JPS6267743A - 光学式情報記録担体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザー光束をしぼり込むことにより信号を
記録したり、消去後再記録をおこなうことができる光学
式情報記録担体に関するものである。

従来の技術 近年、大容量性の点から光学式情報記録担体（以下「デ
ィスク」と称す）が注目をあび、各所で幅広く研究がお
こなわれている。そのうち記録のみ可能なものは一部で
商品化が始まり、開発の中心は消去可能なディスクへと
移行しつつある。

このような消去可能な従来のディスクの代表的な構造を
第４図に示す、この構造はＴｅ系消去可能膜でも光磁気
消去可能膜でも採用されているものであり、記録膜１は
無機質の保護膜２によりすンドイツチされて保護されて
いる。通常、この保護膜２は、１１００ｎ程度の厚みで
あり、Ｇｅｍ、、ＳｉＯ，、Ｃｒ、Ｏ，、Ｓｉｎ、Ａａ
、Ｏｉ等の酸化物系、ＡＱＮ、５ｉａＮ＊等の窒化物系
、ＺｎＳ等の硫化物、Ｃｓ、Ｆ、等のフッ化物からなる
透明無機薄膜が用いられる。この保護膜２は前述のごと
く、記録膜１をサンドインチし、記録膜１への透湿、透
酸素を防止すると同時に、記録レーザー光束による記録
膜１の発熱を基板３や接着層４に到達させないための断
熱材としても作用する非常に重要な役割を果たしている
。またこのような目的からもわかるように、この保護膜
２は厚ければ厚いほど良く。

また緻密であることが望ましい。

発明が解決しようとする問題点 上述したように保護膜２は出来るだけ厚くかつ緻密であ
ることが望まれる。しかし反面このような膜は応力歪が
発生しやすくなり、基板３と保護膜２、又は接着層４と
保護膜２との界面で剥離が発生する。剥離が発生すると
いうことは、保護膜２に多数のひび割れが発生するとい
うことであり。

このひび割れを通して湿気及び酸素が通過し、記録膜１
を酸化させ、劣化を引き起こす。よってこの剥離を発生
させないためには、保護膜２の膜厚を８Ｏｎ＋ｓ以下と
し、応力を小さくするか、あるいは基板３の表面を酸素
プラズマ処理又はＵ、Ｖ、処理等による表面改質をおこ
なう方法が従来用いられてきた。しかし本発明の発明者
らの実験結果から。

有効に湿度及び酸素を遮断するためには、保護膜２は１
００ｎ■望ましくは１５０ｎｍ以上が必要であることが
わかっている。一方、従来から用いられている酸素プラ
ズマ処理や、遠紫外線処理をおこない、基板３の凹凸面
を活性化する方法では、１１００ｎ以上の膜厚から発生
する応力に抗するほどの密着力を得ることは出来なかっ
た。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため１本発明の光学式情報記録担
体は、一方の面に凹凸溝を有する基板と、この基板の一
方の面上に形成された５０〜２０００人の厚さを有する
プラズマ重合膜層と、このプラズマ重合膜層上に形成さ
れた無機系酸化物、窒化物。

硫化物、フッ化物などからなる薄膜保護層と、この薄膜
保護層上に形成されたテルル系または光磁気膜からなる
記録膜とを備えた構成としたものである。

作用 上記構成によれば、基板と薄膜保護層との間にプラズマ
重合膜層を形成したので、強方な密着力を得ることがで
き、したがって薄膜保護層の剥離が発生せず、記録膜の
寿命を大幅に延ばすことができる。

実施例 以下、本発明の実施例を第１図〜第３図に基づいて説明
する。

第１図は本発明の一実施例における光学式情報記録担体
の模式断面図で、ｌｌａは一方の面に凹凸溝を有する基
板としての成形基板、１２ａはプラズマ重合膜層として
のＣ，Ｖ、Ｄ、膜、１３ａは薄膜保護層としての無機保
護膜、１４は記録膜、１３ｂは第２の薄膜保護層として
の無機保護膜、１５は接着層、１１ｂは第２の基板とし
ての成形基板である。前記成形基板１１ａは、インジェ
クション法もしくは２Ｐ法で作られたものであり、一方
の面には同芯円又はスパイラル状の溝により凹凸が形成
されている。この成形基板１１ａの一方の面にはＣ，Ｖ
、Ｄ。

