JPS6228755A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。 口、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ又はＳｅにＡｓ　、
Ｔｅ　％　Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳ
を樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている
。しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。 一方、アモルファスシリコン（ａ　−Ｓ　ｉ）全１体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。ａ−３ｉは、５ｉ−３ｉの結合手が切れたいわゆる
ダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因して
エネルギーギャップ内に多（の局在準位が存在する。こ
のために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗抵抗
が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップされて
光伝導性が悪くなっている。そこで、上記欠陥を水素原
子（Ｈ）で補償してＳｉにＨを結合させることによって
、ダングリングボンドを埋めることが行われる。 このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−３
ｔ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は、１０１１〜１
０９Ω−ｃｍであって、アモルファスＳｅと比較すれば
約１万分の１も低い。従って、ａ−３ｉ：Ｉ］の単層か
らなる感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯
電電位が低いという問題点を有している。 しかし、他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると
抵抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極
めて優れた特性を有している。 第８図には、上記のａ−３ｉ：Ｈを母材としたａ−３ｉ
系感光体９を組込んだ電子写真複写機が示されている。 この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原稿
２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプラ
テンカバー４とが配されている。原稿台３の下方では、
光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラーユ
ニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線移動
可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光路長
を一定にするための第２ミラーユニツト２０が第１ミラ
ーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側からの反
射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持体と
しての感光体ドラム９上へスリット状に入射するように
なっている。ドラム９の周囲には、コロナ帯電器１０、
現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニング部
１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給紙ロー
ラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラム９の
トナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、トレイ
３５へ排紙される。定着部１９では、ヒーター２２を内
臓した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４との間に現
像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。 しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これまで十分な検討がなされていない
