JPS6267712A - 合金磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
合金磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6267712A JPS6267712A JP60209166A JP20916685A JPS6267712A JP S6267712 A JPS6267712 A JP S6267712A JP 60209166 A JP60209166 A JP 60209166A JP 20916685 A JP20916685 A JP 20916685A JP S6267712 A JPS6267712 A JP S6267712A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、８ｍｍビデオやＤＡＴ （ディジタルオーデ
ィオテープ）等の高密度記録達成のだめの高°抗磁カテ
ープ対応の合金磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
ィオテープ）等の高密度記録達成のだめの高°抗磁カテ
ープ対応の合金磁気ヘッドの製造方法に関するものであ
る。
従来の技術
近年、磁気記録密度向上のためメタルテープ等の高抗磁
カテーブが用いられ始めている。これに対応する磁気ヘ
ッドとしては、磁心ギャップ近傍の磁気的飽和の生じに
くい高飽和磁束密度磁心材料が必要である。現在このよ
うな高性能磁気ヘッドのコア材として、センダスト合金
（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）やアモルファス合金（たと
えばＯｏ −Ｚｒ−Ｎｂ系合金）が用いられているが、
この中でアモルファス合金は、ギャップ形成時の熱処理
条件によって結晶化する恐れがあることから、最近では
特にセンダスト合金が注目されている。
カテーブが用いられ始めている。これに対応する磁気ヘ
ッドとしては、磁心ギャップ近傍の磁気的飽和の生じに
くい高飽和磁束密度磁心材料が必要である。現在このよ
うな高性能磁気ヘッドのコア材として、センダスト合金
（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）やアモルファス合金（たと
えばＯｏ −Ｚｒ−Ｎｂ系合金）が用いられているが、
この中でアモルファス合金は、ギャップ形成時の熱処理
条件によって結晶化する恐れがあることから、最近では
特にセンダスト合金が注目されている。
コア材としてセンダスト合金を用いた場合は、フェライ
トのようにガラスと強く接合しないことから狭ギャップ
を有する磁気ヘッドの製造が困難であったが、最近では
センダストの接合に銀ろう（たとえばムｇ−Ｃｕ−Ｚｎ
合金等）を用いることによって狭ギャップを形成するこ
とが可能になった。（例えば特公開５Ｂ−１７５３０号
公報、特公開５７−６０５２５号公報） 発明が解決しようとする問題点 最近発表されている８ｍｍＶＴＲやこれから実用化が期
待されるＤＡＴ等は、従来のＷインチテープに比べ２〜
３倍という高い記録密度が必要であるため、記録波長を
短縮化して対応しなければならない。捧インチＶＨ８の
記録波長は１．３μｍでこれに比較して８ｍｍＶＴＲの
場合は０．７μｍというふうに約半分になっており、今
後さらに短波長記録の要求が強まっていくものと思われ
る。こういった短波長記録に対応するヘッドとしてバル
ク型の従来のセンダストヘッドを考えた場合、高精度な
狭ギャップを形成することの他に、高周波における実効
透磁率の低下を極力迎えることが必要である。しかしセ
ンダスト合金等の金属材料は、高周波においては渦電流
損失による実効透磁率の低下はさけられないのが現状で
ある。この対策として、センダスト合金バルクの研摩や
圧延などによって薄板を作成する試みがなされているが
センダスト合金は非常にもろいため板厚はせいぜい６０
μｍｔでで、パーマロイ系圧延板のように数ｍμまでの
薄い材料は製造できていないことから、薄膜製作法（た
とえばスパッタリング法）による検討がなされてきてい
る。（たとえば特公昭５３−２５４９１号公報） しかし、センダスト合金の性質上フェライト材のように
