JPS6275247A - ガス検出素子とその製造方法 - Google Patents
ガス検出素子とその製造方法Info
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- JPS6275247A JPS6275247A JP21446785A JP21446785A JPS6275247A JP S6275247 A JPS6275247 A JP S6275247A JP 21446785 A JP21446785 A JP 21446785A JP 21446785 A JP21446785 A JP 21446785A JP S6275247 A JPS6275247 A JP S6275247A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical class O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 11
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001463 antimony compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 15
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- ABXZOXDTHTTZJW-LBPRGKRZSA-N (S)-norlaudanosoline Chemical compound C1=C(O)C(O)=CC=C1C[C@H]1C2=CC(O)=C(O)C=C2CCN1 ABXZOXDTHTTZJW-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910003609 H2PtCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008046 SnC14 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006853 SnOz Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002362 mulch Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- LIYKJALVRPGQTR-UHFFFAOYSA-M oxostibanylium;chloride Chemical compound [Cl-].[Sb+]=O LIYKJALVRPGQTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 sb compound Chemical class 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分 野〕
この発明は、可燃性ガスを検出するガス検出素子に関す
るものである。
るものである。
可燃性ガスを検出するガス検出素子として、酸化第２ス
ズ（ＳｎＯ２）を主材とし、パラジウム（Ｐｄ）と白金
（ｐｔ）とを触媒として含有する金属酸化物半導体を用
いたガス検出素子（以後、ＳｎＯ２−ｐａ −ｐｔ系素
子という）がある。
ズ（ＳｎＯ２）を主材とし、パラジウム（Ｐｄ）と白金
（ｐｔ）とを触媒として含有する金属酸化物半導体を用
いたガス検出素子（以後、ＳｎＯ２−ｐａ −ｐｔ系素
子という）がある。
この５ｎＯ２−ｐａ −ｐｔ系素子の各種ガスに対すす
るＳＮ比ならびに応答時間の１例は後掲の表３の実験例
２１に示す通りである。なお、この実験例２１の８ｎＯ
２−ｐａ −Ｐｔ系素子は、後述の実施例で説明される
製造方法に従って後掲の表１に実験例２１で示す通りの
組成比で製作したものである。
