JPS626146A - 磁気デイスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法および装置 - Google Patents
磁気デイスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法および装置Info
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- JPS626146A JPS626146A JP14475285A JP14475285A JPS626146A JP S626146 A JPS626146 A JP S626146A JP 14475285 A JP14475285 A JP 14475285A JP 14475285 A JP14475285 A JP 14475285A JP S626146 A JPS626146 A JP S626146A
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- magnetic disk
- surface plate
- disk coating
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9506—Optical discs
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、コンピュータの磁気記録媒体として使用する
磁気ディスクの磁性膜等の面板上の欠陥検査を行なう方
法及びその装置に係り、特に塗膜塗布直後の塗膜検査工
程において磁性膜上の欠陥検査を自動的に行な5などに
好適な磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法及び
その装置に関する。
磁気ディスクの磁性膜等の面板上の欠陥検査を行なう方
法及びその装置に係り、特に塗膜塗布直後の塗膜検査工
程において磁性膜上の欠陥検査を自動的に行な5などに
好適な磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法及び
その装置に関する。
従来の磁気ディスクの塗膜塗布直後の塗膜検査工程を富
む製造工程を第9図に例示する。
む製造工程を第9図に例示する。
第9図において、素材加エエ@1でアルミニウム素材囲
板はまず表面研削され、塗膜塗布工程2で溶剤に混入し
た酸化鉄(磁性塗材)がスピンナ塗布される。溶剤が蒸
発乾燥した後、塗膜検査工程3で磁性塗材表面(塗膜)
の欠陥を目視検査し、塗膜欠陥が検出された不良面板は
塗膜除去工程4で塗膜を除去して、再び塗膜塗布工程2
で*m塗布な行ない面板を再生する。
板はまず表面研削され、塗膜塗布工程2で溶剤に混入し
た酸化鉄(磁性塗材)がスピンナ塗布される。溶剤が蒸
発乾燥した後、塗膜検査工程3で磁性塗材表面(塗膜)
の欠陥を目視検査し、塗膜欠陥が検出された不良面板は
塗膜除去工程4で塗膜を除去して、再び塗膜塗布工程2
で*m塗布な行ない面板を再生する。
一方のi11膜検査工程3で合格した面板は虚膜硬化工
a5で塗膜を高温加熱して硬化させ、面板に111Mを
固着させる。塗膜2ツビング工程6で塗膜表面をラッピ
ング加工して平滑KL、塗膜検査工程7でラッピング加
工後の塗膜表面を検査し、ここでの不良品11mは再生
ができないので廃棄される。合格品は電気特性検査工程
8で電気的Km膜が決められた磁性性能を有しているか
否かを検査して、不良品11bは廃棄され、合格品は外
観検査工程9で外観検査を行ない、不良品11cは廃棄
され、合格品は製品lOとなる。
a5で塗膜を高温加熱して硬化させ、面板に111Mを
固着させる。塗膜2ツビング工程6で塗膜表面をラッピ
ング加工して平滑KL、塗膜検査工程7でラッピング加
工後の塗膜表面を検査し、ここでの不良品11mは再生
ができないので廃棄される。合格品は電気特性検査工程
8で電気的Km膜が決められた磁性性能を有しているか
否かを検査して、不良品11bは廃棄され、合格品は外
観検査工程9で外観検査を行ない、不良品11cは廃棄
され、合格品は製品lOとなる。
本発明は以上の製造工程の塗膜塗布直後の塗膜検査工程
3などにおける塗膜等の面板の欠陥検査に関する。
3などにおける塗膜等の面板の欠陥検査に関する。
なお、以下各図面を通じて同一符号は同一または相当部
分を示すものとする。
分を示すものとする。
第10図(a)、(b)、(e)は第9図の塗膜検査工
程3で検出すべき欠陥を含む塗膜表面状態を例示する塗
膜断面図で、(a)は塗膜検査工程3の塗膜断面図、(
b)は塗膜ラッピング工程6の概要斜視図、(C)はラ
ッピング後の塗膜断面図である。第10図(L)におい
て、塗膜塗布直後の塗膜検査工程3では、アルミニウム
基板13上の1μm厚さ程度の塗膜120表面には、微
小異物14と、金属粉等の微小ちり15と、薬剤等の汚
れによるしみ16と、塗膜の凹状変形のクレータ17と
