JPS6272193A - ハイブリツド基板における回路形成方法 - Google Patents
ハイブリツド基板における回路形成方法Info
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- JPS6272193A JPS6272193A JP21094085A JP21094085A JPS6272193A JP S6272193 A JPS6272193 A JP S6272193A JP 21094085 A JP21094085 A JP 21094085A JP 21094085 A JP21094085 A JP 21094085A JP S6272193 A JPS6272193 A JP S6272193A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導体回路パターン間に抵抗回路を形成するため
のハイブリッド基板における回路形成方法に関するもの
である。
のハイブリッド基板における回路形成方法に関するもの
である。
一般にハイブリッド基板においては、基板上に厚膜ペー
ストがスクリーン印刷され、これを焼成して回路が形成
されている。ところが、導体回路としては大気中でその
まま焼成可能なＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等の貴金属系の
導体ペーストが使用されているため、高価となり、汎用
の回路基板にまで広く普及するまでには至っていないの
が実情である。そこで貴金属系の導体ペーストに代えて
安価なＣｕ導体ペーストやＣｕＭ張りを使用する方法が
提案されているが、Ｃｕは大気中でそのまま焼成すると
酸化されて脆くなり脱落し易くなるため、不活性雰囲気
中で焼成しなければならないという欠点があった。
ストがスクリーン印刷され、これを焼成して回路が形成
されている。ところが、導体回路としては大気中でその
まま焼成可能なＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ等の貴金属系の
導体ペーストが使用されているため、高価となり、汎用
の回路基板にまで広く普及するまでには至っていないの
が実情である。そこで貴金属系の導体ペーストに代えて
安価なＣｕ導体ペーストやＣｕＭ張りを使用する方法が
提案されているが、Ｃｕは大気中でそのまま焼成すると
酸化されて脆くなり脱落し易くなるため、不活性雰囲気
中で焼成しなければならないという欠点があった。
他方、抵抗回路としては抵抗値の精度の良いＲｕ５ｔ（
酸化ルテニウム）系で、ガラスフリフト入りの抵抗ペー
ストが使用されているが、Ｒｕ０ｇ系の抵抗ペーストは
必ず大気中で焼成する必要があるため、不活性雰囲気中
で焼成しなければならないＣｕを使用した導体回路には
同時に使用することができないという欠点があった。そ
こで、Ｃｕを使用した導体回路に、硬化処理温度が１０
０〜２００℃のカーボン系の抵抗ペーストを使用する方
法が提案されているが、カーボン系の抵抗ペーストを使
用すると抵抗値の精度が低いものしか得られない等、多
くの欠点があった。
酸化ルテニウム）系で、ガラスフリフト入りの抵抗ペー
ストが使用されているが、Ｒｕ０ｇ系の抵抗ペーストは
必ず大気中で焼成する必要があるため、不活性雰囲気中
で焼成しなければならないＣｕを使用した導体回路には
同時に使用することができないという欠点があった。そ
こで、Ｃｕを使用した導体回路に、硬化処理温度が１０
０〜２００℃のカーボン系の抵抗ペーストを使用する方
法が提案されているが、カーボン系の抵抗ペーストを使
用すると抵抗値の精度が低いものしか得られない等、多
くの欠点があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑みて提案されたもので、大
気中でそのまま焼成することができ、抵抗値の精度が良
く、強度的にも充分で安定した性能を有し、安価で汎用
性のあるハイブリッド基板における回路形成方法を提供
せんとするものである。
気中でそのまま焼成することができ、抵抗値の精度が良
く、強度的にも充分で安定した性能を有し、安価で汎用
性のあるハイブリッド基板における回路形成方法を提供
せんとするものである。
本発明は上記問題点を解決するために、ＡＩ又はＡｌ合
金等よりなるＡｌ系基板上に、セラミック溶射によって
絶縁層を形成し、その絶縁層上にＡｌを溶射して導体回
路を形成し、さらにその導体回路パターン間にＲｕｂ、
系の抵抗ペーストを塗布した後、大気中で焼成して抵抗
回路を形成するようにしたことを特徴とするものである
。
金等よりなるＡｌ系基板上に、セラミック溶射によって
絶縁層を形成し、その絶縁層上にＡｌを溶射して導体回
路を形成し、さらにその導体回路パターン間にＲｕｂ、
系の抵抗ペーストを塗布した後、大気中で焼成して抵抗
回路を形成するようにしたことを特徴とするものである
。
〔作用〕
本発明は上記のようにしてハイブリッド基板における回
路を形成するようにしたので、Ａｌを溶射して形成され
る導体回路の表面には、強固なＡｌの酸化被膜が生成さ