硬くないので摩耗しやすく、またもろいという欠点があ
った。また通常の磁気ヘッドの場合、フロントギャップ
の非磁性層に８１０２が形成されているが、これは突合
せた状態だけで強く接合していないことから、テープ走
行によって脱落した磁性粉や埃等がギャップ間に入り込
みギャップの精度が低下する原因となっていた。
トのようにガラスと強く接合しないことから狭ギャップ
を有する磁気ヘッドの製造が困難であったが、最近では
センダストの接合に銀ろう（たとえばムｇ−Ｃｕ−Ｚｎ
合金等）を用いることによって狭ギャップを形成するこ
とが可能になった。（例えば特公開５Ｂ−１７５３０号
公報、特公開５７−６０５２５号公報） 発明が解決しようとする問題点 最近発表されている８ｍｍＶＴＲやこれから実用化が期
待されるＤＡＴ等は、従来のＷインチテープに比べ２〜
３倍という高い記録密度が必要であるため、記録波長を
短縮化して対応しなければならない。捧インチＶＨ８の
記録波長は１．３μｍでこれに比較して８ｍｍＶＴＲの
場合は０．７μｍというふうに約半分になっており、今
後さらに短波長記録の要求が強まっていくものと思われ
る。こういった短波長記録に対応するヘッドとしてバル
ク型の従来のセンダストヘッドを考えた場合、高精度な
狭ギャップを形成することの他に、高周波における実効
透磁率の低下を極力迎えることが必要である。しかしセ
ンダスト合金等の金属材料は、高周波においては渦電流
損失による実効透磁率の低下はさけられないのが現状で
ある。この対策として、センダスト合金バルクの研摩や
圧延などによって薄板を作成する試みがなされているが
センダスト合金は非常にもろいため板厚はせいぜい６０
μｍｔでで、パーマロイ系圧延板のように数ｍμまでの
薄い材料は製造できていないことから、薄膜製作法（た
とえばスパッタリング法）による検討がなされてきてい
る。（たとえば特公昭５３−２５４９１号公報） しかし、センダスト合金の性質上フェライト材のように
硬くないので摩耗しやすく、またもろいという欠点があ
った。また通常の磁気ヘッドの場合、フロントギャップ
の非磁性層に８１０２が形成されているが、これは突合
せた状態だけで強く接合していないことから、テープ走
行によって脱落した磁性粉や埃等がギャップ間に入り込
みギャップの精度が低下する原因となっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、ガラス基板上に
チタン（Ｔｉ）０．１〜５．０重量係および酸素（Ｏ）
を０．Ｏｏ１〜０．１重量係合むセンダスト合金（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の磁性体膜を、ＳｉＯ２の非磁性
体膜と交互に積層形成したものを突合せ型磁気ヘッド形
状の一方のコア部になるようにすべく切断し、一対のコ
アブロックを準備した後、フロントギャップ形成面に非
磁性層としてセラはックスと鉛含有ガラスの２層膜を、
リアギャップ形成面に鉛含有ガラス膜を形成後、ギャッ
プ形成面同志を合わせた状態でガラスの軟化点以上の不
活性ガス雰囲気で熱処理することによって、摩耗特性に
優れかつ高精度で機械的強度の高い磁気ヘッドの製造方
法を提供する。
チタン（Ｔｉ）０．１〜５．０重量係および酸素（Ｏ）
を０．Ｏｏ１〜０．１重量係合むセンダスト合金（Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の磁性体膜を、ＳｉＯ２の非磁性
体膜と交互に積層形成したものを突合せ型磁気ヘッド形
状の一方のコア部になるようにすべく切断し、一対のコ
アブロックを準備した後、フロントギャップ形成面に非
磁性層としてセラはックスと鉛含有ガラスの２層膜を、
リアギャップ形成面に鉛含有ガラス膜を形成後、ギャッ
プ形成面同志を合わせた状態でガラスの軟化点以上の不
活性ガス雰囲気で熱処理することによって、摩耗特性に
優れかつ高精度で機械的強度の高い磁気ヘッドの製造方
法を提供する。
作用
本発明はセンダスト合金に少量のチタンと酸素を含むセ
ンダスト合金の磁性体膜を形成した後、上記した構成に
より、２板のコア板を接合することによって得られた。
