JPH03149803A - 厚膜抵抗体の形成方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPH03149803A JPH03149803A JP1289751A JP28975189A JPH03149803A JP H03149803 A JPH03149803 A JP H03149803A JP 1289751 A JP1289751 A JP 1289751A JP 28975189 A JP28975189 A JP 28975189A JP H03149803 A JPH03149803 A JP H03149803A
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- Japan
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- cured
- thick film
- resistor
- resin
- film resistor
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、樹脂、金属ベース、アルミナ等の回路基板上
に厚膜抵抗体を形成する方法に関する。
に厚膜抵抗体を形成する方法に関する。
樹脂基板、金属ベース基板、アルミナ等の基板上に、抵
抗体を形成する方法として、 ■基板上に張り合わせた銅等の金属箔をエッチングして
電極を形成したり、Ｐｄ−Ａｇ等の導体ペーストを印刷
、次いで焼成して回路基板を作成する。特に電極に銅が
用いられる場合は、電極と抵抗体との接続を確実にする
ため、それらの間に、導体ペーストを用いて第二次の電
極を形成する場合もある。
抗体を形成する方法として、 ■基板上に張り合わせた銅等の金属箔をエッチングして
電極を形成したり、Ｐｄ−Ａｇ等の導体ペーストを印刷
、次いで焼成して回路基板を作成する。特に電極に銅が
用いられる場合は、電極と抵抗体との接続を確実にする
ため、それらの間に、導体ペーストを用いて第二次の電
極を形成する場合もある。
■抵抗体粉末、バインダーとして熱硬化性樹脂、その他
溶媒等を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷、硬化させ、
厚膜抵抗体を形成する。
溶媒等を含んだ抵抗ペーストを用いて印刷、硬化させ、
厚膜抵抗体を形成する。
■通常、耐環境性を向上させるため、抵抗体の表面上を
誘電体ペーストを用いて力バーする。
誘電体ペーストを用いて力バーする。
の■、■および■の工程により一般的に行われている。
しかしながら、樹脂基板、金属ベース基板、アルミナ基
板等の基板上に、従来技術にて形成された抵抗体の抵抗
温度係数（ＴＣＲ）の値は、絶対値にて３００ｐｐｍ／
Ｃを越えたり、２５℃から１２５℃まで昇温し、次いで
２５℃まで降温した場合、最初の２５℃の時の抵抗値Ｒ
，と降温後の２５℃の抵抗値Ｒ，が等値とならず、数％
の差（オフセット）が出る。つまり、高温使用する場合
、抵抗値の変動が問題となる。
板等の基板上に、従来技術にて形成された抵抗体の抵抗
温度係数（ＴＣＲ）の値は、絶対値にて３００ｐｐｍ／
Ｃを越えたり、２５℃から１２５℃まで昇温し、次いで
２５℃まで降温した場合、最初の２５℃の時の抵抗値Ｒ
，と降温後の２５℃の抵抗値Ｒ，が等値とならず、数％
の差（オフセット）が出る。つまり、高温使用する場合
、抵抗値の変動が問題となる。
本発明の目的は、上記の欠点を改良し、ＴＣＲ値が小さ
く、かつオフセットのない安定な厚膜抵抗体を形成する
方法を提供することにある。
く、かつオフセットのない安定な厚膜抵抗体を形成する
方法を提供することにある。
すなわち、本発明は、基板上にバインダー樹脂として熱
硬化性樹脂を含有する抵抗ペーストを使用して印刷を行
い、硬化処理を施して厚膜抵抗体を形成する方法におい
て、使用する熱硬化性樹脂の硬化後のガラス転移温度よ
り高い温度で硬化処理することを特徴とする厚膜抵抗体
の形成方法を提供する。
硬化性樹脂を含有する抵抗ペーストを使用して印刷を行
い、硬化処理を施して厚膜抵抗体を形成する方法におい
て、使用する熱硬化性樹脂の硬化後のガラス転移温度よ
り高い温度で硬化処理することを特徴とする厚膜抵抗体
の形成方法を提供する。
以下、本発明について詳細に述べる。
通常、樹脂基板、金属ベース基板を使用する場合は、予
め銅箔をエッチングして導体並びに抵抗体の電極を形成
して回路基板を製作しておく。
め銅箔をエッチングして導体並びに抵抗体の電極を形成
して回路基板を製作しておく。
また、アルミナ基板等のセラミック基板の場合は、通常
、Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属の導体ペーストを印刷、焼成し
て導体並びに抵抗体の電極を形成しておく。
、Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属の導体ペーストを印刷、焼成し
て導体並びに抵抗体の電極を形成しておく。
抵抗体の形成は、バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を
含有する抵抗ペーストを用いてスクリーン印刷等の方法
で印刷し、ついで硬化させることにより行うが、その際