、塗膜の凸状変形を伴う異物18等がある。
程3で検出すべき欠陥を含む塗膜表面状態を例示する塗
膜断面図で、(a)は塗膜検査工程3の塗膜断面図、(
b)は塗膜ラッピング工程6の概要斜視図、(C)はラ
ッピング後の塗膜断面図である。第10図(L)におい
て、塗膜塗布直後の塗膜検査工程3では、アルミニウム
基板13上の1μm厚さ程度の塗膜120表面には、微
小異物14と、金属粉等の微小ちり15と、薬剤等の汚
れによるしみ16と、塗膜の凹状変形のクレータ17と
、塗膜の凸状変形を伴う異物18等がある。
このうち塗膜検査工程3で検出すべき欠陥は微小異物1
4と微小ちり15ではなく、シみ・16とクレータ17
と凸状変形を伴う異物18である。
4と微小ちり15ではなく、シみ・16とクレータ17
と凸状変形を伴う異物18である。
すなわち、次の塗膜硬化工程5を経た第10図(b)の
塗膜ラッピング工程3において、第10図(a)を含む
面板19は矢印方向に回転するロー221.22.23
により高速駆動されるエメリーベーパ20で塗膜12の
表面が厚さ1μmから0.5μm程度になるまで2ツビ
ング加工される。
塗膜ラッピング工程3において、第10図(a)を含む
面板19は矢印方向に回転するロー221.22.23
により高速駆動されるエメリーベーパ20で塗膜12の
表面が厚さ1μmから0.5μm程度になるまで2ツビ
ング加工される。
この際、大きさが30μm程度以下の微小異物14や微
小ちり15等はラッピング加工の初期に飛散してラッピ
ング後の表面形状に影響しないが、しみ16やクレータ
17や凸状変形を伴う異物18等はその変形の大きさが
0.1〜0.5 mm程度で高さが0.2μm程度以上
あると、それらがラッピング加工中の加工圧力に局部的
な変動をひき起すため、ラッピング加工後の表面形状に
影響を与える。
小ちり15等はラッピング加工の初期に飛散してラッピ
ング後の表面形状に影響しないが、しみ16やクレータ
17や凸状変形を伴う異物18等はその変形の大きさが
0.1〜0.5 mm程度で高さが0.2μm程度以上
あると、それらがラッピング加工中の加工圧力に局部的
な変動をひき起すため、ラッピング加工後の表面形状に
影響を与える。
この結果から第10図(C)において、ラッピング加工
後の塗膜表面には、第10図(a)の微小異物14やち
り15の影響はなく、変形の大きいしみ16やクレータ
17や異物18の影響のみがラッピング後の凸状変形1
6aやクレータ17&や凸状変形18aとして残るため
、第10図(a)の状態にある塗膜検査工程3において
検出すべき真の欠陥となる。
後の塗膜表面には、第10図(a)の微小異物14やち
り15の影響はなく、変形の大きいしみ16やクレータ
17や異物18の影響のみがラッピング後の凸状変形1
6aやクレータ17&や凸状変形18aとして残るため
、第10図(a)の状態にある塗膜検査工程3において
検出すべき真の欠陥となる。
第11図は第10図(e)のラッピング後の塗膜12と
磁気ヘッドの関係を例示する断面図である0 第11図において、磁気ヘッド24はスプリング25で
上方から支持され、ラッピング後の塗膜12を含む面板
19(第10図)が高速回転すると、空気圧のくさび効
果により塗膜表面から0.2μm程度浮上する。そこで
塗膜12上にしみ16やクレータ17や異物18に起因
する凸状変形16aやクレータ17aや凸状変形18a
があると、ヘッドクラッシュや電気特性エラーを誘発す
る。
磁気ヘッドの関係を例示する断面図である0 第11図において、磁気ヘッド24はスプリング25で
上方から支持され、ラッピング後の塗膜12を含む面板
19(第10図)が高速回転すると、空気圧のくさび効
果により塗膜表面から0.2μm程度浮上する。そこで
塗膜12上にしみ16やクレータ17や異物18に起因
する凸状変形16aやクレータ17aや凸状変形18a
があると、ヘッドクラッシュや電気特性エラーを誘発す
る。
以上のように塗膜検査工程3で検出すべき欠陥はしみ1
6とクレータ17と凸状変形を伴う異物18などのよう
に大きさが0.1 mm 〜0.5 mn 程度以上の
ものであって、微小異物14とちり15などのように大
きさが30μm程度以下のものは該当しない。
6とクレータ17と凸状変形を伴う異物18などのよう
に大きさが0.1 mm 〜0.5 mn 程度以上の
ものであって、微小異物14とちり15などのように大
きさが30μm程度以下のものは該当しない。
従来の磁気ディスク塗膜上の欠陥を検査する方法として
は、従来自動化された例は見当らず、目視による検査が
一般的であった。
は、従来自動化された例は見当らず、目視による検査が
一般的であった。
一方で従来の撮像管用ガラス面板、LSI用のホトマス
ク、磁気パズル用つェへ等の面板欠陥検査装置の例とし
て特開昭56−43539号公報に示されるように、面
板の表面に照射光の焦点を合致させ、表面凹凸での照射
光の散乱光を検出して欠陥検査を行うものが知られてい