膜１２ａが形成され、さらにその上に無機保護膜１３ａ
が形成されている。

このように、有機物の成形基板１１ａと無機保護膜１３
ａとの密着力を上げるために、Ｃ，Ｖ、Ｄ、膜１２ａを
介して両者を接着させている。

我々の実験によると、プラズマＣ，Ｖ、Ｄ、法で作成さ
れた膜のうち、エチレン重合、メタン重合、ビニールト
リメチルシロキサン重合（Ｖ、Ｔ、Ｍ。

Ｓ、）、ヘキサメチレンデシロキサン重合（Ｈ，Ｍ。

Ｄ、Ｓ、）のいずれの膜も、ポリカーボネイトまたはＰ
、Ｍ、Ｍ、Ａ、基板と非常に良好な密着性を示した。し
かし、プラズマＣ，Ｖ、Ｄ、のメタン重合膜およびエチ
レン重合膜は、その上に無機保護膜１３ａ約１５００人
（Ｓｉｎ２．Ｓｉ、Ｎ４．Ｉ　、Ｔ、Ｏ，、Ｃｒ２Ｏ３
、ＡＩＩＮ、Ａ鬼、ｏｌ等）をスパッター法で付着させ
た場合、初期はまったく問題がなかったが、７０℃、９
０％の耐候性試験にかけた場合、白濁を生ずるものが多
く、有効ではなかった。これはおそらく、Ｃ，Ｖ、Ｄ、
膜１２ａと無機保護膜１３ａとの密着力は良好であるが
、メタン、エチレン重合膜はそれほどかたくないので、
無機保護膜１３ａの応力歪により重合膜にしわが発生す
るものと思われる。一方、Ｃ，Ｖ、Ｄ、膜１２ａとして
ビニールトリメチルシロキサン重合膜（Ｖ、Ｔ、Ｍ、Ｓ
、）やヘキサメチルデシロキサン重合膜（Ｈ，Ｍ、Ｄ、
Ｓ、）を用い、すみやかにこれ等の重合膜上に無機保護
膜１３ａとしてＳｉＯｘ　＋　Ｓ　ｊ３Ｎ４　ｔ　Ｚｎ
　Ｓ　ｔ　ＡＱＮ　＊　ＡＱｚ　Ｏｓ　ｔ　Ｉ　−Ｔ　
−Ｏｏなどを形成した場合、７０℃、９０％の耐候性試
験にかけても、剥離などの問題はまったく発生しなかっ
た。しかし、一度真空をやぶり、１時間はど大気中にさ
らした場合、上記耐候性試験を行なうと、数時間程度で
Ｃ：、Ｖ、Ｄ、膜１２ａと無機保護膜１３ａとの間で剥
離が発生する。したがって製作に際しては、出来るだけ
一連的な処理が望ましい。

ただし、１時間はど大気にさらした場合、この上にスピ
ンコード法によって、シラン系カップリング材ヘキサメ
チルジシラザン（Ｈ，Ｍ、Ｄ、Ｓ、）をコートし、この
直後に上記無機材料で１０００〜２０００人の無機保護
膜１３ａを形成するとまったく問題はなくなる。

第２図は本発明の別の実施例における光学式情報記録担
体の模式断面図で、この実施例では、接着層１５と無機
保護膜１３ｂとの間にもＣ，Ｖ、Ｄ、膜１２ｂが形成さ
れている。

次に具体的実施例を説明する。第３図は具体的実施例に
おいて用いるＣ、Ｖ、Ｄ装置の概略構成図で、１６は高
周波電源端子、１７は接地端子、１８は排気孔、１９は
チャンバー、　２０．２１は電極、２２はＡｒ及びモノ
マーの導入口である。

〔具体的実施例■〕

インジェクション成形により溝が形成されたポリカーボ
ネイトからなる成形基板１１ａを、凹凸溝面が上方を向
くように電極２０上に設置させ、つぎに排気口１８を通
じて大気を排気し、残留ガス圧が２　Ｘ　１０−’　Ｔ
　ｏｒｒ以下となるようにする。つぎにモノマーガス（
本具体的実施例の場合Ｖ、Ｔ、Ｍ、Ｓ。

