JPS6266435A - 光学記録担体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＴｅ系光学記録層や光磁気記録層が形成された
円盤状情報記録担体（以下ディスクと記す）を高速で回
転させ、前記ディスクにレーザ光の光パルスを照射する
ことにより情報信号を記録する光学ディスクメモリに関
係する分野に利用できる光学記録担体およびその製造方
法に関するものである。

従来の技術 Ｔｅ系光記録材料は、レーザ光等の光パルス照射時に発
生する熱によって、照射部分の透過率が著しく変化する
ため、情報信号の記録材料として好適である。

Ｔｅ系光記録材料を形成した試料の温度を室温から徐々
に上昇させると第３図に示すように透過３ベー。

率が急激に変化する点がみられ、この点の温度を熱転移
温度と呼んでいる。例えばＴｅ系材料の一例として、　
Ｔｅ０ｘＯ熱転移温熱転測温したところ約１２０°Ｃで
あった。さて光デイスクメモリは高温高湿の環境下にさ
らされる事が考えられる為、高温高湿下においても記録
材料の特性が変化しない事が必要である。高温、高湿の
環境下において安定した耐候性を得る為には熱転移温度
は高い方が有利である。

その為、Ｔｅ系拐刺に例えばＧｅ　、　Ａｕ　、　Ａｇ
等を少量添加して熱転移温度を上昇させる方法が検討さ
れてきた。この方法によれば、確かに熱転移温度は上昇
する事が確認された。例えはＴｅＯｘ膜にＧ６１２％重
量比程度添加すると熱転移温度は１２６°Ｃ程度となり
、約５°Ｃ上昇する。

発明が解決しようとする問題点 ところがＧｏ等は吸湿性を有する為、この記録材料から
成るディスクを用いて耐候性テストヲ行った結果、高湿
（約９０％）雰囲気における耐候性がＴｅＯｘのみから
成るディスクに比べて悪化し、６０°Ｃ程度の温度でも
反射率の変化が認められた。

従って従来の技術では、熱転移温度を上昇させて、耐候
性を改善させることが困難であった。

このようにＴｅ系光学記録層や光磁気記録層が形成され
たディスクの熱転移温度を簡単に変（Ｌさせ、かつディ
スクの耐候性に悪影響を及ぽさ々いように制御すること
は困難である。

問題点を解決するための手段 本発明は上記の問題点を解決するため、光学記録担体の
記録材料として、例えばＴｏ系光学記録膜や光磁気記録
膜に、Ｃｕｉ添加したものであＬ第１図（ａ）に示すよ
うに例えばＴｅのみから成るターゲットの上部に少なく
ともＣｕ　ｆ含むリングを載せたもの、あるいはＴｅと
Ｃｕが混合されたターゲットを用い、光学記録担体製造
装置を使用して、Ｃｕを含む記録膜を形成する構成にし
たものである。

作用 この技術的手段による作用は次のようになる。

ここではＴｅ系材料の一例としてＴｅＯｘ　（０（ｘ６
　ベ一〕 〈２）について説明する。ＴｅＯｘは室温では非結晶の
状態になっているか熱転移温度（約１２０°Ｃ）に達す
るとＴｏ原子が結晶化され、その結果ＴｅＯｘ膜の透過
率が低下する。この熱転移温度を上昇させる為には、　
ＴｅＯｘに異種の材料を添加するという方法が考えられ
る。異種の原子をＴｅ及び０２の原子間に入り込ませる
事により隣接するＴｅ原子間の距離が拡大し、その結果
結晶化に要するエネルギが大きくなり熱転移温度が上昇
する。

また異種の材料全添加する代りにスパッタ時の酸素分圧
を高くして、より０２リンチな膜を形成することにより
Ｔｅ原子間の距離を拡げる方法も考えられる。

０２リツチな膜を形成するという方法に関しては、かな
り０２　リッチにしてやらないと熱転移温度は上昇しな
いし、更にＴａＯｘ膜の反射率が低下して光学記録担体
として用いる事が困難である。

異種の材料を添加する方法については従来、Ｇｅ、Ａｕ
、Ａｇ等の添加が提案されているが、「従来の技術」で
述べたように熱転移温度は上昇する６ベーノ が高温高湿時の耐候性がかえって劣化するという実験結
果が得られている。