る0この方法は、面板の正常部表面に微小凹凸がな(、
また欠陥部の凹凸の度合が欠陥の直径に比べて大きい場
合には、正確な欠陥検出が可能であるが、磁気ディスク
のように塗膜表面に微小凹凸が存在し、欠陥の直径に比
べて凹凸の度合が非常に小さい場合には適用が困難であ
る。
ク、磁気パズル用つェへ等の面板欠陥検査装置の例とし
て特開昭56−43539号公報に示されるように、面
板の表面に照射光の焦点を合致させ、表面凹凸での照射
光の散乱光を検出して欠陥検査を行うものが知られてい
る0この方法は、面板の正常部表面に微小凹凸がな(、
また欠陥部の凹凸の度合が欠陥の直径に比べて大きい場
合には、正確な欠陥検出が可能であるが、磁気ディスク
のように塗膜表面に微小凹凸が存在し、欠陥の直径に比
べて凹凸の度合が非常に小さい場合には適用が困難であ
る。
また磁気ディスクにおいては、塗膜欠陥の大きさが非常
に広範囲に渡っているが、前述公報の面板欠陥検査装置
の例でも述べられているように、欠陥の大きさと照射面
積(検出視野)が一致していないと十分な欠陥信号出力
が得られず正確な欠陥検査ができなくなる0例えば、磁
気ディスク欠陥の場合には、しみ16やクレータ17は
比較的大きなものが多く直径0.5 mm 程度〜2m
n程度まであり、凸状変形を伴う異物18は比較的小さ
いものが多(直径0.1 rrrn程度〜0.3m程度
である。これらの欠陥を例えば直径0.2m程度の検出
視野で検出した場合、凸状変形を伴う異物18は正確に
検出できるが、しみ16やクレータ17は十分な検出信
号が得られず、逆に直径0.7 mm程度の検出視野で
検出した場合は、しみ16やクレータ17は正確に検出
できるが、凸状変形を伴う異物18は十分な検出1g号
が得られなくなるなどの問題点がある。
に広範囲に渡っているが、前述公報の面板欠陥検査装置
の例でも述べられているように、欠陥の大きさと照射面
積(検出視野)が一致していないと十分な欠陥信号出力
が得られず正確な欠陥検査ができなくなる0例えば、磁
気ディスク欠陥の場合には、しみ16やクレータ17は
比較的大きなものが多く直径0.5 mm 程度〜2m
n程度まであり、凸状変形を伴う異物18は比較的小さ
いものが多(直径0.1 rrrn程度〜0.3m程度
である。これらの欠陥を例えば直径0.2m程度の検出
視野で検出した場合、凸状変形を伴う異物18は正確に
検出できるが、しみ16やクレータ17は十分な検出信
号が得られず、逆に直径0.7 mm程度の検出視野で
検出した場合は、しみ16やクレータ17は正確に検出
できるが、凸状変形を伴う異物18は十分な検出1g号
が得られなくなるなどの問題点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
比較的小さな凸状変形を伴う異物欠陥から比較的大きな
じみやクレータ欠陥までを高い検出率で検出できる磁気
ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法及びその装置を
提供する □ことKある。
比較的小さな凸状変形を伴う異物欠陥から比較的大きな
じみやクレータ欠陥までを高い検出率で検出できる磁気
ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法及びその装置を
提供する □ことKある。
本発明は、磁気ディスク塗膜等面板上の複数の検出視野
内の反射光の明暗を、異なる大きさの検出視野を有する
複数個の検出器により同時に検出し、該検出信号により
磁気ディスク塗膜等面板上の真の欠陥を例えば直径0.
1 mn程度の小欠陥から直径2mm程度の大欠陥まで
高検出率で検出できるようにしたものである。
内の反射光の明暗を、異なる大きさの検出視野を有する
複数個の検出器により同時に検出し、該検出信号により
磁気ディスク塗膜等面板上の真の欠陥を例えば直径0.
1 mn程度の小欠陥から直径2mm程度の大欠陥まで
高検出率で検出できるようにしたものである。
以下、本発明の実施例を第1図ないしW、8図により説
明する。
明する。
第1図は本発明による一実施例の基本構成図を示す。第
2図は第1図の小ピンホール29で限定した検出視野か
らの反射光32による検出信号33の電圧波形を示した
もので、第3図は第1図の大ピンホール60で限定した
検出視野からの反射光32による検出信号62の電圧波
形を示したものである。
2図は第1図の小ピンホール29で限定した検出視野か
らの反射光32による検出信号33の電圧波形を示した
もので、第3図は第1図の大ピンホール60で限定した
検出視野からの反射光32による検出信号62の電圧波
形を示したものである。
第1図において、磁気ディスク塗膜12を含む面板13
または結像レンズ28などを含む検出系を移動して塗膜
12上をX方向に走査しながら、試料面からの反射光3
2を結像レンズ28を介した後、プリズム68により2
つの光路に分岐し、一方は小ピンホール29を介して光
