JPH02203350A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH02203350A JPH02203350A JP2282689A JP2282689A JPH02203350A JP H02203350 A JPH02203350 A JP H02203350A JP 2282689 A JP2282689 A JP 2282689A JP 2282689 A JP2282689 A JP 2282689A JP H02203350 A JPH02203350 A JP H02203350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carbon content
- electrophotographic photoreceptor
- amorphous silicon
- intermediate layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン光導電層の上にアモルフ
ァスシリコンカーバイド表面層を形成した電子写真感光
体の改良に関するものである。
ァスシリコンカーバイド表面層を形成した電子写真感光
体の改良に関するものである。
アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）を光導
電層とした電子写真感光体が既に実用化され、その製造
量は年々増加の一途をたどっている。
電層とした電子写真感光体が既に実用化され、その製造
量は年々増加の一途をたどっている。
この感光体は、−船釣にその表面硬度を高めるためにア
モルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略
す）から成る表面層を形成する。
モルファスシリコンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略
す）から成る表面層を形成する。
このような二層を基本的な層構成とし、更に感光体用基
板とａ−Ｓｉ光導電層の間にホウ素や酸素、窒素などを
所要の範囲内で含有するキャリア注入阻止層を形成し、
これにより、帯電能、残留電位、光感度などが改善でき
た電子写真感光体が提供できた。
板とａ−Ｓｉ光導電層の間にホウ素や酸素、窒素などを
所要の範囲内で含有するキャリア注入阻止層を形成し、
これにより、帯電能、残留電位、光感度などが改善でき
た電子写真感光体が提供できた。
しかしながら、上記感光体においては未だ十分高い初期
電位が得られず、加えて、コロナ放電により帯電させそ
の表面に初期電位を与えてから現像に至るまでに減衰す
る電位、即ち暗減衰が大きく、そのため現像に当たって
十分高い表面電位が得られていないという問題点があっ
た。
電位が得られず、加えて、コロナ放電により帯電させそ
の表面に初期電位を与えてから現像に至るまでに減衰す
る電位、即ち暗減衰が大きく、そのため現像に当たって
十分高い表面電位が得られていないという問題点があっ
た。
したがって本発明の目的は暗減衰特性を改善し、高い現
像位置電位が得られた電子写真感光体を提供することに
ある。
像位置電位が得られた電子写真感光体を提供することに
ある。
本発明の電子写真感光体は基板上にａ−Ｓｉ光導電層及
びａ−ＳｉＣ表面層を順次形成するに当たり、両層の間
にカーボン含有量が層厚方向に亘って漸次増大する中間
層を１０〜２０００人の厚みで形成するとともに、該中
間層の前記光導電層との界面におけるカーボン含有量が
Ｓｉｎ−ｘＣｘＯＸ値で０＜ｘ≦０．４５の範囲内にあ
り、かつ上記中間層の前記表面層との界面におけるカー
ボン含有量がＳｔ、、Ｃアのｙ値で０．５≦ｙ ≦０．
９ の範囲内であることを特徴とする。
びａ−ＳｉＣ表面層を順次形成するに当たり、両層の間
にカーボン含有量が層厚方向に亘って漸次増大する中間
層を１０〜２０００人の厚みで形成するとともに、該中
間層の前記光導電層との界面におけるカーボン含有量が
Ｓｉｎ−ｘＣｘＯＸ値で０＜ｘ≦０．４５の範囲内にあ
り、かつ上記中間層の前記表面層との界面におけるカー
ボン含有量がＳｔ、、Ｃアのｙ値で０．５≦ｙ ≦０．
９ の範囲内であることを特徴とする。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明電子写真感光体の基本的層構成を示し、
第２図はその典型的層構成を示す。
第２図はその典型的層構成を示す。
第１図によれば、アルミニウムなどの導電性基板ｌの上
にａ−５ｔ光導電層２、中間層３及びａ−ＳｉＣ表面層
４をグロー放電分解法などにより順次形成しており、第
２図によれば、更にａ−Ｓｉなどから成るキャリア注入
阻止層５を基板１とａ−Ｓｉ光導電層２の間に介在させ
る。
にａ−５ｔ光導電層２、中間層３及びａ−ＳｉＣ表面層
４をグロー放電分解法などにより順次形成しており、第
２図によれば、更にａ−Ｓｉなどから成るキャリア注入
阻止層５を基板１とａ−Ｓｉ光導電層２の間に介在させ
る。
本発明は従来周知のａ−Ｓ＋光導電Ｎ２及びａ−ＳｉＣ
