JPS6273701A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
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- JPS6273701A JPS6273701A JP60214345A JP21434585A JPS6273701A JP S6273701 A JPS6273701 A JP S6273701A JP 60214345 A JP60214345 A JP 60214345A JP 21434585 A JP21434585 A JP 21434585A JP S6273701 A JPS6273701 A JP S6273701A
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- heating resistor
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- resistor
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Links
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Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分Y′f)
この発明は感熱式プリンタ用の薄膜型サーマルヘッドに
関する。
関する。
(従来の技術)
従来より、感熱紙を発色させて感熱紙にドツトのモザイ
クを作ることにより絵、文字等の印字をするための種々
の構造のサーマルヘッドが提案されている。このような
サーマルヘッドは、用いている発熱抵抗体の種類により
、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来る。しかしながら
、厚膜型のサーマルヘッドは低価格化は可能であるが、
高精細化が困難であるため、最近では、高精細化、高性
能化が可能な薄膜型サーマルヘッドが主流となりつつあ
る。このようなサーマルヘッドは例えばIW(l)ff
1表面!理ff術4 、34 No、8.1983 P
。
クを作ることにより絵、文字等の印字をするための種々
の構造のサーマルヘッドが提案されている。このような
サーマルヘッドは、用いている発熱抵抗体の種類により
、薄膜型と厚膜型との二つに大別出来る。しかしながら
、厚膜型のサーマルヘッドは低価格化は可能であるが、
高精細化が困難であるため、最近では、高精細化、高性
能化が可能な薄膜型サーマルヘッドが主流となりつつあ
る。このようなサーマルヘッドは例えばIW(l)ff
1表面!理ff術4 、34 No、8.1983 P
。
271〜277)に開示されている。
第3図は一般的な薄膜型サーマルヘッドの要部を示す断
面図であり、この場合、下地としての絶縁基板上に多数
設けられた発熱抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に着目
して示した断面図である。
面図であり、この場合、下地としての絶縁基板上に多数
設けられた発熱抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に着目
して示した断面図である。
このfiJ膜型サーマルヘッドの構造につき図面を参照
して簡C9に説明する。
して簡C9に説明する。
第31ににおいて、】1は絶縁基板を示し、この絶縁基
板11上に保温層13が設けられ、さらに、この保温層
13.1=には薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体15が設
けられている。この発熱抵抗体15上の膠間した位置に
給電体17及び19が設けられていて、これら給電体1
7及びI9の間の発熱抵抗体15の部分(図中、斜線で
示す部分)が発熱部21となる。さらに、給電体17及
び19と発熱部21との上側には発熱抵抗体保護層23
(以下、単に保護層23と称することもある)と#摩耗
層25とが順次に設けられている。
板11上に保温層13が設けられ、さらに、この保温層
13.1=には薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体15が設
けられている。この発熱抵抗体15上の膠間した位置に