。例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。一方、ア
モルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−３ｉＣ：　
Ｈと称する。）について、その製法や存在が”　Ｐｈ１
ｌ。 Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、　３５”（１９７８）等に記載され
ており、その特性として、耐熱性や表面硬度が高いこと
、ａ−３ｉ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１０”〜１
０１３Ω−ｃｍ）を有すること、炭素量により光学的エ
ネルギーギヤツブが１．６〜２．８ｅＶの範囲に亘って
変化すること等が知られている。但、炭素の含有により
ハンドギャップが拡がるために長波長感度が不良となる
という欠点がある。 こうしたａ−３ｉＣ：Ｈとａ−３ｉ：Ｈとを組合せた電
子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８３号公報
において提案されている。これによれば、ａ−３ｉ：Ｈ
層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下にａ
−３ｉＣ：Ｈ層を設け、上層のａ−３ｉ：Ｈにより広い
波長域での光感度を得、かつａ−３ｉ：Ｈ層とへテロ接
合を形成する下層のａ−３ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向
上を図っている。しかしながら、ａ−３ｉ：Ｈ層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない上に、表面にａ−３ｉ：
Ｈ層が存在していることにより化学的安定性や機械的強
度、耐熱性等が不良となる。 一方、特開昭５７−１７９５２号公報には、ａ−３ｉ：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−３ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−３ｉＣ：Ｈ層を形成している。 また、この公知技術に関連したものとして、実開昭５７
−２３５４３号公報にみられる如く、上記の電荷発生層
と上記第１及び第２のａ−３ｉＣ：Ｈ層との間に傾斜層
（ａ−ｓｉｌ−ｘ　　ｃａｌ　　：Ｈ）を設け、この傾
斜層においてａ−３ｉ：Ｈ側でＸ＝０とし、ａ−３ｉＣ
：Ｈ層側でＸ＝０．５とした感光体が知られている。 しかしながら、上記の公知の感光体について本発明者が
検討を加えたところ、表面改質層を設けたことによる効
果は特に連続繰返し使用において、それ程発揮されない
ことが判明した。即ち、２０〜３０万回の連続ランニン
グ時に表面のａ−３ｉＣ層が７〜８万回程度で機械的に
損傷され、これに起因する白スジや白ポチが画像欠陥と
して生じるため、耐剛性が充分ではない。しかも、繰返
し使用時の耐光疲労が生じ、画像流れも生じる上に、電
気的・光学的特性が常時安定せず、使用環境（温度、湿
度）による影響を無視できない。また、表面改質層と電
荷発生層との接着性も更に改善する必要がある。 ハ０発明の目的 本発明の目的は、表面改質層と電荷発生層との接着性に
優れ、機械的損傷に強くかつ耐刷性に優れている上に、
画像流れのない安定な画質が得られ、繰返し使用時の光
疲労が少なく、残留電位も低く、かつ特性が使用環境（
温度、湿度）によらずに安定している感光体を提供する
ことにある。 二６発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明は、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のう
　、ちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素化
及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷ブロッキング
層と；炭素原子及び酸素原子を含有するアモルファス水
素化及び／又はフッ素層と；周期表第ｍａ族又は第Ｖａ
族元素がドープされかつ炭素原子、窒素原子及び酸素原
子のうちの少なくとも１種を含有するアモルファス水素
化及び／又はフッ素化シリコンからなる中間層と；炭素
原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１種を
前記中間層よりも多く含有するアモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる表面改質層とが順次積