、該熱硬化性樹脂のガラス転移温度よりも高い温度、好
ましくは１０〜７０℃高く、かつ分解温度より低い温度
で硬化処理することが重要である。この温度条件を選択
することにより、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が小さく、高
温度での使用に対し安定な抵抗体を形成することができ
る。
含有する抵抗ペーストを用いてスクリーン印刷等の方法
で印刷し、ついで硬化させることにより行うが、その際
、該熱硬化性樹脂のガラス転移温度よりも高い温度、好
ましくは１０〜７０℃高く、かつ分解温度より低い温度
で硬化処理することが重要である。この温度条件を選択
することにより、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が小さく、高
温度での使用に対し安定な抵抗体を形成することができ
る。
バインダーとして使用する熱硬化性樹脂としてはエポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂等が好適に使用で
きる。
シ樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂等が好適に使用で
きる。
また、抵抗体材料としてはカーボン、グラファイト等の
粉末が使用される。
粉末が使用される。
抵抗ペーストには、これらの他に通常、溶媒、消泡剤等
が含まれており、さらに必要に応じ、ＴＣＲ改良剤とし
てＡＩｔｏ３、Ｓｉｆｔ等の粉末、抵抗値を調節するた
めに銀粉等の金属粉を加えてもよい。
が含まれており、さらに必要に応じ、ＴＣＲ改良剤とし
てＡＩｔｏ３、Ｓｉｆｔ等の粉末、抵抗値を調節するた
めに銀粉等の金属粉を加えてもよい。
抵抗ペーストの印刷は一般にスクリーン印刷で行われる
。
。
また、本発明においては、抵抗体を形成後、耐環境特性
を向上させるため、抵抗体の表面を公知の誘電体ペース
トで力バーしてもよい。 −〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
を向上させるため、抵抗体の表面を公知の誘電体ペース
トで力バーしてもよい。 −〔実施例〕 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例 ｌ
エポキシ樹脂としてスミエポキシ＠ ＥＬＭ−ｌｏｏ（
住友化学工業■製）７８重量部、硬化剤としてＨＮ５５
００（日立化成工業器製）１２３重量部からなる液状エ
ポキシ樹脂組成物（硬化後のガラス転移温度２００℃）
、カーボンＨＳ−５００（旭カーボン■製）５０重量部
および溶媒（α−テルピネオール８．５重量％、ブチル
カルピトールアセテート１５重量％）５０重量部を乳鉢
で１時間混練し、抵抗ペーストを得た。
住友化学工業■製）７８重量部、硬化剤としてＨＮ５５
００（日立化成工業器製）１２３重量部からなる液状エ
ポキシ樹脂組成物（硬化後のガラス転移温度２００℃）
、カーボンＨＳ−５００（旭カーボン■製）５０重量部
および溶媒（α−テルピネオール８．５重量％、ブチル
カルピトールアセテート１５重量％）５０重量部を乳鉢
で１時間混練し、抵抗ペーストを得た。
このペーストをＡｇ−Ｐｄ導体電極を予め形成したアル
ミナ回路基板上にスクリーン印刷により印刷し、１００
℃でｌＯ分間乾燥後、２６０℃で１時間加熱硬化を行っ
た。
ミナ回路基板上にスクリーン印刷により印刷し、１００
℃でｌＯ分間乾燥後、２６０℃で１時間加熱硬化を行っ
た。
得られた抵抗体の−５５〜１２５℃での抵−抗温度係数
の絶対値は２５０ｐｐｍ／ ℃であった。また、形成さ
れた抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃におけ
る初期値とのオフセットは認められなかった。
の絶対値は２５０ｐｐｍ／ ℃であった。また、形成さ
れた抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃におけ
る初期値とのオフセットは認められなかった。
実施例 ２
エポキシ樹脂としてスミエポキシ＠ ＥＳＣＮ−１９５
Ｘ（住友化学工業■製）１００重量部、タノマール＠（
フェノールノボラック樹脂）（荒川化学器製）５６重量
部、硬化促進剤としてトリフ−エニルツオスフィン１重
量部からなる固体エポキシ組成物（硬化後のガラス転移
温度１８７℃）を混合溶媒（酢酸エチル４５重量％、ト
ルエン３０重量％、メチルエチルケトン１５重量％、ｎ
−ブチルアルコールｌＯ重量％）に溶解して作製したバ
インダー溶液と、カーボンＨＳ−５００（旭カーボン■
製）５０重量部および溶媒（α−テルピネオール８５重
量％、ブチルカルピトールアセテ−）１５重量％）５０
重量部を乳鉢で１時間混練し抵抗ペーストを得た。この
ペーストをＡｇ−Ｐｄ導体電極を予め形成したアルミナ
回路基板上にスクリーン印刷により印刷し、１００℃で
ｌＯ分間乾燥後、２６０℃１時間加熱硬化を行っに０ 得られた抵抗体の−５５〜１２５℃での抵抗温度係数の
絶対値は２５０ｐｐｍ／ Ｃであった。また、形成され
た抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃における
初期値とのオフセットは認められなかった。
Ｘ（住友化学工業■製）１００重量部、タノマール＠（
