JPS6150201A - 合金磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
合金磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6150201A JPS6150201A JP59171905A JP17190584A JPS6150201A JP S6150201 A JPS6150201 A JP S6150201A JP 59171905 A JP59171905 A JP 59171905A JP 17190584 A JP17190584 A JP 17190584A JP S6150201 A JPS6150201 A JP S6150201A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は合金磁気配器ヘッドの製造方法に関し、特に高
精度なギャップ形成方法に関するものである。
精度なギャップ形成方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、磁気記録は高密度化の方向へ進みつつある。高密
度記録達成のためには、記録減磁の点から、配器磁界の
広がりをできるだけ狭くする必要があり、このたｊ９に
は記録媒体−磁気ヘッド間の接触をよくするヘッド構造
と、ギャップの精密加工および磁心ギャップ近傍の磁気
飽和の生じにくい高飽和磁束密度磁心材料（自己減磁の
点から高抗磁力磁気記録媒体の使用が必要なた込）が望
まれている。
度記録達成のためには、記録減磁の点から、配器磁界の
広がりをできるだけ狭くする必要があり、このたｊ９に
は記録媒体−磁気ヘッド間の接触をよくするヘッド構造
と、ギャップの精密加工および磁心ギャップ近傍の磁気
飽和の生じにくい高飽和磁束密度磁心材料（自己減磁の
点から高抗磁力磁気記録媒体の使用が必要なた込）が望
まれている。
そして、現在このような高性能磁気ヘッドのコア材とし
て鉄（Ｆｅ）８４．２重量％、アルミニウム（Ａｚ）ｅ
、２重量％、シリコン（Ｓｉ）９．６重量％から成る合
金（センダスト）を用いた高精度なナローギャップを有
する磁気ヘッドが最も適したものの１つとされており、
その普及が磁気記録の分野で切望でれている。
て鉄（Ｆｅ）８４．２重量％、アルミニウム（Ａｚ）ｅ
、２重量％、シリコン（Ｓｉ）９．６重量％から成る合
金（センダスト）を用いた高精度なナローギャップを有
する磁気ヘッドが最も適したものの１つとされており、
その普及が磁気記録の分野で切望でれている。
しかしながら、コア材として用いるＦｅ−Ａｚ−Ｓｉ合
金の性質上、センダスト磁気ヘッドにおいて高精度なナ
ローギャップを形成することが極めて困難であり、これ
が上述の磁気ヘッドの普及を阻んでいた。例えば、従来
のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）磁気ヘッドのギ
ャップ形成法の一例を示すと、第１図のように片方のＦ
ｅ−Ａｔ−３ｔ合金（センダスト）テップ１のギャップ
形成面（テープ走行面）に石英（Ｓｉｎ２）膜３をスパ
ッタ法にて形成し、次に低融点の銀ローはく）例えば銀
−銅一カドミウムー亜鉛系合金）４を用いてもう一方の
Ｆｅ −Ａｚ−ｓｔ金合金センダスト）チップ２とはり
合わせるという方法で形成されていた。
金の性質上、センダスト磁気ヘッドにおいて高精度なナ
ローギャップを形成することが極めて困難であり、これ
が上述の磁気ヘッドの普及を阻んでいた。例えば、従来
のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）磁気ヘッドのギ
ャップ形成法の一例を示すと、第１図のように片方のＦ
ｅ−Ａｔ−３ｔ合金（センダスト）テップ１のギャップ
形成面（テープ走行面）に石英（Ｓｉｎ２）膜３をスパ
ッタ法にて形成し、次に低融点の銀ローはく）例えば銀
−銅一カドミウムー亜鉛系合金）４を用いてもう一方の
Ｆｅ −Ａｚ−ｓｔ金合金センダスト）チップ２とはり
合わせるという方法で形成されていた。
しかし、上記の方法では、テープ走行面のギャップ部（
フロントギャップ部）に用いられる石英（Ｓ ｉ０２
）とＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金（センダスト）とは、その熱
膨張係数が大巾に異なるために（石英の熱膨張係数１．
７Ｘ １０−６Ｘ℃、 Ｆ ｅ Ａｔ−５ｉ合金の熱膨
張係数１３．５Ｘ１０７℃）フロントギャップの石英部
分がテープ走行時１ｃ Ｆ ｅ−Ａｚ−ｓ ｉ合金から
はがれてしまい、ギャップの精度が低下する原因となっ
ていた。すなわちギャップかけの原因となっていた。ま
たテープ走行面と反対側のギャップ（パックギャップ）
Ｋ用いられている銀ロー材４は、一般ＫＦｅ−Ａｔ−５
ｉ合金との結合力を増すために低融点の銀−銅一カドミ
、ウムー亜鉛系のロー材が用いられている。このロー材
はその熱膨張係数が大きく（約１７〜１８×１０−６Ｘ
℃）しかもギャップ形成時１ｃ Ｆ ｅ−Ａｔ−５ｉ合
金との相互拡散が大きいため銀ロー材が融解後固化する
時にＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金部分にひび割れが生じ、その
影響を受けて、ギヤツブ巾の制御や平行性を得ることが
困難であるという欠点を有していた。
フロントギャップ部）に用いられる石英（Ｓ ｉ０２
）とＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金（センダスト）とは、その熱
膨張係数が大巾に異なるために（石英の熱膨張係数１．
７Ｘ １０−６Ｘ℃、 Ｆ ｅ Ａｔ−５ｉ合金の熱膨
張係数１３．５Ｘ１０７℃）フロントギャップの石英部
分がテープ走行時１ｃ Ｆ ｅ−Ａｚ−ｓ ｉ合金から
はがれてしまい、ギャップの精度が低下する原因となっ
ていた。すなわちギャップかけの原因となっていた。ま
たテープ走行面と反対側のギャップ（パックギャップ）
Ｋ用いられている銀ロー材４は、一般ＫＦｅ−Ａｔ−５