ンダスト合金の磁性体膜を形成した後、上記した構成に
より、２板のコア板を接合することによって得られた。
磁性薄膜の作成においてセンダスト合金にチタンと酸素
の微量を添加することにより、センダスト合金中に酸素
の固溶相が形成され、この固容酸素濃度が大きいほど耐
摩耗性は良好となる。ここで少量のチタンの存在は、酸
素の固溶相の形成に必要である。
の微量を添加することにより、センダスト合金中に酸素
の固溶相が形成され、この固容酸素濃度が大きいほど耐
摩耗性は良好となる。ここで少量のチタンの存在は、酸
素の固溶相の形成に必要である。
またフロントギャップ形成面にセラミックスと鉛含有ガ
ラス薄膜を形成した場合は、セラミックスと鉛含有ガラ
スの界面は、化学反応によりごく薄い化合物が形成され
機械的にかなり強い強度を有するギャップを得ることが
できる。またこのギャップ幅は、反応層がごく表面だけ
で起こるためＳｉＯ２薄膜と鉛含有ガラス薄膜の厚さで
規定できることになる。
ラス薄膜を形成した場合は、セラミックスと鉛含有ガラ
スの界面は、化学反応によりごく薄い化合物が形成され
機械的にかなり強い強度を有するギャップを得ることが
できる。またこのギャップ幅は、反応層がごく表面だけ
で起こるためＳｉＯ２薄膜と鉛含有ガラス薄膜の厚さで
規定できることになる。
実施例
以下実施例を示す。
（実施例１）
以下に示すような方法で、第１図に示したような構造の
へラドピースを作製し、検討した。
へラドピースを作製し、検討した。
まずガラス基板の表面を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａ
ｘ ０．ｏ １μｍ）した。次にこの面にスパッタ法を
用いてセンダスト合金の磁性体膜を６μｍ形成後、その
上に非磁性層のＳｉＯ２膜を同様にスパッタ法で０．０
１μｍ形成した。この操作をくり返し行い、第２図に示
すように最終的に磁性体膜が３層の多層膜を作成した。
ｘ ０．ｏ １μｍ）した。次にこの面にスパッタ法を
用いてセンダスト合金の磁性体膜を６μｍ形成後、その
上に非磁性層のＳｉＯ２膜を同様にスパッタ法で０．０
１μｍ形成した。この操作をくり返し行い、第２図に示
すように最終的に磁性体膜が３層の多層膜を作成した。
この時の磁性体膜の組成は、Ｓｉ ：９，８ ｗｔ％
、ムｇ ： ５．ｓ ｗｔ％ 、 Ｔｉ ：０，１ｗｔ
％およびＯ：０，０１ ｗｔ％ で残りがＦｅであっ
た。ここで、Ｓｉ、ム／、Ｔｉ及びＦｅの分析は原子吸
光光度法で、０については質量分析法によって行った。
、ムｇ ： ５．ｓ ｗｔ％ 、 Ｔｉ ：０，１ｗｔ
％およびＯ：０，０１ ｗｔ％ で残りがＦｅであっ
た。ここで、Ｓｉ、ム／、Ｔｉ及びＦｅの分析は原子吸
光光度法で、０については質量分析法によって行った。
次に図３に示すように、突合せ型磁気ヘッドの形状の左
右のコア部になるようにすべく切断し、ギヤツブ形成面
を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａｘｏｌｏｌ μｍ）し
た。
右のコア部になるようにすべく切断し、ギヤツブ形成面
を鏡面研摩（最大表面粗さＲｍａｘｏｌｏｌ μｍ）し
た。
次に第４図のようにフロントギャップ形成部分の両方に
スパッタ法を用いて石英（ｓｉ０２）の薄膜を形成し、
さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有ガラス薄膜を
形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さが均一に０．
１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラス薄膜は、厚
さが均一に０．０６μｍで、その組成が、主成分として
５１０２が２０重量％、ＰｂＯが７５重１％およびＮａ
２０が６重量％からなるガラス薄膜である。次に同じく
スパッタ法にてリアギャップ部のはり合わせ部分の両方
に鉛含有ガラス薄膜（フロントギャップ部分と同一ガラ
ス組成）を均一に０．１５μｍ形成した。これらのスパ
ッタ法により得られたフロントギャップ及びリアギャッ
プ側をそれぞれ互いにつき合わせ一対のチップとした状
態で真空雰囲気（１ｏ Ｔｏｒｒ以下）中で８ｏｏ℃
