JPS6267548A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS6267548A JPS6267548A JP60208234A JP20823485A JPS6267548A JP S6267548 A JPS6267548 A JP S6267548A JP 60208234 A JP60208234 A JP 60208234A JP 20823485 A JP20823485 A JP 20823485A JP S6267548 A JPS6267548 A JP S6267548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- film
- wafer
- silicone resin
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
フォトマスクであって、その表面にＰＶＡＱ［およびシ
リコン樹脂薄膜を被着することによって、コンタクト露
光時のウニＩ＼−と）オドマスクとの過密着を防止する
。
リコン樹脂薄膜を被着することによって、コンタクト露
光時のウニＩ＼−と）オドマスクとの過密着を防止する
。
本発明はフォトマスクに関するものであり、更に詳しく
言えば半導体装置の製造に使用されるフォトマスクに関
するものである。
言えば半導体装置の製造に使用されるフォトマスクに関
するものである。
フォトマスクの回路パターンをウェハー上に焼き付ける
方式の一つとしてコンタクト露光法がある。コンタクト
露光法は、ウェハー上のレジスト膜とフォトマスク表面
が密着した状７！ｉで露光を行うものであるから、″ｊ
ｌ光後フォトマスクをウェハーから分離させるときウェ
ハー上のレジスト膜がはがれたり、あるいはウェハー上
のゴミが付着することがある。
方式の一つとしてコンタクト露光法がある。コンタクト
露光法は、ウェハー上のレジスト膜とフォトマスク表面
が密着した状７！ｉで露光を行うものであるから、″ｊ
ｌ光後フォトマスクをウェハーから分離させるときウェ
ハー上のレジスト膜がはがれたり、あるいはウェハー上
のゴミが付着することがある。
しかしこのようなフォトマスクを次の転写に用いると正
常な回路パターンを焼き付けることができなくなるから
、歩留りが大きく低下することになる。
常な回路パターンを焼き付けることができなくなるから
、歩留りが大きく低下することになる。
そこで従来よりフォトマスク表面にＰＶＡ膜を形成する
ことにより、ウェハーとの過密着を防１１：する対策が
採られている。第２図（ａ）は貨来例のフォトマスクの
上面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａの断面図
であり、ｌはフォトマスク基板、２はフォトマスクの表
面に形成されたＰＶＡ１ｇ１である。このように表面を
波形に形成してウェハーとの接触面積を少なくすること
によって、過密着を防止している。
ことにより、ウェハーとの過密着を防１１：する対策が
採られている。第２図（ａ）は貨来例のフォトマスクの
上面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＡ−Ａの断面図
であり、ｌはフォトマスク基板、２はフォトマスクの表
面に形成されたＰＶＡ１ｇ１である。このように表面を
波形に形成してウェハーとの接触面積を少なくすること
によって、過密着を防止している。
従来例によれば確かにフォトマスク表面にＰＶＡ膜を形
成して接触面積を少なくすることはできるが、これだけ
では必ずしも十分ではなく、接触するＰＴＡ膜自体によ
ってレジスト等がはがれてフォトマスクが汚染される場
合があった。
成して接触面積を少なくすることはできるが、これだけ
では必ずしも十分ではなく、接触するＰＴＡ膜自体によ
ってレジスト等がはがれてフォトマスクが汚染される場
合があった。
本発明はかかる従来例のＦＩＢ点に鑑みて創作されたも
のであり、フォトマスク汚染の防止用の表面処理が施さ
れたフォトマスクの提供を目的とする。
のであり、フォトマスク汚染の防止用の表面処理が施さ
れたフォトマスクの提供を目的とする。
本発明は表面がＰＶＡ１ｇ１およびシリコン樹脂Ｑ膜に
よって被着されていることを特徴とする。
よって被着されていることを特徴とする。
フォトマスク表面にＰＶＡ１ｇ１が形成されているので
、ウェハー表面との接触面積を少なくすることができる
。またＰＶＡ１ｇ１上にレジストとの離反性が良好なシ
リコン樹脂ｉ膜が形成されているので、より一層の過密
着を防＋ｈできる。
、ウェハー表面との接触面積を少なくすることができる
。またＰＶＡ１ｇ１上にレジストとの離反性が良好なシ
リコン樹脂ｉ膜が形成されているので、より一層の過密
着を防＋ｈできる。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。第１図（ａ）は本発明の実施例に係るフォトマスクの
上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂの断面図
である０図においてｌはフォトマスク基板、２はフォト
マスク基板ｌ上に塗布され、その特有の性質により乾燥
過程で放射方向に波打って形成されたＰＶＡＩＩ、３は
ＰＶＡ膜２に塗布されて形成されたシリコン樹脂膜であ
る。
。第１図（ａ）は本発明の実施例に係るフォトマスクの
上面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂの断面図
である０図においてｌはフォトマスク基板、２はフォト
マスク基板ｌ上に塗布され、その特有の性質により乾燥
過程で放射方向に波打って形成されたＰＶＡＩＩ、３は
ＰＶＡ膜２に塗布されて形成されたシリコン樹脂膜であ
る。
次に本発明の実施例に係るフォトマスクの作用について
説明する。ウェハーにフォトマスク回路パターンを転写
するとき、フォトマスクをウェハーに接触させる。この
ときフォトマスク表面はＰＶＡ１ｇ２の作用により波打
ってｌ、＞るので、ウェハー表面との過密着は防止され