ｉ合金との結合力を増すために低融点の銀−銅一カドミ
、ウムー亜鉛系のロー材が用いられている。このロー材
はその熱膨張係数が大きく（約１７〜１８×１０−６Ｘ
℃）しかもギャップ形成時１ｃ Ｆ ｅ−Ａｔ−５ｉ合
金との相互拡散が大きいため銀ロー材が融解後固化する
時にＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金部分にひび割れが生じ、その
影響を受けて、ギヤツブ巾の制御や平行性を得ることが
困難であるという欠点を有していた。
発明の目的
本発明の目的は、磁気的なナローギャップを高精度で形
成し、かつ形成されたギャップか高い機械的強度を持つ
ことを可能とするＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金磁気ヘッドの製
造方法を提供するものである。
成し、かつ形成されたギャップか高い機械的強度を持つ
ことを可能とするＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金磁気ヘッドの製
造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明のＦｅ−Ａｌ−３ｔ合金磁気ヘッド及びその製造
方法は、合わせれば磁気ヘッドの形状となる一対のＦｅ
−Ａｔ−Ｓｉ合金チップのテープ走行面となるフロント
ギャップ形成面に均一な厚さでＺｒＯＭｇＯＭｇ０−Ａ
ｌ２Ｏ２の’）ちイスｉカーｙｉ２ ＋ １ からなる薄膜を、あるいはさらにその上に均一な厚ざで
５ｉ０２−Ｐｂ０−Ｎ ａ ２０系ガラスにおいて、５
１０２が２ｏ〜８０重量％含むガラス薄膜を形成した後
、テープ走行面と反対側のバックギャップ形成面（接合
面）に銀ロー合金としては高融点でしかも比較的熱膨張
係数がＦｅ−Ａｔ−３ｔ合金に近いＡｇ−Ｃｕ −Ｉｎ
系合金薄膜（Ｃｕが１０〜５ｏ重量％、Ｉｎが１〜３０
重量％含まれている組成のもの）を高精度に厚みを制御
して形成し、上記左右のＦｅ−Ａｌ−３ｔ合金テップの
同一種のギヤ、プ形成ｆ同志を合わせた状態で、一対の
センダストチップを保持したまま、ガラスの軟化点およ
びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の液相出現温度以上の１気圧
以下の非酸化性雰囲気で処理し、上記の合わせた膜同志
を拡散接合することによってナローギャップを形成する
ものである。
方法は、合わせれば磁気ヘッドの形状となる一対のＦｅ
−Ａｔ−Ｓｉ合金チップのテープ走行面となるフロント
ギャップ形成面に均一な厚さでＺｒＯＭｇＯＭｇ０−Ａ
ｌ２Ｏ２の’）ちイスｉカーｙｉ２ ＋ １ からなる薄膜を、あるいはさらにその上に均一な厚ざで
５ｉ０２−Ｐｂ０−Ｎ ａ ２０系ガラスにおいて、５
１０２が２ｏ〜８０重量％含むガラス薄膜を形成した後
、テープ走行面と反対側のバックギャップ形成面（接合
面）に銀ロー合金としては高融点でしかも比較的熱膨張
係数がＦｅ−Ａｔ−３ｔ合金に近いＡｇ−Ｃｕ −Ｉｎ
系合金薄膜（Ｃｕが１０〜５ｏ重量％、Ｉｎが１〜３０
重量％含まれている組成のもの）を高精度に厚みを制御
して形成し、上記左右のＦｅ−Ａｌ−３ｔ合金テップの
同一種のギヤ、プ形成ｆ同志を合わせた状態で、一対の
センダストチップを保持したまま、ガラスの軟化点およ
びＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金の液相出現温度以上の１気圧
以下の非酸化性雰囲気で処理し、上記の合わせた膜同志
を拡散接合することによってナローギャップを形成する
ものである。
フロントギャップ面の非磁性セラミック薄膜の熱膨張係
数（Ｚ ｒ ０２ ”、 １０ Ｘ １ｏ−６７’Ｃ、
ＭｇＯ”。
数（Ｚ ｒ ０２ ”、 １０ Ｘ １ｏ−６７’Ｃ、
ＭｇＯ”。
１２ Ｘ １０−６／℃、 ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３：１ｏ
×１０−６／℃）はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金とよく一致し
ていることから、接合面ではがれることなくギャップを
得ることが出来る。また非磁性セラミック薄膜上にガラ
スを形成した場合は、非磁性セラミック薄膜のとｔく表
面とガラス薄膜のごく表面は、化学反応によシご〈薄い
化合物層が形成され機械的にかなり高い強度を有するギ
ャップを得ることが出来る。
×１０−６／℃）はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金とよく一致し
ていることから、接合面ではがれることなくギャップを
得ることが出来る。また非磁性セラミック薄膜上にガラ
スを形成した場合は、非磁性セラミック薄膜のとｔく表
面とガラス薄膜のごく表面は、化学反応によシご〈薄い
化合物層が形成され機械的にかなり高い強度を有するギ
ャップを得ることが出来る。
また、このギャップ幅は反応層がごく表面だけで起こる
ため非磁性セラミック薄膜とガラス薄膜の厚さで規定出
来ることになる。次にバックギャソ１ プ面ｔ
７）Ａｑ−Ｃｕ−４ｎ系合金は、Ｆｅ−Ａｌ−５ｔ合金
との接合部分において相互拡散が生じるため強固でかつ
、ひび割れを生じることのないバンクギャップの接合が
可能となった。
ため非磁性セラミック薄膜とガラス薄膜の厚さで規定出
来ることになる。次にバックギャソ１ プ面ｔ
７）Ａｑ−Ｃｕ−４ｎ系合金は、Ｆｅ−Ａｌ−５ｔ合金
との接合部分において相互拡散が生じるため強固でかつ
、ひび割れを生じることのないバンクギャップの接合が
可能となった。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
以下に示すような方法で、第１図と類似の形状のＦｅ−
Ａｚ−Ｓｉ合金へラドピースを作製し、検討した。
Ａｚ−Ｓｉ合金へラドピースを作製し、検討した。
まず第２図ａのような巾３鵡、高さ２閣、長さ２Ｃ）ａ
＋＋の棒状のＦｅ−Ａｔ−５Ｌ合金上にダイヤ％７ド砥
石によって巾０．３５ｍの巻線用のミゾ入れを行なった