給電体17及び19が設けられていて、これら給電体1
7及びI9の間の発熱抵抗体15の部分(図中、斜線で
示す部分)が発熱部21となる。さらに、給電体17及
び19と発熱部21との上側には発熱抵抗体保護層23
(以下、単に保護層23と称することもある)と#摩耗
層25とが順次に設けられている。
このような構造の薄膜型サーマルヘッドにおいて、保護
層23としてSiO2 を用い、耐摩耗層25としてT
a205を用いるのが最も一般的であるが、保護層23
及び耐摩耗層25としてSiC等を用いる場合もある。
層23としてSiO2 を用い、耐摩耗層25としてT
a205を用いるのが最も一般的であるが、保護層23
及び耐摩耗層25としてSiC等を用いる場合もある。
この発熱抵抗体保護層23を設けている理由は、発熱抵
抗体15に高い電力を印加しこの発熱抵抗体15を高温
に発熱させて印字を行う際、この保護層23によって、
高温状態にある発熱抵抗体15を酸素から遮断し、よっ
て発熱抵抗体15の酸化を防止するためである。この酸
化防止により発熱抵抗体15の寿命を向上させることが
出来る。
抗体15に高い電力を印加しこの発熱抵抗体15を高温
に発熱させて印字を行う際、この保護層23によって、
高温状態にある発熱抵抗体15を酸素から遮断し、よっ
て発熱抵抗体15の酸化を防止するためである。この酸
化防止により発熱抵抗体15の寿命を向上させることが
出来る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来のサーマルヘッドにおいては、保護
層として用いているSiO2の融点はi 700 ’c
程度である。又、保温層に用いられる材料の融点は一般
的には2O00℃以下である。
層として用いているSiO2の融点はi 700 ’c
程度である。又、保温層に用いられる材料の融点は一般
的には2O00℃以下である。
一方、発熱抵抗体としてはTa2N等の窒化物、TaC
等の炭化物、又はZrB2等の硼化物が用いられるが、
これらの材料は何れもその融点が3000℃程度と高い
。従って、印字を行うため発、!8抵抗体に高い電力を
印加してこれを高温状態にすると、発熱抵抗体そのもの
が劣化する前に、この発熱抵抗体の上下に設けられた保
護層及び保温層が劣化し、これが原因で発熱抵抗体の1
112壊が生じてしまうという問題点があった。
等の炭化物、又はZrB2等の硼化物が用いられるが、
これらの材料は何れもその融点が3000℃程度と高い
。従って、印字を行うため発、!8抵抗体に高い電力を
印加してこれを高温状態にすると、発熱抵抗体そのもの
が劣化する前に、この発熱抵抗体の上下に設けられた保
護層及び保温層が劣化し、これが原因で発熱抵抗体の1
112壊が生じてしまうという問題点があった。
従って、従来のサーマルへラドでは、発熱抵抗体に瞬間
的に高い電力を印加して発熱抵抗体を素早く高温とし、
これにより印字の高速化を図ることには限界があった。
的に高い電力を印加して発熱抵抗体を素早く高温とし、
これにより印字の高速化を図ることには限界があった。
この発明の目的は、上述した問題点を解決して、高速印
字を行うために発熱抵抗体を高温で発熱させても長寿命
で使用出来るサーマルへラドを提供することにある。
字を行うために発熱抵抗体を高温で発熱させても長寿命
で使用出来るサーマルへラドを提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
この目的の達成を図るため、この発明によれば、下地と
に発熱抵抗体と、発熱抵抗体保護層とを具えるサーマル
ヘッドにおいて、 発熱抵抗体保護層をHfO2を以って構成するか、或は
HfO2と、SiO2又ハA1203 (7)いずれか
一方又は双方との混合物を以って構成したことを特徴と
する。従って、この場合の保護層の材料としては、Hf
O2,HfO2とS iOzとの混合物、HfO2とA
1203 との混合物及びHfO2、!=SfO2、!
: A1203 と(1)混合物力らなる群より選ばれ
た−・種類の物質である。
に発熱抵抗体と、発熱抵抗体保護層とを具えるサーマル
ヘッドにおいて、 発熱抵抗体保護層をHfO2を以って構成するか、或は
HfO2と、SiO2又ハA1203 (7)いずれか
一方又は双方との混合物を以って構成したことを特徴と
する。従って、この場合の保護層の材料としては、Hf
O2,HfO2とS iOzとの混合物、HfO2とA
1203 との混合物及びHfO2、!=SfO2、!