層されてなる感光体に係るものである。 本発明によれば、表面改質層は炭素、窒素及び酸素の少
なくとも１つの原子を含有しているために、機械的損傷
に対して強（なり、白スジ発生等による画質の劣化がな
く、耐剛性が優れたものとなる。また、本発明において
は、表面改質層と電荷発生層との間に不純物ドープド中
間層を設けているので、表面改質層と電荷発生層との接
着性が向上する。また、表面改質層と中間層とを電荷発
生層上に設けているので、上記に加えて、繰返し使用時
の耐光疲労に優れ、また画像流れもなく、残留電位も低
下し、電気的・光学的特性が常時安定化して使用環境に
影響を受けないことが確認されている。 ホ、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。 第１図は、本実施例による正帯電用のａ−３ｉ系電子写
真感光体３９を示すものである。この感光体３９はＡＡ
等のドラム状導電性支持基板４１上に、周期表第城族元
素（例えばリン）がヘビードープされかつＣ，Ｎ及び０
の少なくとも１つを含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ−
３ｔ（Ｃ）（Ｎ）（０）　　：Ｈと表わす。）からなる
Ｎ”型電荷ブロッキング層４４と、周期表第ＩＩＩａ族
元素（例えばホウ素）がライトドープされて真性化され
かつＣ及び０を含有するａ−３ｉ：Ｈ（これをａ　　５
ｉＣＯ：Ｈと表わす。）からなる電荷輸送層４２と、ａ
−３ｉ　　：Ｈからなる電荷発生層（不純物ドーピング
なし又は真性化されたもの）４３と、周期表第ｍａ族又
は第Ｖａ族元素がヘビードープされたＰ゛型又はＮ゛型
であって、Ｃ，Ｎ、０の少なくとも１つを含有するアモ
ルファス水素化シリコンからなる中間層４６と、周期表
第ｍａ族又は第Ｖａ族元素がドープされてＰ型又はＮ型
或いは真性化（若しくは不純物ドーピングなしの）され
かつＮ、Ｃ及び０の少なくとも１つを含有するアモルフ
ァス水素化シリコン（これをａ−３ｉ（Ｃ）（Ｎ）（０
）：Ｈと表わす。）からなる表面改質層４５とが積層さ
れた構造からなっている。電荷発生層４３は暗所抵抗率
ρ、と光照射時の抵抗率ρ１との比が電子写真感光体と
して充分大きく光感度（特に可視及び赤外領域の光に対
するもの）が良好である。 なお、上記の各層の炭素原子含有量は０〜７０％の範囲
では、第２図に示す如くに光学的エネルギーギャップ（
Ｅｇ、ｏｐｔ）とほぼ直線的な関係があるので、炭素原
子含有量を光学的エネルギーギャップに置き換えて規定
することができる。 また、ａ−３ｉＣ：Ｈは、炭素原子含有量を適切に選択
すれば、第３図の曲線ａのように比抵抗の上昇、帯電電
位保持能の向上という顕著な作用効果が得られる。即ち
、第３図に曲線ａで示すように、炭素原子含有量が３０
〜９０％のａ　　ＳｉＣ：Ｈを用いた場合、その比抵抗
は炭素含有量に従って変化し、１０′２Ω−ｃｍ以上に
なる。 上記の傾向は、炭素に代えてＮ又は０を含むａ−３ｉＮ
　：　Ｈ，ａ−３ｉＯ：　Ｈについても同様である。 上記の層４５は感光体の表面を改質してａ−３ｉ系怒光
体を実用的に優れたものとするために必須不可欠なもの
である。即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面
電位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作
を可能とするものである。 従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以上）放置しておいても良好な
電位特性を再現できる。これに反し、ａ−３ｔ：Ｈを表
面とした感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気
等の影響を受は易く、電位特性の経時変化が著しくなる
。 また、層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、ク
リーニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱
性も良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセ
スを適用することができる。 上記のような優れた効果を総合的に奏するためには、層
４５の組成を選択することが重要である。 即ち、炭素原子を含有する場合、Ｓｔ　＋ｃ＝ｔｏ。 ａｔｏｍｉｃ％（以下、ａｔｏｎ＋ｉｃ％を単に％で表
わす。）としたとき１％≦（Ｃ）５９０％、更には１０
％≦ＣＧ）５７０％であることが望ましい。このＣ含有
量によって上記した比抵抗が所望の値となり、かつ光学
的エネルギーギャップがほぼ２．５　ｅＶ以上となり、
可視及び赤外光に対しいわゆる光学的に透明な窓効果に