一対の船型ヘッドピースのテップ１，２を用意し、フロ
ントギャップ面６およびバックギャップ面６を鏡面研摩
（最大表面荒さＲｍａｘｘＯ１０１μｍ）した０ 次に第２図すのようにフロントギャップ部分のはり合せ
部分の両方にスパッタ法を用いて酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ Ｏ２）の薄膜７を形成した０（この場合バンクギ
ャップ部には、ＺｒＯ２が入らないようにマスクをほど
こした。）ここで、上述の酸化ジルコニウム薄膜は、厚
さが均一に０．１６μｍであつた。次に同じくスパッタ
法にてバックギャップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ
−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜９を形成した。（この場合フロ
ントギャップ部にはＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金が入らない
ようにマスクをしておく）ここで上述のＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ薄膜は、浮きが均一にＱ、１６μｍで、その組成が１
９７５重量％、Ｃｕ １ｏ重量％、Ｉｎ１５重量％のも
のである。これらのスパン法によ）得られたフロントギ
ャップ側（Ｚ ｒ ０２層）及びバックギャップ側（Ａ
ｇ−Ｃｕ−４ｎ層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対の
へラドピースのチップとした状態で１気圧のＮ２雰囲気
中で９００℃の温度で１時間処理を行って、一対のＦｅ
−Ａｚ−Ｓｉ合金チップのギャップ部のはり合わせ部分
の薄膜同志を拡散接合処理した。
＋＋の棒状のＦｅ−Ａｔ−５Ｌ合金上にダイヤ％７ド砥
石によって巾０．３５ｍの巻線用のミゾ入れを行なった
一対の船型ヘッドピースのテップ１，２を用意し、フロ
ントギャップ面６およびバックギャップ面６を鏡面研摩
（最大表面荒さＲｍａｘｘＯ１０１μｍ）した０ 次に第２図すのようにフロントギャップ部分のはり合せ
部分の両方にスパッタ法を用いて酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒ Ｏ２）の薄膜７を形成した０（この場合バンクギ
ャップ部には、ＺｒＯ２が入らないようにマスクをほど
こした。）ここで、上述の酸化ジルコニウム薄膜は、厚
さが均一に０．１６μｍであつた。次に同じくスパッタ
法にてバックギャップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ
−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜９を形成した。（この場合フロ
ントギャップ部にはＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金が入らない
ようにマスクをしておく）ここで上述のＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ薄膜は、浮きが均一にＱ、１６μｍで、その組成が１
９７５重量％、Ｃｕ １ｏ重量％、Ｉｎ１５重量％のも
のである。これらのスパン法によ）得られたフロントギ
ャップ側（Ｚ ｒ ０２層）及びバックギャップ側（Ａ
ｇ−Ｃｕ−４ｎ層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対の
へラドピースのチップとした状態で１気圧のＮ２雰囲気
中で９００℃の温度で１時間処理を行って、一対のＦｅ
−Ａｚ−Ｓｉ合金チップのギャップ部のはり合わせ部分
の薄膜同志を拡散接合処理した。
このようにして得られた第３図に示すヘッドピースの断
面を持つ棒状のロンドを、切断と機械的研摩により１５
０μｍの薄片状にしてＦｅ−ＡＬ−Ｓｉ合金へラドピー
スを得た。
面を持つ棒状のロンドを、切断と機械的研摩により１５
０μｍの薄片状にしてＦｅ−ＡＬ−Ｓｉ合金へラドピー
スを得た。
得られた薄板Ｆ ｅ −Ａ ｌ−３ｉ合金ヘッドピース
のフロントギャップ部およびパックギャップ部を研摩し
ギャップの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。
のフロントギャップ部およびパックギャップ部を研摩し
ギャップの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。
その結果フロントギャップの巾もバックギャップの巾も
共にｏ、３０μｍであり、ギャップ面が平行であること
が観測された。しかもフロントギャップおよびバックギ
ャップ材料の熱膨張係数がＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金と近い
ために接合面にひび割れなどが発生していなかった。さ
らに、形成されたギャップ部の機械的強度を検討するた
めに１ギャップ面の両側のＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金材を１
０ Ｋｙ−ｍｎ の応力で引張り試験したが、ギャッ
プ接合面ではがれず、機械的強度にもすぐれていること
がわかった。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μ
ｍに機械加工した時およびこの磁気ヘッドに磁気テープ
（保磁力ＨＣ；１４００エールステッド飽和磁束密度Ｂ
ｒ；３０００ガウス）を相対速度３．４５ｍ／ｓｅｃで
走行させた時にもギャップ部の「カケ」の発生は認めら
れなかった。またこのヘッドの巻線みそにコイルを２５
タ一ン巻いた時の５ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は
２５０μＶ（ピークツーピーク）であった。
共にｏ、３０μｍであり、ギャップ面が平行であること
が観測された。しかもフロントギャップおよびバックギ
