JPS6276701A - ガラス封止型抵抗素子 - Google Patents

ガラス封止型抵抗素子

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Publication number
JPS6276701A
JPS6276701A JP60217701A JP21770185A JPS6276701A JP S6276701 A JPS6276701 A JP S6276701A JP 60217701 A JP60217701 A JP 60217701A JP 21770185 A JP21770185 A JP 21770185A JP S6276701 A JPS6276701 A JP S6276701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
glass
resistance
resistance element
glass sleeve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60217701A
Other languages
English (en)
Inventor
俊夫 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP60217701A priority Critical patent/JPS6276701A/ja
Publication of JPS6276701A publication Critical patent/JPS6276701A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 バー の1 ノ 本発明は抵抗素子に関し、特にガラス封止型抵抗素子に
関する。
鷹皮些皮肛 混成集積回路装置はセラミック等の絶縁基板に導電ペー
ストにて配線パターンを形成し、配線パターン間に抵抗
ペーストにて抵抗層を形成し、さらに、配線パターンの
所定部分にコンデンサや半導体ペレット等の個別素子を
マウントし、電子回路を構成するようにしたものである
ここで、配線パターンや抵抗層はスクリーン印刷法等に
よって正確かつ容易に形成される。
ところで、抵抗層は巾や長さによって抵抗値が設定され
るが、抵抗ペーストの粘度のばらつきなどによって抵抗
値がばらつ(。
しかしながら抵抗層を一括形成すれば個々の抵抗値はば
らついたとしても抵抗値の比はあまり変化しないため電
子回路への影響は小さい。
しかしながら、抵抗値の偏差が小さく、抵抗温度特性が
良好であることが要求される部分には要求される規格を
満足した個別の抵抗素子が用いられる。
第7図は金属皮膜抵抗素子の一例を示すもので、図にお
いて1はセラミック棒、2はセラミック棒1の外周面に
真空蒸着法や無電解メッキ法などにより形成したN1−
CrあるいはTaN等の金属薄膜、3はセラミック棒1
の両端に嵌合され金属薄膜2に電気的に接続された金属
キャップで、図示しないがロウ材により固定されている
。4は金属キャップ3から延びるリード、5は金属キャ
ップ3゜3及び金属薄膜2を被覆し、金属薄膜2を保護
すると共にリード4,4の引っ張り強度を向上させる樹
脂外装部を示す。
なお、金属薄膜2は抵抗値を許容範囲におさめるために
スパイラルカットしている。
また、この抵抗素子は温度特性や抵抗値の変動が小さく
、準精度抵抗としても利用されている。
口(′− ところで、この抵抗素子は樹脂にて外装されているとは
いえ、定格電力いっばいあるいは定格電力を越えて使用
すると自己発熱によって金属薄膜2が品温にさらされ酸
化して抵抗値が変化するという問題があった。
またキャップ3は金属薄膜2に対する電気的接続は良好
でもセラミック棒1に対する熱的接続は必ずしも良好と
はいえず、また樹脂5も熱伝導性、熱輻射性が劣るため
金属薄膜2で発生した熱を効率良く除去することができ
ず、高温動作には向いていなかった。
ロロ −  “  ための一 本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、ガラスス
リーブの両端を一対のスラグにて封着し、スラグ対向面
間に各スラグと電気的に接続された抵抗薄膜を形成した
ことを特徴とする。
尖凰叶 以下に本発明の一実施例を第1図から説明する。
図において6はガラススリーブ、7はジュメット線等の
ガラスに対する濡れ性の良好な材料からなるスラグ、8
はスラグ7の一端に溶接固定したリード、9はセラミッ
ク等の絶縁ロッドで両端に導体層lOを形成している。
11は絶縁ロッド9の外周面にスパイラル状に形成され
両端部が導体層lOと電気的に接続された抵抗薄膜を示
す。
以下この抵抗素子の製造方法の一例を第2図及び第3図
から説明する。先ず、第2図に示すようにカーボンブロ
ックにガラススリーブ6、リード8を挿通する貫通孔1
2aを同軸的に穿設した下治具12にガラススリーブ6
、スラグリード7.8を収容し、さらに両端に導体層1
0を形成し外周面全面に抵抗薄膜11′を形成した絶縁
ロッド9を収容する。そして下治具I2と同様に第3図
に示すようにスラグリード7.8を収容する貫通孔13
aを穿設した上治具■3に予めスラグリード7.8を収
容した状態で、下治具12に上治具13を重ね合わせ、
ガラススリーブ6内の絶縁ロッド9上にスラグ7を載せ
る。
そしてこの上下治具12.13を真空容器(図示せず)
内に配置し、真空容器内を排気して、カーボン治具12
.13に通電して発熱させスラグ7.7とガラススリー
ブ6とを封着する。
そしてガラススリーブ6を通して抵抗薄膜+1’にレー
ザスポット光を当ててスパイラル状の抵抗薄膜を形成し
第1図抵抗素子を得る。
この抵抗素子は抵抗薄膜11が気密に封止されたガラス
スリーブ内に配置されているため、発熱によって高温と
なっても酸化されない。
また絶縁ロッド9はスラグ7に圧接しているため、抵抗
薄膜IIの熱が絶縁ロッド9からスラグ7゜7に伝わり
易く、放熱性も良好で、定格電力を大きくできる。
また本発明の他の実施例を第4図から説明する。
図において14はガラススリーブ、15はスラグで、ジ
ュメット線等をプレス成形して中間部に段部ををし両端
が異径の円柱状に形成され、小径部とガラススリーブ1