電変換素子30により、他方は大ピンホール60を介し
て光電変換索子61により光電変換すれば、それぞれ第
2図および第3図に示すような検出信号33および検出
信号62の電圧波形が得られる。欠陥の大きさは先に第
10図(a)について述べたよ5K。
または結像レンズ28などを含む検出系を移動して塗膜
12上をX方向に走査しながら、試料面からの反射光3
2を結像レンズ28を介した後、プリズム68により2
つの光路に分岐し、一方は小ピンホール29を介して光
電変換素子30により、他方は大ピンホール60を介し
て光電変換索子61により光電変換すれば、それぞれ第
2図および第3図に示すような検出信号33および検出
信号62の電圧波形が得られる。欠陥の大きさは先に第
10図(a)について述べたよ5K。
しみ16やクレータ17は直径0.5 mm〜2mm
程度、凸状変形を伴5異物18は直径0.1 mm
〜0.3m程度で、真の欠陥とはならない微小異物14
やちり15は直径30μm以下である0いま倍率1倍の
結像レンズ28を使用した場合、小ピンホール29のピ
ンホール径d8は上記の検出すべき凸状変形を伴う異物
18の大きさに対応して0.1 mm〜0、2 rrm
程度、大ピンホール60のピンホール径dbは上記しみ
16やクレータ17の大きさに対応して0.5 nm
−0,8mm程度が良い。すると第2図、第3図より明
らかな如く、小ピンホール29を介して検出した欠陥信
号の出力変化は、凸状変形を伴う異物18によるもの1
8bが大きくて、しみ16やクレータ17によるもの1
6b、17bおよび微小異物14やちり15によるもの
14b、15bは小さい。また大ピンホール60を介し
て検出した欠陥信号の出力変化は、凸状変形を伴う異物
18によるもの18b#よび微小異物14やちり15に
よるもの14b、15bが小さくて、しみ16やクレー
タ17によるもの16b、17bが大きい。
程度、凸状変形を伴5異物18は直径0.1 mm
〜0.3m程度で、真の欠陥とはならない微小異物14
やちり15は直径30μm以下である0いま倍率1倍の
結像レンズ28を使用した場合、小ピンホール29のピ
ンホール径d8は上記の検出すべき凸状変形を伴う異物
18の大きさに対応して0.1 mm〜0、2 rrm
程度、大ピンホール60のピンホール径dbは上記しみ
16やクレータ17の大きさに対応して0.5 nm
−0,8mm程度が良い。すると第2図、第3図より明
らかな如く、小ピンホール29を介して検出した欠陥信
号の出力変化は、凸状変形を伴う異物18によるもの1
8bが大きくて、しみ16やクレータ17によるもの1
6b、17bおよび微小異物14やちり15によるもの
14b、15bは小さい。また大ピンホール60を介し
て検出した欠陥信号の出力変化は、凸状変形を伴う異物
18によるもの18b#よび微小異物14やちり15に
よるもの14b、15bが小さくて、しみ16やクレー
タ17によるもの16b、17bが大きい。
この結果は、磁気ディスク塗膜12上の欠陥を検出する
場合、検出視野の大きさを一種類のみに限定したのでは
不十分であることを示している。
場合、検出視野の大きさを一種類のみに限定したのでは
不十分であることを示している。
光電変換素子30からの検出信号33、および光電変換
素子61からの検出信号62は、各々2値化回路63.
64に送られて、第2図および第3図に示した2つのし
きい値47.48により、2値化回路63では凸状変形
を伴う異物18が、2値化回路64ではしみ16やクレ
ータ17が確実に欠陥として検出される。これらの2値
化信号65.66をOR回路67に送り、論理和をとる
ことにより、磁気ディスク塗膜12上に存在する大きさ
0.1m〜2瓢程度までの欠陥を全て正確に検出するこ
とができる。なお第1図において、27は照明光源、3
4は拡散板、31は拡散照明光を示す。塗膜12面に拡
散照明光31を照射するのは、I!!膜表面の微小凹凸
による干渉を除去し、しみ16やクレータ17、凸状変
形を伴う微小異物18等の真の欠陥を安定に検出するた
めである。
素子61からの検出信号62は、各々2値化回路63.
64に送られて、第2図および第3図に示した2つのし
きい値47.48により、2値化回路63では凸状変形
を伴う異物18が、2値化回路64ではしみ16やクレ
ータ17が確実に欠陥として検出される。これらの2値
化信号65.66をOR回路67に送り、論理和をとる
ことにより、磁気ディスク塗膜12上に存在する大きさ
0.1m〜2瓢程度までの欠陥を全て正確に検出するこ
とができる。なお第1図において、27は照明光源、3
4は拡散板、31は拡散照明光を示す。塗膜12面に拡
散照明光31を照射するのは、I!!膜表面の微小凹凸
による干渉を除去し、しみ16やクレータ17、凸状変
形を伴う微小異物18等の真の欠陥を安定に検出するた
めである。
第4図は、本発明による磁気ディスク塗膜上の大小2
i1!類の検出視野からの明暗を、それぞれの検出視野