るＳＮ比ならびに応答時間の１例は後掲の表３の実験例
２１に示す通りである。なお、この実験例２１の８ｎＯ
２−ｐａ −Ｐｔ系素子は、後述の実施例で説明される
製造方法に従って後掲の表１に実験例２１で示す通りの
組成比で製作したものである。
ところで、可燃性ガスを検出するガス検出素子としては
、可燃性ガスを確実に検出するためには８Ｎ比が高いこ
とが望ましい。また、可燃性ガスによる危険性を回避す
るためには、ガスに対する応答が早いことが望ましい。
、可燃性ガスを確実に検出するためには８Ｎ比が高いこ
とが望ましい。また、可燃性ガスによる危険性を回避す
るためには、ガスに対する応答が早いことが望ましい。
この発明は、前記８ｎＯ２−Ｐａ −Ｐｔ系のガス検出
素子を改良して、可燃性ガスに対するＳＮ比をより高い
ものとすることを目的とするものであり、また、応答性
ζこついてもより良好にすることを目的とするものであ
る。
素子を改良して、可燃性ガスに対するＳＮ比をより高い
ものとすることを目的とするものであり、また、応答性
ζこついてもより良好にすることを目的とするものであ
る。
この発明のガス検出素子は、酸化第２スズを主材、パラ
ジウムと白金とを触媒として含有する金属酸化物半導体
をガス感応体とするガス検出素子において、主材である
酸化第２スズとして、酸化第２スズに塩化第２スズを８
ｎＣ１４／５ｎＯ２＝０〜１５モルチ添加し焼成して得
た活性化酸化第２スズを用いたことを特徴とするもので
ある。
ジウムと白金とを触媒として含有する金属酸化物半導体
をガス感応体とするガス検出素子において、主材である
酸化第２スズとして、酸化第２スズに塩化第２スズを８
ｎＣ１４／５ｎＯ２＝０〜１５モルチ添加し焼成して得
た活性化酸化第２スズを用いたことを特徴とするもので
ある。
また、次の工程の製造方法を特徴とするものである。
■ 酸化第２スズ（Ｓｎ０２）に塩化第２スズ（Ｓｎ
ｃｚ ４）を添加して焼成し活性化酸化第２スズを作成
する。
ｃｚ ４）を添加して焼成し活性化酸化第２スズを作成
する。
■ 活性化酸化第２スズに塩化パラジウム（ｐａｃｚ２
）溶液と塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｆ６）溶液とをＰｄ／
Ｓｎ ＝ ０．１〜８モル％、Ｐ ｔ／Ｓｎ ＝ ０．
５〜８モルチとなるように加えて分散し、乾燥する。
）溶液と塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｆ６）溶液とをＰｄ／
Ｓｎ ＝ ０．１〜８モル％、Ｐ ｔ／Ｓｎ ＝ ０．
５〜８モルチとなるように加えて分散し、乾燥する。
■ ■の試料にアンチモン（Ｓｂ）化合物をＳｂ／Ｓｎ
＝ ０．５〜８モルチとなるように加えて混合する。
＝ ０．５〜８モルチとなるように加えて混合する。
■ ■の試料に有機溶剤を加えてペースト状にし、これ
を１対の電極を有する絶縁体に塗布し、乾燥させる。
を１対の電極を有する絶縁体に塗布し、乾燥させる。
■ ■の素子を、６００〜８５０℃の大気またはアンチ
モン酸化ガスの雰囲気中で５〜３０分間焼成する。
モン酸化ガスの雰囲気中で５〜３０分間焼成する。
主材と［７て、 ＳｎＣ！ｆ、 Ｇ ５ｎＣ２＊ ／ｓ
ｎｏ、 ＝＝ Ｏ〜１５モルチ添加したＳｎＯ２を焼成
して得た活性化！汽 ＳｎＯ２を用いることにより、ガス検出素子の可鴬性ガ
スに対するＳＮ比が高くなるとともに、応答時間も早く
なる傾向がある。特に、１９ｎＯ２にＳｎＣｌ４を添加
し焼成して得た活性化ＳｎＯ□を主材として用いた場合
には、ＳＮ比がより高くなる傾向がある。
ｎｏ、 ＝＝ Ｏ〜１５モルチ添加したＳｎＯ２を焼成
して得た活性化！汽 ＳｎＯ２を用いることにより、ガス検出素子の可鴬性ガ
スに対するＳＮ比が高くなるとともに、応答時間も早く
なる傾向がある。特に、１９ｎＯ２にＳｎＣｌ４を添加
し焼成して得た活性化ＳｎＯ□を主材として用いた場合
には、ＳＮ比がより高くなる傾向がある。