ャップ材料の熱膨張係数がＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金と近い
ために接合面にひび割れなどが発生していなかった。さ
らに、形成されたギャップ部の機械的強度を検討するた
めに１ギャップ面の両側のＦｅ−Ａｔ−Ｓｉ合金材を１
０ Ｋｙ−ｍｎ の応力で引張り試験したが、ギャッ
プ接合面ではがれず、機械的強度にもすぐれていること
がわかった。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μ
ｍに機械加工した時およびこの磁気ヘッドに磁気テープ
（保磁力ＨＣ；１４００エールステッド飽和磁束密度Ｂ
ｒ；３０００ガウス）を相対速度３．４５ｍ／ｓｅｃで
走行させた時にもギャップ部の「カケ」の発生は認めら
れなかった。またこのヘッドの巻線みそにコイルを２５
タ一ン巻いた時の５ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は
２５０μＶ（ピークツーピーク）であった。
この結果を表１の試料番号２に示す。
以下同様の方法で、フロントギャップ部分の非磁性層の
材料およびバックギャップ部分のＡｇ−Ｃｕ−４ｎ系合
金の組成を変えた試料を表１の試料番号１及び３〜１２
に示す。
材料およびバックギャップ部分のＡｇ−Ｃｕ−４ｎ系合
金の組成を変えた試料を表１の試料番号１及び３〜１２
に示す。
なお本実施例において磁気特性に影響をおよぼすＦｅ−
Ａｔ−Ｓｉ合金テップの組成については、熱処理の前後
で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライザ
を用いた分析によって確認できた。その結果センダスト
の飽和磁束密度Ｂｓは８６６０ガウス、保磁力Ｈｃは０
．０３エールステツド、交流初透磁率μは６１（ただし
２００μｍ厚の場合）であり、熱処理による磁気特性の
変化も認められなかった。また非強磁性セラミック膜の
組成である”ｑ、ＡＩ、Ｚｒ等のイオンは０．０１μｍ
以上深くセンダスト内部に拡散していないことも確認で
きた。
Ａｔ−Ｓｉ合金テップの組成については、熱処理の前後
で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライザ
を用いた分析によって確認できた。その結果センダスト
の飽和磁束密度Ｂｓは８６６０ガウス、保磁力Ｈｃは０
．０３エールステツド、交流初透磁率μは６１（ただし
２００μｍ厚の場合）であり、熱処理による磁気特性の
変化も認められなかった。また非強磁性セラミック膜の
組成である”ｑ、ＡＩ、Ｚｒ等のイオンは０．０１μｍ
以上深くセンダスト内部に拡散していないことも確認で
きた。
ここで接合に有効なＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ薄膜の組成として
は、表１よ５Ｃｕ量が１０〜５０重量％、Ｉｎ分が１〜
３Ｑ重量予の範囲であることがわかる。この範囲をばず
ｎる組成のものは、Ｆ ｅ−Ａｚ−Ｓｉ合金とのぬれ性
の不足あるいは液相出現温度が高いといった理由で不適
当でちった。尚比較例として示した試料ノに１は接合し
なかったのでギ徊ツブ巾の観察、テープ走行試験及び磁
気特性の測定は行なえなかった。また黒６は接合後の機
械加工ではがれたので特性の測定は行なえな力）った。
は、表１よ５Ｃｕ量が１０〜５０重量％、Ｉｎ分が１〜
３Ｑ重量予の範囲であることがわかる。この範囲をばず
ｎる組成のものは、Ｆ ｅ−Ａｚ−Ｓｉ合金とのぬれ性
の不足あるいは液相出現温度が高いといった理由で不適
当でちった。尚比較例として示した試料ノに１は接合し
なかったのでギ徊ツブ巾の観察、テープ走行試験及び磁
気特性の測定は行なえなかった。また黒６は接合後の機
械加工ではがれたので特性の測定は行なえな力）った。
（比較例１）
また比較のために、従来の形成法によるギャップをもつ
ヘッドピースを作製した。すなわちフロントギャップ部
に厚さが０．１５μｍの硬質石英膜を形成し、バックギ
ャップ部に１μｍ厚のＡｇ −Ｃｕ−Ｚｎ−Ｃｄ系合金
箔を用いてヘッドピースを１＠着し、第３図に示すもの
と同じＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金ヘッドを作製した。このヘ
ッドピースのギヤノブ部分についても実施例と同様の検
査を行なった。
ヘッドピースを作製した。すなわちフロントギャップ部
に厚さが０．１５μｍの硬質石英膜を形成し、バックギ
ャップ部に１μｍ厚のＡｇ −Ｃｕ−Ｚｎ−Ｃｄ系合金
箔を用いてヘッドピースを１＠着し、第３図に示すもの
と同じＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金ヘッドを作製した。このヘ
ッドピースのギヤノブ部分についても実施例と同様の検
査を行なった。
その結果１０に９・珊 の応力での引張り試験でもはが
れなかったが、ギャップ面の平行性は著しく劣っていた
。フロントギャップの巾は０．５３μｍであり、バンク
ギャップの巾は０．２４μｍであった。
れなかったが、ギャップ面の平行性は著しく劣っていた
。フロントギャップの巾は０．５３μｍであり、バンク
ギャップの巾は０．２４μｍであった。
次にフロントヘッド部分を機械加工した時および磁気テ
ープを走行させた時においてギャップ部分にカケが生じ
た。
ープを走行させた時においてギャップ部分にカケが生じ
た。
またこのヘッドの巻線みぞにコイルを２５タ一ン巻いた
時の５ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は５０μ■ｐ−
ｐであった。
時の５ＭＨｚでのヘッドの再生出力電圧は５０μ■ｐ−
ｐであった。
この結果を表１の試料番号１３に示す。
以下余白
（実施例２）
実施例１と同様の方法でＦｅ−Ａｌ−５ｉ合金の加工を
行ない、一対の船型ヘフドピースのチップを作製した。
行ない、一対の船型ヘフドピースのチップを作製した。
次に第２図Ｃのようにフロントギャップ部分の両方ニス
バッタ法を用いて酸化ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２ ）