表面１ｉ４の間に前述した中間層３を形成し、これによ
り、暗減衰特性及び表面電位を改善したことが特徴であ
る。
表面１ｉ４の間に前述した中間層３を形成し、これによ
り、暗減衰特性及び表面電位を改善したことが特徴であ
る。
この中間層３は成膜開始点Ａ及び成膜終了点Ｂの＾−Ｂ
間で漸次カーボン含有比率を高めており、そして、Ａ、
Ｂのカーボン含有比率及び厚みを次の通りの範囲内に設
定する。
間で漸次カーボン含有比率を高めており、そして、Ａ、
Ｂのカーボン含有比率及び厚みを次の通りの範囲内に設
定する。
Ａ ” ’ Ｓｉｔ−ｘｃ ＸＯＸ値で Ｏ＜Ｘ≦０．
４５、好適にはＯ＜Ｘ ≦０．３ Ｂ・・・ ｓｉ、−、ｃ 、のｙ値で０．５≦ｙ≦０．
９、好適には０．６５≦ｙ ≦０．８５ 厚みｌ・・・１０≦ｌ≦２０００人 好適には１００≦ｌ≦１０００人 へのカーボン含有比率については、Ｘが０．４５を越え
た場合、画像流れが生じ、しかも、暗減衰特性や表面電
位の改善が期待できない。
４５、好適にはＯ＜Ｘ ≦０．３ Ｂ・・・ ｓｉ、−、ｃ 、のｙ値で０．５≦ｙ≦０．
９、好適には０．６５≦ｙ ≦０．８５ 厚みｌ・・・１０≦ｌ≦２０００人 好適には１００≦ｌ≦１０００人 へのカーボン含有比率については、Ｘが０．４５を越え
た場合、画像流れが生じ、しかも、暗減衰特性や表面電
位の改善が期待できない。
Ｂのカーボン含有比率については、ｙ ７！ｌ＜０．５
未満の場合にはその上の表面Ｎ４が十分な表面硬度が得
られず、ｙが０．９を超えた場合には残留電位が大きく
なる。
未満の場合にはその上の表面Ｎ４が十分な表面硬度が得
られず、ｙが０．９を超えた場合には残留電位が大きく
なる。
厚みｌについては、１０人未満の場合には暗減衰特性や
表面電位の改善が期待できず、また、２０００人を超え
た場合は画像流れが生じる。
表面電位の改善が期待できず、また、２０００人を超え
た場合は画像流れが生じる。
このように本発明の電子写真感光体は成膜前後＾、Ｂの
カーボン含有比率及び厚みを設定した中間層を形成して
いるが、層厚方向に亘るカーボン含有量の変化には種々
のＣ，様があり、例えば第３図〜第８図に示す通りがあ
る。
カーボン含有比率及び厚みを設定した中間層を形成して
いるが、層厚方向に亘るカーボン含有量の変化には種々
のＣ，様があり、例えば第３図〜第８図に示す通りがあ
る。
これらの図においては、横軸は中間層３及びａ−ＳｉＣ
表面層４の層厚方向を示し、縦軸はカーボン含有比率（
Ｘ値）を示す。
表面層４の層厚方向を示し、縦軸はカーボン含有比率（
Ｘ値）を示す。
また本発明については、ａ−ＳｉＣ表面層４が第３図〜
第８図に示すようにＢ点のカーボン含有比率と同じ組成
比率により実質上一定になっている場合の他に第９図に
示すように表面へ向けて増大させてもよい。
第８図に示すようにＢ点のカーボン含有比率と同じ組成
比率により実質上一定になっている場合の他に第９図に
示すように表面へ向けて増大させてもよい。
次に本発明の実施例を述べる。
（グロー放電分解装置の説明）
第１０図は本例に用いられるグロー放電分解装置であり
、図中、６は円筒形状の反応室、７は感光体ドラム装着
用の円筒形状の導電性基板支持体、８は基板加熱用ヒー
タ、９は円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電
極板９にはガス噴出口１０が形成されており、そして、
１１は反応室内部へガスを導入するガス導入口、１２は
グロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するための
ガス排気口であり、１３は基板支持体７とグロー放電用
電極板９の間でグロー放電を発生させる高周波電源であ
る。
、図中、６は円筒形状の反応室、７は感光体ドラム装着
用の円筒形状の導電性基板支持体、８は基板加熱用ヒー
タ、９は円筒形状のグロー放電用電極板であり、この電
極板９にはガス噴出口１０が形成されており、そして、
１１は反応室内部へガスを導入するガス導入口、１２は
グロー放電に晒されたガスの残余ガスを排気するための
ガス排気口であり、１３は基板支持体７とグロー放電用
電極板９の間でグロー放電を発生させる高周波電源であ
る。
このグロー放電分解装置を用いてａ−Ｓｉ感光体を製作
する場合には、ａ−Ｓｔ成膜用のドラム状基板１４を基
板支持体７に装着し、薄膜生成用ガスをガス導入口１１
より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口１０を
介して基板面へ噴出し、更にヒータ８によって基板を所
要の温度に設定するとともに基板支持体７と電極板９の
間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１４の周
面に薄膜が形成される。
する場合には、ａ−Ｓｔ成膜用のドラム状基板１４を基
板支持体７に装着し、薄膜生成用ガスをガス導入口１１
より反応室内部へ導入し、このガスをガス噴出口１０を
介して基板面へ噴出し、更にヒータ８によって基板を所
要の温度に設定するとともに基板支持体７と電極板９の