れ、導体回路パターン間にＲｕＯ□系の抵抗ペーストを
塗布した後、これを大気中で焼成しても、導体回路はそ
の表面に生成されている酸化被膜によって酸化の進行が
阻止されるので、大気中での、焼成にも充分耐えること
ができる。
路を形成するようにしたので、Ａｌを溶射して形成され
る導体回路の表面には、強固なＡｌの酸化被膜が生成さ
れ、導体回路パターン間にＲｕＯ□系の抵抗ペーストを
塗布した後、これを大気中で焼成しても、導体回路はそ
の表面に生成されている酸化被膜によって酸化の進行が
阻止されるので、大気中での、焼成にも充分耐えること
ができる。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて具体的に説
明する。
明する。
第１図は本発明によって回路が形成されたハイブリッド
基板の断面図で、第２図はその平面図である。
基板の断面図で、第２図はその平面図である。
図中１はＡｌ又はＡｌ合金等よりなるＡｊ２系基板基板
軽（て熱伝導性が良く、強くて安価であることが望まし
い。２はそのＡｌ系基板１上にセラミック溶射によって
形成された絶縁層で、Ａ’ＺＯ３＋ ３Ａｌｚ（ｈ
・２５ｉＯｚ ＋ Ｍｇ Ｏ・Ａ Ａ ｚＯ＊ 、
２ ＭｇＯ−３ｉＯｌ 、 Ｚｒ０−ｚ等の粉末を
プラズマ溶射して厚さ２０〜５００μの皮膜に形成され
ている。なお、この皮膜の表面を封孔処理すれば、絶縁
性能を一段と向上させることができる。
軽（て熱伝導性が良く、強くて安価であることが望まし
い。２はそのＡｌ系基板１上にセラミック溶射によって
形成された絶縁層で、Ａ’ＺＯ３＋ ３Ａｌｚ（ｈ
・２５ｉＯｚ ＋ Ｍｇ Ｏ・Ａ Ａ ｚＯ＊ 、
２ ＭｇＯ−３ｉＯｌ 、 Ｚｒ０−ｚ等の粉末を
プラズマ溶射して厚さ２０〜５００μの皮膜に形成され
ている。なお、この皮膜の表面を封孔処理すれば、絶縁
性能を一段と向上させることができる。
次に３は絶縁層２上にＡｌを溶射して形成された導体回
路で、Ａｌ粉末をプラズマ溶射して厚さ２０〜５００μ
の皮膜に形成されている。
路で、Ａｌ粉末をプラズマ溶射して厚さ２０〜５００μ
の皮膜に形成されている。
この導体回路３はその皮膜の表面に極薄い強固なＡｌの
酸化被膜が生成されており、それによって酸化の進行が
阻止されるので、５００〜６００℃の大気中における焼
成にも充分に耐えることができる。なお、この導体回路
３の厚さや巾を変えれば、任意の電流容量を得ることが
できる。
酸化被膜が生成されており、それによって酸化の進行が
阻止されるので、５００〜６００℃の大気中における焼
成にも充分に耐えることができる。なお、この導体回路
３の厚さや巾を変えれば、任意の電流容量を得ることが
できる。
次に４は絶縁層２上に形成された導体回路３のパターン
間にＲｕ Ｏｚ系の抵抗ペーストを塗布した後、大気中
で焼成して形成された抵抗回路で、Ｒｕ Ｏｔ とガラ
スフリフトを溶媒に分散させたものをスクリーン印刷し
た後、４５０〜６００℃の大気中で焼成して形成されて
いる。
間にＲｕ Ｏｚ系の抵抗ペーストを塗布した後、大気中
で焼成して形成された抵抗回路で、Ｒｕ Ｏｔ とガラ
スフリフトを溶媒に分散させたものをスクリーン印刷し
た後、４５０〜６００℃の大気中で焼成して形成されて
いる。
次に本発明の有効性を確認するために行った実験例につ
いて説明する。
いて説明する。
実験はＡｌ系基板として２ｔｓ”のＡｌ母材を使用し、
Ａ−４３６８０のブラスト材を使用して５ｋｇ／ａｊの
圧力で表面をブラスト処理し、その上からプラズマダイ
ン社製のプラズマ溶射機（ＳＧ−１００型）で＃１２０
０のＡ ｌ ！０３を使用して表１に示す条件により溶
射し、Ａｊ２母材の全面に厚さ１５０μｔの絶縁層を形
成した。
Ａ−４３６８０のブラスト材を使用して５ｋｇ／ａｊの
圧力で表面をブラスト処理し、その上からプラズマダイ
ン社製のプラズマ溶射機（ＳＧ−１００型）で＃１２０
０のＡ ｌ ！０３を使用して表１に示す条件により溶
射し、Ａｊ２母材の全面に厚さ１５０μｔの絶縁層を形
成した。
上記のようにして形成された絶縁層の上に、７０μのＡ
Ｉ！粒子を表■に示す条件で溶射して導体回路を形成し
た。但し、マスキングはドライフィルムを使用し、７０
μｔの溶射厚となるようにした。
Ｉ！粒子を表■に示す条件で溶射して導体回路を形成し
た。但し、マスキングはドライフィルムを使用し、７０
μｔの溶射厚となるようにした。
こうして形成された導体回路のパターン間に、Ｒｅｍｅ
ｘ社製の＃１０３１． ＃１０５１の２種類の低温焼成
型でＲｕ Ｏｚ系の抵抗ペーストを＃ ２００のスクリ
ーンを使用して印刷により塗布した。
ｘ社製の＃１０３１． ＃１０５１の２種類の低温焼成
型でＲｕ Ｏｚ系の抵抗ペーストを＃ ２００のスクリ
ーンを使用して印刷により塗布した。
次に１０分間レベリングして１２５℃で１０分間乾焼し
た後、ワトキンス・ジョンソン社の厚膜焼成炉により、
４５分間プロファイルでピーク温度５００℃で８分間は
ど大気中で焼成して抵抗回路を形成させた。
た後、ワトキンス・ジョンソン社の厚膜焼成炉により、
４５分間プロファイルでピーク温度５００℃で８分間は
ど大気中で焼成して抵抗回路を形成させた。
