を気密封止する従来の操作状態図である。 1・・・チャンバ 2・・・加熱体 3・・・パッケー
ジ固定台 5・・・固定針取付台 6・・・固定針 9
・・・封止剤 P・・・パッケージ Pb・・・ベース
部材 Pc・・・キャップ部(A 特 許 出願人  E洋電機株式会社 代理人 弁理士  llI  野  登 夫図面C 浄書(内容に変更なし) ! 算 1 図 一欅 ′、′″′S ■1     時開− 耳 4 図 ? 置 手続補正書(方式) 昭和60年12月3日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、真空状態を得るチャンバ内にてキャップ部材とベー
    ス部材とからなるパッケージで半導体装置を気密封止す
    る方法において、 前記チャンバ内に前記キャップ部材とベース部材とを分
    離状態として不活性ガスを導入する工程と、 前記キャップ部材又はベース部材を加熱する工程と、 前記加熱する工程の後に封止剤を介して前記キャップ部
    材とベース部材とを重合させて封止剤を加熱硬化する工
    程と、 重合されたキャップ部材とベース部材との接合面に押圧
    力を与える工程と を含むことを特徴とする半導体装置の封止方法。 2、真空状態を得るチャンバ内にてキャップ部材とベー
    ス部材とからなるパッケージで半導体装置を封止する装
    置において、前記パッケージの一方の部材を位置決めす
    るパッケージ固定台と、前記パッケージ固定台に対して
    昇降動作が可能であり前記パッケージの他方の部材を吸
    着可能にした固定針とを備えたことを特徴とする半導体
    装置の封止装置。
JP60200743A 1985-09-10 1985-09-10 半導体装置の封止方法及び装置 Pending JPS6260244A (ja)

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