JPS6261387A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS6261387A JPS6261387A JP61213688A JP21368886A JPS6261387A JP S6261387 A JPS6261387 A JP S6261387A JP 61213688 A JP61213688 A JP 61213688A JP 21368886 A JP21368886 A JP 21368886A JP S6261387 A JPS6261387 A JP S6261387A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser device
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
-
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明；Ｊ′光通信に利用する。特に、コヒーレント光
通信の光源として利用される半導体レーザ素子に関する
。
通信の光源として利用される半導体レーザ素子に関する
。
１（既 要〕
本発明は、発光波長の選択が可能な半回体レー４１！素
子において、 しきい電流における利得が最大の波長より短い波長で動
作させることにより、 発光スペクトル線幅の狭い放射光を得るものである。
子において、 しきい電流における利得が最大の波長より短い波長で動
作させることにより、 発光スペクトル線幅の狭い放射光を得るものである。
光通信の分野で使用される放射光は可視領域である必要
はなく、「光学」、「光」等の用語は可視光に限定する
ものではない。実際に、伝送媒体としてシリカ製の光フ
ァイバを使用する場合には、はぼ１．３１および１．５
５／ｌｌ１）の波長帯で光ファイバの損失が極小となり
、赤外線を使用することが有効である。
はなく、「光学」、「光」等の用語は可視光に限定する
ものではない。実際に、伝送媒体としてシリカ製の光フ
ァイバを使用する場合には、はぼ１．３１および１．５
５／ｌｌ１）の波長帯で光ファイバの損失が極小となり
、赤外線を使用することが有効である。
半導体レーザ素子は、レーデ発振構造として、電流を流
すｐｎ接合（通常はｎ型領域からｎ型領域に流れる）と
、電子と正札とが結合して誘導放出により光子を生成す
る「活性層」とを備えている。活性層における光子の生
成過程を実現するために、この活性層内に発生した光子
を適切な程度に１閉し、込める」必要がある。このため
、活性層のハンドギャップおよび屈折率は、その周囲の
半導体のバンドギャップおよび屈折率と適切な関係をも
つ必要がある。活性層の両側の材料層および活性層の対
向している端面（ファセ７１−）に接触する材料層を「
閉じ込め層」という。
すｐｎ接合（通常はｎ型領域からｎ型領域に流れる）と
、電子と正札とが結合して誘導放出により光子を生成す
る「活性層」とを備えている。活性層における光子の生
成過程を実現するために、この活性層内に発生した光子
を適切な程度に１閉し、込める」必要がある。このため
、活性層のハンドギャップおよび屈折率は、その周囲の
半導体のバンドギャップおよび屈折率と適切な関係をも
つ必要がある。活性層の両側の材料層および活性層の対
向している端面（ファセ７１−）に接触する材料層を「
閉じ込め層」という。
半導体光学素子の主な利用分野として光フアイバ通信網
がある。近年生産されているシリカ製の光ファイバは、
はぼ１．３賜および１．５５μｍで損失が極小となり、
１．５５μｍにおける極小値がより小さくなっている。
がある。近年生産されているシリカ製の光ファイバは、
はぼ１．３賜および１．５５μｍで損失が極小となり、
１．５５μｍにおける極小値がより小さくなっている。
したがって、１．１ないし１．６５μ逼の波長範囲、特
に１．３ないし１．６ｐの波長範囲で動作する素子が特
に必要である。これらの波長は、特に限定しない限り、
他のすべての波長と同様に真空中での波長とする。この
領域で動作する半導体レーザ素子としては、インジウム
リン（ＩｎＰ）の領域および四元系材料のインジウムガ
リウムヒ素リン（ＩｎＸＧａ＋−ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙ
）の領域を含むものが知られている。Ｘおよびｙの値を
適当に選択することにより、格子定数を変化させて他の
材料と整合させることができ、さらに、材料のバンドギ
ャップを変化させることができる。バンドギャップの値
は、例えばフォトルミ名ソセンスにより実験的に求める
ことができる。さらに、インジウムリンと四元系材料と
の双方に、必要に応じてｎ型またはｎ型の不純物を添加
（ドープ）することができる。
に１．３ないし１．６ｐの波長範囲で動作する素子が特
に必要である。これらの波長は、特に限定しない限り、
他のすべての波長と同様に真空中での波長とする。この
領域で動作する半導体レーザ素子としては、インジウム
リン（ＩｎＰ）の領域および四元系材料のインジウムガ
リウムヒ素リン（ＩｎＸＧａ＋−ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙ
）の領域を含むものが知られている。Ｘおよびｙの値を
適当に選択することにより、格子定数を変化させて他の
材料と整合させることができ、さらに、材料のバンドギ
ャップを変化させることができる。バンドギャップの値
は、例えばフォトルミ名ソセンスにより実験的に求める
ことができる。さらに、インジウムリンと四元系材料と
の双方に、必要に応じてｎ型またはｎ型の不純物を添加
（ドープ）することができる。
アルミニウムヒ素の領域およびガリウＪ、ヒ素の領域を
含む半導体レーザ素子もまた通信用に利用できる。これ
らの半導体レーザ素子は０．９−近傍の波長で動作する
。
含む半導体レーザ素子もまた通信用に利用できる。これ
らの半導体レーザ素子は０．９−近傍の波長で動作する
。
半導体レーザ素子をしきい電流以上の電流で駆動すると
、その活性層でレーザ発振が生じ、ｉＭ ｊＷ放出によ
る光子が発生する。この光子が活性層を通過するごとに
、活性層での利得と損失との間のバランスによって定義