の温度で１時間処理を行って、ギャップ部の接合処理を
行いセンダスト合金積層膜構造のへラドピースを得た。
スパッタ法を用いて石英（ｓｉ０２）の薄膜を形成し、
さらにその上に同じくスパッタ法で鉛含有ガラス薄膜を
形成した。ここで上述の石英薄膜は、厚さが均一に０．
１０μｍであった。一方上述の鉛含有ガラス薄膜は、厚
さが均一に０．０６μｍで、その組成が、主成分として
５１０２が２０重量％、ＰｂＯが７５重１％およびＮａ
２０が６重量％からなるガラス薄膜である。次に同じく
スパッタ法にてリアギャップ部のはり合わせ部分の両方
に鉛含有ガラス薄膜（フロントギャップ部分と同一ガラ
ス組成）を均一に０．１５μｍ形成した。これらのスパ
ッタ法により得られたフロントギャップ及びリアギャッ
プ側をそれぞれ互いにつき合わせ一対のチップとした状
態で真空雰囲気（１ｏ Ｔｏｒｒ以下）中で８ｏｏ℃
の温度で１時間処理を行って、ギャップ部の接合処理を
行いセンダスト合金積層膜構造のへラドピースを得た。
形成されたセンダスト合金積層膜の耐摩耗性を調べるた
め、ヘッドの走行面に対して、メタルテープ（保持力Ｈ
Ｃ：１４００１− ｋ ７． チアド、飽和磁束密度Ｂ
ｒ ：３０００ガウス）を相対速度３，４ ｔｓ ｍ／
ｓｅａ で５００Ｈ走行させた時の減少量を観察した。
め、ヘッドの走行面に対して、メタルテープ（保持力Ｈ
Ｃ：１４００１− ｋ ７． チアド、飽和磁束密度Ｂ
ｒ ：３０００ガウス）を相対速度３，４ ｔｓ ｍ／
ｓｅａ で５００Ｈ走行させた時の減少量を観察した。
またこのヘッドの巻線みぞに１コイルを２６タ一ン巻い
た時の６ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は２１０μＶ
（ピークツーピーク）であった。この結果を表１の試料
番号２に示す。以下同様の方法でセンダスト合金膜の組
成を変えた試料の各種試験結果を表１の試料番号１，３
及び４〜１ｏに示す。
た時の６ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は２１０μＶ
（ピークツーピーク）であった。この結果を表１の試料
番号２に示す。以下同様の方法でセンダスト合金膜の組
成を変えた試料の各種試験結果を表１の試料番号１，３
及び４〜１ｏに示す。
この結果から、磁性体膜中にチタン（Ｔｉ）と酸素（Ｏ
）が混入されていない試料とチタンは入っているが酸素
が混入していない試料の摩耗量が著しく多いことがわか
る。チタンと酸素が共存している他の試料では摩耗量が
非常に少ないことからチタン存在のもとでの酸素の混入
が著しく摩耗特性を改善することが明らかになった。次
に、チタンと酸素のいづれかの混入量が多い場合（Ｔｉ
では５ｗｔ％、０で０．１ｗｔ％）あるいは両方の添加
物の量が多い場合は、摩耗特性を著しく改善するが、磁
気特性（再生出力電圧）が著しく低下することがわかっ
た。
）が混入されていない試料とチタンは入っているが酸素
が混入していない試料の摩耗量が著しく多いことがわか
る。チタンと酸素が共存している他の試料では摩耗量が
非常に少ないことからチタン存在のもとでの酸素の混入
が著しく摩耗特性を改善することが明らかになった。次
に、チタンと酸素のいづれかの混入量が多い場合（Ｔｉ
では５ｗｔ％、０で０．１ｗｔ％）あるいは両方の添加
物の量が多い場合は、摩耗特性を著しく改善するが、磁
気特性（再生出力電圧）が著しく低下することがわかっ
た。
（比較例１）
比較例として、センダスト合金ブロックを用いてバルク
型の磁気ヘッドを作成した。
型の磁気ヘッドを作成した。
図Ｓ （ａ）のようにＦｅ−ムｌ −Ｓｉ系合金へラド
ピースに巻線用ばゾを入れ、これに第６図（ｂ）のよう
に、フロントギャップ形成面にスパッタ法でＳｉＯ２と
ガラス薄膜を、パックギャップ形成面にムｇロウ合金薄
膜を形成し加熱溶着した。これを第６図（ｃ）のように
切断し、得られた合金チップについて実施例１と同様の
方法で同様の評価を行った。その結果、摩耗量は８．０
μｍで、ｓＭＨｚ での再生出力電圧は９６μｖｐ−
ｐ であった。この結果より、いずれの特性も実施例
１に示し、た本発明方法が優れていることがわかった。
ピースに巻線用ばゾを入れ、これに第６図（ｂ）のよう