に対応して設けた2 ivAの検出器により同時に検出
し、その明暗の検出信号により磁気ディスク塗膜上の欠
陥を判定する磁気ディスク塗膜の表面欠陥検査方法及び
その装置の他の実施例を示す全体構造斜視ブロック図で
、第5図は第4図の面板19の走査法を例示する平面図
である。第4図において、ステージ35はベース36上
にリニアベアリング37を介して搭載され、面板送り用
モータ38によりX(γ)方向に移動可能である。この
ステージ35上に設けられた面板回転用モータ39の回
転軸上には面板19が搭載されるとともに、モータ39
の回転軸に直結して角度測定用エンコーダ40が設けら
れる。
i1!類の検出視野からの明暗を、それぞれの検出視野
に対応して設けた2 ivAの検出器により同時に検出
し、その明暗の検出信号により磁気ディスク塗膜上の欠
陥を判定する磁気ディスク塗膜の表面欠陥検査方法及び
その装置の他の実施例を示す全体構造斜視ブロック図で
、第5図は第4図の面板19の走査法を例示する平面図
である。第4図において、ステージ35はベース36上
にリニアベアリング37を介して搭載され、面板送り用
モータ38によりX(γ)方向に移動可能である。この
ステージ35上に設けられた面板回転用モータ39の回
転軸上には面板19が搭載されるとともに、モータ39
の回転軸に直結して角度測定用エンコーダ40が設けら
れる。
また、モータ38.39を駆動するモータ駆動回路41
と、表示回路42と、2値化回路63.64と、OR回
路67と、照明用直fit#44と、拡散照明源をなす
リング扶壁光灯45が図示のように配置して接続される
。
と、表示回路42と、2値化回路63.64と、OR回
路67と、照明用直fit#44と、拡散照明源をなす
リング扶壁光灯45が図示のように配置して接続される
。
この構成で、表示回路42の指令によりモータ駆動回路
41を介して面板送り用モータ38および面板回転用モ
ータ39を駆動すると、面板19 ′はγ(X)
方向に送られると同時にθ方向に回転さ4つこれにより
結像レンズ28、ノ1−7ミラー69゜小ピンホール2
9、光電変換素子30、大ピンホール60、光電変換素
子61からなる明暗の検出系により、第5図に示すよう
に面板19上をらせん状に全面検査される。このときの
面板19上の検出位置のモータ38による半径方向位置
γ情報はモータ駆動回路41から表示回路42へ送られ
ると同時に、モータ39による回転角度θ情報はエンコ
ーダ40から表示回路42に送られ、検出位置(γ、θ
)情報とじ【表示される。
41を介して面板送り用モータ38および面板回転用モ
ータ39を駆動すると、面板19 ′はγ(X)
方向に送られると同時にθ方向に回転さ4つこれにより
結像レンズ28、ノ1−7ミラー69゜小ピンホール2
9、光電変換素子30、大ピンホール60、光電変換素
子61からなる明暗の検出系により、第5図に示すよう
に面板19上をらせん状に全面検査される。このときの
面板19上の検出位置のモータ38による半径方向位置
γ情報はモータ駆動回路41から表示回路42へ送られ
ると同時に、モータ39による回転角度θ情報はエンコ
ーダ40から表示回路42に送られ、検出位置(γ、θ
)情報とじ【表示される。
一方で拡散照明源をなすリング扶壁光灯45は直流電源
44によりフリッカを生じさせずに点灯していて、螢光
面積が広くて、かつ拡散性のよい拡散光を面板19の検
出位置に当てる。これにより面板19上の検出位置から
の反射光32は結像レンズ28を通過した後ハーフミラ
−69により2つの光路に分岐され、一方は小ピンホー
ル29を介して光電変換素子30により、他方は大ピン
ホール60を介して光電変換素子61によりそれぞれ光
電変換される。この光電変換素子30および61からの
明暗の検出信号33と62はそれぞれ2値化回路63と
64に送られ、2つのしきい値47.48(第2.3図
)により2値化回路63では比較的小さい欠陥が多い凸
状変形部を伴う異物欠陥18を、また2値化回路64で
は比較的大きい欠陥の多いしみ16やクレータ17を正
確に検出する。2値化信号65および66はOR回路6
7を介して表示回路42へ送られ、欠陥情報が上記検出
位置(γ、θ)情報とともに表示される0 以上説明した第1図及び第4図に示した実施例は大小2
81類の検出視野が磁気ディスク塗膜上の同一箇所であ
る場合である。これらの実施例においては、同一箇所を
検出しているため検出位置(γ、θ)情報が正しく欠陥
位置を表示する反面、塗膜12面からの反射光32をプ
リズム68やハーフミラ−69により2つの光路に分岐
することにより、各々の検出器に到達する光量が低下し
、その結果、高速検出特性が劣化する。
44によりフリッカを生じさせずに点灯していて、螢光
面積が広くて、かつ拡散性のよい拡散光を面板19の検
出位置に当てる。これにより面板19上の検出位置から
の反射光32は結像レンズ28を通過した後ハーフミラ
−69により2つの光路に分岐され、一方は小ピンホー
