JPS6273783A - 非晶質半導体太陽電池 - Google Patents
非晶質半導体太陽電池Info
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- JPS6273783A JPS6273783A JP60214227A JP21422785A JPS6273783A JP S6273783 A JPS6273783 A JP S6273783A JP 60214227 A JP60214227 A JP 60214227A JP 21422785 A JP21422785 A JP 21422785A JP S6273783 A JPS6273783 A JP S6273783A
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- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
これらの発明は、ソーダライムガラス基板の上に設けら
れた非晶質半導体太陽電池に関する。
れた非晶質半導体太陽電池に関する。
非晶質半導体太陽電池は、第３図で示されたように、ソ
ーダライムガラス基板ｌの表面に。
ーダライムガラス基板ｌの表面に。
１０００人程度０厚さの５ｉ０２からなるコーテイング
膜２を施し、この上に透明電極３．Ｐ型。
膜２を施し、この上に透明電極３．Ｐ型。
■型、Ｎ型の非晶質半導体層４及び背面電極５を順次設
けて作られている。例えば、上記コーテイング膜２の上
に５ｎｏ２１ｔ’からなる透明電極３．非晶質シリコン
層からなる非晶質半導体層４及びアルミニウム膜からな
る背面電極５を順次設けて作られた非晶質シリコン太陽
電池にあって、透明電極３の厚みが０．４μｆ前後の場
合、同電極３の比抵抗は６Ｘ１０−’〜５×１０づΩｃ
ｓ、波長５５０ｒ＋ｎｏにおける光の透過率は、８０〜
９０％であり、初期変換効率は８％前後である。
けて作られている。例えば、上記コーテイング膜２の上
に５ｎｏ２１ｔ’からなる透明電極３．非晶質シリコン
層からなる非晶質半導体層４及びアルミニウム膜からな
る背面電極５を順次設けて作られた非晶質シリコン太陽
電池にあって、透明電極３の厚みが０．４μｆ前後の場
合、同電極３の比抵抗は６Ｘ１０−’〜５×１０づΩｃ
ｓ、波長５５０ｒ＋ｎｏにおける光の透過率は、８０〜
９０％であり、初期変換効率は８％前後である。
上記非晶質半導体太陽電池において。ソーダライムガラ
ス基板１の表面にコーテイング膜２を施さず、直に透明
電極３を設けた場合、透明電極３の抵抗値が高くなり、
その光の透過率が低下する。また、これに伴って太陽電
池の変換効率も低下する。
ス基板１の表面にコーテイング膜２を施さず、直に透明
電極３を設けた場合、透明電極３の抵抗値が高くなり、
その光の透過率が低下する。また、これに伴って太陽電
池の変換効率も低下する。
例えば、ソーダライムガラス基板１の上に。
直に透明電極３．非晶質半導体層４及び背面電極５を設
けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、透明電極３
の比抵抗は、５Ｘ１０−３Ω印以上となり、光の透過率
も、上記のものに比べて５〜１０％低くなる。
けて作られた上記と同様の太陽電池の場合、透明電極３
の比抵抗は、５Ｘ１０−３Ω印以上となり、光の透過率
も、上記のものに比べて５〜１０％低くなる。
これらの発明は、従来の非晶質半導体太陽電池における
上記の問題点を解決するためなされたもので、ソーダラ
イムガラス基板１の表面にコーテイング膜を施さず、同
基板１の上に直に透明電極３を設けて構成された非晶質
半導体太陽電池について、従来のものと同等の特性が得
られるようにすることを目的とする。
上記の問題点を解決するためなされたもので、ソーダラ
イムガラス基板１の表面にコーテイング膜を施さず、同
基板１の上に直に透明電極３を設けて構成された非晶質
半導体太陽電池について、従来のものと同等の特性が得
られるようにすることを目的とする。
以下、これらの発明の構成を第１図の符号を引用しなが
ら説明すると、第−及び第二の発明による非晶質半導体
太陽電池は、何れもソーダライムガラス基板１１の表面
に５ｉ０２膜等のコーテイング膜を施すことなく、上記
基板１１の上に直に透明電極１３を設け、この上に非晶
質半導体層１４及び背面電極１５を設げて構成されたも
のである。
ら説明すると、第−及び第二の発明による非晶質半導体
太陽電池は、何れもソーダライムガラス基板１１の表面
に５ｉ０２膜等のコーテイング膜を施すことなく、上記
基板１１の上に直に透明電極１３を設け、この上に非晶
質半導体層１４及び背面電極１５を設げて構成されたも
のである。
そして、第一の発明では、ソーダライムガラス基板１１
の上に、Ｓｎに対してＦが１〜３ ａｔ。
の上に、Ｓｎに対してＦが１〜３ ａｔ。
％含有されたＳｎＯ２膜からなる透明電極１３が設けら
れている。また、第二の発明では、Ｆが１〜３ ａｔ、
％と、Ｓｂ、Ｂｒの少なくとも一方が０．５〜３ ａｔ
、％含有された３ｎ０２１！Ｊからなる透明電極１３が
設けられている。
れている。また、第二の発明では、Ｆが１〜３ ａｔ、
％と、Ｓｂ、Ｂｒの少なくとも一方が０．５〜３ ａｔ
、％含有された３ｎ０２１！Ｊからなる透明電極１３が
設けられている。
次に、これらの発明の実施例について説明する。
（実施例１ａ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣ１４・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．２９
ｇ溶解して原料液を作った。ソーダライムガラス基板１
１をホットプレート上で４２０°Ｃに加熱したま＼、そ
の片面に一ヒ記原料液をスプレーし、透明電極１３を設
けた。
ｎＣ１４・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを５．２９
ｇ溶解して原料液を作った。ソーダライムガラス基板１
１をホットプレート上で４２０°Ｃに加熱したま＼、そ
の片面に一ヒ記原料液をスプレーし、透明電極１３を設
けた。
この透明電極１３は、＄ｎに対してＦが約２ａｔ、％含
まれたＳｎＯ２被膜からなり、その厚みは０．４μｍで
あった。この被膜の比抵抗は。
まれたＳｎＯ２被膜からなり、その厚みは０．４μｍで
あった。この被膜の比抵抗は。