これは、５ｎ０２を焼成したことによって、ＳｎＯ２の
活性度が高められ、また、５ｎＣｊ４が添加されたもの
では、活性度が高められたＢ ｎＯ２の表面に８ｎＣＬ
４より生成された活性度の高いＳｎＯ□の微粒子が付着
したことによる作用と推定される。
活性度が高められ、また、５ｎＣｊ４が添加されたもの
では、活性度が高められたＢ ｎＯ２の表面に８ｎＣＬ
４より生成された活性度の高いＳｎＯ□の微粒子が付着
したことによる作用と推定される。
以下、この発明のガス検出素子とその製造方法について
実験例により説明する。
実験例により説明する。
実験例１〜１３のガス検出素子を次の製造方法により製
作した。なお、各実験例でのガス検出素子の製作個数は
８個ずつである。
作した。なお、各実験例でのガス検出素子の製作個数は
８個ずつである。
まず、塩化第２ス°ズ（ＳｎＣｌ２） ｌこ純水を加え
、５ｎＣＬ ４溶液を作成する。
、５ｎＣＬ ４溶液を作成する。
次に、酸化第２スズ（ＳｎＯｚ）に５ｎａｐ、溶液を、
５ｎＣＬ４／ＳｎＯ□＝０〜６．０モルチとなるように
添加し、混合する。なお、この８ｎＯ２は、金属スズ（
Ｓｎ）−を硝酸（ＨＮＯ、）で溶かしこれを焼成した、
市場に流通している粉末のＳｎ Ｏ２である。
５ｎＣＬ４／ＳｎＯ□＝０〜６．０モルチとなるように
添加し、混合する。なお、この８ｎＯ２は、金属スズ（
Ｓｎ）−を硝酸（ＨＮＯ、）で溶かしこれを焼成した、
市場に流通している粉末のＳｎ Ｏ２である。
この混合溶液を電気炉に入れ、６００〜９００℃の所定
温度まで昇温させ、所定温度で３０分間焼成（以後、こ
の焼成を仮焼成という）する。
温度まで昇温させ、所定温度で３０分間焼成（以後、こ
の焼成を仮焼成という）する。
そして、この焼成物を乳鉢に入れて粉砕し、活性化５ｎ
０２を得る。
０２を得る。
次に、この活性化Ｓｎ○２に塩化パラジウム（ＰｄＣｊ
２）溶液と塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ４）溶液とを、Ｐ
ａ／Ｓｎ ＝ ０．１〜８モル％、Ｐｔ／Ｓｎ ＝ ０
．５〜８ モルチとなるように加えて混合水溶液を作
成する。
２）溶液と塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ４）溶液とを、Ｐ
ａ／Ｓｎ ＝ ０．１〜８モル％、Ｐｔ／Ｓｎ ＝ ０
．５〜８ モルチとなるように加えて混合水溶液を作
成する。
なお、ｐａｃｚ２溶液は、ＰｄＣＬ２に例えば０．２％
の塩酸水溶液を加えて作成し、Ｈ２ＰｔＣＬ６溶液は。
の塩酸水溶液を加えて作成し、Ｈ２ＰｔＣＬ６溶液は。
Ｈ２ＰｔＣｌ４・６Ｈ２０１こ純水を加えて作成する。
次に、この混合水溶液を超音波かくはん機によってかく
はんし、ｐａ 、 ｐｔを良く分散させる。
はんし、ｐａ 、 ｐｔを良く分散させる。
その後、この分散混合水溶液を真空凍結乾燥器にセット
し、−４０’Ｑ以下で急速凍結乾燥させて乾燥試料を作
成する。
し、−４０’Ｑ以下で急速凍結乾燥させて乾燥試料を作
成する。
そして、この乾燥試料にアンチモン化合物としてオキシ
塩化アンチモン（ＳｂＯＣＬ）を、Ｓｂ／５ｎ＝０．５
〜８モルチとなるようｌこ加え、乳鉢で約３０分間混合
して混合試料を作成する。
塩化アンチモン（ＳｂＯＣＬ）を、Ｓｂ／５ｎ＝０．５
〜８モルチとなるようｌこ加え、乳鉢で約３０分間混合
して混合試料を作成する。
なお、各実験例１〜１３における活性化Ｓｎ Ｏ２を作
成する際のＳ ｎ Ｃ１４／ｆ９ ｎ Ｏ２と仮焼成温
度、ならびにＰａ／Ｓｎ 、 Ｐｔ／Ｓｎ 、 Ｓｂ／
Ｓｎは後掲の表１１表２に示す通りである。
成する際のＳ ｎ Ｃ１４／ｆ９ ｎ Ｏ２と仮焼成温
度、ならびにＰａ／Ｓｎ 、 Ｐｔ／Ｓｎ 、 Ｓｂ／
Ｓｎは後掲の表１１表２に示す通りである。
表 １
表 ２
この混合試料に有機溶剤であるイソプロピルアルコール
を加えてペースト状とし、このペースト状の混合試料を
１対の電極を有する絶縁体であるアルミナ磁器管上に１