に、フロントギャップ形成面にスパッタ法でＳｉＯ２と
ガラス薄膜を、パックギャップ形成面にムｇロウ合金薄
膜を形成し加熱溶着した。これを第６図（ｃ）のように
切断し、得られた合金チップについて実施例１と同様の
方法で同様の評価を行った。その結果、摩耗量は８．０
μｍで、ｓＭＨｚ での再生出力電圧は９６μｖｐ−
ｐ であった。この結果より、いずれの特性も実施例
１に示し、た本発明方法が優れていることがわかった。
Ｃ以 下 余 白）
表 １
（実施例２）
実施例１と同様の方法でフロントギャップのセラミック
材料を変えてヘッドピースを作製し、検討した。
材料を変えてヘッドピースを作製し、検討した。
ガラス基板にＳｉ ： ９．６ｗｔ％ 、ムｌ ： ５
．５ ｗｔ％ 。
．５ ｗｔ％ 。
Ｔｉ ： ０．１ｗｔ％ 、 およびＯ： ０．０１
ｗｔ％で残りがＦｅの組成の磁性体膜をＳｉ ０２層
と交互にそれぞれ３層形成した。次に実施例１と同様に
ヘッド形状に切断し、フロントギャップ形成面にセラミ
ック層（ＳｉＯ２ 、 ＭｇＯ、スピネ／ｌ／ 、 Ｚ
ｒＯ２の一種以上）とガラス層（ＳｉＯ２２ｏ ｗｔ％
、 ＰｂＯ７５ｗｔ４゜Ｎａ２Ｏ５ｗｔ％ ）の積層
膜を形成した。パックギャップのはり合わせ部分にはフ
ロントギャップのガラス層と同組成のスパッタ膜を形成
し、実施例１と同様の方法で接合処理を行い、センダス
ト合金積層膜構造のへラドピースを得た。また、比較例
としてフロントギャップのギャップ材にセラミック層だ
けで、ガラス層を用いないで作成したベッドピースにつ
いても他と同様に評価した。まずテープ走行によるギャ
ップの状態の観察のため、実施例１と同様のメタルテー
プを３．４ｓ ｍ／ｓｅａ で５００Ｈ走行させた。ま
たこのヘッドの巻線みぞに、コイルを２６タ一ン巻いた
時のｅＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧を測定し、それ
ぞれの結果を表２に示した。
ｗｔ％で残りがＦｅの組成の磁性体膜をＳｉ ０２層
と交互にそれぞれ３層形成した。次に実施例１と同様に
ヘッド形状に切断し、フロントギャップ形成面にセラミ
ック層（ＳｉＯ２ 、 ＭｇＯ、スピネ／ｌ／ 、 Ｚ
ｒＯ２の一種以上）とガラス層（ＳｉＯ２２ｏ ｗｔ％
、 ＰｂＯ７５ｗｔ４゜Ｎａ２Ｏ５ｗｔ％ ）の積層
膜を形成した。パックギャップのはり合わせ部分にはフ
ロントギャップのガラス層と同組成のスパッタ膜を形成
し、実施例１と同様の方法で接合処理を行い、センダス
ト合金積層膜構造のへラドピースを得た。また、比較例
としてフロントギャップのギャップ材にセラミック層だ
けで、ガラス層を用いないで作成したベッドピースにつ
いても他と同様に評価した。まずテープ走行によるギャ
ップの状態の観察のため、実施例１と同様のメタルテー
プを３．４ｓ ｍ／ｓｅａ で５００Ｈ走行させた。ま
たこのヘッドの巻線みぞに、コイルを２６タ一ン巻いた
時のｅＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧を測定し、それ
ぞれの結果を表２に示した。
この結果から、フロントギャップにセラミック′ 材
料（ＺｒＯ２、ＭｇＯ、スピネル、 ＳｉＯ２ ）の一
種以上を含む薄膜とガラス薄膜の２層膜を用いてギャッ
プを形成したもののテープ走行後のギャップの状態に変
化は無く、また良好な再生出力電圧も得られていること
がわかる。比較例としてフロントギャップにガラスを用
いないものを示したが、これはテープ走行によってギャ
ップに欠けが発生しており、再生出力電圧は６６μｖｐ
−ｐと低い値を示した。
料（ＺｒＯ２、ＭｇＯ、スピネル、 ＳｉＯ２ ）の一
種以上を含む薄膜とガラス薄膜の２層膜を用いてギャッ
プを形成したもののテープ走行後のギャップの状態に変
化は無く、また良好な再生出力電圧も得られていること
がわかる。比較例としてフロントギャップにガラスを用
いないものを示したが、これはテープ走行によってギャ
ップに欠けが発生しており、再生出力電圧は６６μｖｐ
−ｐと低い値を示した。
（以 下 余 白）
表 ２
発明の効果
以上の説明および表１，２から明らかなように、本発明
はガラス基板上にＴｉとＯを少量含むＦｅ −人β−３