６．２５ Ｘ １０−’Ωｃｍであり、波長５５０ｎｍ
における光の平均透過率は、 ８７．６％であった。
における光の平均透過率は、 ８７．６％であった。
なお、比抵抗は、４端子法により、透明電極１３の上の
２点間に一定電流を長し、その間の一定区間（距％Ｉｔ
Ｏ，５ｍｍ）での電圧降下値をもとに求めた。また、
光の平均透過率は９次の方法で求めた。まず、上記ソー
ダライムガラス基板１１と、透明電極１３を設けてない
同じ厚みの基準となるソーダライムガラス板とに光を通
過させ。
２点間に一定電流を長し、その間の一定区間（距％Ｉｔ
Ｏ，５ｍｍ）での電圧降下値をもとに求めた。また、
光の平均透過率は９次の方法で求めた。まず、上記ソー
ダライムガラス基板１１と、透明電極１３を設けてない
同じ厚みの基準となるソーダライムガラス板とに光を通
過させ。
光の波長を変えながら１通過光の光量の比を求め、これ
から第２図のようなグラフを描く。次に、このグラフか
ら１点線で示されたような最大透過率と最小透過率の曲
線を求め、これらの曲線から、光の波長５５０ｎｍにお
ける最大透過率Ｔｍａｘと最小透過率Ｔ ｍ ｉ ｎを
求める。そして。
から第２図のようなグラフを描く。次に、このグラフか
ら１点線で示されたような最大透過率と最小透過率の曲
線を求め、これらの曲線から、光の波長５５０ｎｍにお
ける最大透過率Ｔｍａｘと最小透過率Ｔ ｍ ｉ ｎを
求める。そして。
これらの中間値を平均透過率として算出した。
さらに、上記透明電極１３の上に、非晶質半導体層１４
として、それぞれ厚み１２０人、 ５０００人。
として、それぞれ厚み１２０人、 ５０００人。
３００人のＰ型、■型、Ｎ型からなる非晶質シリコン層
を設けた。続いて、この上にアルミニウムを真空蒸着し
て背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリコ
ン太陽電池を構成した。
を設けた。続いて、この上にアルミニウムを真空蒸着し
て背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリコ
ン太陽電池を構成した。
この太陽電池の初期変換効率は８．１％であった。
（実施例１ｂ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣｌ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨａＦを２
．６５ ｇ溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、 Ｓｎ
に対してＦが約１ ｓｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜から
なる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
ｎＣｌ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨａＦを２
．６５ ｇ溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様
にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、 Ｓｎ
に対してＦが約１ ｓｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜から
なる厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。
さらに、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１
４と背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリ
コン太陽電池を作った。
４と背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリ
コン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極工３の比抵抗は。
９．６ Ｘ １０−’Ωｃａｎ、その平均透過率は、
８８．１％であった。また、太陽電池の初期変換効率は
、８．１％であった。
８８．１％であった。また、太陽電池の初期変換効率は
、８．１％であった。
（実施例１ｃ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１Ｏｃｃ、５ｎｃ
１４ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを７．９４ ｇ
溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソ
ーダライムガラス基板１１の上に、 Ｓｎに対してＦ
が約３ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０
．４μｍの透明電極１３を作った。
１４ ・５Ｈ２０を２５ｇ及びＮＨ４Ｆを７．９４ ｇ
溶解した原料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソ
ーダライムガラス基板１１の上に、 Ｓｎに対してＦ
が約３ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０
．４μｍの透明電極１３を作った。
さらに、この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１
４と背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリ
コン太陽電池を作った。
４と背面電極１５を設け、第一の発明による非晶質シリ
コン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
５．９ Ｘ １０−４Ω側、その平均透過率は、 ８６
．９％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８
．１％であった。
．９％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８
．１％であった。
〈実施例２ａ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを５