: A1203 と(1)混合物力らなる群より選ばれ
た−・種類の物質である。
この発明の実施に当り、発熱抵抗体保護層を発熱抵抗体
の上下にそれぞれ設けるのが好適である。
の上下にそれぞれ設けるのが好適である。
(作用)
このように構成すれば、発熱体保護層を構成するHf0
zの融点はSiO2の融点よりも晶く、さらに、熱的安
定性に優れる。従って、発熱抵抗体に高い電力を印加し
てもこの発熱抵抗体の熱により発熱抵抗体保護層は劣化
しない。従って、発熱抵抗体保護層の熟的劣化に起因し
て発生する発熱抵抗体の破壊も起こらない。
zの融点はSiO2の融点よりも晶く、さらに、熱的安
定性に優れる。従って、発熱抵抗体に高い電力を印加し
てもこの発熱抵抗体の熱により発熱抵抗体保護層は劣化
しない。従って、発熱抵抗体保護層の熟的劣化に起因し
て発生する発熱抵抗体の破壊も起こらない。
又、HfO2とSiO2又はLQ20zのいずれか一万
又は双方との混合物の融点も、SiO2の融点よりは高
くなるから、発8抵抗体保護層をこの混合物で構成すれ
ば、発熱抵抗体保護層をSiO2 で構成するよりは耐
熱性に優れた発熱抵抗体15上層が得られる。
又は双方との混合物の融点も、SiO2の融点よりは高
くなるから、発8抵抗体保護層をこの混合物で構成すれ
ば、発熱抵抗体保護層をSiO2 で構成するよりは耐
熱性に優れた発熱抵抗体15上層が得られる。
さらに、発熱抵抗体の七rに−1−述したような発熱抵
抗体保護層を設ければ、発熱抵抗体の周囲はは#熱性の
優れた保護層にH覆されるから、発熱抵抗体は酸素によ
る酸化がより起こりにくい。
抗体保護層を設ければ、発熱抵抗体の周囲はは#熱性の
優れた保護層にH覆されるから、発熱抵抗体は酸素によ
る酸化がより起こりにくい。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明のサーマルヘッドにつき
説明する。尚、この図はこの発明が理解出来る程度に概
略的に示しであるにすぎず、各構成成分の寸法、形状及
び配置関係は図示例に限定されるものではない6又、従
来と同一・の構成成分については同一の符号を付して示
しである。
説明する。尚、この図はこの発明が理解出来る程度に概
略的に示しであるにすぎず、各構成成分の寸法、形状及
び配置関係は図示例に限定されるものではない6又、従
来と同一・の構成成分については同一の符号を付して示
しである。
第1図はこの発明のサーマルヘッドの要部を示す断面図
であり、r地としての例えば絶縁基板りに多数設けられ
た発熱抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に着目して示し
た断面図である。
であり、r地としての例えば絶縁基板りに多数設けられ
た発熱抵抗体のうちの一つの発熱抵抗体に着目して示し
た断面図である。
第1図において、11は絶縁基板を示し、この絶縁基板
it上に保温層13を設けである。この保温層1Fll
zにはこの発明の特徴であるHf0z(at化ハフニウ
ム)からなる発熱抵抗体保護層31(以下、単に保護層
31と称することもある)を設けである。さらに、この
保護層31上に薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体15を設
けである。又、この発熱抵抗体15上の離間した位置に
給電体17及び18を設けてあり、これら給電体17及
び19の間の発熱抵抗体15の部分(図中、斜線で示す
部分)が発熱部21となる。さらに、給電体17及び1
9と発熱部21との上側には保護層31と同様にHfO
2からなる発熱抵抗体保護層33(以下、巾に保護層3
3と称することもある)を3Qけてあり、さらにこの保
護層33上には耐摩耗層25を設けて、この発明の薄膜
型サーマルヘッドを構成している。
it上に保温層13を設けである。この保温層1Fll
zにはこの発明の特徴であるHf0z(at化ハフニウ
ム)からなる発熱抵抗体保護層31(以下、単に保護層
31と称することもある)を設けである。さらに、この
保護層31上に薄膜抵抗体からなる発熱抵抗体15を設
けである。又、この発熱抵抗体15上の離間した位置に
給電体17及び18を設けてあり、これら給電体17及
び19の間の発熱抵抗体15の部分(図中、斜線で示す
部分)が発熱部21となる。さらに、給電体17及び1
9と発熱部21との上側には保護層31と同様にHfO
2からなる発熱抵抗体保護層33(以下、巾に保護層3
3と称することもある)を3Qけてあり、さらにこの保