される程度に光子の数が増加する。利得は発光波長に対
する尖頭値スペクトルとして表され、利得が尖頭値とな
る波長で活性層を動作させることが便利である。
、その活性層でレーザ発振が生じ、ｉＭ ｊＷ放出によ
る光子が発生する。この光子が活性層を通過するごとに
、活性層での利得と損失との間のバランスによって定義
される程度に光子の数が増加する。利得は発光波長に対
する尖頭値スペクトルとして表され、利得が尖頭値とな
る波長で活性層を動作させることが便利である。
ファブリベロー・レーザ素子では、活性層の両端面に配
置されたレーザ発振構造の終端面で放射光が少なくとも
部分的に反射し、レーザ発振が生じる。分布帰還（ＤＦ
Ｂ） レーザ素子では、活性層の領域に配置された波型
（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓ）により発振が生じる。こ
の波型は、一般にレーザ発振構造の長さの方向と直交す
る形状であり、レーザ発振構造に沿ったそれぞれの方向
に放射光を反射する。
置されたレーザ発振構造の終端面で放射光が少なくとも
部分的に反射し、レーザ発振が生じる。分布帰還（ＤＦ
Ｂ） レーザ素子では、活性層の領域に配置された波型
（ｃｏｒｒｕｇａｔｉｏｎｓ）により発振が生じる。こ
の波型は、一般にレーザ発振構造の長さの方向と直交す
る形状であり、レーザ発振構造に沿ったそれぞれの方向
に放射光を反射する。
外部構造により放射光を反射させて半導体レーザ素子に
戻すことにより、この半導体レーザ素子の発振に寄与す
ることができる。このような外部構造としては、外部共
振器および分布プラグ反射器（ＤＢＲ）がある。外部共
振器としては、例えば、放射軸に沿ってあらかじめ選択
された間隔にミラーを配置した構造が知られている。ま
た、半導体レーザ素子の外側で移動可能であること以外
はＤＦＢ型レーザ素子における波型と同等の波型を放射
軸に隣接して配置し、これにより、放射光を半導体Ｉ／
−ザ素子内に反射させることもできる。
戻すことにより、この半導体レーザ素子の発振に寄与す
ることができる。このような外部構造としては、外部共
振器および分布プラグ反射器（ＤＢＲ）がある。外部共
振器としては、例えば、放射軸に沿ってあらかじめ選択
された間隔にミラーを配置した構造が知られている。ま
た、半導体レーザ素子の外側で移動可能であること以外
はＤＦＢ型レーザ素子における波型と同等の波型を放射
軸に隣接して配置し、これにより、放射光を半導体Ｉ／
−ザ素子内に反射させることもできる。
このような外部構造を備えた半導体レーデ素子は、分布
プラグ反射器（ＤＢＲ）レーザ素子として知られている
。
プラグ反射器（ＤＢＲ）レーザ素子として知られている
。
いくつかの応用例、特にコヒーレント通信の分野では、
発光スペクトル線幅の狭いことが重要である。発光スペ
クトル線幅が狭い場合には、ヘテロダインまたはホモダ
イン検出のようなコヒーレント検出を行うことができ、
大量のデータを伝送することができる。
発光スペクトル線幅の狭いことが重要である。発光スペ
クトル線幅が狭い場合には、ヘテロダインまたはホモダ
イン検出のようなコヒーレント検出を行うことができ、
大量のデータを伝送することができる。
ファブリベロー・レーザ素子の発光スペクトル線幅は１
００ＭＨｚ以上であり、コヒーレント通信での使用には
適していない。ＤＦＢレーザ素子は、ファブリベロー・
レーザ素子に比べて発光スペクトル線幅が狭くなるよう
に製造することが可能であり、外部共振器等を付加する
ことによりさらに発光スペクトル線幅を狭くすることが
できる。
００ＭＨｚ以上であり、コヒーレント通信での使用には
適していない。ＤＦＢレーザ素子は、ファブリベロー・
レーザ素子に比べて発光スペクトル線幅が狭くなるよう
に製造することが可能であり、外部共振器等を付加する
ことによりさらに発光スペクトル線幅を狭くすることが
できる。
ヘニング（１，Ｄ、ｔｌｅｎｎｉｎｇ）、ウェストプル
ツク （Ｌ、Ｄ、Ｗｅｓｔｂｒｏｏｋ）他、［リッジ導
波路ＤＦＢレーザ素子の線幅の測定（Ｍｅａｓｕｒｅｍ
ｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｉｎｅ−ｗｉｄｔｈ ｏｆ
Ｒｉｄｇｅ−Ｇｕｉｄｅ ＤＦＢ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ
、エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第２０巻第２１号（１９８４年
１０月１）日号）第８８５頁ないし第８８７頁には、発
光波長１．４７ｆｍ、測定スペクトル線幅３ ＭＨｚで
動作するレーザ発振構造が述べられている。真の発光ス
ペクトル線幅はＩＭｔｌｚと推測される。この構造は、
リッジ導波路を用い、外部共振器を備えた分布帰還（Ｄ
ＦＢ）レーｆ素子を用いている。
ツク （Ｌ、Ｄ、Ｗｅｓｔｂｒｏｏｋ）他、［リッジ導
波路ＤＦＢレーザ素子の線幅の測定（Ｍｅａｓｕｒｅｍ
ｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｌｉｎｅ−ｗｉｄｔｈ ｏｆ
Ｒｉｄｇｅ−Ｇｕｉｄｅ ＤＦＢ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ
、エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉ
ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）第２０巻第２１号（１９８４年
１０月１）日号）第８８５頁ないし第８８７頁には、発
光波長１．４７ｆｍ、測定スペクトル線幅３ ＭＨｚで
動作するレーザ発振構造が述べられている。真の発光ス
ペクトル線幅はＩＭｔｌｚと推測される。この構造は、
リッジ導波路を用い、外部共振器を備えた分布帰還（Ｄ
ＦＢ）レーｆ素子を用いている。
しかし、レーザ発振構造の差異により特性が異なり、そ
の発光スベク［・ル線幅を予測することはできない。
の発光スベク［・ル線幅を予測することはできない。
半導体レーザ素子の発光スペクトル線幅を制御する因子
を評価しようとする注目すべき研究が行われた。チャー
ルズ・エイ千・ヘンリー（Ｃｈａｒｌ、偽Ｈ０Ｈｅｎｒ
