JPS626681Y2 - - Google Patents

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JPS626681Y2
JPS626681Y2 JP8853380U JP8853380U JPS626681Y2 JP S626681 Y2 JPS626681 Y2 JP S626681Y2 JP 8853380 U JP8853380 U JP 8853380U JP 8853380 U JP8853380 U JP 8853380U JP S626681 Y2 JPS626681 Y2 JP S626681Y2
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JP
Japan
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wafer sample
pair
wafer
cylindrical body
processing boat
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JP8853380U
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JPS5712741U (ja
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、半導体用ウエーハ試料を例えば化
学気相成長法により処理する場合に、ウエーハ試
料を配列して保持するウエーハ試料処理ボートに
関する。
ウエーハ試料を一般に化学気相成長法(CVD
法)により、シリコン酸化膜やポリシリコン膜
(多結晶シリコン膜)などを成長させる場合、ウ
エーハ試料を反応管の中心位置で保持しておくよ
うに、ウエーハ試料処理ボートが使用されてい
る。
従来、反応管の内径はウエーハ試料の直径によ
り、それに応じて決められていた。したがつて、
ある内径の反応管は、一種類の直径のウエーハ試
料の処理しか使用されず、多種類の反応管を必要
とし、利用率が低かつた。
従来のウエーハ試料処理ボートは、第1図及び
第2図に正面図及び側面図で示すようになつてい
た。1は両側1対の支持棒で、双方が平行に水平
方向に配置され両端を連結棒2で一体に溶着結合
されている。3は各支持棒1に一体に溶着結合さ
れた両側1対の保持部材で、図では板状をなし、
上部に水平方向に対し多数のスリツト3aが配設
され、それぞれウエーハ試料4がはめ込まれ、多
数枚を一定間隔で配列保持する。なお、保持部材
として、多数本の棒材にして、それぞれ上部にス
リツトを設けたものにしたものもある。上記支持
棒1、連結棒2及び保持部材3は石英材からな
る。
上記処理ボートにウエーハ試料4を保持し、鎖
線で示す反応管5内に搬入し、処理を行なう。こ
の従来の処理ボートにより保持し、成長させたウ
エーハ試料を第3図に示す。ウエーハ試料4内で
の膜厚分布mは大きく乱れている。
また、ウエーハ試料4は支持棒1により反応ガ
スの流れの影響をうけ、支持棒1近傍の領域では
シリコン酸化膜及びポリシリコン膜などの膜厚が
薄くなる。さらに、ウエーハ試料4と反応管5と
の距離が最適距離でない場合にも反応ガスの流れ
の影響を受け、ウエーハ試料4内でシリコン酸化
膜及びポリシリコン膜などの膜厚分布に乱れを生
じ、チツプの品質に悪影響を及ぼしていた。
この考案は、両側1対の支持棒にそれぞれ上向
きに保持部材を固着し、多数枚のウエーハ試料を
はめ込むスリツトを配設し、これらのスリツトに
はめられたウエーハ試料の外周から所定の距離を
おいて同心に囲う円筒体を設け、この円筒体はウ
エーハ試料に対し上部及び両側部を囲う上側部
と、下部を囲う底部とに分割してあり、それぞれ
1対の支持棒に着脱可能に装着し、ウエーハ試料
が支持棒や反応管による影響を受けず、極めて安
定した膜が得られるウエーハ試料処理ボートを提
供ることを目的としている。
第4図及び第5図はこの考案の一実施例による
ウエーハ試料処理ボートの正面図及び側面図であ
り、2〜4,3aは上記従来装置と同一のもので
ある。10は石英材からなる1対の支持棒で、双
方が平行に水平方向に配置され、石英材からなる
連結棒2により一体に溶着結合されている。11
は各支持棒10に固着された引掛け片である。各
支持棒10には、保持するウエーハ試料4の中心
に向けそれぞれ保持部材3が溶着結合されてい
る。12は石英材からなる円筒体で、保持部材3
のスリツト3aにはめ込まれたウエーハ試料3の
外周から所定の距離をおいて、同心に囲つてい
る。円筒体12はウエーハ試料4の上部及び両側
を囲う上側部13と、下部を囲う底部14とに2
分割され、着脱を容易にしている。上側部13は
支持棒10の引掛け片11に引掛られて保持さ
れ、底部14は支持棒10の上部にはめられて保