護層33上には耐摩耗層25を設けて、この発明の薄膜
型サーマルヘッドを構成している。
この構造のサーマルヘッドの理解を深めるため、このサ
ーマルヘッドの製造方法の一例につきra単に説明する
。
ーマルヘッドの製造方法の一例につきra単に説明する
。
保温層13が設けられた下地としてのグレーズドアルミ
ナ基板上に、スパッタ法によりHfO2薄膜とTa2N
薄膜とを連続的に形成する0次に。
ナ基板上に、スパッタ法によりHfO2薄膜とTa2N
薄膜とを連続的に形成する0次に。
フォトリソ技術によりTa2N薄膜を所定の形状にパタ
ーンニングして発熱抵抗体15を、又、HfO2薄膜を
所定の形状にバターニングして保護層31をそれぞれ形
成する。次に、スパッタ法によりこの発熱抵抗体15上
に例えばクロム(Cr)と金(A u)とをM続して成
膜し、続いて、このCr及びAuの金属薄膜を所定の形
状にバターニングして、発熱抵抗体15の一部である発
熱部21(図中、斜線で示す部分)を露出させると共に
、この発熱部21の両側領域にこの金属薄膜からなり互
いに電気的に絶縁された給電体17及び19を形成する
。さらに、スパッタ法によりこの発熱部21と給電体1
7及び19とのり、側にHfO2薄膜を形成しこの薄膜
を所定形状にバターニングして保護層33を形成する。
ーンニングして発熱抵抗体15を、又、HfO2薄膜を
所定の形状にバターニングして保護層31をそれぞれ形
成する。次に、スパッタ法によりこの発熱抵抗体15上
に例えばクロム(Cr)と金(A u)とをM続して成
膜し、続いて、このCr及びAuの金属薄膜を所定の形
状にバターニングして、発熱抵抗体15の一部である発
熱部21(図中、斜線で示す部分)を露出させると共に
、この発熱部21の両側領域にこの金属薄膜からなり互
いに電気的に絶縁された給電体17及び19を形成する
。さらに、スパッタ法によりこの発熱部21と給電体1
7及び19とのり、側にHfO2薄膜を形成しこの薄膜
を所定形状にバターニングして保護層33を形成する。
続いて、スパッタ法によりこの保護層33上に耐摩耗層
25としてのTa205膜を形成して、この発明のサー
マルヘッドを得ることが出来る。
25としてのTa205膜を形成して、この発明のサー
マルヘッドを得ることが出来る。
尚、この実施例においては保護層31及び33をHfO
2のみを以って構成した。しかし、HfO2のみで得ら
れる程度の高融点の保護層を所望としない場合は、この
保yj層をHf 02 を含ませたH f O2とSi
O2又はA文203のいずれか一方又は双方との混合物
とし高価なHfO2の消費を減らすことにより材料費の
低減が図れる。具体的に云えば、HfO2及びSiO2
、HfO2及びA見203、又は、HfO2,SiO2
及びi203からなる混合物を持って構成しても、これ
らの混合物の融点はSiO7のみで構成した保護層の融
点よりも高いから、実施例のサーマルヘッドと同様な効
果が期待出来る。
2のみを以って構成した。しかし、HfO2のみで得ら
れる程度の高融点の保護層を所望としない場合は、この
保yj層をHf 02 を含ませたH f O2とSi
O2又はA文203のいずれか一方又は双方との混合物
とし高価なHfO2の消費を減らすことにより材料費の
低減が図れる。具体的に云えば、HfO2及びSiO2
、HfO2及びA見203、又は、HfO2,SiO2
及びi203からなる混合物を持って構成しても、これ
らの混合物の融点はSiO7のみで構成した保護層の融
点よりも高いから、実施例のサーマルヘッドと同様な効
果が期待出来る。
又、J:述の実施例では保護層31及び33の膜厚を共
に24mとした。この保護層31及び33の膜厚は厚い
ほうが発熱抵抗体を保護する意味では有利であるが、こ
の保護膜を厚くすればするほど印字品質の低下を招き易
く、かつ、膜厚を厚くする分だけ製造コストが高くなる
。従って、保護層の膜厚は実施例の膜厚に限定されるも
のではなく、サーマルへyFに要求される寿命、印字品
質及び製造コストを考逼して保護層の膜厚を決定すれば
良いが、要用的には0.5〜2Ogmの厚さとするのが
好適である。
に24mとした。この保護層31及び33の膜厚は厚い
ほうが発熱抵抗体を保護する意味では有利であるが、こ
の保護膜を厚くすればするほど印字品質の低下を招き易
く、かつ、膜厚を厚くする分だけ製造コストが高くなる
。従って、保護層の膜厚は実施例の膜厚に限定されるも
のではなく、サーマルへyFに要求される寿命、印字品
質及び製造コストを考逼して保護層の膜厚を決定すれば
良いが、要用的には0.5〜2Ogmの厚さとするのが