．２９ ｇ 。
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを５
．２９ ｇ 。
５ｂＣ１３を０．１６ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、３ｎに対してＦが約２ ａｔ。
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、３ｎに対してＦが約２ ａｔ。
％、ｓｂが約１ ｓｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からな
る厚み０．４μ催の透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
る厚み０．４μ催の透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
６．６Ｘ１０−’Ωｅ＋ｎ、その平均透ａ率ハ、 ８５
．３％ Ｔ：あった。また、太陽電池の初期変換効率は
、８．３％であった。
．３％ Ｔ：あった。また、太陽電池の初期変換効率は
、８．３％であった。
（実施例２ｂ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ＋ Ｓ
ｎＣ１ｍ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを７．
９４ ｇ 。
ｎＣ１ｍ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨａ Ｆを７．
９４ ｇ 。
５ｂＣ１３を０．３２ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約３ ａｔ、
％、ｓｂが約２ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からな
る厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約３ ａｔ、
％、ｓｂが約２ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からな
る厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
６、Ｉ Ｘ １０−’Ω印、その平均透過率は、 ８４
．５％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８
．３％であった。
．５％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８
．３％であった。
（実施例２ｃ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、Ｎ８４Ｆを２．
６５ ｇ 。
ｎＣＩ ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、Ｎ８４Ｆを２．
６５ ｇ 。
５ｂＣ１３を０．４８ｇ及びＨＣＩを２ｃｃ溶解した原
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約１ ａｔ、
％、ｓｂが約３ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からな
る厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設げ、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
料液を使用し、上記実施例と同様にして、ソーダライム
ガラス基板１１の上に、Ｓｎに対してＦが約１ ａｔ、
％、ｓｂが約３ ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からな
る厚み０．４μｍの透明電極１３を作った。さらに、こ
の上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面電
極１５を設げ、第二の発明による非晶質シリコン太陽電
池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
８．２Ｘ１０−’Ω個、その平均透過率は、 ８５．０
％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．４
％であった。
％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．４
％であった。
（実施例２ｄ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、５ｎＣ
１４・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨ４Ｆを５．２９ ｇ及び
ＨＢｒを３ｃｃ溶解した原料液を使用し、上記実施例と
同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、３ｎ
に対してＦが約２ ａｔ、％、Ｂｒが約０．６ ａｔ、
％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μｍの透明
電極１３を作った。さらに。
１４・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨ４Ｆを５．２９ ｇ及び
ＨＢｒを３ｃｃ溶解した原料液を使用し、上記実施例と
同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、３ｎ
に対してＦが約２ ａｔ、％、Ｂｒが約０．６ ａｔ、
％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μｍの透明
電極１３を作った。さらに。
この上に上記実施例と同様の非晶質半導体層１４と背面
電極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽
電池を作った。
電極１５を設け、第二の発明による非晶質シリコン太陽
電池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
４．１７Ｘ１０−４Ω釧、その平均透過率は、 ９０．
