JPH02302734A - 液晶装置 - Google Patents

液晶装置

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JPH02302734A
JPH02302734A JP1124718A JP12471889A JPH02302734A JP H02302734 A JPH02302734 A JP H02302734A JP 1124718 A JP1124718 A JP 1124718A JP 12471889 A JP12471889 A JP 12471889A JP H02302734 A JPH02302734 A JP H02302734A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 液晶表示装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来の液晶表示装置の素子基板上の平面図を第３図に示
す。第４図は第３図で示されるｂｂ’面における断面図
である。
第３図は、液晶表示装置の画素を駆動するための画素用
素子としてメタル　インシュレーターメタル（Ｍｅｔａ
ｌ　　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ　　Ｍｅｔａｌ、以下ＭＩＭ
）素子を用いた場合の構造を示しである。
以下、ＭＩＭ素子として代表的な構造であるタンタル（
Ｔａ）／酸化タンタル（ＴａＯｘ）／クロム（Ｃｒ）を
用いて説明する。ＴａＯｘは、Ｔａを形成した後に、陽
極酸化や熱酸化などを行いＴａ上を全面酸化して形成す
ることが一般的である。
第３図または第４図において、ＴａｌおよびＴａｌ上に
形成されたＴａＯｘ３と、素子用Ｃｒ４の重なる部分が
、画素を駆動するためのＭＩＭ素子を形成している。
このような構造の場合、素子基板を形成するために必要
なフォトエツチングの回数はＴａｌを形成するために１
回、素子用Ｃｒ４を形成するために１回、画素電極５を
形成するために１回で、計３回が必要となる。実際には
第３図に示されるように、端子部６にも形成されてしま
うＴａＯｘ３を取り除くことが必要で、このために極簡
単な、優れた精度を必要としないフォトエツチングが、
さらに１回行われる。
第３図において、端子部６から入力された信号は画素間
配線７を通りＭＩＭ素子を介して画素電極５に印加され
る。
従って画素間配線７の抵抗は、ＴａＯｘ３が絶縁体であ
るためにＴａ１の抵抗だけに依存する。
画素間配線７の抵抗は、端子部６から入力される信号の
電圧低下を生じさせるため、端子部６の近くに存在する
画素電極５に印加される信号と、遠くに存在する画素電
極５に印加される信号とて電圧差を生じさせることにな
る。
このことは、液晶表示装置として見た場合、端子部６に
近い部分の表示状態と、端子部６から遠い部分の表示状
態が違っていることを意味している。つまりコントラス
トに“むら”が有ることになる。液晶表示装置の画質を
向上させるためには画素間配線７の抵抗を小さくするこ
とが必要である。
第３図に示す構造の場合、画素間配線７の抵抗を下げる
にはＴａｌの画素間配線７に相当する部分のパターン幅
を広くするか、Ｔａｌの膜厚を厚くするなどの方法があ
る。しかし、前者の場合、画素の高密度化による画質向
上に相反することになる。後者の場合、Ｔａｌのパター
ンを形成するときのパターン精度に影響してくるだけで
なく、特に、素子用Ｃｒ４のＴａｌの段差部分でのステ
ップカバレッジに大きく影響してくる。
従ってこのような手段を用いて、画素間配線の配線抵抗
を下げることは、極めて困難である。
そこで第５図または第６図に示される画素間配線７の構
造が考えられる。第６図は、第５図のＣＣ′による断面
図である。
素子用Ｃｒ４を形成しているＣｒ層を用いて配線用Ｃｒ