好適である。
又、絶縁基板、発熱抵抗体、及び耐摩耗層は実施例で用
いた材料に限定されるものではなく他の好適な材料を用
いても良い。
いた材料に限定されるものではなく他の好適な材料を用
いても良い。
試験結果
第2図は従来のサーマルヘッドとこの発明のサーマルヘ
ッドとに電力を印加し、その電力を徐々に大きく変えて
いって行ったステップストレス試験結果を示した特性曲
線図である。この図は縦軸にサーマルヘッドの発熱抵抗
体の抵抗変化率(%)金とり、横軸に印加電力(W/m
m2)をとリ、印加電力に対して、発熱抵抗体の初期抵
抗値Rと、各ステップでの試@終f時の抵抗値との差Δ
Rから求まる抵抗率変化ΔR/Rをプロットして示しで
ある。図中、■で示す曲線がこの発明のサーマルヘッド
の特性であり、 ■で示す曲線が従来のサーマルヘッド
の特性である。
ッドとに電力を印加し、その電力を徐々に大きく変えて
いって行ったステップストレス試験結果を示した特性曲
線図である。この図は縦軸にサーマルヘッドの発熱抵抗
体の抵抗変化率(%)金とり、横軸に印加電力(W/m
m2)をとリ、印加電力に対して、発熱抵抗体の初期抵
抗値Rと、各ステップでの試@終f時の抵抗値との差Δ
Rから求まる抵抗率変化ΔR/Rをプロットして示しで
ある。図中、■で示す曲線がこの発明のサーマルヘッド
の特性であり、 ■で示す曲線が従来のサーマルヘッド
の特性である。
尚、この試験に用いたこの発明のサーマルへラドは発熱
抵抗体の上rにそれぞれ膜厚2μmのHfO2で構成し
た9、熱抵抗体保護層をJジけ、又、従来のサーマルヘ
ッドには発熱抵抗体の感熱紙側表面に膜厚2μmのSi
gh で構成した発熱抵抗体保護層を設けた。又、両者
のサーマルヘッド共に、#摩耗層として膜厚4jLmの
Ta205層を有し、さらに、絶縁基板、保温層及び発
熱抵抗体層の材質、膜厚及び形成条件は同一となるよう
にした。
抵抗体の上rにそれぞれ膜厚2μmのHfO2で構成し
た9、熱抵抗体保護層をJジけ、又、従来のサーマルヘ
ッドには発熱抵抗体の感熱紙側表面に膜厚2μmのSi
gh で構成した発熱抵抗体保護層を設けた。又、両者
のサーマルヘッド共に、#摩耗層として膜厚4jLmの
Ta205層を有し、さらに、絶縁基板、保温層及び発
熱抵抗体層の材質、膜厚及び形成条件は同一となるよう
にした。
又、ステップストレス試験の条件は、印加する初期電力
を4 W / m m ’l とし、ステップを0.5
Wステー2ブとして印加電力を増加させた。又、各ステ
ップでの電力印加条件は、繰り返し周期を2Oms e
cとし、パルス幅を0 、8ms e cとし、パル
ス印加回数を20000回として行った。そして、この
ような試験条件でこの発明及び従来の試料共益試料が破
壊するまで印加電力を上げて試験を行った。
を4 W / m m ’l とし、ステップを0.5
Wステー2ブとして印加電力を増加させた。又、各ステ
ップでの電力印加条件は、繰り返し周期を2Oms e
cとし、パルス幅を0 、8ms e cとし、パル
ス印加回数を20000回として行った。そして、この
ような試験条件でこの発明及び従来の試料共益試料が破
壊するまで印加電力を上げて試験を行った。
第2図に示した試験結果からも明らかなように6印加電
力に対する発熱抵抗体の抵抗変化率は、この発明のサー
マルヘッドの刀が従来のサーマルヘッドよりも低電力領
域から高電力領域にわたって優れた安定性を示すことが
わかった。
力に対する発熱抵抗体の抵抗変化率は、この発明のサー
マルヘッドの刀が従来のサーマルヘッドよりも低電力領
域から高電力領域にわたって優れた安定性を示すことが
わかった。
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この発明によれば
、絶縁基板上に発熱抵抗体と、発熱抵抗体保護層とを有
するサーマルヘッドにおいて、発熱抵抗体保護層をHf
O2を以って構成するか、或はHf 02 と、SiO
2又はAjL20:+のいずれか一万又は双方との混合
物をを以って構成している。このHfO2及びこの混合
物の融点はSiO2の融点よりも高く、かつ熱的安定性
に優れるから、発熱抵抗体に高い電力を印加してもこの
発熱抵抗体の熱によりこの発熱抵抗体保護層は劣化しな
い、従って、発熱抵抗体保護層の熟的劣化に起因して発
生する発S抵抗体の破壊も起こらない。
、絶縁基板上に発熱抵抗体と、発熱抵抗体保護層とを有
するサーマルヘッドにおいて、発熱抵抗体保護層をHf
O2を以って構成するか、或はHf 02 と、SiO