ｉ系の磁性体膜をＳｉＯ２の非磁性体膜と交互に積層形
成したものを突合せ型磁気ヘッド形状の一方のコア部に
なるようにすべく切断し、この一対のコアブロックのフ
ロントギャップ形成面にセラミックスと鉛含有ガラスの
２層膜を形成し、パックギャップ形成面に鉛含有ガラス
薄膜を形成後、ガラスの軟化点以上の不活性ガス雰囲気
で熱処理して高精度なギャップを持つ磁気ヘッドを得る
ものである。ここで、Ｆ・−ムｌ −Ｓｉ系合金にＴｉ
と０を少量混入させることによりテープとの走行による
摩耗量が著しく減少し、耐摩耗性が向上する。またフロ
ントギャップ形成面のセラミックスとガラスの界面にお
いては、熱処理によって化学反応が起こり強固なギャッ
プを形成することが出来、これにより高精度な狭ギャッ
プを得ることが可能となまた。この方法で得られた磁気
ヘッドは、従来のバルク型センダスト磁気ヘッドと比較
しても、テープとの摩耗量、及び高周波における再生出
力特性等で著しく優れており、８ｍｍＶ’ｌ’ＲやＤＡ
Ｔ等の高密度磁気記録用磁気ヘッドとしての対応が期待
される。
はガラス基板上にＴｉとＯを少量含むＦｅ −人β−３
ｉ系の磁性体膜をＳｉＯ２の非磁性体膜と交互に積層形
成したものを突合せ型磁気ヘッド形状の一方のコア部に
なるようにすべく切断し、この一対のコアブロックのフ
ロントギャップ形成面にセラミックスと鉛含有ガラスの
２層膜を形成し、パックギャップ形成面に鉛含有ガラス
薄膜を形成後、ガラスの軟化点以上の不活性ガス雰囲気
で熱処理して高精度なギャップを持つ磁気ヘッドを得る
ものである。ここで、Ｆ・−ムｌ −Ｓｉ系合金にＴｉ
と０を少量混入させることによりテープとの走行による
摩耗量が著しく減少し、耐摩耗性が向上する。またフロ
ントギャップ形成面のセラミックスとガラスの界面にお
いては、熱処理によって化学反応が起こり強固なギャッ
プを形成することが出来、これにより高精度な狭ギャッ
プを得ることが可能となまた。この方法で得られた磁気
ヘッドは、従来のバルク型センダスト磁気ヘッドと比較
しても、テープとの摩耗量、及び高周波における再生出
力特性等で著しく優れており、８ｍｍＶ’ｌ’ＲやＤＡ
Ｔ等の高密度磁気記録用磁気ヘッドとしての対応が期待
される。
第１図は本発明の一実施例におけるＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系
合金薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図はガラス基板上に
Ｆｅ−ムｌ −Ｓｉ系合金薄膜とＳｉＯ２薄膜の積層膜
を形成した時の断面図、第３図は、突合せ型磁気ヘッド
の形状に切断した一対のコアブロックの斜視図、第４図
はギャップ材料を形成した時の断面図、第５図（ａ）
、 （ｂ） 、 （ｃ）は比較例のバルク型Ｆｅ−ム！
−Ｓｉ系磁気ヘッドを示す斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｆｅ〜Ａｌ
−Ｓｉ系合金薄膜、３・・・・・・ＳｉＯ２薄膜、４・
川・・フロントギャップ形成面、６・・・・・・バック
ギャップ形成面、６・・・・・・巻線ミゾ、７・・・・
・・セラミック薄膜、８・・・・・・ガラス薄膜、９・
・・・・・Ｆｅ−ムｌ −Ｓｉ系合金チップ、１゜・・
・・・・ムｇ−Ｃｕ−Ｉｎ薄膜、１１・・・・・・５１
０２ とガラスで接合された非磁性薄膜部、１２・・・
・・・ムｇ−Ｃｕ−Ｉｎ 系合金薄膜を用いた溶着部。 第１図 第２図 第３図 ｗＩｋ４ｒｇＪ
合金薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図はガラス基板上に
Ｆｅ−ムｌ −Ｓｉ系合金薄膜とＳｉＯ２薄膜の積層膜
を形成した時の断面図、第３図は、突合せ型磁気ヘッド
の形状に切断した一対のコアブロックの斜視図、第４図
はギャップ材料を形成した時の断面図、第５図（ａ）
、 （ｂ） 、 （ｃ）は比較例のバルク型Ｆｅ−ム！
−Ｓｉ系磁気ヘッドを示す斜視図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・Ｆｅ〜Ａｌ
−Ｓｉ系合金薄膜、３・・・・・・ＳｉＯ２薄膜、４・