対の電極間を覆うように塗布し、その後自然乾燥する。
を加えてペースト状とし、このペースト状の混合試料を
１対の電極を有する絶縁体であるアルミナ磁器管上に１
対の電極間を覆うように塗布し、その後自然乾燥する。
次に、この自然乾燥した素子を７００℃にセットしたア
ンチモン（ｓｂ）酸化ガス雰囲勅石英管中で１０分間ま
たは１５分間焼成する。なお、ｓｂ酸化ガス雰囲気は、
表１１表２に示す量の５ｂＯ（Ｊをアルミナボートに載
置し、これを７００℃にセットされた石英管（内径４の
、電気炉挿入部５０偏）中に３０分間入れて蒸発させて
作成したものである。
ンチモン（ｓｂ）酸化ガス雰囲勅石英管中で１０分間ま
たは１５分間焼成する。なお、ｓｂ酸化ガス雰囲気は、
表１１表２に示す量の５ｂＯ（Ｊをアルミナボートに載
置し、これを７００℃にセットされた石英管（内径４の
、電気炉挿入部５０偏）中に３０分間入れて蒸発させて
作成したものである。
そして、焼成後の素子をこヒータを取り付け、このヒー
タに通電して素子を３００±５０℃ｌこ加熱し大気中で
数時間のエージングを行ない、各実験例毎に８個ずつの
素子（以後、８ｎＣ！４−８ｎＯ２−Ｐｄ −Ｐｔ系素
子という）を完成する。
タに通電して素子を３００±５０℃ｌこ加熱し大気中で
数時間のエージングを行ない、各実験例毎に８個ずつの
素子（以後、８ｎＣ！４−８ｎＯ２−Ｐｄ −Ｐｔ系素
子という）を完成する。
なお、実験例２１は、前述のＳｎＯ２を仮焼成すること
なくそのまま用い、これにＰｄ（Ｊ２と５ｂｏａｚとを
表１１こ示す組成比で加え、上記製造方法で製作した比
較用の５ｎＯ２−Ｐｄ −Ｐｔ系のガス検出素子である
。
なくそのまま用い、これにＰｄ（Ｊ２と５ｂｏａｚとを
表１１こ示す組成比で加え、上記製造方法で製作した比
較用の５ｎＯ２−Ｐｄ −Ｐｔ系のガス検出素子である
。
このように製作した実験例１〜１３ならびに実験例２１
の各８個ずつのガス検出素子について、ヒータに通電し
て素子を３２０±１０ ”Ｑとなるように加熱し、大気
中での抵抗値Ｒ０を測定し、各実験例毎にその平均値を
求めたところ、表１２表２に示す結果が得られた。
の各８個ずつのガス検出素子について、ヒータに通電し
て素子を３２０±１０ ”Ｑとなるように加熱し、大気
中での抵抗値Ｒ０を測定し、各実験例毎にその平均値を
求めたところ、表１２表２に示す結果が得られた。
次に、実験例１〜１３ならびに２１の各素子を、ヒータ
により３２０±１０℃に加熱し、それぞれ空気中ζこ濃
度が１００ ｐｐｍの水素（Ｈ２）＋エチレン（Ｃ２Ｈ
４） ｒエタン（Ｃ２Ｈ６）＋イソブタン（１Ｃ４Ｈ４
゜）、アンモニア（ＮＨ５）、−酸化炭素（ＣＯ）。
により３２０±１０℃に加熱し、それぞれ空気中ζこ濃
度が１００ ｐｐｍの水素（Ｈ２）＋エチレン（Ｃ２Ｈ
４） ｒエタン（Ｃ２Ｈ６）＋イソブタン（１Ｃ４Ｈ４
゜）、アンモニア（ＮＨ５）、−酸化炭素（ＣＯ）。
イソプロピルアルコール（ｉＰＡ） 、エチルアルコー
ル（ＥｉｔＯＨ）を各別に含む各供試ガス雰囲気中に順
次にさらし、各供試ガス中での抵抗値Ｒｇならびに応答
時間を測定した。この測定結果から、各実験例毎に各供
試ガスに対するＳＮ比、っまりＲ０／Ｒｇ、ならびに応
答時間１こつぃて８個の素子の平均値を求めたところ、
表３．４に示す結果が得られた。
ル（ＥｉｔＯＨ）を各別に含む各供試ガス雰囲気中に順
次にさらし、各供試ガス中での抵抗値Ｒｇならびに応答
時間を測定した。この測定結果から、各実験例毎に各供
試ガスに対するＳＮ比、っまりＲ０／Ｒｇ、ならびに応
答時間１こつぃて８個の素子の平均値を求めたところ、
表３．４に示す結果が得られた。
表 ３
ｊ−１ｌ 、−、、ｌ−、、、、、−：、−、’−１−
、−−−・ ｔ−１−・−−−−ｉ−−□−’
。
、−−−・ ｔ−１−・−−−−ｉ−−□−’
。
表 ４
表３Ｊζおいて、実験例１は実験例２１に比べて、０２
Ｈ，ならびに１Ｃ４Ｈ，。に対するＳＮ比には両者の間