2又はAjL20:+のいずれか一万又は双方との混合
物をを以って構成している。このHfO2及びこの混合
物の融点はSiO2の融点よりも高く、かつ熱的安定性
に優れるから、発熱抵抗体に高い電力を印加してもこの
発熱抵抗体の熱によりこの発熱抵抗体保護層は劣化しな
い、従って、発熱抵抗体保護層の熟的劣化に起因して発
生する発S抵抗体の破壊も起こらない。
又、発熱抵抗体の−L下にL述したような発熱抵抗体保
護層を設ければ、発8抵抗体の周囲は耐熱性の憬れた保
護層により被覆されるから、従来と比較して発熱抵抗体
は酸素による酸化が起こりにくくなる。
護層を設ければ、発8抵抗体の周囲は耐熱性の憬れた保
護層により被覆されるから、従来と比較して発熱抵抗体
は酸素による酸化が起こりにくくなる。
これがため、発熱抵抗体を高温で発熱させて高速印字を
行っても長寿命で使用出来るサーマルヘッドを提供する
ことが出来る。
行っても長寿命で使用出来るサーマルヘッドを提供する
ことが出来る。
第1図はこの発明のサーマルヘッドの一例を示す断面図
、 第2図はこの発明のサーマルヘッドと従来のサーマルヘ
ッドとの印加電力のステップストレス試験結果を示す特
性曲線図、 第3図は薄膜型サーマルヘッドの一般的な構造を示す断
面図である。 11・・・絶縁基板、 13・・・保温層15
・・・発熱抵抗体、 17.19・・・給電体2
1・・・発熱部、 25・・・耐摩耗膜31.
33・・・発熱抵抗体保護層。 特許出願人 沖電気工業株式会社// #I!
h4zh zt= 4e”M、4p/J保正
pg z5軒厚ル冴 75 季1子シlイ版丁カ、牛f−J/JJ 発
殆マC\Dtイト保す電層f7.14 禮弯惨 第1図 一般的rjす一マルへ、どの断酌の 第3図 従十以ひ〕の発8月の寸−マlしへ/ドのスナ、、、
7’ Xレズ試駿持1謙第2図
、 第2図はこの発明のサーマルヘッドと従来のサーマルヘ
ッドとの印加電力のステップストレス試験結果を示す特
性曲線図、 第3図は薄膜型サーマルヘッドの一般的な構造を示す断
面図である。 11・・・絶縁基板、 13・・・保温層15
・・・発熱抵抗体、 17.19・・・給電体2
1・・・発熱部、 25・・・耐摩耗膜31.
33・・・発熱抵抗体保護層。 特許出願人 沖電気工業株式会社// #I!
h4zh zt= 4e”M、4p/J保正
pg z5軒厚ル冴 75 季1子シlイ版丁カ、牛f−J/JJ 発
殆マC\Dtイト保す電層f7.14 禮弯惨 第1図 一般的rjす一マルへ、どの断酌の 第3図 従十以ひ〕の発8月の寸−マlしへ/ドのスナ、、、
7’ Xレズ試駿持1謙第2図
Claims (2)
- (1)下地上に発熱抵抗体と、発熱抵抗体保護層とを具
えるサーマルヘッドにおいて、 発熱抵抗体保護層を、HfO_2、HfO_2とSiO
_2との混合物、HfO_2と Al_2O_3との混
合物及びHfO_2とSiO_2とAl_2O_3との
混合物からなる群より選ばれた一種類の物質を以って構
成したことを特徴とするサーマルヘッド。 - (2)発熱抵抗体保護層を発熱抵抗体の上下にそれぞれ
設けたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のサ
ーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214345A JPS6273701A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214345A JPS6273701A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273701A true JPS6273701A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16654223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214345A Pending JPS6273701A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273701A (ja) |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60214345A patent/JPS6273701A/ja active Pending
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