JPS6265302A - 非直線抵抗体 - Google Patents
非直線抵抗体Info
- Publication number
- JPS6265302A JPS6265302A JP60203304A JP20330485A JPS6265302A JP S6265302 A JPS6265302 A JP S6265302A JP 60203304 A JP60203304 A JP 60203304A JP 20330485 A JP20330485 A JP 20330485A JP S6265302 A JPS6265302 A JP S6265302A
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- Japan
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- nonlinearity
- nonlinear resistor
- spinel phase
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は酸化亜鉛を主成分とし、焼結体自体が成田非直
線性をもつ非直線抵抗体１；関するものである。
線性をもつ非直線抵抗体１；関するものである。
非直線抵抗体は一般（畷まバリスタと呼ばれ、その優れ
た非直線電圧−電流特性が利用されて４王安定化、ある
いはサージ吸収を目的とした避雷器やサージアブソーバ
に広く利用されている。代表的々ものとして、酸化亜鉛
バリスタがある。これは酸化亜鉛を主成分とし、これに
電圧非直線性を生シさせる少量のビスマス、アンチモン
、コバルト、マンガン、クロム等の酸化物を添加し、混
合造粒、成形した後、空気中で高温焼成し、その焼結体
１：電極を取り付けて構成されるものである。
た非直線電圧−電流特性が利用されて４王安定化、ある
いはサージ吸収を目的とした避雷器やサージアブソーバ
に広く利用されている。代表的々ものとして、酸化亜鉛
バリスタがある。これは酸化亜鉛を主成分とし、これに
電圧非直線性を生シさせる少量のビスマス、アンチモン
、コバルト、マンガン、クロム等の酸化物を添加し、混
合造粒、成形した後、空気中で高温焼成し、その焼結体
１：電極を取り付けて構成されるものである。
その非直線性は非常に優れており、焼結体は酸化亜鉛粒
子とその周囲を取りまく添加物（二より形成される粒界
層とｚｎ１Ｓｈ！ＯＩｌ主成分のスピネル相からなり、
優れた非直線性は酸化亜鉛粒子と粒界層との界面（＝起
因すると考えられている。しかしながら、スピネル相は
粒界（二不連続に析出するため、粒界での電流の流れが
妨げられ、非直線抵抗体の特性にバッノΦが生じる原因
となる。従って、理想的（：はスピネル相を除くことが
できれば良いが、それはその生成機構より困難である。
子とその周囲を取りまく添加物（二より形成される粒界
層とｚｎ１Ｓｈ！ＯＩｌ主成分のスピネル相からなり、
優れた非直線性は酸化亜鉛粒子と粒界層との界面（＝起
因すると考えられている。しかしながら、スピネル相は
粒界（二不連続に析出するため、粒界での電流の流れが
妨げられ、非直線抵抗体の特性にバッノΦが生じる原因
となる。従って、理想的（：はスピネル相を除くことが
できれば良いが、それはその生成機構より困難である。
つまり、酸化亜鉛バリスタはその優れた非直線性を発揮
するためにはロｉ、８ｂ成分が不可欠で、Ｂｉ、Ｓｂ成
分はＺｎＯと反応して６５０〜９５０ ’Ｃの間でＺｎ
、Ｂｉ、Ｓｂ、 Ｏ，、（パイロクロア相）になり、１
０００’Ｑ以上で最終的にＢｉ、０１を主成分とする粒
界層とＺｎ、８ｂ、 Ｏ，、（スピネル相）条件を制卸
して粒界層をＺｎ、５ｉ０４成分とＢｉ病酸成分テ構成
された非晶質層にする例があるが、この例にしてもＺｎ
１８ｂ＊ＯＩｔ主成分のスピネル相を除くことができて
いない。
するためにはロｉ、８ｂ成分が不可欠で、Ｂｉ、Ｓｂ成
分はＺｎＯと反応して６５０〜９５０ ’Ｃの間でＺｎ
、Ｂｉ、Ｓｂ、 Ｏ，、（パイロクロア相）になり、１
０００’Ｑ以上で最終的にＢｉ、０１を主成分とする粒
界層とＺｎ、８ｂ、 Ｏ，、（スピネル相）条件を制卸
して粒界層をＺｎ、５ｉ０４成分とＢｉ病酸成分テ構成
された非晶質層にする例があるが、この例にしてもＺｎ
１８ｂ＊ＯＩｔ主成分のスピネル相を除くことができて
いない。
本発明は、上記点１；鑑みなされたもので非直線性を向
上させ、電気特性のバラツキを防止し、均質な特性を有
する非直線抵抗体を提供する事を目的とする。
上させ、電気特性のバラツキを防止し、均質な特性を有
する非直線抵抗体を提供する事を目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明は主成分のＺｎＯに
、副成分として少なくともＢｊ 、Ｓｂ成分を含む非直
線抵抗体において、Ｚｎ１Ｓｂ、０□を主成分とするス