フェノールノボラック樹脂）（荒川化学器製）５６重量
部、硬化促進剤としてトリフ−エニルツオスフィン１重
量部からなる固体エポキシ組成物（硬化後のガラス転移
温度１８７℃）を混合溶媒（酢酸エチル４５重量％、ト
ルエン３０重量％、メチルエチルケトン１５重量％、ｎ
−ブチルアルコールｌＯ重量％）に溶解して作製したバ
インダー溶液と、カーボンＨＳ−５００（旭カーボン■
製）５０重量部および溶媒（α−テルピネオール８５重
量％、ブチルカルピトールアセテ−）１５重量％）５０
重量部を乳鉢で１時間混練し抵抗ペーストを得た。この
ペーストをＡｇ−Ｐｄ導体電極を予め形成したアルミナ
回路基板上にスクリーン印刷により印刷し、１００℃で
ｌＯ分間乾燥後、２６０℃１時間加熱硬化を行っに０ 得られた抵抗体の−５５〜１２５℃での抵抗温度係数の
絶対値は２５０ｐｐｍ／ Ｃであった。また、形成され
た抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃における
初期値とのオフセットは認められなかった。
比較例 ｌ
熱硬化を１８０℃で行った以外は実施例１と同様にして
厚膜抵抗体を形成した。
厚膜抵抗体を形成した。
得られた抵抗体の−５５〜１２５℃での抵抗温度係数の
絶対値は５００ｐｐｍ／ Ｃ以上であった。また、形成
された抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃にお
ける初期値とのオフセットが５％以上認められた。
絶対値は５００ｐｐｍ／ Ｃ以上であった。また、形成
された抵抗体を１２５℃に１時間曝した後、２５℃にお
ける初期値とのオフセットが５％以上認められた。
本発明方法によれば、回路基板上に抵抗温度係数（ＴＣ
Ｒ）が小さく、高温度での使用に対し安定な厚膜抵抗体
を形成することができ、その工業的価値は大きい。
Ｒ）が小さく、高温度での使用に対し安定な厚膜抵抗体
を形成することができ、その工業的価値は大きい。
〜／′
Claims (1)
- 回路基板上に、バインダーとして熱硬化性樹脂を含有
する抵抗ペーストを使用して印刷を行い、次いで硬化処
理を施して厚膜抵抗体を形成する方法において、使用す
る熱硬化性樹脂の硬化後のガラス転移温度より高い温度
で硬化処理することを特徴とする厚膜抵抗体の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289751A JPH03149803A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1289751A JPH03149803A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149803A true JPH03149803A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17747292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1289751A Pending JPH03149803A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03149803A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018674B2 (en) * | 2001-03-02 | 2006-03-28 | Omron, Corporation | Manufacturing methods and apparatuses of an optical device and a reflection plate provided with a resin thin film having a micro-asperity pattern |
| KR100795571B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2008-01-21 | 전자부품연구원 | 후막 저항체용 페이스트와 그것의 제조방법 및 후막 저항체 |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP1289751A patent/JPH03149803A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7018674B2 (en) * | 2001-03-02 | 2006-03-28 | Omron, Corporation | Manufacturing methods and apparatuses of an optical device and a reflection plate provided with a resin thin film having a micro-asperity pattern |
| KR100795571B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2008-01-21 | 전자부품연구원 | 후막 저항체용 페이스트와 그것의 제조방법 및 후막 저항체 |
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