ル29を介して光電変換素子30により、他方は大ピン
ホール60を介して光電変換素子61によりそれぞれ光
電変換される。この光電変換素子30および61からの
明暗の検出信号33と62はそれぞれ2値化回路63と
64に送られ、2つのしきい値47.48(第2.3図
)により2値化回路63では比較的小さい欠陥が多い凸
状変形部を伴う異物欠陥18を、また2値化回路64で
は比較的大きい欠陥の多いしみ16やクレータ17を正
確に検出する。2値化信号65および66はOR回路6
7を介して表示回路42へ送られ、欠陥情報が上記検出
位置(γ、θ)情報とともに表示される0 以上説明した第1図及び第4図に示した実施例は大小2
81類の検出視野が磁気ディスク塗膜上の同一箇所であ
る場合である。これらの実施例においては、同一箇所を
検出しているため検出位置(γ、θ)情報が正しく欠陥
位置を表示する反面、塗膜12面からの反射光32をプ
リズム68やハーフミラ−69により2つの光路に分岐
することにより、各々の検出器に到達する光量が低下し
、その結果、高速検出特性が劣化する。
これらの問題点を解決したのが第6図ないし第8図に示
す実施例である。
す実施例である。
第6図ないし第8図は本発明による磁気ディスク塗膜上
の大小2種類の検出視野内の反射光の明暗を、それぞれ
の検出視野に対応して設けた2個の検出器により同時に
検出し、その明暗の検出信号により磁気ディスク塗膜上
の欠陥を判定する磁気ディスク塗膜の表面欠陥検査方法
及びその装置の更に他の実施例な示したもので、大小2
種類の検出視野が磁気ディスク塗膜上の近傍の異なる箇
所にある場合の例である。
の大小2種類の検出視野内の反射光の明暗を、それぞれ
の検出視野に対応して設けた2個の検出器により同時に
検出し、その明暗の検出信号により磁気ディスク塗膜上
の欠陥を判定する磁気ディスク塗膜の表面欠陥検査方法
及びその装置の更に他の実施例な示したもので、大小2
種類の検出視野が磁気ディスク塗膜上の近傍の異なる箇
所にある場合の例である。
第6図はその基本構成図を示し、第7図は第6図におけ
る面板19の検出箇所および走査法を例示する平面図で
ある。第6図および第7図において、塗膜12上に隣接
する異なる2点70.71は結像レンズ28により、並
列に設けた小ピンホール29および天ピンホール600
位置にそれぞれ結像し、それぞれの位置に対応して設け
た光電変換素子30および61により反射光32の明暗
を光を変換する。この場合も、いま倍率1倍の結像レン
ズ2&を使用した場合、小ピンホール29のピンホール
径d8は第1図と同様に0.1 nm〜0.2図程度、
大ピンホール60のピンホール径dt、は □0、
5 mm 〜0.8 rrm程度とすることにより、磁
気ディスク塗膜12上に存在する直径0.1 rrrn
程匿の小欠陥から直径2mm程度の大欠陥までを正確に
検出できる。なお、ここで問題となるのは、欠陥検出位
置を正確に求める必要がある場合に検出箇所が異なる2
点であるため、検出位置(r1θ)情報をそのまま表示
したのでは、実際の欠陥位置とずれが生じることである
。そのため、本実施例では第6図に示した如く演算回路
72.73を設けることによりこれを解決した。即ち、
第7図において磁気ディスク塗膜12上で欠陥検出箇所
が2点70.71の位置となるように配置した場合、γ
は面板19の中心から検出点70と71の中間点までの
距離とし、θは基準位置からの回転角として演算回路7
2.73により実際の検出位置とのずれ童±εを補正し
て、それぞれの補正値を欠陥位置メモリ74.75を介
して正しい検出位置を表示回路76.77で表示するよ
うにした。なお本実施例ではγを補正する例を示したが
、検出箇所を磁気ディスク塗膜上で円周上に並列となる
よう配置した場合は、θを補正すれば良いことは明らか
である。
る面板19の検出箇所および走査法を例示する平面図で
ある。第6図および第7図において、塗膜12上に隣接
する異なる2点70.71は結像レンズ28により、並
列に設けた小ピンホール29および天ピンホール600
位置にそれぞれ結像し、それぞれの位置に対応して設け
た光電変換素子30および61により反射光32の明暗
を光を変換する。この場合も、いま倍率1倍の結像レン
ズ2&を使用した場合、小ピンホール29のピンホール
径d8は第1図と同様に0.1 nm〜0.2図程度、
大ピンホール60のピンホール径dt、は □0、
5 mm 〜0.8 rrm程度とすることにより、磁
気ディスク塗膜12上に存在する直径0.1 rrrn
程匿の小欠陥から直径2mm程度の大欠陥までを正確に
検出できる。なお、ここで問題となるのは、欠陥検出位
置を正確に求める必要がある場合に検出箇所が異なる2
点であるため、検出位置(r1θ)情報をそのまま表示
したのでは、実際の欠陥位置とずれが生じることである
。そのため、本実施例では第6図に示した如く演算回路
72.73を設けることによりこれを解決した。即ち、
