JPS627538B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS627538B2 JPS627538B2 JP56121146A JP12114681A JPS627538B2 JP S627538 B2 JPS627538 B2 JP S627538B2 JP 56121146 A JP56121146 A JP 56121146A JP 12114681 A JP12114681 A JP 12114681A JP S627538 B2 JPS627538 B2 JP S627538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- exposure
- targets
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造工程中、写真食刻工
程中に使用される露光転写用フオトマスクに係
り、特に投影露光用フオトマスクに関するもので
ある。
程中に使用される露光転写用フオトマスクに係
り、特に投影露光用フオトマスクに関するもので
ある。
半導体装置の製造工程中、写真食刻工程では、
半導体基板（ウエハー）上にフオトレジストを塗
布し、ブリベークした後、ウエハーとフオトマス
クを位置合せし、露光、現像するとフオトマスク
上のパターンに対応したフオトレジストのパター
ンがウエハー上に形成され、フオトマスクのパタ
ーンがウエハー上に転写される。この後、ポスト
ベークを行ない、下地の酸化膜や窒化膜等の絶縁
膜を湿式又は乾式エツチングし、次に不要となつ
たフオトレジストを除去するとウエハー上に酸化
膜や窒化膜等のパターンが形成される。
半導体基板（ウエハー）上にフオトレジストを塗
布し、ブリベークした後、ウエハーとフオトマス
クを位置合せし、露光、現像するとフオトマスク
上のパターンに対応したフオトレジストのパター
ンがウエハー上に形成され、フオトマスクのパタ
ーンがウエハー上に転写される。この後、ポスト
ベークを行ない、下地の酸化膜や窒化膜等の絶縁
膜を湿式又は乾式エツチングし、次に不要となつ
たフオトレジストを除去するとウエハー上に酸化
膜や窒化膜等のパターンが形成される。
従来、上記露光の工程では、ウエハーとフオト
マスクを密着して露光する方式、いわゆる密着露
光方式が広く採用されており、また、ウエハーと
フオトマスクの位置合せは自動的に処理する方式
が広く採用されている。第１図は、左Ｌ、右Ｒに
自動位置合せ用ターゲツト群１及び１′、をもつ
フオトマスク２を示し、第２図はフオトマスクに
対た自動位置合せ用ターゲツト群１及び１′をも
つウエハー３を示している。第３図は前記マスク
とウエハーを自動位置合せし、重ね合せた状態を
示している。自動位置合せには、マスク及びウエ
ハー上の左右のターゲツト群のうちそれぞれ１対
のターゲツトが使用される。第４図は従来のマス
ク及びウエハーの左右に配置されたターゲツト群
１及び１′の拡大図を示し、各々の番号（(1)〜
(9)）（（1′）〜（9′））をつけた領域内にターゲツ
トが配置されている。例えば第１回目の露光転写
には(1)と（1′）の領域のターゲツトが使用され、
第２回目の露光転写には(2)と（2′）の領域のター
ゲツトが使用され、第３回目以後は(3)と（3′）…
………(i)、（i′）と次々に使用される。
マスクを密着して露光する方式、いわゆる密着露
光方式が広く採用されており、また、ウエハーと
フオトマスクの位置合せは自動的に処理する方式
が広く採用されている。第１図は、左Ｌ、右Ｒに
自動位置合せ用ターゲツト群１及び１′、をもつ
フオトマスク２を示し、第２図はフオトマスクに
対た自動位置合せ用ターゲツト群１及び１′をも
つウエハー３を示している。第３図は前記マスク
とウエハーを自動位置合せし、重ね合せた状態を
示している。自動位置合せには、マスク及びウエ
ハー上の左右のターゲツト群のうちそれぞれ１対
のターゲツトが使用される。第４図は従来のマス
ク及びウエハーの左右に配置されたターゲツト群
１及び１′の拡大図を示し、各々の番号（(1)〜
(9)）（（1′）〜（9′））をつけた領域内にターゲツ
トが配置されている。例えば第１回目の露光転写
には(1)と（1′）の領域のターゲツトが使用され、
第２回目の露光転写には(2)と（2′）の領域のター
ゲツトが使用され、第３回目以後は(3)と（3′）…
………(i)、（i′）と次々に使用される。
ここで、従来の密着露光方式では左右のターゲ
ツトは第４図に示すように通常は左右のターゲツ
トは左右対称に配置されておらず、ほぼランダム
に配置されていた。前記密着露光に対して最近で
は、ウエハーとマスクを離した状態で露光する、
反射ミラー光学系を使用した投影露光が普及して
いる。反射ミラー光学系を使用する投影露光では
ウエハーとフオトマスクは非接触なので、ポジ型
フオトレジストとの組合せが可能で、ポジ型フオ
トレジストの利点である高解像力を生かすことが
できる、またフオトマスクの損傷が少ない、等の
利点がある。これに対して、従来の密着露光方式
では、フオトマスクとウエハーは密着するので、
フオトマスクにフオトレジストが付着しやすく、
欠陥発生の要因となる。特にポジ型レジストでは
ネガ型レジストに比べて、付着しやすく、事実上
密着露光とポジ型レジストとの組合せは不可能で
あつた。
ツトは第４図に示すように通常は左右のターゲツ
トは左右対称に配置されておらず、ほぼランダム
に配置されていた。前記密着露光に対して最近で
は、ウエハーとマスクを離した状態で露光する、
反射ミラー光学系を使用した投影露光が普及して
いる。反射ミラー光学系を使用する投影露光では
ウエハーとフオトマスクは非接触なので、ポジ型