ピネル相中の人ｔ ｔｔ−コントロールし、Ａｌ量が１
〜１１００ｐｐ １ニすることを特徴とする。
、副成分として少なくともＢｊ 、Ｓｂ成分を含む非直
線抵抗体において、Ｚｎ１Ｓｂ、０□を主成分とするス
ピネル相中の人ｔ ｔｔ−コントロールし、Ａｌ量が１
〜１１００ｐｐ １ニすることを特徴とする。
〔本発明の実施例〕
以下、本発明を実施例（二基づいて説明する。
まず、酸化亜鉛（ＺｎＯ）の粉末に酸化ビスマス（Ｂ’
ｔＯｓ） 、酸化コバルト（ＣＯ宜Ｏｓ）、酸化マンガ
ｙ（ＭｎＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂｚｏｓ） 、酸化
ニラゲル（Ｎｉｐ）の粉末を夫々０５〜５モルチめ範囲
で添加し、これらの原料粉末を十分に混合するために水
１分散剤、バインダー、潤滑剤と共に混合装置（二人れ
さら１：人ｔ（ＮＯｌ）！・９Ｈ８０を所望の組成比で
添加し混合した。この混合物スラリーを、スプレードラ
イヤーで例えば平均粒径１００ミクロンになる様１ニ造
粒し、この粉末をプレス（＝かけ直径５５Ｎｍ厚さ３０
４の円板（二成形した。添加した分散剤、バインダー、
潤滑剤を予め除くため空気中で５００℃で焼成後、１０
２０℃で仮焼した素体に予め用意した高抵抗層形成物を
塗布した。この素体を１０５０〜１３００℃の温度で焼
成した。
ｔＯｓ） 、酸化コバルト（ＣＯ宜Ｏｓ）、酸化マンガ
ｙ（ＭｎＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂｚｏｓ） 、酸化
ニラゲル（Ｎｉｐ）の粉末を夫々０５〜５モルチめ範囲
で添加し、これらの原料粉末を十分に混合するために水
１分散剤、バインダー、潤滑剤と共に混合装置（二人れ
さら１：人ｔ（ＮＯｌ）！・９Ｈ８０を所望の組成比で
添加し混合した。この混合物スラリーを、スプレードラ
イヤーで例えば平均粒径１００ミクロンになる様１ニ造
粒し、この粉末をプレス（＝かけ直径５５Ｎｍ厚さ３０
４の円板（二成形した。添加した分散剤、バインダー、
潤滑剤を予め除くため空気中で５００℃で焼成後、１０
２０℃で仮焼した素体に予め用意した高抵抗層形成物を
塗布した。この素体を１０５０〜１３００℃の温度で焼
成した。
このようにして得た焼結素体の両面を研磨し、人ｌ溶射
も二より電極を設は非直線抵抗体を形成し特性を測定し
た。
も二より電極を設は非直線抵抗体を形成し特性を測定し
た。
尚、スピネル相中のＡ／ 量は次のようにして求めた。
人ｌ電極を取り除いた試料をＨＣｅ溶液（二人れＺｎＯ
粒子とＢｉ、Ｏ，相を溶かし、不溶性のスピネル結晶相
を抽出する。抽出したスピネル結晶相を化学分析し、ス
ピネル結晶相中のＡｌ量を求めた。
粒子とＢｉ、Ｏ，相を溶かし、不溶性のスピネル結晶相
を抽出する。抽出したスピネル結晶相を化学分析し、ス
ピネル結晶相中のＡｌ量を求めた。
第１図は上記の様にして製造された非直線抵抗体のスピ
ネル相中のＡｌｌと非直線性の関係を示す図であり、非
直線性はｖｌ。ＫＡ／”１ｍＡで示した。
ネル相中のＡｌｌと非直線性の関係を示す図であり、非
直線性はｖｌ。ＫＡ／”１ｍＡで示した。
第１図から明らかなように、スピネル相中のＡ／９を１
〜１１００ｐｐの範囲にすル、ニドを二ｊ、す、”ｌ０
ＩＡ／’Ｖ１！ＩＩＡの値を小さくする、すなわち非直
線性を向上させることができる。
〜１１００ｐｐの範囲にすル、ニドを二ｊ、す、”ｌ０
ＩＡ／’Ｖ１！ＩＩＡの値を小さくする、すなわち非直
線性を向上させることができる。
゛また、本発明の有用性は量産時のｖＩＩ！１人のバラ
ツキが第２図のような分布になっているところからもい
える。第２図の人曲線はスピネル相中の人ｌ壕が１０ｐ
ｐｍの時のバラツキ分布であり、８曲線は５００１）ｐ
ｍの時のバラツキ分布である。
ツキが第２図のような分布になっているところからもい
える。第２図の人曲線はスピネル相中の人ｌ壕が１０ｐ
ｐｍの時のバラツキ分布であり、８曲線は５００１）ｐ
ｍの時のバラツキ分布である。
第２図で例えば管理値から３０チ以上外れたものがでた
場合を一ロット不良”と判定した場合、８曲線では約３
割不良ロットを含んでいたが、本発明によれば標準バラ
ツキはＡ曲線で示されるよう４二、不良ロットを皆無に
することかできる。
場合を一ロット不良”と判定した場合、８曲線では約３
割不良ロットを含んでいたが、本発明によれば標準バラ
ツキはＡ曲線で示されるよう４二、不良ロットを皆無に
することかできる。
尚、第２図１＝示す特性はスピネル相中のＡ／ Ｊ’１
が１０と５００ ｐｐｍの場合を示したが、スピネル相
中のＡｌ量が１〜ｔｏｏｐｐｍ の範囲の場合）ま入曲
線と、１１）Ｉ）ｍ未満かｌＱＱｐｐｍ を越える場合
は８曲線と同様の傾向を示すことを確認している。
が１０と５００ ｐｐｍの場合を示したが、スピネル相
中のＡｌ量が１〜ｔｏｏｐｐｍ の範囲の場合）ま入曲
線と、１１）Ｉ）ｍ未満かｌＱＱｐｐｍ を越える場合