４％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
３％であった。
４％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
３％であった。
（実施例２ｅ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、５ｎＣ
１４・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨｔ Ｆを５．２９ｇ及び
ＨＢｒを１５ｃｃ溶解した原料液を使用し、上記実施例
と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、３
ｎに対してＦが約２ ａｔ、％、Ｂｒが約３ ａｔ、％
含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μｍの透明電
極１３を作った。さらに、この上に上記実施例と同様の
非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、第二の発明
による非晶質シリコン太陽電池を作った。
１４・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨｔ Ｆを５．２９ｇ及び
ＨＢｒを１５ｃｃ溶解した原料液を使用し、上記実施例
と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の上に、３
ｎに対してＦが約２ ａｔ、％、Ｂｒが約３ ａｔ、％
含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μｍの透明電
極１３を作った。さらに、この上に上記実施例と同様の
非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、第二の発明
による非晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
４．３ Ｘｌ０−’Ω■、その平均透過率は、 ９０．
１％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
２％であった。
１％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
２％であった。
（実施例２ｆ）
水１５０ｃｃに、エチルアルコールを１０ｃｃ、 Ｓ
ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨ４Ｆを７．９
４ ｇ及びＨＢｒを５ｃｃ溶解した原料液を使用し、上
記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の
上に、Ｓｎに対してＦが約３ ａｔ、％、１３ｒが約１
ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μ
ｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、
第二の発明による非晶質シリコン太陽電池を作った。
ｎＣ１ａ ・５Ｈ２０を２５ｇ、ＮＨ４Ｆを７．９
４ ｇ及びＨＢｒを５ｃｃ溶解した原料液を使用し、上
記実施例と同様にして、ソーダライムガラス基板１１の
上に、Ｓｎに対してＦが約３ ａｔ、％、１３ｒが約１
ａｔ、％含まれたＳｎＯ２被膜からなる厚み０．４μ
ｍの透明電極１３を作った。さらに、この上に上記実施
例と同様の非晶質半導体層１４と背面電極１５を設け、
第二の発明による非晶質シリコン太陽電池を作った。
この実施例において、透明電極１３の比抵抗は。
４、Ｉ Ｘｌ０−’Ω口、その平均透過率は、 ８９．
０％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
３％であった。
０％であった。また、太陽電池の初期変換効率は、８．
３％であった。
なお、下表から明らかな通り、第二の発明による実施例
２８〜２ｆでは、初期変換効率が８．２〜８．４％と、
第一の発明による実施例１８〜２ｃに比べて、より高い
変換効率が得られた。
２８〜２ｆでは、初期変換効率が８．２〜８．４％と、
第一の発明による実施例１８〜２ｃに比べて、より高い
変換効率が得られた。
これらの発明において、透明電極１３に含まれるＦやｓ
ｂまたはＢｒの含有量は、上記実施例を含む幾つかの実
験等に基づいて定められたものであるが、これら含有量
が上記のように定められた理由の＋ａ要を述べると２次
の通りである。
ｂまたはＢｒの含有量は、上記実施例を含む幾つかの実
験等に基づいて定められたものであるが、これら含有量
が上記のように定められた理由の＋ａ要を述べると２次
の通りである。
（１）第一と第二の発明において、透明電極１３を構成
するＳｎＯ２膜に含まれるＦが、Ｓｎに対して１ ｓｔ
、％未満では、透明電極１３の抵抗値が高くなり、太陽
電池の変換効率が低下する。
するＳｎＯ２膜に含まれるＦが、Ｓｎに対して１ ｓｔ
、％未満では、透明電極１３の抵抗値が高くなり、太陽
電池の変換効率が低下する。
また、Ｆが、Ｓｎに対して３ ａｔ、％を越えると、透
明電極１３の光の透過率が低下し、やはり太陽電池の変
換効率が低下する。
明電極１３の光の透過率が低下し、やはり太陽電池の変
換効率が低下する。
（２）第二の発明において、透明電極１３を構成するＳ
ｎＯ２膜に含まれるＳｂ、Ｂｒの少なくとも一方が、Ｓ
ｎに対して０．５ ａｔ、％未満では、透明電極１３の
抵抗値が高くなり、太陽電池の変換効率が低下する。
ｎＯ２膜に含まれるＳｂ、Ｂｒの少なくとも一方が、Ｓ
ｎに対して０．５ ａｔ、％未満では、透明電極１３の
抵抗値が高くなり、太陽電池の変換効率が低下する。
また、これらが、Ｓｎに対して３ ａｔ、％を越えると
、透明電極１３の光の透過率が急激に低下し、太陽電池
の変換効率が低下する。
、透明電極１３の光の透過率が急激に低下し、太陽電池
の変換効率が低下する。
なお、第二の発明におけるＳｎＯ２膜の中に含まれるｓ
ｂとＢｒについては、これら双方が上記膜の中に含まれ
ている場合でも、これらのＳｎに対する含有率の総和が
０．５〜３ ａｔ、％の範囲にある場合は、上記実施例
２８〜２ｆとはヌ′同様の結果が得られる。
ｂとＢｒについては、これら双方が上記膜の中に含まれ
ている場合でも、これらのＳｎに対する含有率の総和が