２を画素間配線７上に配置したもので、画素間配線７は
Ｔａ１と配線用Ｃｒ２の２層構造となっている。
Ｔａの比抵抗が約２２０μΩｃｍであるのに対してＣ「
の比抵抗は約３０μΩｃｍであり上記２、層構造にすれ
ば、画素間配線７の抵抗を下げることに関してかなり有
利となる。
必要に応じてＣｒ層の膜厚を厚くすることによって、基
本的には、十分に低い画素間配線７の抵抗を得ることが
出来る。
このような構造の場合、素子基板を形成するために必要
なフォトエツチングの回数はＴａｌを形成するために１
回、端子部６や画素間配線部７のＴａＯｘ３を取り除く
ために１回、素子用Ｃｒ４または、配線用Ｃｒ２を形成
するために１回、画素電極５を形成するために１回で、
計４回が必要となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記従来の技術では、画素間配線の配線
抵抗を下げることによって、液晶表示装置の製造コスト
は大幅に上昇し、さらに製造歩留りが低下するという問
題点を有していた。
液晶表示装置の製造コストは、ＩＣなどの半導体プロセ
スと同様にフォトエツチングプロセスの回数によって左
右される。従って第５図に示される構造にすると、第４
図に示される構造の場合に比べて約４／３倍の製造コス
トになる。
第５図に示される構造の製造プロセスを第９図（ａ）〜
（ｅ）に示す。第９図（ｅ）は第５図のｄｄ’面におけ
る断面図である。この場合Ｔａｌと素子用Ｃｒ４の重な
る部分のＴａＯｘ３の表面、つまりＭＩＭ素子を形成す
る部分が、フォトエツチングの工程にさらされることに
なる。このため、第３図に示される構造のプロセスに比
べてＭＩＭ素子のＴａＯｘ界面での不良が増加すること
になる。結果的に液晶表示装置の製造歩留りが低下して
しまう。
以上述べたように従来の液晶表示装置の構造では画素間
配線の配線抵抗を下げることができないか、または、配
線抵抗を下げることによって歩留りの低下を含む大幅な
製造コストの上昇を生じてしまうという問題点を有して
いた。
そこで本発明は、液晶表示装置の製造コストを上げずに
抵抗の低い画素間配線を持った液晶表示装置の素子基板
を提供することを「１的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明による液晶表示装置の素子基板は、基板上に、画
素電極と画素電極を駆動するための画素用素子をマトリ
ックス状に配置し、上記画素用素子間を電気的に接続す
るための画素間配線を設けた液晶表示装置の素子基板に
おいて、上記画素間配線と画素用素子の間にコンデンサ
ーを設け、上記画素間配線とコンデンサーと画素用素子
を電気的に直列に配置した事を特徴とする。
〔実　施　例〕
以下に、本発明による液晶表示装置の素子基板の一実施
例を図面を基に説明する。
第１図は、本発明による液晶表示装置の素子基板の平面
図を示す。第２図は、第１図のａａ’面における断面図
である。画素間配線７や端子部６上のＴａＯｘ３を取り
除かずに、配線用Ｃｒ２を、画素間配線７部および端子
部６上に形成したちのである。
端子部６つまり配線用Ｃｒ２に入力された信号が画素間
配線７上のＴａＯｘ３およびＭＩＭ素子を介して画素電
極５に印加される。
ＴａＯｘ３は本来絶縁膜であるが、画素間配線７部のＴ
ａｌとＴａＯｘ３さらに配線用Ｃｒ２で構成される、大
きな面積のＭＩＭ素子を介していることになる。ＭＩＭ
素子はその構造上コンデンサー、つまり容量であるから
、画素間配線７と画素用素子であるＭＩＭ素子の間にコ
ンデンサー（容量）が、直列に接続されていることにな
る。
この様子を定性的に第８図に示す。第７図は従来の構造
の場合を定性的に表したものである。
第８図において配線抵抗１１．（Ｒ）は、画素間配線７
の配線抵抗を表し実質的に配線用Ｃｒ２の配線抵抗とな
る。配線部Ｍ　Ｉ　Ｍ　１．０は、上記、画素間配線７