第7図において磁気ディスク塗膜12上で欠陥検出箇所
が2点70.71の位置となるように配置した場合、γ
は面板19の中心から検出点70と71の中間点までの
距離とし、θは基準位置からの回転角として演算回路7
2.73により実際の検出位置とのずれ童±εを補正し
て、それぞれの補正値を欠陥位置メモリ74.75を介
して正しい検出位置を表示回路76.77で表示するよ
うにした。なお本実施例ではγを補正する例を示したが
、検出箇所を磁気ディスク塗膜上で円周上に並列となる
よう配置した場合は、θを補正すれば良いことは明らか
である。
第8図は、第6図の構成において小ピンホール29と光
電変換素子30および大ピンホール60と光電変換素子
61との間をそれぞれ光ファイバー78により結合した
実施例を示したもので光電変換素子30と61を並列し
て設置することが困難な場合に有効である。
電変換素子30および大ピンホール60と光電変換素子
61との間をそれぞれ光ファイバー78により結合した
実施例を示したもので光電変換素子30と61を並列し
て設置することが困難な場合に有効である。
なお、以上述べた実施例においては、検出視野数が2I
fi所の場合について説明したが、2箇所以上複数箇所
であっても有効であることは明白である。
fi所の場合について説明したが、2箇所以上複数箇所
であっても有効であることは明白である。
また磁気ディスク塗膜以外の面板にも同様に適用可能で
あることも明らかである。
あることも明らかである。
以上述べた如(、本発明の磁気ディスク塗膜等面板の表
面欠陥検査方法及びその装置によれば、磁気ディスク塗
膜の硬化およびラノビング工程前の塗膜検査工程などに
おいて、植換表面の微小凹凸及び微小異物やちりなどの
影響を除去して、例えば直径[L1mn〜α5mm 8
4度の比較的小さな凸状変形を伴う異物欠陥から、直径
α5mn〜21m1程度の比較的大きなしみやクレータ
欠陥までを高い検出率で検出できるため、IJ造歩留り
が向上し製品の原価低減に効果があるほか刈株の他の面
板にも通用可能である。
面欠陥検査方法及びその装置によれば、磁気ディスク塗
膜の硬化およびラノビング工程前の塗膜検査工程などに
おいて、植換表面の微小凹凸及び微小異物やちりなどの
影響を除去して、例えば直径[L1mn〜α5mm 8
4度の比較的小さな凸状変形を伴う異物欠陥から、直径
α5mn〜21m1程度の比較的大きなしみやクレータ
欠陥までを高い検出率で検出できるため、IJ造歩留り
が向上し製品の原価低減に効果があるほか刈株の他の面
板にも通用可能である。
第1図は本発明による磁気ディスク2膜の表面欠陥検査
方法およびその装置の一実施例を示す基本構成図で大小
2山所の検出視野が磁気ディスク111膜上の同−開所
である例、第2図は第1図の小ピンホールにより限定し
た検出視野からの反射光による検出信号波形例図、第3
図は第1図の大ピンホールにより限定した検出視野から
の反射光による検出信号波形例図、第4図は本発明によ
る磁気ディスク造膜の表面欠陥検査方法およびその装置
の他の実施例を示す全体構成斜視ブロック図で大小2櫨
類の検出?Ji!野が磁気ディスク血膜上の同−一所で
ある例、第5図は第4図の面板の走査法を例示する平面
図、第6図は本発明による磁気ディスク造膜の表面欠陥
検査方法およびその装置の更に他の実施例を示す基本構
成図で大小2櫨類の検出視野が磁気ディスク値展上の異
なる一所である例、第7図は第6図における面板の検出
位置および走査法を例示する平面図、第8図は第6図に
おいてピンホールと光%変換素子の間を光ファイバーで
結合した例を、示した配置図、第9図は従来の磁気ディ
スクの111m検査を含む製造工程図、第10図(a)
、 (b) 、 (c)は第9図のmH検査工程3で
検出すべき欠陥に係るそれぞれ塗膜断面図、ラツビング
工程斜視図、ラッピング工程後迩膜断向図、第11図は
造膜と磁気ヘッドの関係を示す断面図である。 3・・・産膜検査工程 12・・・造膜13・・・アル
ミニウム基板 14・・・微小異物15・・・微小ちり
16・・・しみ(マイクロ欠陥)17・・・クレータ
(マクロ欠陥)18・・・凸状変形を伴う異物(マクロ
欠陥)、19・・・・・面板、27・・・・・照明ラン
グ、2 B ll6111111結像レンズ、29 e
ases小ピンホール、30.61・・・・・光電変換
素子、31−−−−−照明光、32・・・・・反射光、
33.62−−−−−明暗検出信号、34・・・・・拡
散板、35・・・・・ステージ、36 assesベー
ス、37 easesベアリング、38.39・…働モ
ータ、40111111IIsエンコーダ、41…・・
モータ駆動回路、42…・・表示回路、44・・・・・
直流電源、45・・・・・リング螢光灯(拡散照明源)
、60・・・・・大ピンホール、63.64−・2値化
回路、65.66・・・・・2値化信号、67・軸・・
OR回路、68・・・・・プリズム、69・・・・・ハ
ーフ ミ7−172.73・・・・・演算回路、74.
