JPS6274350U - - Google Patents

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JPS6274350U
JPS6274350U JP16741185U JP16741185U JPS6274350U JP S6274350 U JPS6274350 U JP S6274350U JP 16741185 U JP16741185 U JP 16741185U JP 16741185 U JP16741185 U JP 16741185U JP S6274350 U JPS6274350 U JP S6274350U
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diffused
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案光半導体装置の第１実施例の構
成を示す平面図、第２図はその要部拡大断面図、
第３図は本考案光半導体装置の第２実施例の構成
を示す平面図、第４図は本考案光半導体装置の第
３実施例の構成を示す平面図、第５図はその要部
拡大断面図である。 １……シリコン基板、２……フオトダイオード
、３……不感帯、４……拡散キヤリヤ吸収帯、５
……Ｐ形拡散層、６……電極、７……シリコン酸
化膜、８……Ｎ＋層、９……Ｐ形拡散層、１０…
…短絡用Ｎ＋層拡散層、１１……電極、１２……
Ｎ＋拡散層、１３……電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体基板の適所に、該基板の導電型と反
    対の導電型を形成する不純物を選択的に拡散して
    フオトダイオードを形成してなる光半導体装置に
    おいて、 上記フオトダイオードを構成する拡散面の近傍
    に、上記不純物と同型の不純物を選択的に拡散す
    ると共に、形成される拡散面と上記半導体基板と
    を短絡してなる拡散キヤリヤ吸収帯を設けて、同
    一基板の他の領域からフオトダイオードへの拡散
    キヤリヤ流れ込みを減少する構成としたことを特
    徴とする光半導体装置。 (2) 上記フオトダイオードを構成する拡散面の
    近傍に、上記基板と同型の不純物を高濃度に選択
    拡散した部分を設け、この高濃度拡散部と、上記
    拡散キヤリヤ吸収帯とを電極で接続して、該拡散
    キヤリヤ吸収帯と基板とを短絡してなる実用新案
    登録請求の範囲第１項記載の光半導体装置。
JP16741185U 1985-10-30 1985-10-30 Pending JPS6274350U (ja)

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JP16741185U JPS6274350U (ja) 1985-10-30 1985-10-30

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JPS6274350U true JPS6274350U (ja) 1987-05-13

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JP16741185U Pending JPS6274350U (ja) 1985-10-30 1985-10-30

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06350122A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出素子
JP2011159984A (ja) * 2003-10-20 2011-08-18 Hamamatsu Photonics Kk 半導体光検出素子及び放射線検出装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5140790A (ja) * 1974-10-04 1976-04-05 Oki Electric Ind Co Ltd
JPS552113B2 (ja) * 1975-03-01 1980-01-18
JPS5730348A (en) * 1980-07-03 1982-02-18 Ibm Method of forming mutual connection wire

Patent Citations (3)

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