間でグロー放電を発生させ、これにより、基板１４の周
面に薄膜が形成される。
（例１）
本発明者等は上記グロー放電分解装置を用いて第１表に
示す層組成の電子写真感光体を製作した。
示す層組成の電子写真感光体を製作した。
第１表
かくして得られた電子写真感光体をコロナｉｉｉ？Ａ４
０μへの条件でその表面を帯電させ、その初期電位及び
暗減衰特性を測定したところ、第１１図に示す通りの結
果が得られた。
０μへの条件でその表面を帯電させ、その初期電位及び
暗減衰特性を測定したところ、第１１図に示す通りの結
果が得られた。
同図中横軸は暗減衰時間（秒）であり、縦軸は表面電位
（Ｖ）を表わし、そして、ａは本例の特性曲線である。
（Ｖ）を表わし、そして、ａは本例の特性曲線である。
また、図中の特性曲線すは中間層を介在させないで他の
成膜は本例と同じにして得られた比較例の電子写真感光
体の場合である。
成膜は本例と同じにして得られた比較例の電子写真感光
体の場合である。
この結果より明らかな通り、本発明の電子写真感光体は
暗減衰特性が改善され、高い表面電位が得られたことが
判る。
暗減衰特性が改善され、高い表面電位が得られたことが
判る。
（例２）
本例においては、（例１）の電子写真感光体のなかで中
間層の八におけるＳ！＋−ｘｃ ｘのＸ値並びにその厚
みを第２表に示す通りに変え、中間層のＢにおけるＸ値
を０．８に設定し、これによって各種電子写真感光体を
作製した。
間層の八におけるＳ！＋−ｘｃ ｘのＸ値並びにその厚
みを第２表に示す通りに変え、中間層のＢにおけるＸ値
を０．８に設定し、これによって各種電子写真感光体を
作製した。
同表において縦欄はＳｉ＋−ｘｃ ｘのｘ値、横棚は厚
み！であり、そして、両欄によって決められる各項の数
値は初期電位６７０ｖに対する帯電１秒後の表面電位（
Ｖ）を表わす。
み！であり、そして、両欄によって決められる各項の数
値は初期電位６７０ｖに対する帯電１秒後の表面電位（
Ｖ）を表わす。
第
表
また、上記各電子写真感光体の画像流れ評価を行ったと
ころ、第１２図に示す通りの結果が得られた。
ころ、第１２図に示す通りの結果が得られた。
同図中横軸は中間層の厚みであり、縦軸はＳｉ＋−ｘｃ
ＸのＸ値を示し、評価はＯ５Δ、×の三種類に区分し
た。○印は露光量を感光体自体の適正露光量よりも２倍
に高めてもテストチャートの指定文字に全く画像流れが
生じない位までに鮮明な画像が得られた場合であり、Δ
印は適正露光量においては指定文字に画像流れがなく、
実用上何ら支障がないが、露光量をその２倍にまで高め
ると指定文字に画像流れが生じた場合であり、Ｘ印は適
正露光量において、画像流れを生じた場合である。
ＸのＸ値を示し、評価はＯ５Δ、×の三種類に区分し
た。○印は露光量を感光体自体の適正露光量よりも２倍
に高めてもテストチャートの指定文字に全く画像流れが
生じない位までに鮮明な画像が得られた場合であり、Δ
印は適正露光量においては指定文字に画像流れがなく、
実用上何ら支障がないが、露光量をその２倍にまで高め
ると指定文字に画像流れが生じた場合であり、Ｘ印は適
正露光量において、画像流れを生じた場合である。
第２表より明らかな通り、０〈ｘ≦０．４５．１０≦ｌ
の場合には５５０ｖ以上の表面電位が得られたことが判
る。
の場合には５５０ｖ以上の表面電位が得られたことが判
る。
また、第１２図より明らかな通り、Ｏ＜ ｘ≦０．４５
．１０≦β≦２０００人の場合には画像流れの点で何等
問題のない優れた電子写真感光体となり得ることが判る
。
．１０≦β≦２０００人の場合には画像流れの点で何等
問題のない優れた電子写真感光体となり得ることが判る
。
以上の通り、本発明によれば、十分に高い初期電位が得
られ、しかも、暗減衰が小さく、そのために現像に当た
って十分に高い表面電位が得られた高性能電子写真感光
体を提供することができた。
られ、しかも、暗減衰が小さく、そのために現像に当た
って十分に高い表面電位が得られた高性能電子写真感光
体を提供することができた。
第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示す断面図、
第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構成を示す断
面図、また、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図
、第８図及び第９図は中間ｌ！及びアモルファスシリコ
ンカーバイド表面層のカーボン含有量を示す線図、第１
０図はグロー放電分解装置の構成を示す概略図、第１１
図は暗減衰に伴う表面電位の経時変化を表わす線図、第
１２図は各種感光体の画像評価の結果を示すプロット図
である。 １・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコン光導電層３・・・中間層 ４・・・アモルファスシリコンカーバイド表面層特許出
願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 第８図 第；）図 ＠４図 第６図 労５−り図 へ合−−−−−つ８ 叉 ０．２５ ０．５Ｇ ０．７５ １．００ 暗 清 聞 （Ｓｅｃ）