を使用）分圧０．３Ｔｏｒｒ、アルゴンガス圧を０．Ｌ
Ｔ。

ｒｒとなるように設定し、排気系を拡散ポンプ系からロ
ータリーポンプ系へ切り変える。つぎに端子１６、１７
間に高周波電力を供給し、プラズマ放電を開始させる。

この結果、入力パワー２００Ｗ、１分で約１５００人（
７）Ｖ、Ｔ、Ｍ、Ｓ、をＣ，Ｖ、Ｄ、膜１２ａ、！＝Ｌ
。

でつけることが出来た。この後、チャンバー１９内に大
気を導入して成形基板１１ａを取り出し、ただちにスパ
ッター法により約１５００人のＳＬ、Ｎ４を無機保護膜
１３ａとして付着させた。この後、蒸着法によりＴｅｓ
、Ｓ　ｎ、。Ｇｅ１．　Ｓ　ｅ２゜からなる記録膜１４
を１２００人付着させ、次に前述のスパッター法を用い
てＳｉ、Ｎ、１５００人を無機保護膜１３ｂとして付着
させ、さらに接着層１５を介し、ポリカーボネイトから
なる成形基板Ｊｌｂを裏打ち材料として貼り付けた、か
くして得られた第１図に示すようなディスクについて、
７０℃、９０％の耐候性試験を行なった結果、２２０時
間後でも全く変化は見られなかった。

なお、Ｃ，Ｖ、Ｄ、膜１２ａとして（７）Ｖ、Ｔ、Ｍ、
Ｓ、層がない場合、同一条件の耐候性試験を行なったと
ころ、４０時間後には全面にわたる劣化が見られた。

〔具体的実施例■〕

具体的実施例■と同様の方法により、ポリカーボネイト
からなる成形基板１１ａ上にＣ，Ｖ、Ｄ、膜１２ａとし
てＶ、Ｔ、Ｍ、Ｓ、重合膜を１５００人の厚さで付着さ
せ、つぎにスパッター装置により無機保護膜１３ａとし
てのＺｎＳを１５００人の厚みで形成し、しかる後Ｆ　
Ｂａａ　Ｔｂｓ　Ｄ’ｊｓ　Ｃ０５ｏからなる記録膜１
４としての磁気膜を作成し、その後再び無機保護膜１３
ｂとしてのＺｎ５ｔｔ１５００人付着させて第１図に示
すような密着構造を構成し、これについて、７０℃。

９０％の条件で耐候性試験を行なった結果、２２０時間
後でも全く記録膜１４に変化は見られなかった。

なお、Ｃ，Ｖ、Ｄ、Ｍ１２ａとしてのＶ、Ｔ、Ｍ、ｓ、
層がない場合、約１０時間後には全面にわたる劣化が見
られた。

発明の効果 以上述べたごとく本発明によれば、基板と薄膜保護層と
の間にプラズマ重合膜層を形成したので。

強力な密着力を得ることができ、したがってＷｉｌｌ保
護層の剥離が発生せず、記録膜の寿命を大幅に延ばすこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光学式情報記録担体
の模式断面図、第２図は本発明の別の実施例における光
学式情報記録担体の模式断面図。 第３図はプラズマＣ，Ｖ、Ｄ、装置の概略構成図、第４
図は従来の光学式情報記録担体の模式断面図である。 １１ａ−成形基板、１２ａ　、　１２ｂ・＝　Ｃ、Ｖ　
、　Ｄ　、膜、１３ａ。 １３ｂ・・・無機保護膜、１４・・・記録膜代理人　　
　森　　本　　義　　弘 第１図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一方の面に凹凸溝を有する基板と、この基板の一方
   の面上に形成された５０〜２０００Åの厚さを有するプ
   ラズマ重合膜層と、このプラズマ重合膜層上に形成され
   た無機系酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物などからな
   る薄膜保護層と、この薄膜保護層上に形成されたテルル
   系または光磁気膜からなる記録膜とを備えた光学式情報
   記録担体。 ２、プラズマ重合膜層として、エチレン重合膜、メタン
   重合膜、ビニールトリメチルシロキサン重合膜、ヘキサ
   メチレンデシロキサン重合膜のうちのいずれか一つを用
   いた特許請求の範囲第１項記載の光学式情報記録担体。 ３、記録膜は、基板側とは反対側の面上に無機系酸化物
   、窒化物、硫化物、フッ化物などからなる第２の薄膜保
   護層が形成され、この第２の薄膜保護層上に５０〜２０
   ００Åの厚さを有する第２のプラズマ重合膜層が形成さ
   れた構成とした特許請求の範囲第１項記載の光学式情報
   記録担体。