の薄Ｍ７を形成し、さらにその上に同じくスパッタ法で
ガラス薄膜８を形成した。（この場合バックギャップ部
には、Ｚ ｒ Ｏ２およびガラスが入らないようにマス
クをほどこした。）ことで上述の酸化ジルコニウム薄膜
は、厚さが均一に０．１０μｍであった。一方上述のガ
ラス薄膜は、厚さが均一に０．０６μｍで、その組成が
、主成分としてＳ ｓ Ｏ２が２０重量％、ＰｂＯが７
５重量％およびＮ ａ ２０が６重量％からなるガラス
薄膜である。
バッタ法を用いて酸化ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２ ）
の薄Ｍ７を形成し、さらにその上に同じくスパッタ法で
ガラス薄膜８を形成した。（この場合バックギャップ部
には、Ｚ ｒ Ｏ２およびガラスが入らないようにマス
クをほどこした。）ことで上述の酸化ジルコニウム薄膜
は、厚さが均一に０．１０μｍであった。一方上述のガ
ラス薄膜は、厚さが均一に０．０６μｍで、その組成が
、主成分としてＳ ｓ Ｏ２が２０重量％、ＰｂＯが７
５重量％およびＮ ａ ２０が６重量％からなるガラス
薄膜である。
次に同じくスパッタ法にてバックギャップ部のはり合わ
せ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜９を形成し
た。（この場合フロントギャップ部にはＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金が入らないようにマスクをしておく）ここで上
述のＡｇ −Ｃｕ −Ｉｎ薄膜は、厚をが均一に０．１
５μｍで、その組成がＡｑ６５重量％、Ｃｕ３０重量％
、Ｉｎ１５．ｉ量チなるものである。
せ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜９を形成し
た。（この場合フロントギャップ部にはＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金が入らないようにマスクをしておく）ここで上
述のＡｇ −Ｃｕ −Ｉｎ薄膜は、厚をが均一に０．１
５μｍで、その組成がＡｑ６５重量％、Ｃｕ３０重量％
、Ｉｎ１５．ｉ量チなるものである。
これらのスパッタ法によシ得られたフロントギャップ側
（ＺｒＯ２−ガラス層）及びバンクギャップ側（Ａｇ−
Ｃｕ−Ｉｎ層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対のセン
ダストチップとした状態で真空雰囲気（１Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ）中で９００℃の温度で１時間処理を行なっ
て、一対のＦｅ−ＡＬ−３ｔ合金チップのギヤング部の
はり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処理した。
（ＺｒＯ２−ガラス層）及びバンクギャップ側（Ａｇ−
Ｃｕ−Ｉｎ層）をそれぞれ互いにつき合わせ一対のセン
ダストチップとした状態で真空雰囲気（１Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ）中で９００℃の温度で１時間処理を行なっ
て、一対のＦｅ−ＡＬ−３ｔ合金チップのギヤング部の
はり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処理した。
このようにして得られた第３図に示すヘッドピースの断
面を持つ棒状のロッドを、切断と機緘的研ｇＫより１５
０μｍの薄片状に切断してＦｅ−Ａｔ−３ｉ合金へラド
ピースを得た。
面を持つ棒状のロッドを、切断と機緘的研ｇＫより１５
０μｍの薄片状に切断してＦｅ−Ａｔ−３ｉ合金へラド
ピースを得た。
得られた薄板Ｆｅ−Ａｌ、−３ｉ合金へラドピースのフ
ロントギャップ部およびバックギャップ部を研摩し、ギ
ャップの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。その結果フ
ロントギャップの巾もバックギャップの巾も共に０．３
０μｍであり、ギャップ面が平行であることが観測され
た。し〃・もフロントギャップおよびバックギャップ材
料の熱膨張係数がＦｅ−Ａｌ−３ｉ合金と近いために接
合面にひび割れなどが発生していなかった。さらに１形
成されたギャップ部の機械的強度を検討するために、ギ
ャップ面の両側のＦａ−Ａｌ−３１合金材をＩ Ｑ Ｋ
ｙ −６−２の応力で引張り試験したが、ギャップ接合
面ではがれず、機械的強度にもすぐれていることがわか
った。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μｍに機
械加工した時およびこの磁気ヘッドに磁気テープ（保磁
力Ｈａ；１４００エールステッド飽和磁束密度Ｂｒ；３
０００ガウス）を相対速度３．４Ｅ５ ｍ／ＳＯＣで走
行させた時ギャップ部の「カケＪの発生Ｖｉ認められな
かった。またこのヘッドの巻線みぞにコイルを２５タ一
ン巻いた時の５ＭＨｚでのヘッドの再住出力電圧は、２
５０μＶ （ヒークツーピーク）であった。
ロントギャップ部およびバックギャップ部を研摩し、ギ
ャップの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。その結果フ
ロントギャップの巾もバックギャップの巾も共に０．３
０μｍであり、ギャップ面が平行であることが観測され
た。し〃・もフロントギャップおよびバックギャップ材
料の熱膨張係数がＦｅ−Ａｌ−３ｉ合金と近いために接
合面にひび割れなどが発生していなかった。さらに１形
成されたギャップ部の機械的強度を検討するために、ギ
ャップ面の両側のＦａ−Ａｌ−３１合金材をＩ Ｑ Ｋ
ｙ −６−２の応力で引張り試験したが、ギャップ接合
面ではがれず、機械的強度にもすぐれていることがわか
った。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μｍに機
械加工した時およびこの磁気ヘッドに磁気テープ（保磁