に差がないものの、Ｈ２，Ｃ，Ｈ４ならびにｉＰＡに対
するＳＮ比は高くなっており、特にｉＰＡに対するＳＮ
比は約３倍に向上している。
Ｈ，ならびに１Ｃ４Ｈ，。に対するＳＮ比には両者の間
に差がないものの、Ｈ２，Ｃ，Ｈ４ならびにｉＰＡに対
するＳＮ比は高くなっており、特にｉＰＡに対するＳＮ
比は約３倍に向上している。
また応答時間についても、実験例１は実験例２１に比べ
、１ｃ４Ｈ，。に対する応答時間を除けば、約１／２の
時間に早くなっている。
、１ｃ４Ｈ，。に対する応答時間を除けば、約１／２の
時間に早くなっている。
このことから、主材の８ｎＯ□として活性化ＥＩｎＯ□
を用いると、可燃性ガスに対するＳＮ比を高め、応答時
間を早めるのに効果があることがわかる。
を用いると、可燃性ガスに対するＳＮ比を高め、応答時
間を早めるのに効果があることがわかる。
実験例２〜５を実験例２１ならびに実験例１と比較して
みると、実験例２〜５は、実験例２１と比べ、Ｈ２，０
２Ｈ４，ｉＰＡ 、 ＥｔＯＨに対するＳＮ比が高くな
っており、また実験例１と比べてもこれらのガスに対す
るＥＩＮ比は高くなっている。また、実験例２〜５は実
験例１と比べ、応答時間のばらつきが抑えられる傾向が
ある。
みると、実験例２〜５は、実験例２１と比べ、Ｈ２，０
２Ｈ４，ｉＰＡ 、 ＥｔＯＨに対するＳＮ比が高くな
っており、また実験例１と比べてもこれらのガスに対す
るＥＩＮ比は高くなっている。また、実験例２〜５は実
験例１と比べ、応答時間のばらつきが抑えられる傾向が
ある。
なお、活性化ＳｎＯ２を作成する際の仮焼成温度を変化
させた実験例６〜８、ならびにｐｄ、 ｐｔ 。
させた実験例６〜８、ならびにｐｄ、 ｐｔ 。
ｓｂの組成比を変化させてみた実験例９〜１３について
も、実験例２〜５と同様の傾向にある。
も、実験例２〜５と同様の傾向にある。
これらの点から、主材のＳｎＯ□として、５ｎＣｊ４が
添加されたａｎ○２を仮焼成して得た活性化ＳｎＯ□を
用いると、可燃性ガスに対するＳＮ比をより高く、また
応答時間のばらつきを少なくすることができる。
添加されたａｎ○２を仮焼成して得た活性化ＳｎＯ□を
用いると、可燃性ガスに対するＳＮ比をより高く、また
応答時間のばらつきを少なくすることができる。
なお、第１図に実験例３のうちの１つの素子の各植ガス
に対する応答特性を示す。また第２図に、実験例１〜５
における５ｎｃ１４／ＳｎＯ□とｉＰＡに対するＳＮ比
の関係を示す。
に対する応答特性を示す。また第２図に、実験例１〜５
における５ｎｃ１４／ＳｎＯ□とｉＰＡに対するＳＮ比
の関係を示す。
ところで、上記各実験例では、ガス検出素子を３２０±
１０℃に加熱して用いるようにしたが、これらのガス検
出素子は加熱することなく室温で用いても可燃性ガスに
応答する。これらのガス検出素子を室温で用いた場合に
は、Ｃ２Ｈ４゜０２ Ｈ６＋ ｉ Ｃ４Ｈｌｏに対して
はＳＮ比が小さくなって感度がかなり低下し、代りにＣ
Ｏに対してＳＮ比が大きくなり感度を生じるようになる
。
１０℃に加熱して用いるようにしたが、これらのガス検
出素子は加熱することなく室温で用いても可燃性ガスに
応答する。これらのガス検出素子を室温で用いた場合に
は、Ｃ２Ｈ４゜０２ Ｈ６＋ ｉ Ｃ４Ｈｌｏに対して
はＳＮ比が小さくなって感度がかなり低下し、代りにＣ
Ｏに対してＳＮ比が大きくなり感度を生じるようになる
。
なお、製造方法における各種条件は次の通りである。
活性化Ｓ ｎＯ２を作成する際のＳｎｆ：！２４の添加
量は＋９ｎｃ！ｊ４／ＳｎＯ，＝ １５モルチ以下で、
１５モルチ以上になると活性化ＳｎＯ２の活性度が低下
する。
量は＋９ｎｃ！ｊ４／ＳｎＯ，＝ １５モルチ以下で、
１５モルチ以上になると活性化ＳｎＯ２の活性度が低下
する。
活性化Ｓ ｎＯ２の作成時の仮焼成の温度と時間は、６
００〜９００℃、１０分間〜数時間である。この温度範
囲外では、活性化Ｓ ｎＯ２の活性度が低下する。
００〜９００℃、１０分間〜数時間である。この温度範