部のＴａｌとＴａＯｘ３さらに配線用Ｃｒ２で構成され
る大面積ＭＩＭである。これらと素子部ＭＩＭ９さらに
液晶８が直列に接続されている状態で液晶表示装置の電
気的な特性を定性的に説明することができる。
ここで、Ｃｍ　（ＣＬ％　ｒｍ）ｒＬであり、素子部Ｍ
ＩＭ９と配線部ＭＩＭＩＯは直列に接続されているため
上記２ＭＩＭの合成容量をＣＯ１合成抵抗をＲｏとする
と、 Ｃｏ　＝　１　／　（１／　Ｃｍ　＋　１　／　ＣＬ　
）＝Ｃｍ／　（１＋Ｃｍ／ＣＬ） 嬌Ｃｍ Ｒｏ−ｒｍ＋ｒＬ −ｒｍ　（１＋ｒｍ／ｒｍ） 崎「ｍ となり、電気的な特性上で上記配線部Ｍ　Ｉ　Ｍ　１０
は、素子部ＭＩＭ９に対して無視することができる。
従って電気的特性上は、本発明による構造で、配線用Ｃ
ｒ２を利用した抵抗の低い画素間配線を持った液晶表示
装置となる。
本発明の構造の場合、素子基板を形成するために必要な
フォトエツチングの回数は、Ｔａ１を形成するために１
回、素子用Ｃｒ４または、配線用Ｃｒ２を形成するため
に１回、画素電極５を形成するために１回で、計３回が
必要なだけである。
つまり、画素間配線の配線抵抗の高い第３図に示す構造
の素子基板を形成するのに必要なフォトエツチングの回
数より少なくてよいことになる。
第５図に示す画素間配線７を用いた、従来の、配線抵抗
に低い構造の素子基板を形成するために必要な、フォト
エツチングの回数が計４回であることに比べれば素子基
板のプロセスが３／４に短縮されることになる。
しかも、ＭＩＭ素子のＴａＯｘ界面での不良を大幅に減
少させることにもなる。これはＴａＯｘ３の表面が、フ
ォトエツチングの工程にさらされないためである。
〔発明の効果〕
以上、述べたように本発明による素子基板を用いた液晶
表示装置は、低い画素間配線の配線抵抗を持つことで画
質を向上させることができ、さらに製造コストも下げる
ことができるという効果を有する。
さらに画素間配線が２重構造になっているために、画素
間配線の断線による不良も大幅に減少するという、他の
効果も有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による液晶表示装置の素子基板の平面
図。 第２図は、′第１図のａａ’面における断面図。 第３図は、従来の液晶表示装置の素子基板の平面図。 第４図は、第３図のｂｂ’面における断面図。 第５図は、従来の液晶表示装置の素子基板の平面図。 第６図は、第５図のＣＣ′面における断面図。 ・第７図は、従来の液晶表示装置の１画素の等価回路図
。 第８図は、本発明による液晶表示装置の１画素の等価回
路図。 第９図（ａ）〜（ｅ）は、従来の液晶表示装置の素子基
板の製造プロセスを表す断面図。 １・・争Ｔａ（タンタル） ２・・・配線用Ｃｒ（クロム） ３・・・ＴａＯｘ　（酸化タンタル） ４・・・素子用Ｃｒ（クロム） ５・・・画素電極 ６・・・端子部 ７・・・画素間配線 ８・・・液晶 ９・・・素子部ＭＩＭ １０・・・配線部向ＩＭ １１・・・配線抵抗 １２・・・基板 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　鈴　木　喜三部（他１名）第１　面 第　３　田 第牛記 了し 第５″口 第１）日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上に、画素電極と画素電極を駆動するための画素用
    素子をマトリックス状に配置し、上記画素用素子間を電
    気的に接続するための画素間配線を設けた液晶表示装置
    の素子基板において、上記画素間配線と画素用素子の間
    にコンデンサーを設け、上記画素間配線とコンデンサー
    と画素用素子を電気的に直列に配置した事を特徴とする
    液晶表示装置の素子基板。
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