力Ｈａ；１４００エールステッド飽和磁束密度Ｂｒ；３
０００ガウス）を相対速度３．４Ｅ５ ｍ／ＳＯＣで走
行させた時ギャップ部の「カケＪの発生Ｖｉ認められな
かった。またこのヘッドの巻線みぞにコイルを２５タ一
ン巻いた時の５ＭＨｚでのヘッドの再住出力電圧は、２
５０μＶ （ヒークツーピーク）であった。
この結果を表１の試料番号１５に示す。
以下同様の方法でフロントギャップ部分の非磁性層の材
、ＲおよびＳ １０２ Ｐ ｂ ＯＮ ａ ２０系ガラ
スの組成を変えた試料の各種試験結果を辰２の試料番号
１４及び１６〜２３に示す。
、ＲおよびＳ １０２ Ｐ ｂ ＯＮ ａ ２０系ガラ
スの組成を変えた試料の各種試験結果を辰２の試料番号
１４及び１６〜２３に示す。
なお本実施例において、磁気特性に影響をおよぼすＦｅ
−Ａｚ−Ｓｉ合金チップの組成については、熱処理の前
後で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライ
ザを用いた分析によって確認できた。その結果センダス
トの飽和磁束密度Ｂｓ ｆ′１８６５０ガウス、保磁力
Ｈａは０．０３エールステツド、交流初透磁率μは６１
（ただし２００μｍ厚の場合）であり、熱処理による磁
気特性の変化も認められなかった。また非強磁性セラミ
、り膜の組成であるＭｑ、Ａｔ、Ｚｒ等のイオンは０．
０１ μｎ以上深くセンダスト内部に拡散していないこ
とも確認できた。
−Ａｚ−Ｓｉ合金チップの組成については、熱処理の前
後で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナライ
ザを用いた分析によって確認できた。その結果センダス
トの飽和磁束密度Ｂｓ ｆ′１８６５０ガウス、保磁力
Ｈａは０．０３エールステツド、交流初透磁率μは６１
（ただし２００μｍ厚の場合）であり、熱処理による磁
気特性の変化も認められなかった。また非強磁性セラミ
、り膜の組成であるＭｑ、Ａｔ、Ｚｒ等のイオンは０．
０１ μｎ以上深くセンダスト内部に拡散していないこ
とも確認できた。
ここでフロントギャップのセラミック薄膜と反応して強
固なギャップを形成するＳ １０２ Ｐ ｂ○−Ｎ ａ
２０ 系ガラスの組成としては表２かられかるように
、Ｓ １０２が２Ｑ〜８０重量％の時であった。
固なギャップを形成するＳ １０２ Ｐ ｂ○−Ｎ ａ
２０ 系ガラスの組成としては表２かられかるように
、Ｓ １０２が２Ｑ〜８０重量％の時であった。
Ｓ ｉＯ２量が少な（Ｐ ｂｏ量が極端に多い場合（試
料屋１４）はガラス自身の強度が非常に弱いためテープ
走行時にギャップくずれを起こす。またＳ ＞ ０２４
ｉＩが多い場合（試料罵１９）は、９００ｔ：の処理条
件において十分な軟化を生じないためセラミック薄膜と
の反応が起こらず、この場合もテープ走行時にギャップ
くずれを起こした０以上のことよりＳｉＯ２量としては
２０〜８０重量係が適当である。
料屋１４）はガラス自身の強度が非常に弱いためテープ
走行時にギャップくずれを起こす。またＳ ＞ ０２４
ｉＩが多い場合（試料罵１９）は、９００ｔ：の処理条
件において十分な軟化を生じないためセラミック薄膜と
の反応が起こらず、この場合もテープ走行時にギャップ
くずれを起こした０以上のことよりＳｉＯ２量としては
２０〜８０重量係が適当である。
以下余白
−【
発明の効果
以上の説明および表１，２から明らかなようＫ、本発明
はＦｅ−Ａ４−５ｉ合金磁気記録ヘッドにおいて、合わ
せれば磁気ヘッドの形状となる一対のＦｅ−Ａｌ−−３
ｔ合金チップのフロントギャップ形成面（磁気テープ走
行面）に高精度の厚みで非強磁性セラミックス薄膜を形
成し次いでバックギャップ面に銀ロー（Ａｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系）薄膜を形成した後、これらの同一ギャップ面同志
をつき合わせた状態で、一対のＦｅ−Ａｔ−３ｉチツプ
を保持したまま、銀ローが溶融する温度以上の１気圧以
下の非酸化性雰囲気で処理して、上記の合わせた銀ロー
薄膜同志を拡散接合することによってＦｅ−Ａｔ−５ｉ
同志の強固な結合が可能となる。ここでフロントギャッ
プのＦｅ−ＡＬ−３ｉ合金と非磁性セラミック薄膜はそ
の熱膨張係数がよく一致しているこ（と力゛ら接合面７
ば７゛れ′とはな“・またゞう５ツク薄膜の接合面にお
いてはフロントギャップ形成面に対してバックギャップ
形成面の面積が非常べ大きく、かつ強固に接合している
ことから、非強磁性セラミック薄膜の突き合わせで形成
されているフロントギャップもバックギャップの接合力
の影響でかなり強固な機械的強度を持っている。
はＦｅ−Ａ４−５ｉ合金磁気記録ヘッドにおいて、合わ
せれば磁気ヘッドの形状となる一対のＦｅ−Ａｌ−−３
ｔ合金チップのフロントギャップ形成面（磁気テープ走
行面）に高精度の厚みで非強磁性セラミックス薄膜を形
成し次いでバックギャップ面に銀ロー（Ａｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系）薄膜を形成した後、これらの同一ギャップ面同志
をつき合わせた状態で、一対のＦｅ−Ａｔ−３ｉチツプ
を保持したまま、銀ローが溶融する温度以上の１気圧以
下の非酸化性雰囲気で処理して、上記の合わせた銀ロー
薄膜同志を拡散接合することによってＦｅ−Ａｔ−５ｉ
同志の強固な結合が可能となる。ここでフロントギャッ
プのＦｅ−ＡＬ−３ｉ合金と非磁性セラミック薄膜はそ
の熱膨張係数がよく一致しているこ（と力゛ら接合面７
ば７゛れ′とはな“・またゞう５ツク薄膜の接合面にお
いてはフロントギャップ形成面に対してバックギャップ
形成面の面積が非常べ大きく、かつ強固に接合している
ことから、非強磁性セラミック薄膜の突き合わせで形成
されているフロントギャップもバックギャップの接合力
の影響でかなり強固な機械的強度を持っている。
次に、フロントギャップ形成面に非強磁性セラミックス
薄膜を形成し、さらにその上に均一な厚さで５１０２
ＰｂＯＮａ２Ｏ系ガラス薄膜を形成し、パンクギャッ
プ面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系薄膜を形成した後、用いたガ