4の内周面とが気密に封着されている。I6は一対のス
ラグ15.15間で、ガラススリーブ14の内周面にス
パイラル状に形成され、両端がスラグ15.15に電気
的に接続された抵抗薄膜を示す。
以下、この抵抗素子の製造方法の一例を第5図及び第6
図から説明する。先ず、図示しないが冶具上にスラグI
5、ガラススリーブ14を順次積み重ねガラススリーブ
14内に薄状又はペレット状又は線状の抵抗薄膜の材料
16”を収容して、さらにスリーブ14上にスラグ15
を積み重ねる。そしてこの状態でスラグ15.15とガ
ラススリーブ14を気密に封着する。
その後第6図に示すようにガラススリーブ14の外部か
らスリーブ14内の抵抗薄膜材料16′にレーザ光を当
てて抵抗薄膜材料16“を溶かし蒸気をガラススリーブ
14内に付着させ抵抗層16”を形成する。抵抗薄膜材
料IG’としてはNi−Cr、 Ni−Cr −Fe、
 Fe−Cr−Al、等が固有抵抗が大きく好ましいが
、融点が1400〜l520°Cと極めて高く、ガラス
やスラグへの伝熱導により封着を損なったり破損する虞
があるため、レーザ光を間歇的に照射して所望部分以外
の温度上昇を制限する必要がある。蒸着の進行により、
レーザ光がスリーブ14内面の蒸着面で反射され蒸着の
進行が停止するが、材料1G’が余るとこれがスリーブ
1B内で移動するため予め材料IG’をスラグ15に溶
着固定しておく。
このようにしてスリーブ14内面に抵抗層16”9を形
成した後、レーザ光の焦点をガラススリーブ14の内面
に合わせ、スリーブ14を回転と同時に軸方向に移動さ
せ、抵抗層16”にスパイラル状の透光部を形成する。
このトリミング作業時にスラグ15゜15間の抵抗値を
測定し、抵抗値が所定値になったところでトリミング作
業を終了し、第4図抵抗素子を得る。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例
えば第1図実施例では絶縁ロッド9はスラグ7.7の単
なるスペーサとして用い、スリーブ6内面に予め抵抗薄
膜を形成したものを用いてもよい。この場合、絶縁ロッ
ド9の外周面に段部を形成し、抵抗薄膜のトリミングに
よって蒸発した絶縁ロンドの両端間が導通するのを防止
するようにしてもよい。また第4図実施例でもスラグ1
5゜15間に絶縁スペーサを介在させてもよいし、予め
内面に抵抗薄膜を形成したガラススリーブを用いてもよ
い。またスリーブ内に不活性ガスを封入し対流により熱
伝導性を良好にできる。
処敦 以上のように、本考案によれば、抵抗薄膜が気密封止さ
れたガラススリーブ内にあるため、長時間高温状態にあ
っても酸化されず、抵抗値の経時変化が小さい。
またスラグにより抵抗薄膜の熱を外部に伝達するため放
熱性が良好で、定格電力を大きくできる。
また抵抗素子の製造後でもガラススリーブ外部から抵抗
薄膜をトリミングして抵抗値を変えることも可能である
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す側断面図、第2図及び
第3図は第1図抵抗素子の製造方法を示す側断面図、第
4図は本発明の他の実施例を示す側断面図、第5図及び
第6図は第4図抵抗素子の製造方法を示す側断面図、第
7図は従来の抵抗素子の一例を示す側断面図である。 6.14・・・ガラススリーブ、 7、 7.15.15・・・スラグ、 II、 IG・・・抵抗薄膜。 特許出願人   関西日本電気株式会社(]] 第 ]  図 本発日月(2ようj色坑圭j泡尺すイ剰
峙1図第2図    第3図 84   図 本イピσ月のイー1!!/1文施イpJ
s丞チ史j西7図2  ] 第7図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガラススリーブの両端を一対のスラグにて封着し、スラ
    グ対向面間に各スラグと電気的に接続された抵抗薄膜を
    形成したことを特徴とするガラス封止型抵抗素子。
JP60217701A 1985-09-30 1985-09-30 ガラス封止型抵抗素子 Pending JPS6276701A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60217701A JPS6276701A (ja) 1985-09-30 1985-09-30 ガラス封止型抵抗素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60217701A JPS6276701A (ja) 1985-09-30 1985-09-30 ガラス封止型抵抗素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6276701A true JPS6276701A (ja) 1987-04-08

Family

ID=16708371

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60217701A Pending JPS6276701A (ja) 1985-09-30 1985-09-30 ガラス封止型抵抗素子

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JP (1) JPS6276701A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104781891A (zh) * 2012-11-09 2015-07-15 斯玛特电子公司 电阻及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104781891A (zh) * 2012-11-09 2015-07-15 斯玛特电子公司 电阻及其制造方法
JP2015537381A (ja) * 2012-11-09 2015-12-24 スマート エレクトロニクス インク 抵抗器及びその製造方法
US9589711B2 (en) 2012-11-09 2017-03-07 Smart Electronics Inc. Resistor and manufacturing method thereof

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