75・・・・・欠陥位置メモリ、76.77・・・・・
表示回路、78・・軸・光ファイバー。 PJ!Il[!1 第 6 図 2’?/(G。 ′!I90 −
方法およびその装置の一実施例を示す基本構成図で大小
2山所の検出視野が磁気ディスク111膜上の同−開所
である例、第2図は第1図の小ピンホールにより限定し
た検出視野からの反射光による検出信号波形例図、第3
図は第1図の大ピンホールにより限定した検出視野から
の反射光による検出信号波形例図、第4図は本発明によ
る磁気ディスク造膜の表面欠陥検査方法およびその装置
の他の実施例を示す全体構成斜視ブロック図で大小2櫨
類の検出?Ji!野が磁気ディスク血膜上の同−一所で
ある例、第5図は第4図の面板の走査法を例示する平面
図、第6図は本発明による磁気ディスク造膜の表面欠陥
検査方法およびその装置の更に他の実施例を示す基本構
成図で大小2櫨類の検出視野が磁気ディスク値展上の異
なる一所である例、第7図は第6図における面板の検出
位置および走査法を例示する平面図、第8図は第6図に
おいてピンホールと光%変換素子の間を光ファイバーで
結合した例を、示した配置図、第9図は従来の磁気ディ
スクの111m検査を含む製造工程図、第10図(a)
、 (b) 、 (c)は第9図のmH検査工程3で
検出すべき欠陥に係るそれぞれ塗膜断面図、ラツビング
工程斜視図、ラッピング工程後迩膜断向図、第11図は
造膜と磁気ヘッドの関係を示す断面図である。 3・・・産膜検査工程 12・・・造膜13・・・アル
ミニウム基板 14・・・微小異物15・・・微小ちり
16・・・しみ(マイクロ欠陥)17・・・クレータ
(マクロ欠陥)18・・・凸状変形を伴う異物(マクロ
欠陥)、19・・・・・面板、27・・・・・照明ラン
グ、2 B ll6111111結像レンズ、29 e
ases小ピンホール、30.61・・・・・光電変換
素子、31−−−−−照明光、32・・・・・反射光、
33.62−−−−−明暗検出信号、34・・・・・拡
散板、35・・・・・ステージ、36 assesベー
ス、37 easesベアリング、38.39・…働モ
ータ、40111111IIsエンコーダ、41…・・
モータ駆動回路、42…・・表示回路、44・・・・・
直流電源、45・・・・・リング螢光灯(拡散照明源)
、60・・・・・大ピンホール、63.64−・2値化
回路、65.66・・・・・2値化信号、67・軸・・
OR回路、68・・・・・プリズム、69・・・・・ハ
ーフ ミ7−172.73・・・・・演算回路、74.
75・・・・・欠陥位置メモリ、76.77・・・・・
表示回路、78・・軸・光ファイバー。 PJ!Il[!1 第 6 図 2’?/(G。 ′!I90 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、磁気ディスク塗膜等の面板と検出器を相対的に移動
させて走査させ、磁気ディスク塗膜等面板上に照明光を
照射し、磁気ディスク塗膜等面板上の複数の検出視野内
の反射光の明暗を異なる大きさの検出視野を有する複数
個の検出器により同時に検出し、該検出信号により磁気
ディスク塗膜等面板上の欠陥を判定することを特徴とす
る磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法。 2、上記複数の検出視野が磁気ディスク塗膜等面板上の
同一箇所であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法。 3、上記複数の検出視野が磁気ディスク塗膜等面板上の
異なる箇所であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法。 4、磁気ディスク塗膜等面板と検出器を相対的に移動し
て走査する走査手段と、磁気ディスク塗膜等面板上に照
明光を照射する照明光源と、磁気ディスク塗膜等面板上
の複数の検出視野の反射光の明暗をそれぞれ異なる大き
さの検出視野をもって同時に検出する異なる大きさの検
出視野を有する複数個の検出器と、該各々の検出器から
の明暗の検出信号により磁気ディスク塗膜等面板上の欠
陥を判定する電気回路とから成る磁気ディスク塗膜等面
板の表面欠陥検査装置。 5、上記電気回路は各々の検出器からの明暗の検出信号
の論理和をとるようにした特許請求の範囲第4項記載の
磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査装置。 6、上記複数個の検出器の有する異なる大きさの検出視
野は別々に設けた複数個の異なる大きさのピンホールに
よって与えられ、それぞれのピンホールに対応して設け
た光電変換素子により、プリズム(またはハーフミラー
)により分岐した磁気ディスク塗膜等面板上の同一箇所
からの反射光を検出する特許請求の範囲第4項記載の磁
気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査装置。 7、上記複数個の検出器の有する異なる大きさの検出視
野は並列して設けた複数個の異なる大きさのピンホール
によって与えられ、それぞれのピンホールに対応して設
けた光電変換素子により磁気ディスク塗膜等面板上の隣
接する異なる箇所の反射光を検出する特許請求の範囲第
4項記載の磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査装置
。 8、上記ピンホールと光電変換素子との間に光ファイバ
を挿入したことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
の磁気ディスク塗膜等面板の表面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475285A JPS626146A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14475285A JPS626146A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS626146A true JPS626146A (ja) | 1987-01-13 |
Family
ID=15369551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14475285A Pending JPS626146A (ja) | 1985-07-03 | 1985-07-03 | 磁気デイスク塗膜等面板の表面欠陥検査方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS626146A (ja) |
-
1985
- 1985-07-03 JP JP14475285A patent/JPS626146A/ja active Pending
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