ラスの軟化点以上でしかも銀ローが溶融する温度以上の
１気圧以下の非酸化性雰囲気の条件で処理して接合した
場合のフロントギャップはセラミック薄膜とガラス薄膜
がその接合面で化学反応して機械的に高い強度を有する
ギャップを得ることが出来る。以上のことから非磁性薄
膜形成時の膜厚をコントロールすることによって、ギヤ
ツブ巾の制御が容易になり、従来困難とされていたＦｅ
−Ａｔ−３ｉ合金磁気ヘッドのギャップ形成に関して機
械的強度が高く、かつ高精度なナローギャップの形成が
容易に行なえるようになった。
薄膜を形成し、さらにその上に均一な厚さで５１０２
ＰｂＯＮａ２Ｏ系ガラス薄膜を形成し、パンクギャッ
プ面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系薄膜を形成した後、用いたガ
ラスの軟化点以上でしかも銀ローが溶融する温度以上の
１気圧以下の非酸化性雰囲気の条件で処理して接合した
場合のフロントギャップはセラミック薄膜とガラス薄膜
がその接合面で化学反応して機械的に高い強度を有する
ギャップを得ることが出来る。以上のことから非磁性薄
膜形成時の膜厚をコントロールすることによって、ギヤ
ツブ巾の制御が容易になり、従来困難とされていたＦｅ
−Ａｔ−３ｉ合金磁気ヘッドのギャップ形成に関して機
械的強度が高く、かつ高精度なナローギャップの形成が
容易に行なえるようになった。
これによって、高密度磁気配器ヘッドに適したギヤジブ
をもつＦｅ−ＡＬ−３ｔ合金磁気ヘッドの製造が容易に
行えることになる。
をもつＦｅ−ＡＬ−３ｔ合金磁気ヘッドの製造が容易に
行えることになる。
なお特許請求の範囲第２項において非磁性セラミック薄
膜を酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム。
膜を酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム。
スピネルに限定したのは、Ｆｅ−Ａｌ−３ｉ合金と、比
ｔｏ熱ｓ張係数が近く（ＺｒＯ２１ｏＸ１ｏ−６／ｌ：
、 Ｍｇ０１２ Ｘ １０−シ℃２ＭｑＯ＠Ａｔ２Ｑ
３１０×１ ｏ−’７／ １： ） Ｌかも硬度が大き
いのでテープ走行時にギャップの「カケ」がおこりにく
いためである。
ｔｏ熱ｓ張係数が近く（ＺｒＯ２１ｏＸ１ｏ−６／ｌ：
、 Ｍｇ０１２ Ｘ １０−シ℃２ＭｑＯ＠Ａｔ２Ｑ
３１０×１ ｏ−’７／ １： ） Ｌかも硬度が大き
いのでテープ走行時にギャップの「カケ」がおこりにく
いためである。
また特許請求の範囲第５項において、ガラスの組成をＳ
ｉ ０２−Ｐ ｂ Ｏ−Ｎ ａ ２０系に限定したの
は、上記ガラスの熱膨張係数（約１１×１０−６／℃）
がＦｅ−Ａｊ−３ｉ合金あるいはＺ ｒ Ｏ２、Ｍ ｇ
Ｏ。
ｉ ０２−Ｐ ｂ Ｏ−Ｎ ａ ２０系に限定したの
は、上記ガラスの熱膨張係数（約１１×１０−６／℃）
がＦｅ−Ａｊ−３ｉ合金あるいはＺ ｒ Ｏ２、Ｍ ｇ
Ｏ。
ＭｑＯ・Ａｌ２Ｏ３のそれとよく一致しておシしたがっ
て熱ひずみが入りにくく強い接着強度が得られるためで
ある。
て熱ひずみが入りにくく強い接着強度が得られるためで
ある。
こコテガ、１スをＳ ｉＯ２−Ｐ ｂ Ｏ−Ｎ ａ ２
０系に限定したが、熱膨張係数がＦｅ−Ａｔ−３ｔ合金
あるいはＺ ｒ Ｏ２、Ｍ ｇ Ｏ、Ｍ ｇ Ｏ−Ａ
Ｚ ２０３と一致しているガラスであれば上記以外のガ
ラスでもかな９強い接着力が得られることが確認されて
いる。
０系に限定したが、熱膨張係数がＦｅ−Ａｔ−３ｔ合金
あるいはＺ ｒ Ｏ２、Ｍ ｇ Ｏ、Ｍ ｇ Ｏ−Ａ
Ｚ ２０３と一致しているガラスであれば上記以外のガ
ラスでもかな９強い接着力が得られることが確認されて
いる。
また実施例において、Ｆｅ−Ａ４−３ｔ合金溶着の熱処
理雰囲気をＮ２中及び真空中で行ったが、別にこれに限
るわけではなく、非酸化性雰囲気（たとえばＡｒ雰囲気
等）であれば全て有効であることが確認されている。
理雰囲気をＮ２中及び真空中で行ったが、別にこれに限
るわけではなく、非酸化性雰囲気（たとえばＡｒ雰囲気
等）であれば全て有効であることが確認されている。
また熱間静水圧プレス（ＨＩ Ｐ ）処理によりＡｇ−
Ｃｕ−Ｉｎ薄膜を介してＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金磁心を溶
着する方法でも同様の効果が得られるが、ＨＩＰの装置
自体の価格が高く、高温・高圧使用（例：９０ｏ ℃、
１０００Ｋ１０００Ｋｆ−のためその取扱には充分な注
意が必要である。これに比べ、非酸化性雰囲気による処
理方法では、装置も簡単で、取扱いも容易であることか
ら量産性に優れた方法である。さらにＡｇ−Ｃｕ＝Ｉｎ
合金のＦｅ−Ａｔ−９ｉ合金磁心への拡散量がＨＩＰ処
理品に比べて少士であるにもかかわらず十分な強度を持
っていることから、接合面の状態及びギャップの平行度
等においても優れた方法である。
Ｃｕ−Ｉｎ薄膜を介してＦｅ−Ａｚ−ｓｉ合金磁心を溶
着する方法でも同様の効果が得られるが、ＨＩＰの装置
自体の価格が高く、高温・高圧使用（例：９０ｏ ℃、
１０００Ｋ１０００Ｋｆ−のためその取扱には充分な注
意が必要である。これに比べ、非酸化性雰囲気による処
理方法では、装置も簡単で、取扱いも容易であることか
ら量産性に優れた方法である。さらにＡｇ−Ｃｕ＝Ｉｎ
合金のＦｅ−Ａｔ−９ｉ合金磁心への拡散量がＨＩＰ処
理品に比べて少士であるにもかかわらず十分な強度を持
っていることから、接合面の状態及びギャップの平行度
等においても優れた方法である。
第１図は、従来のＦｅ’−Ａｌ−３ｉ合金系磁気ヘノド
の磁心を示す図、第２図ａ、ｌ）、ｃば、本発明の一実
施例におけるＦｅ−Ａｔ−３ｉ合金磁気へ、ドのギャッ
プ形成に用いた一対のＦｅ−Ａ１．−Ｓｔ合金チップを
示す図、第３図は、これらのＦｅ−Ａｔ−８１合金チッ
プを用いて作製したへッドビースを示す図である。 １．２・・・・・・Ｆｅ−Ａｔ−３ｔ合金チップ、３・
・・・・・ギャップ部に形成きれた硬質石英膜、４・・
・・・・銀ロー合金はくを用いた溶着部分、６・・・・