ｙ）の論文、［半導体シー４ドの線幅の理論（Ｔｈｅｏ
ｒｙ ｏｆ ｔ、ｈｅ Ｌｉｎｅｔｎｉｄｔｈ ｏｆ
Ｓｅｍ１ｃｏｒｉｄｕｅｔｏｒ Ｌａ−５ｅｒｓ） Ｊ
、ＪＥＥＥジャーナＪし・オフ゛・クウォン′タム・
エレクトロニクス（ＩＨＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ロＥ−１８
巻第２号（１９８２年２月）第２５９頁ないし第２６４
頁に、広がり項〔１＋α２〕により発光スペクトル線幅
が制御されるという理論が述べられている。ここで、「
α」はレーザ活性材料の基本的な因子であり、「線幅増
大因子（１ｉｎｅｗｉｄｔｈ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ
ｆａｃｔｏｒ） Ｊと呼ばれている。
を評価しようとする注目すべき研究が行われた。チャー
ルズ・エイ千・ヘンリー（Ｃｈａｒｌ、偽Ｈ０Ｈｅｎｒ
ｙ）の論文、［半導体シー４ドの線幅の理論（Ｔｈｅｏ
ｒｙ ｏｆ ｔ、ｈｅ Ｌｉｎｅｔｎｉｄｔｈ ｏｆ
Ｓｅｍ１ｃｏｒｉｄｕｅｔｏｒ Ｌａ−５ｅｒｓ） Ｊ
、ＪＥＥＥジャーナＪし・オフ゛・クウォン′タム・
エレクトロニクス（ＩＨＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ロＥ−１８
巻第２号（１９８２年２月）第２５９頁ないし第２６４
頁に、広がり項〔１＋α２〕により発光スペクトル線幅
が制御されるという理論が述べられている。ここで、「
α」はレーザ活性材料の基本的な因子であり、「線幅増
大因子（１ｉｎｅｗｉｄｔｈ ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ
ｆａｃｔｏｒ） Ｊと呼ばれている。
スペクトル線幅および線幅増大因子αが直接変調レーザ
素子における過渡的な波長チャーピングに影響すること
が示されている。
素子における過渡的な波長チャーピングに影響すること
が示されている。
しかし、長波長レーザ素子では線幅増大因子αの大きさ
がかなり曖昧であることが知られている。
がかなり曖昧であることが知られている。
線幅増大因子αの値は、２．２ないし６．６の範囲で測
定され、推定されている。さらに、線幅増大因子αのレ
ーザ波長に対する系統的な依存性が報告されているが証
明はされていない。この系統的な効果については、ヘニ
ング（Ｈｅｎｎｉｎｇ）およびコリンズ（Ｃｏｌｌｉｎ
ｓ）、［半導体レーザ線幅広がり因子（Ｍｅａｓｕｒｅ
ｎ＋ｅｎｔ ｏｆ ｔｂｅ Ｓｅｎ＋１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｌａ５ｅｒ Ｌｉｎｅ−ｗｉｄｔｈ Ｂｒｏａｄ
ｅｎｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ）ｊ 、エレクトロニクス・
レターズ第１９巻（１９８３年）第９２７頁ないし第９
２９真に説明されている。
定され、推定されている。さらに、線幅増大因子αのレ
ーザ波長に対する系統的な依存性が報告されているが証
明はされていない。この系統的な効果については、ヘニ
ング（Ｈｅｎｎｉｎｇ）およびコリンズ（Ｃｏｌｌｉｎ
ｓ）、［半導体レーザ線幅広がり因子（Ｍｅａｓｕｒｅ
ｎ＋ｅｎｔ ｏｆ ｔｂｅ Ｓｅｎ＋１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｌａ５ｅｒ Ｌｉｎｅ−ｗｉｄｔｈ Ｂｒｏａｄ
ｅｎｉｎｇ Ｆａｃｔｏｒ）ｊ 、エレクトロニクス・
レターズ第１９巻（１９８３年）第９２７頁ないし第９
２９真に説明されている。
バハラ（Ｋ、Ｖａｈａｌａ）他、「半導体インジェクン
ヨンレーザにおける線幅増大因子（Ｏｎ ｔｈｅ Ｌｉ
ｎｅｗｉｄｔｌ＋ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａ
ｃｔｏｒ ｉｎ Ｓｅ＋ｎ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩ
ｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ 、−ｙ’ブライ
ド・フィシで′ス・レターズ（＾ｐｐｌｉｃｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｉ、ｅｔｔｅｒｓ）第４２巻第８号（１９８
３年４月１５日）では、アンドーフ゛のガ１）つＪ、ヒ
素において、励起周波数が高くなるにつ旧、て線幅増大
因子αが減少することを予測している。
ヨンレーザにおける線幅増大因子（Ｏｎ ｔｈｅ Ｌｉ
ｎｅｗｉｄｔｌ＋ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ Ｆａ
ｃｔｏｒ ｉｎ Ｓｅ＋ｎ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩ
ｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａ５ｅｒｓ）Ｊ 、−ｙ’ブライ
ド・フィシで′ス・レターズ（＾ｐｐｌｉｃｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｉ、ｅｔｔｅｒｓ）第４２巻第８号（１９８
３年４月１５日）では、アンドーフ゛のガ１）つＪ、ヒ
素において、励起周波数が高くなるにつ旧、て線幅増大
因子αが減少することを予測している。
本発明は、放射光の線幅が十分に狭い半導体Ｌ・−ザ素
子を提供することを目的とする。
子を提供することを目的とする。
本発明の半導体レーザ素子は、半導体で構成、されたレ
ーザ発振構造と、この１ノ−ザ発振構造の発光波長を選
択する波長選択手段とを備えた半導体レーザ素子におい
て、上記波長選択手段は、しきい電流における利得が最
大の波長を最大利得波長λ１ｌｌａＸとし、この最大利
得波長λ□、におけるスペクトル線幅増大因子をα、□
としたとき、上記最大利得波長λ□８より短くその線幅
増大因子αｅが、 αｅ≦ ０．９α１．Ｘ となる発光波長に選択されたことを特徴とする。
ーザ発振構造と、この１ノ−ザ発振構造の発光波長を選
択する波長選択手段とを備えた半導体レーザ素子におい