は８曲線と同様の傾向を示すことを確認している。
このようにして得られた非直線抵抗体は電力用避雷器等
（二使用した場合（二おいて、非常１：優れた信預性を
保証するものであり、実用的見地から見て重要である。
（二使用した場合（二おいて、非常１：優れた信預性を
保証するものであり、実用的見地から見て重要である。
な二に１本発明の実施例では、原料として酸化物を用い
たが、焼結して酸化物巡二なるものであれば良く、例え
ば水酸化物、炭酸化物、シュウ酸化物等であっても同じ
効果が得られることはいう壕でもない。
たが、焼結して酸化物巡二なるものであれば良く、例え
ば水酸化物、炭酸化物、シュウ酸化物等であっても同じ
効果が得られることはいう壕でもない。
以上説明したように本発明（＝よれば非直線性を向上さ
せ、′１恒気特性のバラツキを防止し、均質な特性を有
する非直線抵抗体を提供することができる。
せ、′１恒気特性のバラツキを防止し、均質な特性を有
する非直線抵抗体を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る非直線抵抗体のスピネ
ル相中のＡｅ量と非直線性の関係を示す特性図、第２図
は量産時における特性のバラツキを示す特性図である。 代理人 弁理士 則 近 礪 佑 同 三俣弘文 スヒ２わし才目中／ｌＡｉ量（ｐｐｒｎ）第１図 第２ｖＡ
ル相中のＡｅ量と非直線性の関係を示す特性図、第２図
は量産時における特性のバラツキを示す特性図である。 代理人 弁理士 則 近 礪 佑 同 三俣弘文 スヒ２わし才目中／ｌＡｉ量（ｐｐｒｎ）第１図 第２ｖＡ
Claims (1)
- ＺｎＯに少なくともＢｉ、Ｓｂ成分を含み、電圧非直
線性を示す非直線抵抗体のＺｎ＿７Ｓｂ＿２Ｏ＿１＿２
を主成分とするスピネル相を有する非直線抵抗体におい
て、該スピネル相中のＡｌ量が１〜１００ｐｐｍである
ことを特徴とする非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203304A JPS6265302A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203304A JPS6265302A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265302A true JPS6265302A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16471815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203304A Pending JPS6265302A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265302A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582405A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Voltage nonnlinear resistor |
| JPS55150202A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of fabricating nonnlinear voltage resistor |
| JPS5852802A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | 株式会社明電舎 | 酸化亜鉛非直線抵抗体 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60203304A patent/JPS6265302A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5582405A (en) * | 1978-12-18 | 1980-06-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Voltage nonnlinear resistor |
| JPS55150202A (en) * | 1979-05-10 | 1980-11-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of fabricating nonnlinear voltage resistor |
| JPS5852802A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | 株式会社明電舎 | 酸化亜鉛非直線抵抗体 |
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