フオトレジストとの組合せが可能で、ポジ型フオ
トレジストの利点である高解像力を生かすことが
できる、またフオトマスクの損傷が少ない、等の
利点がある。これに対して、従来の密着露光方式
では、フオトマスクとウエハーは密着するので、
フオトマスクにフオトレジストが付着しやすく、
欠陥発生の要因となる。特にポジ型レジストでは
ネガ型レジストに比べて、付着しやすく、事実上
密着露光とポジ型レジストとの組合せは不可能で
あつた。
投影露光方式は前述したように大きな利点があ
るが、ウエハーとフオトマスクの自動位置合せを
行なう場合、第４図に示すようなターゲツト配置
のフオトマスクは使用できないという欠点があつ
た。すなわち、第５図は反射ミラー光学系を使用
する投影露光方式において、ウエハー３とフオト
マスク２の自動位置合せが終了した状態を示して
いる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウエハーは１〜２mm巾のスリツト４を通過
する紫外線により走査露光される。走査露光はウ
エハー３がＹ方向に移動することにより行なわれ
る。ウエハーとフオトマスクの自動位置合せは、
このスリツト４を通過してくるウエハーからの反
射光を利用してなされる為、このスリツト内にウ
エハーとフオトマスク上のターゲツトを露出させ
る必要がある。第４図に示す従来のターゲツトの
配置ではスリツト巾が１〜２mmとせまいため、ウ
エハー３又はフオトマスク２をＸ、Ｙ方向に移動
させるだけでは左右いずれかのターゲツトはせま
いスリツト領域からはずれてしまう。また無理に
１対の左右のターゲツトをスリツト領域内４に露
出させるためにはθ方向の回転移動が必要であ
る。θ方向の回転移動が多いと従来の投影露光装
置では自動位置合せ精度が著しく低下するという
欠点があつた。また、個々のターゲツト又はター
ゲツト領域が広くなるとますますこの傾向は強
く、事実上自動位置合せは不可能であつた。これ
らの理由により、ウエハーとフオトマスクの位置
合せは手動に頼らなくてはならず、能率が悪く、
又、位置合せ精度が悪いという欠点があつた。
るが、ウエハーとフオトマスクの自動位置合せを
行なう場合、第４図に示すようなターゲツト配置
のフオトマスクは使用できないという欠点があつ
た。すなわち、第５図は反射ミラー光学系を使用
する投影露光方式において、ウエハー３とフオト
マスク２の自動位置合せが終了した状態を示して
いる。反射ミラー光学系を使用する投影露光方式
では、ウエハーは１〜２mm巾のスリツト４を通過
する紫外線により走査露光される。走査露光はウ
エハー３がＹ方向に移動することにより行なわれ
る。ウエハーとフオトマスクの自動位置合せは、
このスリツト４を通過してくるウエハーからの反
射光を利用してなされる為、このスリツト内にウ
エハーとフオトマスク上のターゲツトを露出させ
る必要がある。第４図に示す従来のターゲツトの
配置ではスリツト巾が１〜２mmとせまいため、ウ
エハー３又はフオトマスク２をＸ、Ｙ方向に移動
させるだけでは左右いずれかのターゲツトはせま
いスリツト領域からはずれてしまう。また無理に
１対の左右のターゲツトをスリツト領域内４に露
出させるためにはθ方向の回転移動が必要であ
る。θ方向の回転移動が多いと従来の投影露光装
置では自動位置合せ精度が著しく低下するという
欠点があつた。また、個々のターゲツト又はター
ゲツト領域が広くなるとますますこの傾向は強
く、事実上自動位置合せは不可能であつた。これ
らの理由により、ウエハーとフオトマスクの位置
合せは手動に頼らなくてはならず、能率が悪く、
又、位置合せ精度が悪いという欠点があつた。
本発明の目的は反射ミラー光学系を使用する投
影露光においてウエハーとフオトマスクの自動位
置合せと可能にするフオトマスクを提供すること
にある。
影露光においてウエハーとフオトマスクの自動位
置合せと可能にするフオトマスクを提供すること
にある。
すなわち、本発明は半導体装置製造に使用され
る露光転写用フオトマスクにおいて、該露光転写
用フオトマスクと半導体基板との自動位置合せの
ためのターゲツト群を具備し、該ターゲツト群が
左右対称に配置され、かつ１回の露光転写に使用
される各々１対のターゲツトが左右対称に配置さ
れていることを特徴とする投影露光用フオトマス
クに関するものである。
る露光転写用フオトマスクにおいて、該露光転写
用フオトマスクと半導体基板との自動位置合せの
ためのターゲツト群を具備し、該ターゲツト群が
左右対称に配置され、かつ１回の露光転写に使用
される各々１対のターゲツトが左右対称に配置さ
れていることを特徴とする投影露光用フオトマス
クに関するものである。
本発明により生産性は向上し、また、位置合せ
精度の向上が期待できる。
精度の向上が期待できる。
以下に本発明の実施例を図を追つて説明する。
第６図に本発明実施例による投影露光用フオト
マスクのターゲツト群１、および１′の拡大図を
示す。左右の各々対をなすターゲツトは(1)と
（1′）、(2)と（2′）、…………の様に左右対称に配
置されている。第７図は本以明実施例によるフオ
トマスクを使用して、反射ミラー光学系を使用す
る投影露光装置で自動位置合せを終了した状態を
示す。図からわかるように本実施例によるフオト
マスクでは各々対をなすターゲツト(1)と（1′）、
(2)と（2′）、…………(i)と（i′）はそれぞれ左右対
称に配置されているので、ウエハー３、およびフ
オトマスク２のターゲツトをスリツト領域４内に
容易に露出できることがわかる。第７図の例では
(3)と（3′）のターゲツトがスリツト領域内に露出
していを例を示している。他のターゲツトを露出
する為には、ウエハーおよびフオトマスクをＸ方