囲外では、活性化Ｓ ｎＯ２の活性度が低下する。
混合水溶液の乾燥は自然乾燥などで行なってもよい。こ
の場合は、急速凍結乾燥に比べ、ｐａ 、 ｐｔの分散
状態にむらが生じやすく、製品の歩留りが低下する。
の場合は、急速凍結乾燥に比べ、ｐａ 、 ｐｔの分散
状態にむらが生じやすく、製品の歩留りが低下する。
乾燥試料に添加するｓｂは、５ｂＯＣＬ、三酸化アンチ
モン（ｓｂ２ｏ、）などのｓｂ化合物でよく、添加する
場合は８ｂ／Ｓｎ ＝ （１，５〜８モルチの範囲が適
当である。
モン（ｓｂ２ｏ、）などのｓｂ化合物でよく、添加する
場合は８ｂ／Ｓｎ ＝ （１，５〜８モルチの範囲が適
当である。
素子を焼成する際のｓｂ酸化ガス雰囲気は、上記石英管
を用いた場合には、０．２５〜１０■の５ｂＯＣ１また
はｓ’ｂ２ｏ、などのＳｂ化合物を６００〜８５０℃の
温度雰囲気に５〜６０分間入れて蒸発させて作成した雰
囲気を使用する。この場合のｓｂ化合物の量は、５ｂ２
０３のモル数に換算してＩ Ｘ １０”−９〜４，５Ｘ
１０’、モル／濡３である。
を用いた場合には、０．２５〜１０■の５ｂＯＣ１また
はｓ’ｂ２ｏ、などのＳｂ化合物を６００〜８５０℃の
温度雰囲気に５〜６０分間入れて蒸発させて作成した雰
囲気を使用する。この場合のｓｂ化合物の量は、５ｂ２
０３のモル数に換算してＩ Ｘ １０”−９〜４，５Ｘ
１０’、モル／濡３である。
なお、素子の焼成は大気雰囲気中で行なってもよい。こ
の場合、素子を連続して製作すると、ｓｂ酸化ガス雰囲
気中で製作した場合に比べ、製造ロフト間での抵抗値の
ばらつきが大きくなるが、他の点ではほとんど差を生じ
ない。
の場合、素子を連続して製作すると、ｓｂ酸化ガス雰囲
気中で製作した場合に比べ、製造ロフト間での抵抗値の
ばらつきが大きくなるが、他の点ではほとんど差を生じ
ない。
また、素子を焼成する際の温度と時間は、ｓｂ酸化ガス
あるいは大気のいずれの雰囲気でも、６００〜８５０℃
ならびに５〜３０分間の範囲である。この範囲外の温度
２時間では、ｐａ、ｐｔの活性度が低下する。
あるいは大気のいずれの雰囲気でも、６００〜８５０℃
ならびに５〜３０分間の範囲である。この範囲外の温度
２時間では、ｐａ、ｐｔの活性度が低下する。
この発明によれば、ガス感応体である金属酸化物半導体
の主材として、活性化５ｎ０２を用いたことにより、可
燃性ガスに対してＳＮ比の高い、また応答時間を早くす
ることができるガス検出素子とその製造方法が得られる
効果がある。
の主材として、活性化５ｎ０２を用いたことにより、可
燃性ガスに対してＳＮ比の高い、また応答時間を早くす
ることができるガス検出素子とその製造方法が得られる
効果がある。
第１図は、この発明によるガス検出素子の１実施例の応
答特性図、第２図は同じく１実施例の５ｎＣＬ４／Ｓｎ
○２と８Ｎ比との関係を示す図である。 特許、：１１哩、能〕′戯り災上業Ｖ（二式会袴二第１
図 咋向（ヌケ］ 第２図
答特性図、第２図は同じく１実施例の５ｎＣＬ４／Ｓｎ
○２と８Ｎ比との関係を示す図である。 特許、：１１哩、能〕′戯り災上業Ｖ（二式会袴二第１
図 咋向（ヌケ］ 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、酸化第２スズを主材、パラジウムと白金とを触媒と
して含有する金属酸化物半導体をガス感応体とするガス
検出素子において、主材である酸化第２スズとして、酸
化第２スズに塩化第２スズをＳｎＣｌ＿４／ＳｎＯ＿２
＝０〜１５モル％添加し焼成して得た活性化酸化第２ス
ズを用いたことを特徴とするガス検出素子。 ２、金属酸化物半導体は、アンチモンを安定材として含
有するものである特許請求の範囲第１項記載のガス検出
素子。 ３、酸化第２スズに塩化第２スズを添加して焼成し活性
化酸化第２スズを作成する第１工程と、第１工程で作成
した活性化酸化第２スズに、塩化パラジウム溶液と塩化
白金酸溶液とをＰｄ／Ｓｎ＝０．１〜８モル％、Ｐｔ／