て、上記波長選択手段は、しきい電流における利得が最
大の波長を最大利得波長λ１ｌｌａＸとし、この最大利
得波長λ□、におけるスペクトル線幅増大因子をα、□
としたとき、上記最大利得波長λ□８より短くその線幅
増大因子αｅが、 αｅ≦ ０．９α１．Ｘ となる発光波長に選択されたことを特徴とする。
波長選択手段は、線幅増大因子α３が、αｅ≦ ０．８
αｍｓｘ となる発光波長に選択されていることが望ましく、さら
には、 αｅ≦ ０．７ α□、 となる発光波長に選択されていることが望ましい。
αｍｓｘ となる発光波長に選択されていることが望ましく、さら
には、 αｅ≦ ０．７ α□、 となる発光波長に選択されていることが望ましい。
本発明者等は、発光スペクトル線幅と動作波長との間の
関係を利用して、どのように実際の半導体レーザ素子を
設計するかを研究した。本発明により、光通信で有用な
半導体レーザ素子、特に発光波長が１．３趨および１．
５５μｍの半導体レーザ素子における発光スペクトル線
幅を特に狭めることができる。
関係を利用して、どのように実際の半導体レーザ素子を
設計するかを研究した。本発明により、光通信で有用な
半導体レーザ素子、特に発光波長が１．３趨および１．
５５μｍの半導体レーザ素子における発光スペクトル線
幅を特に狭めることができる。
第１図は本発明実施例半導体レーザ素子の斜視図である
。この図面では半導体レーザ素子の構造を概略的に示す
。
。この図面では半導体レーザ素子の構造を概略的に示す
。
以下の説明では「上」、「下」というの用語を用いるが
、これらの用語は第１図における上下関係を示すもので
あり、実際の素子の方向を示すものではない。
、これらの用語は第１図における上下関係を示すもので
あり、実際の素子の方向を示すものではない。
第１図を参照すると、この半導体レーザ素子はヨーロッ
パ特許出願第８５３０１５９９．８号に記載されたタイ
プの半導体レーザ素子であり、ＤＦ）３リツジ導波路レ
ーザ素子である。
パ特許出願第８５３０１５９９．８号に記載されたタイ
プの半導体レーザ素子であり、ＤＦ）３リツジ導波路レ
ーザ素子である。
基板１はイオウＳを多量にドープしたｎ０型のインジウ
ムリンＩｎＰｉ板であり、その厚さは約１００−である
。この基板１の（１００）面上に、テルルＴｅをドープ
したｎ型のガリウムインジウムヒ素リンＣａＸ Ｉ ｎ
ｌ−ＸＡ Ｓｙ Ｐｌ−ｙを０．１５Ｊｒｒｎの厚さに
成長させ、これを第一の閉じ込め層２とする。Ｘおよび
ｙの値は、ホトルミネッセンスにより測定したバンドギ
ャップが１．１５μｍの波長と等価になるように選択す
る。第一の閉じ込め層２の上には、不純物がドープされ
ていないガリウムインジウムヒ素リンＣｒａＸＩ ｎｌ
−１（Ａ Ｓｙ Ｐ ＋−１’を０．１５μｍの厚さに
成長させ、これを活性層３とする。
ムリンＩｎＰｉ板であり、その厚さは約１００−である
。この基板１の（１００）面上に、テルルＴｅをドープ
したｎ型のガリウムインジウムヒ素リンＣａＸ Ｉ ｎ
ｌ−ＸＡ Ｓｙ Ｐｌ−ｙを０．１５Ｊｒｒｎの厚さに
成長させ、これを第一の閉じ込め層２とする。Ｘおよび
ｙの値は、ホトルミネッセンスにより測定したバンドギ
ャップが１．１５μｍの波長と等価になるように選択す
る。第一の閉じ込め層２の上には、不純物がドープされ
ていないガリウムインジウムヒ素リンＣｒａＸＩ ｎｌ
−１（Ａ Ｓｙ Ｐ ＋−１’を０．１５μｍの厚さに
成長させ、これを活性層３とする。
Ｘおよびｙの値は、バンドギャップが波長１ 、６６７
−と等価になるように選択する。活性層３の上には、第
一の閉じ込め層２と同じ材料で第二の閉じ込め層４を成
長させる。
−と等価になるように選択する。活性層３の上には、第
一の閉じ込め層２と同じ材料で第二の閉じ込め層４を成
長させる。
第二の閉じ込め層４には、電子ビーム露光で作成したマ
スクを用いて化学エツチングを行い、波型の分布帰還格
子９を形成する。この形成方法は、ウェストプルツク（
Ｗｅｓ ｔｂｒｏｏｋ） 他、エレクトロニクス・レタ
ーズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ） １
９８２年第１８巻第８６３頁ないし第８６５頁に記載さ
れた方法を用いた。波型の背および溝は＜１）０＞方向
に沿って設けられ、溝の形状は三角形であり、溝の側壁
は（１）１） Ａ面すなわち■属原子のサブラティスで
ある。分布帰還格子９の周期は４７５ ｒ＋ｍであり、
溝の深さは約１７０ｎｍである。
スクを用いて化学エツチングを行い、波型の分布帰還格
子９を形成する。この形成方法は、ウェストプルツク（
Ｗｅｓ ｔｂｒｏｏｋ） 他、エレクトロニクス・レタ
ーズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ） １
９８２年第１８巻第８６３頁ないし第８６５頁に記載さ
れた方法を用いた。波型の背および溝は＜１）０＞方向
に沿って設けられ、溝の形状は三角形であり、溝の側壁
は（１）１） Ａ面すなわち■属原子のサブラティスで
ある。分布帰還格子９の周期は４７５ ｒ＋ｍであり、
溝の深さは約１７０ｎｍである。
分布帰還格子９の上にはりフジ導波路構造のリッジを設
ける。このリッジは、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶ
Ｄ）により、分布帰還格子９の完全性を保持しながら大
気圧で約１．５μｍの厚さに成長させた亜鉛Ｚｎをドー
プした（ｐ型）インジウムリン層５を含む。この成長方
法としては、ヨーロッパ特許出願第８４３００２４０．
３号およびネルリン（Ｎｅｌｓｏｎ）他、エレクトロニ
クス・レターズ１９８３年第１９巻第３４頁ないし第３
６頁に記載された方法を用いる。インジウムリン層５の
上には、ＭＯＣＶＤにより、亜鉛Ｚｎを多量にドープし
た三元系材料層６を約０．１μｍの厚さに成長させる。
ける。このリッジは、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶ
Ｄ）により、分布帰還格子９の完全性を保持しながら大
気圧で約１．５μｍの厚さに成長させた亜鉛Ｚｎをドー
プした（ｐ型）インジウムリン層５を含む。この成長方
法としては、ヨーロッパ特許出願第８４３００２４０．