川・・フロントギャップ形成面、６・・・・・・バック
ギャップ形成面、６・・・・・・巻線ミゾ、７・・・・
・・セラミック薄膜、８・・・・・・ガラス薄膜、９・
・・・・・Ｆｅ−ムｌ −Ｓｉ系合金チップ、１゜・・
・・・・ムｇ−Ｃｕ−Ｉｎ薄膜、１１・・・・・・５１
０２ とガラスで接合された非磁性薄膜部、１２・・・
・・・ムｇ−Ｃｕ−Ｉｎ 系合金薄膜を用いた溶着部。 第１図 第２図 第３図 ｗＩｋ４ｒｇＪ
Claims (3)
- （１）ガラス基板上にチタン（Ｔｉ）０．１〜５．０重
量％および酸素（Ｏ）を０．００１〜０．１重量％含む
センダスト合金（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）の磁性体膜
をＳｉＯ＿２の非磁性体膜と交互に積層形成したものを
突合せ型磁気ヘッド形状の一方のコア部になるようにす
べく切断し、一対のコアブロックを準備した後、フロン
トギャップ形成面に非磁性層としてセラミックスと鉛含
有ガラスの２層膜を、リアギャップ形成面に鉛含有ガラ
ス膜を形成後、ギャップ形成面同志を合わせた状態でガ
ラスの軟化点以上の不活性ガス雰囲気で熱処理して一対
のコアを接合することによって磁気的なギャップを形成
することを特徴とする合金磁気ヘッドの製造方法。 - （２）非磁性層のセラミック薄膜が石英（ＳｉＯ＿２）
、ジルコニア（ＺｒＯ＿２）、マグネシア（ＭｇＯ）、
スピネル（ＭｇＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３）のうちの一種以上
で形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の合金磁気ヘッドの製造方法。 - （３）非磁性層のガラス薄膜の主成分が酸化鉛（ＰｂＯ
）と二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）および酸化ナトリウム
（Ｎａ＿２Ｏ）でなっておりその組成がそれぞれ７５重
量％、２０重量％、５重量％であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の合金磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209166A JPS6267712A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60209166A JPS6267712A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267712A true JPS6267712A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16568420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60209166A Pending JPS6267712A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104739A (en) * | 1988-10-31 | 1992-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated magnetic material and method of producing the same |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP60209166A patent/JPS6267712A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5104739A (en) * | 1988-10-31 | 1992-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated magnetic material and method of producing the same |
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