０．５〜３ ａｔ、％の範囲にある場合は、上記実施例
２８〜２ｆとはヌ′同様の結果が得られる。
以上説明した通り、これらの発明によれば。
ソーダライムガラス基板１１の表面に３ｉ０２１１’Ｊ
のコーテイング膜を施さず、同基板１１の上に直に透明
電極１３を設けて構成された非晶質半導体太陽電池にお
いて、従来課題となっていた。透明電極１３の抵抗値の
増大、透過率の低下といった問題が解消される。これに
よって、ソーダライムガラス基板１１の表面にコーテイ
ング膜を施す必要がなくなるという効果が得られる。
のコーテイング膜を施さず、同基板１１の上に直に透明
電極１３を設けて構成された非晶質半導体太陽電池にお
いて、従来課題となっていた。透明電極１３の抵抗値の
増大、透過率の低下といった問題が解消される。これに
よって、ソーダライムガラス基板１１の表面にコーテイ
ング膜を施す必要がなくなるという効果が得られる。
また、第二の発明については、上記の効果に加え、より
高い変換効率を持った非晶質半導体太陽電池を提供する
ことができる。
高い変換効率を持った非晶質半導体太陽電池を提供する
ことができる。
第１図は、これらの発明の実施例を示す非晶質半導体太
陽電池の概念図、第２図は透明電極の光の透過率と光の
波長との関係を示すグラフ。 第３図は非晶質半導体太陽電池の従来例を示す概念図で
ある。 １１−ソーダライムガラス基板 １３−・透明電極１４
−非晶質半導体層 １５−・背面電極第７図 １１−・−ソーダライムガラス基１反 ５Ｑｎｍ 光の波長（ｎｍ） 第３図
陽電池の概念図、第２図は透明電極の光の透過率と光の
波長との関係を示すグラフ。 第３図は非晶質半導体太陽電池の従来例を示す概念図で
ある。 １１−ソーダライムガラス基板 １３−・透明電極１４
−非晶質半導体層 １５−・背面電極第７図 １１−・−ソーダライムガラス基１反 ５Ｑｎｍ 光の波長（ｎｍ） 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ソーダライムガラス基板１１の上に、透明電極１３
、非晶質半導体層１４、背面電極１５が順次設けられた
非晶質半導体太陽電池において、ソーダライムガラス基
板１１の上に直に透明電極１３が設けられ、この透明電
極１３が、Ｓｎに対してＦが１〜３ａｔ．％含有された
ＳｎＯ＿２膜からなることを特徴とする非晶質半導体太
陽電池。 ２、ソーダライムガラス基板１１の上に、透明電極１３
、非晶質半導体層１４、背面電極１５が順次設けられた
非晶質半導体太陽電池において、ソーダライムガラス基
板１１の上に直に透明電極１３が設けられ、この透明電
極１３が、Ｓｎに対してＦが１〜３ａｔ．％と、Ｓｂ、
Ｂｒの少なくとも一方が０．５〜３ａｔ．％含有された
ＳｎＯ＿２膜からなることを特徴とする非晶質半導体太
陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214227A JPS6273783A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214227A JPS6273783A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273783A true JPS6273783A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0513388B2 JPH0513388B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=16652298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214227A Granted JPS6273783A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 非晶質半導体太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273783A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
| US5102721A (en) * | 1987-08-31 | 1992-04-07 | Solarex Corporation | Textured tin oxide |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0727495U (ja) * | 1993-11-04 | 1995-05-23 | モリ工業株式会社 | 多機能物干し装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558363A (en) * | 1978-10-20 | 1980-05-01 | Roy Gerald Gordon | Improved tin oxide coat |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60214227A patent/JPS6273783A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558363A (en) * | 1978-10-20 | 1980-05-01 | Roy Gerald Gordon | Improved tin oxide coat |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102721A (en) * | 1987-08-31 | 1992-04-07 | Solarex Corporation | Textured tin oxide |
| US5091764A (en) * | 1988-09-30 | 1992-02-25 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having a transparent electrode and amorphous semiconductor layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0513388B2 (ja) | 1993-02-22 |
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