３号およびネルリン（Ｎｅｌｓｏｎ）他、エレクトロニ
クス・レターズ１９８３年第１９巻第３４頁ないし第３
６頁に記載された方法を用いる。インジウムリン層５の
上には、ＭＯＣＶＤにより、亜鉛Ｚｎを多量にドープし
た三元系材料層６を約０．１μｍの厚さに成長させる。
この三元系材料層６の組成はＩ ｎｏ、ｓｚＧ ３０．
４７Ａ ３である。
４７Ａ ３である。
最後に、三元系材料層６の上に、それぞれ約０．１μｍ
の厚さでチタン電極Ｎ７および金電極Ｎ８を設ける。ま
た、基板１の下側にはスズおよび金を蒸着して合金層を
形成し、これを電極層１０とする。
の厚さでチタン電極Ｎ７および金電極Ｎ８を設ける。ま
た、基板１の下側にはスズおよび金を蒸着して合金層を
形成し、これを電極層１０とする。
リッジの幅は約６μｍであり、この半導体レーザ素子の
全長は３００−である。半導体レーザ素子の一方の端面
ば臂開面であり、他方の端面ば反射防止の処理が施され
ている。
全長は３００−である。半導体レーザ素子の一方の端面
ば臂開面であり、他方の端面ば反射防止の処理が施され
ている。
リッジの両側には、チャネルによりリッジから分離され
て、半導体材料で形成された突起部１）．１２が設けら
れている。これらの突起部１）．１２の層構造はりフジ
とほぼ同一であるが、リッジの層構造に加えて電極層７
．８の下にシリカ層１３を備える。
て、半導体材料で形成された突起部１）．１２が設けら
れている。これらの突起部１）．１２の層構造はりフジ
とほぼ同一であるが、リッジの層構造に加えて電極層７
．８の下にシリカ層１３を備える。
本実施例の半導体レーザ素子は、使用時には中心波長１
．５５μｍで発振し、出力が１０ｍＷのときのスペクト
ル線幅は約１０ＭＨｚである。活性層３のバンドギャッ
プは、上述したように波長１．６６７ ｔｎｎと等価で
ある。分布帰還格子を備えていないファブリペロ−レー
ザ素子でこの材料を用いた場合には、しきい電流におい
て波長１．６１ａｍの利得が最大となる。
．５５μｍで発振し、出力が１０ｍＷのときのスペクト
ル線幅は約１０ＭＨｚである。活性層３のバンドギャッ
プは、上述したように波長１．６６７ ｔｎｎと等価で
ある。分布帰還格子を備えていないファブリペロ−レー
ザ素子でこの材料を用いた場合には、しきい電流におい
て波長１．６１ａｍの利得が最大となる。
すなわち最大利得波長λｗａｘが１．６１ ｔｎａであ
る。
る。
したがって、本実施例の半導体レーザ素子は、活性層３
の材料により定まる波長λ□、より約６０ｎｍだけ短い
波長で動作する。
の材料により定まる波長λ□、より約６０ｎｍだけ短い
波長で動作する。
半導体レーザ素子の構造を変更して発光スペクトル線幅
をより狭くすることもできる。例えば、半導体レーザ素
子の全長を８００ Ｊ／１）に増加させた場合には、出
力１０１におけるスペクトル線幅をＩ ＭＨｚに削減す
ることができる。この場合にも波長λ１゜より６０ｎｍ
だけ短い１．５５ＩＭの波長で動作させる。
をより狭くすることもできる。例えば、半導体レーザ素
子の全長を８００ Ｊ／１）に増加させた場合には、出
力１０１におけるスペクトル線幅をＩ ＭＨｚに削減す
ることができる。この場合にも波長λ１゜より６０ｎｍ
だけ短い１．５５ＩＭの波長で動作させる。
以上説明した半導体レーザ素子は、シリカ製の光ファイ
バ等で使用するために、一つの最適波長、すなわち１．
５５μｍの波長で動作する構成であった。
バ等で使用するために、一つの最適波長、すなわち１．
５５μｍの波長で動作する構成であった。
他の波長、すなわち１．３ ｕｍで発振する半導体レー
ザ素子の場合には、 （ｉ）活性層３に用いる四元系材料の組成を、バンドギ
ャップが１．４５２ ｔｎａ （８５５ｍｅＶと等価）
、最大利得波長λ□８が１．３６ｕｖａとなるように選
択し、（ｉｉ ）分布帰還格子９が周期３９８ｎｍ 、
深さ１４２趨ｍの波型で構成される ように修正を施す。
ザ素子の場合には、 （ｉ）活性層３に用いる四元系材料の組成を、バンドギ
ャップが１．４５２ ｔｎａ （８５５ｍｅＶと等価）
、最大利得波長λ□８が１．３６ｕｖａとなるように選
択し、（ｉｉ ）分布帰還格子９が周期３９８ｎｍ 、
深さ１４２趨ｍの波型で構成される ように修正を施す。
この半導体レーザ素子を最大利得波長λ□、より６０ｎ
ｍ短い波長で動作させる。レーザ発振構造の長さが３０
０ μｍ＋のときには、１０ｍＷの出力時に１０ＭＨｚ
のオーダの発光スペクトル線幅が得られる。レーザ発振
構造の長さを８００趨にすると、１０ｍＷ出力時の発光
スペクトル線幅は約Ｉ ＭＨｚに減少する。
ｍ短い波長で動作させる。レーザ発振構造の長さが３０
０ μｍ＋のときには、１０ｍＷの出力時に１０ＭＨｚ
のオーダの発光スペクトル線幅が得られる。レーザ発振
構造の長さを８００趨にすると、１０ｍＷ出力時の発光
スペクトル線幅は約Ｉ ＭＨｚに減少する。
以上の説明ではＤＦＢレーザ素子に本発明を実施した場
合を例に説明したが、外部共振器または分布ブラッグ反
射器を使用しても同様に線幅増大因子αを削減すること
ができ、半導体レーザ素子の発光スペクトル線幅を狭め
ることができる。外部共振器および分布ブラッグ反射器
を半導体レーザ素子の発振波長の選択に使用でき、これ
を利用して最大利得波長λＩＩＩＩＩＸより短い波長を
発光波長として選択することにより本発明を同様に実施
できる。
合を例に説明したが、外部共振器または分布ブラッグ反
射器を使用しても同様に線幅増大因子αを削減すること
ができ、半導体レーザ素子の発光スペクトル線幅を狭め
ることができる。外部共振器および分布ブラッグ反射器
を半導体レーザ素子の発振波長の選択に使用でき、これ
を利用して最大利得波長λＩＩＩＩＩＸより短い波長を
発光波長として選択することにより本発明を同様に実施
できる。
さらに、それ自身が半導体レーザ素子の発光スペクトル
線幅を狭める構造を組み合わせ、最大利得波長λ１．Ｘ
より短い発光波長で動作させることにより、さらに発光
スペクトル線幅を狭めることができる。例えば、適当な
外部共振器を備えたＤＦＢリッジ導波路レーザ素子では
、出力１０ｍＷにおける発光スペクトル線幅を１００ｋ
Ｈｚ以下にすることができる。
線幅を狭める構造を組み合わせ、最大利得波長λ１．Ｘ