向、Ｙ方向へ移動するだけで済み、θ方向の回転
移動は必要ない。
マスクのターゲツト群１、および１′の拡大図を
示す。左右の各々対をなすターゲツトは(1)と
（1′）、(2)と（2′）、…………の様に左右対称に配
置されている。第７図は本以明実施例によるフオ
トマスクを使用して、反射ミラー光学系を使用す
る投影露光装置で自動位置合せを終了した状態を
示す。図からわかるように本実施例によるフオト
マスクでは各々対をなすターゲツト(1)と（1′）、
(2)と（2′）、…………(i)と（i′）はそれぞれ左右対
称に配置されているので、ウエハー３、およびフ
オトマスク２のターゲツトをスリツト領域４内に
容易に露出できることがわかる。第７図の例では
(3)と（3′）のターゲツトがスリツト領域内に露出
していを例を示している。他のターゲツトを露出
する為には、ウエハーおよびフオトマスクをＸ方
向、Ｙ方向へ移動するだけで済み、θ方向の回転
移動は必要ない。
このように各々左右のターゲツトはＸ、Ｙ方向
の操作のみでスリツト領域内に容易に露出できる
ので、前述した理由により自動位置合せが容易に
なり自動位置合せの再現性は著しく改善され、こ
れにより生産性の向上、位置合せ精度の向上が実
現できる。
の操作のみでスリツト領域内に容易に露出できる
ので、前述した理由により自動位置合せが容易に
なり自動位置合せの再現性は著しく改善され、こ
れにより生産性の向上、位置合せ精度の向上が実
現できる。
第１図は自動位置合せ用ターゲツトをもつフオ
トマスク、第２図はウエハー、第３図は従来の密
着露光方式によりフオトマスクとウエハーを位置
合せした状態を、それぞれ示す平面図である。第
４図は従来の自動位置合せ用ターゲツト群の拡大
図を示す平面図であり、第５図は従来のフオトマ
スクを反射ミラー光学系を使用する投影露光装置
で、フオトマスクと、ウエハーの位置合せを終了
した状態を示す平面図である。第６図、第７図は
本発明の実施例を示す平面図である。 なお、図中の記号は、１，１′……ターゲツト
群、２……フオトマスク、３……ウエハー（半導
体基板）、４……スリツト、である。
トマスク、第２図はウエハー、第３図は従来の密
着露光方式によりフオトマスクとウエハーを位置
合せした状態を、それぞれ示す平面図である。第
４図は従来の自動位置合せ用ターゲツト群の拡大
図を示す平面図であり、第５図は従来のフオトマ
スクを反射ミラー光学系を使用する投影露光装置
で、フオトマスクと、ウエハーの位置合せを終了
した状態を示す平面図である。第６図、第７図は
本発明の実施例を示す平面図である。 なお、図中の記号は、１，１′……ターゲツト
群、２……フオトマスク、３……ウエハー（半導
体基板）、４……スリツト、である。
Claims (1)
- １ 半導体装置製造に使用される露光転写用フオ
トマスクにおいて、該露光転写用フオトマスクと
半導体基板との自動位置合せのためのターゲツト
群を具備し、該ターゲツト群が左右対称に配置さ
れ、かつ１回の露光転写に使用される各々１対の
ターゲツトが左右対称に配置されていることを特
徴とする投影露光用フオトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121146A JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821740A JPS5821740A (ja) | 1983-02-08 |
| JPS627538B2 true JPS627538B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=14803988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121146A Granted JPS5821740A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 投影露光用フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821740A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184929U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60149130A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-06 | Hitachi Ltd | パターン検出方法およびそれに用いる反射防止膜用材料 |
| JPS636659A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Hitachi Ltd | 本人確認方式 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56109350A (en) * | 1980-02-01 | 1981-08-29 | Hitachi Ltd | Photomask |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56121146A patent/JPS5821740A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184929U (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821740A (ja) | 1983-02-08 |
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