JPS6281048A - 入力保護回路 - Google Patents

入力保護回路

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Publication number
JPS6281048A
JPS6281048A JP60221305A JP22130585A JPS6281048A JP S6281048 A JPS6281048 A JP S6281048A JP 60221305 A JP60221305 A JP 60221305A JP 22130585 A JP22130585 A JP 22130585A JP S6281048 A JPS6281048 A JP S6281048A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
zener diode
ambient temperature
input
input terminal
Prior art date
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Pending
Application number
JP60221305A
Other languages
English (en)
Inventor
Masafumi Sakamoto
坂本　雅文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6281048A publication Critical patent/JPS6281048A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は入力保護回路に関するもので、特にＭＯＳ型集
積回路の入力保護に使用されるものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
この種の入力保護回路の従来例を第３図、第４図に示す
。図中１は入力端子、２はツェナダイオード、３は入力
保護抵抗、４はＰチャネルトランジスタ５、Ｎチャネル
トランジスタ６よシなる０Ｍ０８回路（インバータ）、
１１．１２はダイオードである。
第３図のものは、入力端子１と接地間にツェナダイオー
ド２を挿入することによシ、正のサージに対しては、ツ
ェナダイオード２の降伏電圧以上のサージ電圧よシ保護
する。また負のサージに対しては、順方向電圧以上の電
圧よシ保護する。
第４図のものは、入力端子１と電源ＶＤＤ間、入力端子
１と接地間にそれぞれダイオードを挿入し、正のサージ
に対しては「電源電圧＋ダイオードの順方向電圧」以上
で、また負のサージに対しては「接地電位−ダイオード
の順方向電圧」以下の電圧に対して保護する。
しかし従来のものにあっては、周囲温度が変化するとブ
レークダウン電圧が変化し保護可能電圧が変化するもの
でありた。
〔発明の目的〕
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、周囲温度の
変化による保護可能電圧を一定化することを目的とする
。
〔発明の概要〕
本発明は、ＭＯＳ型集積回路の入力保護可能電圧を、周
囲温度が変化しても、ツェナ電圧（逆方向電圧）と順方
向電圧の温度特性を利用してキャンセルさせ、一定化さ
せるものである。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明する。第１
図は同実施例の回路図であるが、これは前記従来例のも
のと対応させた場合の例であるから、対応個所には同一
符号を付して説明を省略し、特徴とする個所の説明を行
なう。即ち入力端子１を、ツェナダイオードＤＩ、Ｄ２
゜抵抗Ｒ１を介して接地する。トランジスタＴｒｉのベ
ースを、ツェナダイオードＤ２、抵抗Ｒ１間に接続し、
トランジスタＴｒ　１のエミッタを接地し、トランジス
タＴｒ　１のコレクタを入力端子１に接続する。
第２図は第１図の集積回路断面図で、２１はＮ型基板、
２２〜２５はＰ層、２６〜３０はＮ層、３１は絶縁膜、
３２は導体層である。
第１図のものにあっては、入力端子１に正のサージが印
加されると、まずツェナダイオードＤ１がブレークダウ
ンしくＤ２は順方向）抵抗Ｒ１に電流が流れる。抵抗Ｒ
１の両端に電位差が生じ、トランジスタＴｒ　１のベー
スに電流が流れ、トランジスタＴｒ　１がオン状態とな
シ、入力を保護する。一方、入力端子１に負のサージが
印加されると、抵抗Ｒ１、ツェナダイオードＤ２　、Ｄ
Ｉ、入力端子１へと電流が流れ、入力を保護するもので
ある。
第１図のものにあっては、周囲温度が高くなると、ツェ
ナダイオードＤ１の電圧が高くなシ、ツェナダイオード
Ｄ２の電圧が低くなる。また周囲温度が低くなると、ツ
ェナダイオードＤＩの電圧が低くなシ、ツェナダイオー
ドＤ２の電圧が高くなる。従って周囲温度の変化による
保護可能電圧が一定化されるものである。
〔発明の効果〕
以上説明した如く本発明によれば、周囲温度変化による
保護電圧の安定化が可能となる入力保護回路が提供でき
るものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は同回
路の集積回路断面図、第３図、第４図は従来の入力保護
回路図である。 １・・・入力端子、４・・・ＣＭＯＳインバータ、ＤＩ
。 Ｄ２・・・ツェナダイオード、Ｒ１・・・抵抗、　Ｔｒ
ｌ・・・トランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 入力端子とＭＯＳ回路のゲート入力との間のラインと接
    地との間を、逆方向ツェナダイオード、順方向ツェナダ
    イオードの直列回路、バイアス手段を介して接地し、前
    記各ツェナダイオードの直列回路の両端をトランジスタ
    のコレクタ、ベース間に接続し、前記バイアス手段の両
    端を前記トランジスタのエミッタ、ベース間に接続した
    ことを特徴とする入力保護回路。
JP60221305A 1985-10-04 1985-10-04 入力保護回路 Pending JPS6281048A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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