こうして得られたハイブリッド基板における回路の特性
値を分析したところ、表■に示すような結果が得られた
。
値を分析したところ、表■に示すような結果が得られた
。
表■に示す回路の特性値の分析結果から明らかなように
、本発明によって形成された回路は大気中における焼成
工程を経ても導体回路の接着強度が劣化せず、充分な接
着強度を有すると共に、抵抗回路のシート抵抗値が高く
、温度抵抗係数ＴＣＲが小さい等すぐれた特性を有し、
本発明の有効性を確認することができた。
、本発明によって形成された回路は大気中における焼成
工程を経ても導体回路の接着強度が劣化せず、充分な接
着強度を有すると共に、抵抗回路のシート抵抗値が高く
、温度抵抗係数ＴＣＲが小さい等すぐれた特性を有し、
本発明の有効性を確認することができた。
以上具体的に説明したように、本発明によれば、
１） Ａｌを溶射して導体回路を形成するようにした
ので、従来のように高価な貴金属系の導体ペーストを使
用する必要はなく、安価に製作することができる。
ので、従来のように高価な貴金属系の導体ペーストを使
用する必要はなく、安価に製作することができる。
２）Ａｎ’を溶射して形成される導体回路の表面には、
強固なＡｌの酸化被膜が生成されているので、導体回路
パターン間にＲｕｂ、系の抵抗ペーストを塗布した後、
これを大気中で焼成しても導体回路はその表面に生成さ
れている酸化皮膜によって酸化の進行が阻止されるので
、大気中での焼成にも充分に耐えることができる。
強固なＡｌの酸化被膜が生成されているので、導体回路
パターン間にＲｕｂ、系の抵抗ペーストを塗布した後、
これを大気中で焼成しても導体回路はその表面に生成さ
れている酸化皮膜によって酸化の進行が阻止されるので
、大気中での焼成にも充分に耐えることができる。
３）抵抗回路にはＲｕｂ、系の抵抗ペーストが使用され
ているので、抵抗値の精度が良く、ブラスト弐トリマー
やレーザ一式トリマーによって抵抗回路の巾（面積）を
調整することにより、抵抗値の微調整を容易に行うこと
ができる。
ているので、抵抗値の精度が良く、ブラスト弐トリマー
やレーザ一式トリマーによって抵抗回路の巾（面積）を
調整することにより、抵抗値の微調整を容易に行うこと
ができる。
４）半田の必要な部分には、抵抗回路形成後、部分的に
Ｃｕ溶射を行えば良い。
Ｃｕ溶射を行えば良い。
等多くの利点を有し、汎用の回路基板にも広く適用する
ことができる実用上きわめて有効なハイブリッド基板に
おける回路形成方法を提供し得るものである。
ことができる実用上きわめて有効なハイブリッド基板に
おける回路形成方法を提供し得るものである。
第１図は本発明によって回路が形成されたハイブリッド
基板の断面図で、第２図はその平面図である。 １・・・Ａｐ系系板板２・・・絶縁層、３・・・導体回
路、４・・・抵抗回路 １ ″−−″′！１、
基板の断面図で、第２図はその平面図である。 １・・・Ａｐ系系板板２・・・絶縁層、３・・・導体回
路、４・・・抵抗回路 １ ″−−″′！１、
Claims (1)
- Ａｌ又はＡｌ合金等よりなるＡｌ系基板上に、セラミ
ック溶射によって絶縁層を形成し、その絶縁層上にＡｌ
を溶射して導体回路を形成し、さらにその導体回路パタ
ーン間にＲｕＯ＿２系の抵抗ペーストを塗布した後、大
気中で焼成して抵抗回路を形成するようにしたことを特
徴とするハイブリッド基板における回路形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094085A JPS6272193A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ハイブリツド基板における回路形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21094085A JPS6272193A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ハイブリツド基板における回路形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272193A true JPS6272193A (ja) | 1987-04-02 |
Family
ID=16597607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21094085A Pending JPS6272193A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ハイブリツド基板における回路形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6272193A (ja) |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP21094085A patent/JPS6272193A/ja active Pending
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