より短い発光波長で動作させることにより、さらに発光
スペクトル線幅を狭めることができる。例えば、適当な
外部共振器を備えたＤＦＢリッジ導波路レーザ素子では
、出力１０ｍＷにおける発光スペクトル線幅を１００ｋ
Ｈｚ以下にすることができる。
半導体レーザ素子の発光波長を選択するための構造は、
線幅増大因子αとは独立に発光スペクトル線幅に影響を
及ぼすことがあることに注意しなければならない。例え
ば、ミラーを備えた外部共振器を使用した場合には、外
部共振器内の放射光の往復径路が半導体レーザ素子内で
発振した放射光との位相ずれを引き起こす場合に、スペ
クトル線幅を大きく広げてしまう。
線幅増大因子αとは独立に発光スペクトル線幅に影響を
及ぼすことがあることに注意しなければならない。例え
ば、ミラーを備えた外部共振器を使用した場合には、外
部共振器内の放射光の往復径路が半導体レーザ素子内で
発振した放射光との位相ずれを引き起こす場合に、スペ
クトル線幅を大きく広げてしまう。
半導体レーザ素子の構造が同一で動作波長が異なる場合
には線幅増大因子αを推定することができる。電流■に
おけるモード利得Ｇの変化および共鳴波長λを測定する
ことにより、しきい電流以下のレーザ発光スペクトルに
おけるファブリペロ−共鳴から線幅増大因子αを求める
ことができる。
には線幅増大因子αを推定することができる。電流■に
おけるモード利得Ｇの変化および共鳴波長λを測定する
ことにより、しきい電流以下のレーザ発光スペクトルに
おけるファブリペロ−共鳴から線幅増大因子αを求める
ことができる。
モード利得Ｇを決定する方法については、ハソキ（）ｌ
ａｋｋｉ）およびパオリ （Ｐａｏｌｉ）、ｒ ＧａＡ
ｓダブルへテロ構造インジェクションレーザにおける利
得スペクトル（Ｇａｉｎ ５ｐｅｃｔｒａ ｉｎ Ｇａ
Ａｓ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａ−５ｅｒｓ） Ｊ 、
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） １
９７５年第４６巻第１２９９頁ないし第１３０６頁に説
明されている。
ａｋｋｉ）およびパオリ （Ｐａｏｌｉ）、ｒ ＧａＡ
ｓダブルへテロ構造インジェクションレーザにおける利
得スペクトル（Ｇａｉｎ ５ｐｅｃｔｒａ ｉｎ Ｇａ
Ａｓ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａ−５ｅｒｓ） Ｊ 、
ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Ｊｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ） １
９７５年第４６巻第１２９９頁ないし第１３０６頁に説
明されている。
レーザ発振構造における活性層の反射率をｎ′ ＋ｊｎ
″ と表すと、線幅増大因子αは、 と定義される。
″ と表すと、線幅増大因子αは、 と定義される。
反射率の実部および虚部は、双方ともに注入されたキャ
リア密度Ｎの関数であり、線幅増大因子αは、 で与えられる。ここでｇは材料利得であり、反射率の虚
数部ｎ”に対して、 ｎ”−λｇ／４π の関係がある。ｄＧ／ｄｌおよびｄλ／ｄＩは、ｄ ｇ
／ ｄ Ｎおよびｄｎ’／ｄＮにより、ａｔ
ｄＮ ｄＩで表される。ここで、Ｃ
はモード閉じ込め因子である。また、Ｔは群反射率であ
り、 で与えられる。Ｔの値は、通常は、ファブリペローモー
ド間隔Δλ、から、 λ２ の関係を用いて実験的に求めることができる。ここでＬ
は素子の長さである。（３）式および（４）弐に（２）
弐を代入して、 が得られる。
リア密度Ｎの関数であり、線幅増大因子αは、 で与えられる。ここでｇは材料利得であり、反射率の虚
数部ｎ”に対して、 ｎ”−λｇ／４π の関係がある。ｄＧ／ｄｌおよびｄλ／ｄＩは、ｄ ｇ
／ ｄ Ｎおよびｄｎ’／ｄＮにより、ａｔ
ｄＮ ｄＩで表される。ここで、Ｃ
はモード閉じ込め因子である。また、Ｔは群反射率であ
り、 で与えられる。Ｔの値は、通常は、ファブリペローモー
ド間隔Δλ、から、 λ２ の関係を用いて実験的に求めることができる。ここでＬ
は素子の長さである。（３）式および（４）弐に（２）
弐を代入して、 が得られる。
長さ１９０μｍの同等な二つのインジウムガリウムヒ素
リン・リッジ導波路レーザ素子について測定を行った。
リン・リッジ導波路レーザ素子について測定を行った。
発光波長は両者とも１．５３μｖａ （０，８１）ｅＶ
）であり、しきい電流は３２ｍＡであった。レーザ素子
の温度を熱電冷却器により２０’Ｃ±０．０５℃に保持
した。すべての測定をパルス発振（パルス幅５００ナノ
秒、デエーティ比０．１％の周期）により実施し、Ｌ、
−−ザ素子に対する熱の影響を防止した。
）であり、しきい電流は３２ｍＡであった。レーザ素子
の温度を熱電冷却器により２０’Ｃ±０．０５℃に保持
した。すべての測定をパルス発振（パルス幅５００ナノ
秒、デエーティ比０．１％の周期）により実施し、Ｌ、
−−ザ素子に対する熱の影響を防止した。
λ＝ １．４９ないし１．５ｂｎａ （０，７９１ない
し０．８３３ｅＶ）の波長範囲で測定した線幅増大因子
αの値の変化を第２図に示す。左側の縦軸は線幅増大因
子αを示シ２、右側の縦軸は、チャールズ・エイチ・ヘ
ンリイ（Ｃｈａｒｌｅｓ ｔｌ、１ｌｅｎｒｙ）が開示
した線幅法がり項〔１＋α２〕を示す。４２ｍｅＶの光
子エネルギ範囲ｔごおける線幅増大因子αの値は、はぼ
α−３ないｊ−１）の範囲で変化し、以前に報告された
測定値のほぼすべてを包含している。
し０．８３３ｅＶ）の波長範囲で測定した線幅増大因子
αの値の変化を第２図に示す。左側の縦軸は線幅増大因
子αを示シ２、右側の縦軸は、チャールズ・エイチ・ヘ
ンリイ（Ｃｈａｒｌｅｓ ｔｌ、１ｌｅｎｒｙ）が開示
した線幅法がり項〔１＋α２〕を示す。４２ｍｅＶの光
子エネルギ範囲ｔごおける線幅増大因子αの値は、はぼ
α−３ないｊ−１）の範囲で変化し、以前に報告された
測定値のほぼすべてを包含している。
光子エネルギがバンドギャップのエネルギ０．７９１ｅ
Ｖに近づくにつれて、線幅増大因子αが急速に増加する
。第２図に示した曲線から、最大利得波長λｍｉｘ以下
の波長でこの半導体レーザ素子を動作させることが有利