・・フロントギャップ部、６・・・・・・バックギャッ
プ部、７・・・・・・非磁性セラミック薄膜部、８・・
・・・・ガラス薄膜部、９・・・・・・銀−銅−インジ
ウム系合金薄膜部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ４
の磁心を示す図、第２図ａ、ｌ）、ｃば、本発明の一実
施例におけるＦｅ−Ａｔ−３ｉ合金磁気へ、ドのギャッ
プ形成に用いた一対のＦｅ−Ａ１．−Ｓｔ合金チップを
示す図、第３図は、これらのＦｅ−Ａｔ−８１合金チッ
プを用いて作製したへッドビースを示す図である。 １．２・・・・・・Ｆｅ−Ａｔ−３ｔ合金チップ、３・
・・・・・ギャップ部に形成きれた硬質石英膜、４・・
・・・・銀ロー合金はくを用いた溶着部分、６・・・・
・・フロントギャップ部、６・・・・・・バックギャッ
プ部、７・・・・・・非磁性セラミック薄膜部、８・・
・・・・ガラス薄膜部、９・・・・・・銀−銅−インジ
ウム系合金薄膜部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ４
Claims (5)
- （１）テープ走行面側に磁気的なギャップを有するフロ
ントギャップを、そして上記テープ走行面側と反対側に
接合を目的としたギャップであるバックギャップを有す
る鉄−アルミニウム−シリコン合金磁心材料よりなる左
右突合わせ型磁気ヘッドにおいて、左右の鉄−アルミニ
ウム−シリコン合金磁心のフロントギャップ面に非磁性
薄膜層として、セラミック層あるいはセラミック層上に
ガラス層を形成し、次に左右の鉄−アルミニウム−シリ
コン合金磁心のバックギャップ面に銀−銅−インジウム
系合金薄膜層を形成した後、上記左右の鉄−アルミニウ
ム−シリコン合金磁心の同一種のギャップ面同志を合わ
せた状態で、銀−銅−インジウム系合金の液相が出現す
る温度以上の１気圧以下の非酸化性雰囲気において熱処
理し、左右の磁心ブロックを拡散接合することによって
磁気的なギャップを形成することを特徴とする合金磁気
ヘッドの製造方法。 - （２）非磁性セラミック薄膜が、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ＿２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（
ＭｇＯ・Ａｌ＿２Ｏ＿３）のうちいずれか一種から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の合金磁気
ヘッドの製造方法。 - （３）非磁性セラミック薄膜が、酸化ジルコニウム（Ｚ
ｒＯ＿２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（
ＭｇＯ・Ａｌ＿２Ｏ＿３）のうちいずれか一種で形成さ
れており、さらに上記薄膜上にガラス薄膜層を形成する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の合金磁気
ヘッドの製造方法。 - （４）銀−銅−インジウム系合金膜が銅（Ｃｕ）を１０
〜５０重量％、インジウム（Ｉｎ）を１〜３０重量％含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の合金磁
気ヘッドの製造方法。 - （５）ガラス薄膜として二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）−
酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化ナトリウム（Ｎａ＿２Ｏ）系に
おいて、ＳｉＯ＿２が２０〜８０重量％からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第３項記載の合
金磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171905A JPS6150201A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59171905A JPS6150201A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150201A true JPS6150201A (ja) | 1986-03-12 |
| JPH0222442B2 JPH0222442B2 (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=15931993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59171905A Granted JPS6150201A (ja) | 1984-08-18 | 1984-08-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150201A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236107A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Toshiba Corp | ガラス接合磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-08-18 JP JP59171905A patent/JPS6150201A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62236107A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-16 | Toshiba Corp | ガラス接合磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0222442B2 (ja) | 1990-05-18 |
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