そこで本発明者らは、添加する材料としてＣｕが最適で
あることを見出した。ｃｕｙ添加して隣接するＴｅ原子
間の距離を拡げることにより、熱転移温度を上昇させる
ことが可能であり、しかも添加量を変える事により熱転
移温度の上昇度合いを自由に制御する事が可能である。

第３図に示すようにｃｕｓ２％重量比程度添加した場合
、熱転移温度は１２５°Ｃ１４％重量比添加では１３０
’Ｃとなり、Ｃｕの添加量に対してリニアに熱転移温度
が上昇した。またＣｕ　ｆ　ＴｅＯｘ中に添加した際に
、ＣｕがＴｅＯｘ中の０２と結合してＣｕＯを形成する
が、これは安定な物質であり、高湿雰囲気下でも吸湿を
起こすことはないと考えられる。実際７０’Ｃ，９０％
の条件下で３，０００時間放置しても記録膜の腐食や反
射率の変化等は全くみられず、高温雰囲気における耐候
性が大幅に改善されることが確認された。尚、　ＴｅＯ
ｘ以外のＴｅ系材料。

或いは光磁気記録材においても、同様の効果が得７１、
− られる。

実施例 本発明の光学記録担体は例えばスパッタ蒸発を用いて形
成を行うことができ、第２図を用いて実施例の説明を行
う。真空槽３内にディスク基板４をセント後、真空槽内
を例えば１Ｏ−ＴＯｒｒまで真空排気する。またディス
ク基板４はスパッタ時の膜厚分布を抑える為に、モータ
により回転駆動されている。真空排気終了後真空槽３内
に０２ガスを例えば７．Ｏｘ　１，０　　’Ｔｏｒｒ程
度導入する。その後、例えばＡｒ等の不活性ガスを導入
して全体のガス圧を例えば３　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒに
設定する。この状態でターゲット６にＤＣ電源（図示せ
ず）より例えば約１　ｏｏｗの電力を加えるとグロー放
電が発生し、ターゲット６の物質がスパッタ蒸発し、デ
ィスク基板４上に付着する。本実施例によれば３分程度
のスパッタ時間で１０００人程鹿の膜厚の成膜が可能で
あった。

またターゲット５は、第１図（ａ）に示すように例えば
Ｔｅ１のみから成るターゲットの上部に、少なくともＣ
ｕ２１含むリングを載せたものを使用しても、第１図（
ｂ）に示すようにＴｏ　１とＣＵ２が混合されたターゲ
ットを用いても同様の効果が得られる。

発明の効果 このように、本発明によれば１例えばＴｏ系光学記録膜
や光磁気膜にｈ”ｋ添加して成る光学記録担体であるの
で、Ｃｕの添加量に応じて自由に熱転移温度を上昇させ
る事が可能となり、高温雰囲気におけるディスクの耐候
性を大幅に改善する事ができるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るスパッタターゲットの一例を示す
斜視図、第２図は本発明に係る光学記録担体製造装置の
一例の断面図、第３図はその光学記録担体の加熱温度と
透過率の関係を示す特性図である。 １・・・・・・Ｔｅ、２・・・・・・Ｃｕ、　３・川・
・真空槽、４・・・・・・ディスク基板、５・・・・・
・ターゲット、６・・・・・・従来のＴｅＯｘ膜による
透過率の変化、７・・・・・・本発明の９べ−ｌ ＴｅＯｘ膜による透過率の変化（Ｃｕ２％添加）、８・
・・・・・本発明のＴｅＯｘ膜による透過率の変化（Ｃ
ｕ４％添加）。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 αυ （ｂ） 第２図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ系光学記録材或いは光磁気記録材からなる光
   学記録材にＣｕを添加したことを特徴とする光学記録担
   体。
2. （２）Ｔｅ系材料は、Ｔｅを主成分とし、Ｃ、Ｓｅ、Ａ
   ｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｉ、Ｎｉのうち１
   種類又は２種類以上の材料が添加されたものであること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録担体
   。
3. （３）Ｔｅ系光学記録材としてＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２
   ）を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光学記録担体。
4. （４）光磁気記録材として、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ、
   Ｔｂ−Ｆｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｄｙを用いることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学記録担体。
5. （５）Ｔｅ単一元素からなるターゲットを用い、このタ
   ーゲット上にＣｕからなるリングを設置し、Ａｒ及びＯ
   ＿２の混合ガス雰囲気中にてスパッターさせることによ
   りＣｕを含有する記録膜を形成することを特徴とする光
   学記録担体の製造方法。