持される。
上記一実施例の処理ボートによりウエーハ試料
4を保持して処理するには、次のようにする。ま
ず、上側部13を取外し、保持部材3の各スリツ
ト3aにウエーハ試料4をそれぞれはめ込み配列
保持する。上側部13をはめる。こうした処理ボ
ートを、鎖線で示す反応管15内に搬入し、処理
を行なう。反応管15の内径が一定のものでなく
ても、ウエーハ試料4は所定の距離をおいて円
筒体12により同心に囲われており、反応管15
の内径及び支持棒10による影響を受けず、極め
て安定した膜及び分布が得られる。
第6図は上記一実施例の処理ボートにより成長
させたウエーハ試料4を示し、試料内での膜厚分
布mは極めて良好である。
第7図及び第8図はこの考案の他の実施例によ
る処理ボートの正面図及び側面図である。保持さ
れたウエーハ試料4の外周から所定の距離をお
いて同心に囲う円筒体16は上側部17と底部1
9とに2分割され、着脱を容易にしている。上側
部16及び底部18の両端にはそれぞれフランジ
18及び20が設けられ、反応管15の内径との
すき間をふさいでいる。これにより、ウエーハ試
料4に成長されるシリコン酸化膜及びポリシリコ
ン膜などの成長速度を増大させることができる。
以上のように、この考案によれば、両側1対の
保持部材に設けられた多数のスリツトにはめ込み
保持されたウエーハ試料の外周を所定の距離をお
いて同心に囲う円筒体を設け、この円筒体は上側
部と底部とに分割し、両側1対の支持棒に着脱可
能に支持してあるので、ウエーハ試料が支持棒や
反応管による影響を受けず、極めて安定した膜が
得られる。また、ウエーハ試料の直径が異なつて
も、一種類の反応管を流用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来のウエーハ試料処理ボ
ートの正面図及び側面図、第3図は第1図の処理
ボートに保持され成長されたウエーハ試料の膜厚
分布を示す正面図、第4図及び第5図はこの考案
の一実施例によるウエーハ試料処理ボートの正面
図及び側面図、第6図は第4図の処理ボートに保
持され成長されたウエーハ試料の膜厚分布を示す
正面図、第7図及び第8図はこの考案の他の実施
例によるウエーハ試料処理ボートの正面図及び側
面図である。 2……連結棒、3……保持部材、3a……スリ
ツト、4……ウエーハ試料、10……支持棒、1
2……円筒体、13……上側部、14……底部、
15……反応管、16……円筒体、17……上側
部、18……フランジ、19……底部、20……
フランジ、なお、図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 双方が両側に平行に水平方向に配置され、各
    両端部で1対の連結棒により固着結合された1
    対の支持棒と、これらの支持棒にそれぞれ上向
    きに固着結合され、上部に水平方向に対し多数
    のスリツトが配設された両側1対の保持部材
    と、この双方の保持部材にまたがり上記各スリ
    ツトにはめ込み保持されたウエーハ試料の外周
    を所定の距離をおいて囲つており、着脱可能に
    上側部と底部とに2分割され上記1対の支持棒
    に支持されて形成された円筒体とを備えたウエ
    ーハ試料処理ボート。 (2) 円筒体の上側部と底部の各両端部に外周方向
    のフランジがそれぞれ設けられ、反応管の内径
    とのすき間をふさぐようにしたことを特徴とす
    る実用新案登録請求の範囲第1項記載のウエー
    ハ試料処理ボート。
JP8853380U 1980-06-23 1980-06-23 Expired JPS626681Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8853380U JPS626681Y2 (ja) 1980-06-23 1980-06-23

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JP8853380U JPS626681Y2 (ja) 1980-06-23 1980-06-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5712741U JPS5712741U (ja) 1982-01-22
JPS626681Y2 true JPS626681Y2 (ja) 1987-02-16

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ID=29450608

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JPS5712741U (ja) 1982-01-22

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