る。また直接接触しているのはＰＴＡ膜？ではなくレジ
スト膜との離反性の良好なシリコン樹脂膜３であるから
。
説明する。ウェハーにフォトマスク回路パターンを転写
するとき、フォトマスクをウェハーに接触させる。この
ときフォトマスク表面はＰＶＡ１ｇ２の作用により波打
ってｌ、＞るので、ウェハー表面との過密着は防止され
る。また直接接触しているのはＰＴＡ膜？ではなくレジ
スト膜との離反性の良好なシリコン樹脂膜３であるから
。
フォトマスクとウェハーを離すときにレジスト膜のはが
れを有効に防止できる。
れを有効に防止できる。
発明者らの実験によると、本発明の実施例に係るフォト
マスクを使用することにより１歩留まりの大幅の向上を
確認することができた。
マスクを使用することにより１歩留まりの大幅の向上を
確認することができた。
なおシリコン樹脂膜２とＰＶＡ膜３の二重膜を形成する
利点は次の点にもある。まずＰＶＡ１ｌｑ３によってフ
ォトマスク表面が放射方向に波打っているから、フォト
マスクとウェハが接触した場合にもその間に細かい溝が
形成されている。このため露光時の化学変化によってレ
ジスト膜から発生するガスは、この細かい溝を通って有
効に外部へ逃がすことができる。
利点は次の点にもある。まずＰＶＡ１ｌｑ３によってフ
ォトマスク表面が放射方向に波打っているから、フォト
マスクとウェハが接触した場合にもその間に細かい溝が
形成されている。このため露光時の化学変化によってレ
ジスト膜から発生するガスは、この細かい溝を通って有
効に外部へ逃がすことができる。
またフォトマスクを再使用する場合フォトマスクを洗炸
するが、このとき表面処理膜を一旦除去して再形成する
ことが必要である０表面処理膜がシリコン樹脂膜３のみ
であると、シリコン樹脂膜は乎坦でかつ透明であるから
、洗浄によって除去されたか否かの確認が困難である。
するが、このとき表面処理膜を一旦除去して再形成する
ことが必要である０表面処理膜がシリコン樹脂膜３のみ
であると、シリコン樹脂膜は乎坦でかつ透明であるから
、洗浄によって除去されたか否かの確認が困難である。
この場合ＰＶＡ［２が形成されていると表面が波打って
いるのでその確認が容易となる。
いるのでその確認が容易となる。
さらにシリコン樹脂膜３は一般に酸によってのみ溶かす
ことができるが、ＰＶＡ膜２は水によって溶かすことが
できる。このためＰＶＡ膜２を溶かすことによってシリ
コン樹脂１９３を容易に除去することができる。
ことができるが、ＰＶＡ膜２は水によって溶かすことが
できる。このためＰＶＡ膜２を溶かすことによってシリ
コン樹脂１９３を容易に除去することができる。
以上説明したように、本発明によればＰ、 Ｖ Ａ ＠
およびシリコン樹脂膜の二重膜をフォトマスク表面に形
成することにより、ウェハーとの過密着を防止し、かつ
レジスト膜との離反性を良好にすることができる。従っ
てこれによりフォトマスクの汚染が防止でき、歩留りの
大幅な向上を図ることができる。
およびシリコン樹脂膜の二重膜をフォトマスク表面に形
成することにより、ウェハーとの過密着を防止し、かつ
レジスト膜との離反性を良好にすることができる。従っ
てこれによりフォトマスクの汚染が防止でき、歩留りの
大幅な向上を図ることができる。
４、図面のｆｌ’ＪｉｔＶな説明
：ｔＩＪ１図は（ａ）、Ｃｂ）はそれぞれ本発明の実施
例に係るフォトマスクの上面図、断面図である。
例に係るフォトマスクの上面図、断面図である。
第２図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ従来例に係るフォトマ
スクの上面図、断面図である。
スクの上面図、断面図である。
ｌ・・・フォトマスク基板
２・・・ＰＶＡ膜
３・・・シリコン樹脂膜
（α）
第１認
遂よ刻め）３
に
Ｌン）
Claims (1)
- 表面がＰＶＡ薄膜およびシリコン樹脂薄膜によって被着
されていることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208234A JPS6267548A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60208234A JPS6267548A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267548A true JPS6267548A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16552871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60208234A Pending JPS6267548A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267548A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501787A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-09 | ||
| JPS5366376A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60208234A patent/JPS6267548A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501787A (ja) * | 1973-05-04 | 1975-01-09 | ||
| JPS5366376A (en) * | 1976-11-26 | 1978-06-13 | Fujitsu Ltd | Photo mask |
| JPS5569142A (en) * | 1978-11-20 | 1980-05-24 | Fujitsu Ltd | Preventing method for peeling of resist |
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