であることがわがる。最大利得波長λ□、＝０．８１）
ｅＶにおける線幅増大因子は、７１）１ｍ＋１”５．１
である。０．８７ｅＶと等価な波長で動作させた場合に
は１、α＝０．９α□、となる。動作波長をさらに短く
することにより、線幅増大因子αの値をさらに削減する
ことができ、例えば、０゜８２４．０．８３４ｅＶに等
価な波長では、線幅増大因子αの値はそれぞれ０．８α
ｍｉｘおよび０．７α□８に削減することができる。
Ｖに近づくにつれて、線幅増大因子αが急速に増加する
。第２図に示した曲線から、最大利得波長λｍｉｘ以下
の波長でこの半導体レーザ素子を動作させることが有利
であることがわがる。最大利得波長λ□、＝０．８１）
ｅＶにおける線幅増大因子は、７１）１ｍ＋１”５．１
である。０．８７ｅＶと等価な波長で動作させた場合に
は１、α＝０．９α□、となる。動作波長をさらに短く
することにより、線幅増大因子αの値をさらに削減する
ことができ、例えば、０゜８２４．０．８３４ｅＶに等
価な波長では、線幅増大因子αの値はそれぞれ０．８α
ｍｉｘおよび０．７α□８に削減することができる。
上述したように、半導体レーザ素子の発光スペクトル線
幅は多くの因子に依存し、線幅増大因子αの削減の効果
は、半導体レーザ素子の構造または動作における他の因
子により非常に不明確になり、他の因子により相殺され
る場合もある。例えば、動作温度は発光スペクトル線幅
に強く影響を与え、温度が増加すると発光スペクトル線
幅が増加する。したがって、所望の発光スペクトル線幅
を得るためには、熱的に安定に動作する半導体レーザ素
子の構造を組み合わせることが望ましい。
幅は多くの因子に依存し、線幅増大因子αの削減の効果
は、半導体レーザ素子の構造または動作における他の因
子により非常に不明確になり、他の因子により相殺され
る場合もある。例えば、動作温度は発光スペクトル線幅
に強く影響を与え、温度が増加すると発光スペクトル線
幅が増加する。したがって、所望の発光スペクトル線幅
を得るためには、熱的に安定に動作する半導体レーザ素
子の構造を組み合わせることが望ましい。
発光放射光の波長が１．１ないし１．６５１）ｍの範囲
の場合には、そのレーザ発振構造をその最大利得波長λ
ＩＩＩＩＸより４０ないし８０ｎｍ、特に６０ｎｍ短い
波長で動作させることが最適である。これにより、半導
体レーザ素子のしきい電流をそれほど大きくする必要な
しに、発光スペクトル線幅を大きく削減することができ
る。
の場合には、そのレーザ発振構造をその最大利得波長λ
ＩＩＩＩＸより４０ないし８０ｎｍ、特に６０ｎｍ短い
波長で動作させることが最適である。これにより、半導
体レーザ素子のしきい電流をそれほど大きくする必要な
しに、発光スペクトル線幅を大きく削減することができ
る。
レーザ発振構造を最大利得波長λ、、、Ｘ以下の波長で
動作させることにより、一般的に５０％のオーダで発光
スペトル線幅を削減できる。
動作させることにより、一般的に５０％のオーダで発光
スペトル線幅を削減できる。
以上説明したように、本発明の半導体レーザ素子は、発
光スペクトル線幅が非常に狭く、ヘテロダイン検出また
はホモダイン検出等のコヒーレント検出を行うコヒーレ
ント通信の光源として最適である。本発明の半導体レー
ザ素子をコヒーレント通信に利用することにより、大容
量データ伝送が可能となる効果がある。
光スペクトル線幅が非常に狭く、ヘテロダイン検出また
はホモダイン検出等のコヒーレント検出を行うコヒーレ
ント通信の光源として最適である。本発明の半導体レー
ザ素子をコヒーレント通信に利用することにより、大容
量データ伝送が可能となる効果がある。
第１図は本発明実施例半導体レーザ素子の斜視図。
第２図は半導体レーザ素子の光子エネルギに対する線幅
増大因子αの値を示す図。 １・・・基板、２・・・閉じ込め層、３・・・活性層、
４・・・閉じ込め層、５・・・インジウムリン層、６・
・・三元系材料層、７・・・チタン電極層、８・・・金
電極層、９・・・分布帰還格子、１０・・・電極層、１
）．１２・・・突起部、１３・・・シリカ層。
増大因子αの値を示す図。 １・・・基板、２・・・閉じ込め層、３・・・活性層、
４・・・閉じ込め層、５・・・インジウムリン層、６・
・・三元系材料層、７・・・チタン電極層、８・・・金
電極層、９・・・分布帰還格子、１０・・・電極層、１
）．１２・・・突起部、１３・・・シリカ層。
Claims (7)
- （１）半導体で構成されたレーザ発振構造と、このレー
ザ発振構造の発光波長を選択する波長選択手段と を備えた半導体レーザ素子において、 上記波長選択手段は、しきい電流における利得が最大の
波長を最大利得波長λ＿ｍ＿ａ＿ｘとし、この最大利得
波長λ＿ｍ＿ａ＿ｘにおけるスペクトル線幅増大因子を
α＿ｍ＿ａ＿ｘとしたとき、上記最大利得波長λ＿ｍ＿
ａ＿ｘより短くその線幅増大因子α＿ｅが、 α＿ｅ≦０．９α＿ｍ＿ａ＿ｘ となる発光波長に選択された ことを特徴とする半導体レーザ素子。 - （２）波長選択手段は、線幅増大因子α＿ｅが、α＿ｅ
≦０．８α＿ｍ＿ａ＿ｘ となる発光波長に選択された特許請求の範囲第（１）項
に記載の半導体レーザ素子。 - （３）波長選択手段は、線幅増大因子α＿ｅが、α＿ｅ
≦０．７α＿ｍ＿ａ＿ｘ となる発光波長に選択された特許請求の範囲第（１）項
に記載の半導体レーザ素子。 - （４）波長選択手段は分布帰還格子を含む特許請求の範
囲第（１）項ないし第（３）項のいずれかに記載の半導
体レーザ素子。 - （５）波長選択手段は外部共振器を含む特許請求の範囲
第（１）項ないし第（３）項のいずれかに記載の半導体
レーザ素子。 - （６）発光波長は１．２ないし１．３５μｍの帯域の波
長である特許請求の範囲第（１）項ないし第（５）項の
いずれかに記載の半導体レーザ素子。 - （７）発光波長は１．４８ないし１．６５μｍの帯域の
波長である特許請求の範囲第（１）項ないし第（５）項
のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8522308 | 1985-09-09 | ||