Ｓｎ＝０．５〜８モル％となるように加えて分散し、乾
燥する第２工程と、第２工程で作成した試料にアンチモ
ン化合物をＳｂ／Ｓｎ＝０．５〜８モル％となるように
加えて混合する第３工程と、第３工程で作成した試料に
有機溶剤を加えてペースト状にし、これを１対の電極を
有する絶縁体に塗布し、乾燥させる第４工程と、第４工
程で作成した素子を、６００〜８５０℃の大気またはア
ンチモン酸化ガスの雰囲気中で５〜３０分間焼成する第
５工程と、からなるガス検出素子の製造方法。 ４、活性化酸化第２スズを作成する工程は、塩化第２ス
ズに純水を加えて塩化第２スズ溶液を作成する工程と、
酸化第２スズに塩化第２スズ溶液をＳｎＣｌ＿４／Ｓｎ
Ｏ＿２＝０．１〜１５モル％となるように加えて混合す
る工程と、この混合試料を６００〜９００℃に加熱して
１０分〜数時間焼成する工程と、この焼成物を粉砕する
工程と、からなる特許請求の範囲第３項記載のガス検出
素子の製造方法。 ５、アンチモン酸化ガス雰囲気は、三酸化アンチモンの
モル数に換算して、１×１０＾−＾９〜４．５×１０＾
−＾８モル／ｃｍ＾３のアンチモン化合物を６００〜８
５０℃の雰囲気中に５〜６０分間入れて作成したもので
ある特許請求の範囲第３項記載のガス検出素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446785A JPS6275247A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ガス検出素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446785A JPS6275247A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ガス検出素子とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275247A true JPS6275247A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH058983B2 JPH058983B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=16656204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21446785A Granted JPS6275247A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | ガス検出素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6275247A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777024B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing gas sensors |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21446785A patent/JPS6275247A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777024B2 (en) * | 2000-01-31 | 2004-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing gas sensors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058983B2 (ja) | 1993-02-03 |
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