第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構成を示す断
面図、また、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図
、第８図及び第９図は中間ｌ！及びアモルファスシリコ
ンカーバイド表面層のカーボン含有量を示す線図、第１
０図はグロー放電分解装置の構成を示す概略図、第１１
図は暗減衰に伴う表面電位の経時変化を表わす線図、第
１２図は各種感光体の画像評価の結果を示すプロット図
である。 １・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコン光導電層３・・・中間層 ４・・・アモルファスシリコンカーバイド表面層特許出
願人 （６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 第８図 第；）図 ＠４図 第６図 労５−り図 へ合−−−−−つ８ 叉 ０．２５ ０．５Ｇ ０．７５ １．００ 暗 清 聞 （Ｓｅｃ）
Claims (3)
- （１）基板上にアモルファスシリコン光導電層及びアモ
ルファスシリコンカーバイド表面層を順次形成した電子
写真感光体において、両層の間にカーボン含有量が層厚
方向に亘って漸次増大する中間層を１０〜２０００Åの
厚みで形成するとともに、該中間層の前記光導電層との
界面におけるカーボン含有量がＳｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ
のｘ値で０＜ｘ≦０．４５の範囲内にあり、かつ上記中
間層の前記表面層との界面におけるカーボン含有量がＳ
ｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ値で０．５≦ｙ≦０．９の範
囲内にあることを特徴とする電子写真感光体。 - （２）アモルファスシリコンカーバイド表面層が層厚方
向に亘ってカーボン含有量が実質上変化しない層である
請求項（１）記載の電子写真感光体。 - （３）アモルファスシリコンカーバイド表面層が表面へ
向けて層厚方向に亘りカーボン含有量が増大する層であ
る請求項（１）記載の電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282689A JPH02203350A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 電子写真感光体 |
| US07/732,749 US5262263A (en) | 1989-01-31 | 1991-07-18 | Layer electrophotographic sensitive member comprising morphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2282689A JPH02203350A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203350A true JPH02203350A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12093498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2282689A Pending JPH02203350A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7498110B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628161A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS62148966A (ja) * | 1986-12-02 | 1987-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2282689A patent/JPH02203350A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628161A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体 |
| JPS62148966A (ja) * | 1986-12-02 | 1987-07-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7498110B2 (en) | 2004-03-16 | 2009-03-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
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