| GB858522308A GB8522308D0 (en) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | Semiconductor lasers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261387A true JPS6261387A (ja) | 1987-03-18 |
| JPH0744308B2 JPH0744308B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=10584913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61213688A Expired - Lifetime JPH0744308B2 (ja) | 1985-09-09 | 1986-09-09 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4754459A (ja) |
| EP (1) | EP0218344B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0744308B2 (ja) |
| AT (1) | ATE96252T1 (ja) |
| CA (1) | CA1265604A (ja) |
| DE (1) | DE3689188T2 (ja) |
| ES (1) | ES2001941A6 (ja) |
| GB (1) | GB8522308D0 (ja) |
| HK (1) | HK135396A (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62257783A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-10 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| FR2605801B1 (fr) * | 1986-10-23 | 1989-03-03 | Menigaux Louis | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice susceptible d'effet laser multi-longueurs d'onde, et dispositif obtenu |
| GB2203891A (en) * | 1987-04-21 | 1988-10-26 | Plessey Co Plc | Semiconductor diode laser array |
| CA2018928C (en) * | 1989-06-14 | 1994-07-26 | Akihiko Oka | Semiconductor laser device |
| US5317588A (en) * | 1992-11-05 | 1994-05-31 | Eastman Kodak Company | Ridge waveguide distributed-feedback laser diode with a depressed-index cladding layer |
| US5305340A (en) * | 1992-12-16 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Waveguide ridge laser device with improved mounting and ridge protection |
| US6330265B1 (en) * | 1998-04-21 | 2001-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical functional element and transmission device |
| ATE361565T1 (de) * | 2002-03-08 | 2007-05-15 | Nanoplus Gmbh Nanosystems And | Ein halbleiterlaserarray mit seitlicher gratingstruktur |
| TWI225723B (en) * | 2002-04-12 | 2004-12-21 | Univ Nat Taiwan | Two-pole different width multi-layered semiconductor quantum well laser with carrier redistribution to modulate light-emission wavelength |
| US7613401B2 (en) * | 2002-12-03 | 2009-11-03 | Finisar Corporation | Optical FM source based on intra-cavity phase and amplitude modulation in lasers |
| US8792531B2 (en) | 2003-02-25 | 2014-07-29 | Finisar Corporation | Optical beam steering for tunable laser applications |
| WO2008080171A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-03 | Finisar Corporation | Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element |
| US7941057B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-05-10 | Finisar Corporation | Integral phase rule for reducing dispersion errors in an adiabatically chirped amplitude modulated signal |
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