より照射光はａ−３ｉ：Ｈ層（電荷発生Ｎ）４３に到達
し易くなる。しかし、Ｃ含有量が１％以下では、機械的
損傷等の欠点が生じ、かつ比抵抗が所望の値以下となり
易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、感光体
の光感度が低下し易くなる。また、Ｃ含有量が９０％を
越えると層の炭素量が多くなり、半導体特性が失われ易
い上にａ−３ｉＣ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するとき
の堆積速度が低下し易いので、Ｃ含を量は９０％以下と
するのがよい。同様に、窒素又は酸素を含有する層４５
の場合、１％≦（Ｎ）５９０％（更には１０％≦（Ｎ）
５７０％）がよく、０％〈　〔０〕≦７０％（更には５
％≦〔０〕≦３０％）がよい。 帯電能を向上させる為には、表面改質層４５を高抵抗化
してもよい。その為には表面改質層を真性化しても良い
。 正又は負帯電使用に於いて、中間層から表面改質層中へ
の電子又は正孔の注入を容易にし、残留電位を極小化す
る為には、表面改質層をＰ又はＮ型としてもよい。 各場合の不純物ドープ量（後述のグロー放電分解時）は
次の通りであってよい。 真性化：　ＢｚＨ６／５ｉＨ４２””’　　５０　　容
ｆｆｉｐｐｍＰ型　：　ＢＪ６／５ｉＨ４５０〜１００
０〃Ｎ型　：　ＰＨ３／５ｉＨ４１〜１０００〃また、
層４５はａ−３ｉＣＯ１ａ−３ｉＮＯ１ａ−３ｔ○、ａ
−３ｉＯ□等からなっていてよく、その膜厚を４００人
≦ｔ≦５０００人の範囲内（特に４００人≦ｔ＜２００
０人に選択することも重要である。即ち、その膜厚が５
０００人を越える場合には、残留電位■７が高くなりす
ぎかつ光感度の低下も生じ、ａ　　Ｓｉ系感光体として
の良好な特性を失い易い。また、膜厚を４００人未満と
した場合には、トンネル効果によって電荷が表面上に帯
電されなくなるため、暗減衰の増大や光感度の低下が生
じてしまう。 中間層４６は、怒度の向上、残留電位の低下、表面改質
層の接着性の向上及び画像の安定化の為に設置する。 上記特性改善の為には、Ｐ又はＮ型化する必要がある。 不純物ドープ量は（ＰＨ３）／　Ｃ３ｉＨ４）＝　１〜
１０００　（好ましくは１０〜５００）容ｆｆｌｐｐｍ
、（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨ４）＝１０〜１０００　（
好ましくは５０〜５００）容量ｐｐｍとしてよい。 中間Ｊｉｉ４６のＣ，Ｎ、Ｃ含有量は、０＜　（ｃ）５
１０％、 Ｑ＜（Ｎ）５１０％、 ０＜　（０）≦５％とするのがよい。 この中間層の膜厚は５０〜５０００人とするのがよいが
、５０００人を越えると上記したと同様の現象が生じ易
＜、５０人未満では中間層としての効果が乏しくなる。 電荷発生層４３については、帯電能を向上する為には、
電荷発生層の高抵抗化を図ってもよい。その為には、電
荷発生層を真性化しても良い。この真性化には、Ｂ２Ｈ
６／５ｉＨ４＝１〜２０容量ｐｐｍとするのがよい。 また、電荷発生層は１−１０μｍ、好ましくは５〜７μ
ｍとするのがよい。電荷発生層４３が１μｍ未満である
と゛光感度が充分でなく、また１０μｍを越えると残留
電位が上昇し、実用上不充分である。 電荷輸送層４２については、帯電能、感度を最適化する
為には、必要に応じて真性化してよい。真性化の為のド
ープ量は、（Ｂ２Ｈ６）／　（ＳｉＨｎ　）＝２〜２０
容量ｐｐｍが最適である。但し、上記値はＣ濃度に依存
する為、必ずしも上記値に限定されるものではない。電
荷輸送層の膜厚は１０〜３０μｍとするのがよい。また
、電荷輸送層の組成は、１％く　〔Ｃ〕　５３０％、好
ましくは１０％≦（Ｃ）　５３０％がよく、０％〈　〔
Ｏ〕　５１０％、好ましくは０％〈〔０３５１％がよい
。 また、上記電荷ブロッキング層４４は、基板４１からの
ホールの注入を充分に防ぎ、感度、帯電能の向上のため
には、必要に応じて周期表第Ｖａ族元素（例えばリン）
をグロー放電分解でドープして、真性化、更にはＮ型（
更にはＮ゛型）化する。ブロッキング層の組成によって
、次のようにドーピング量を制御する。 ａ−５ｉＣ又はａ−ＳｉＣＯ：真性化ＢｚＨ６／Ｓｉ’
Ｈ４２〜２０容量ｐｐｍＮ型（Ｎ″″）Ｐ１１ｉ／５ｉ
Ｈ４１〜１０００〃ａ−５ｉＮ又はａ−ＳｉＮＯ：真性
化Ｂ２Ｈ６／５ｉＨ４１〜２０００〃Ｎ型（Ｎ“）Ｐ）
１３／５ｉＨｎ　１〜２０００〃ブロフキング層は５ｉ
Ｏ１Ｓｉ０２等の化合物でもよい。 また、ブロッキング層４４は膜厚５００　人〜２μｍが
よい。５００人未満であるとブロッキング効果が弱（、
また２μｍを越えると電荷輸送能が悪くなり易い。 ブロッキング層４４の組成については、次のようにする
のが望ましい。即ち、１％く〔０３６９０％、好ましく
は１０％≦（Ｃ）５７０％とし、１％〈〔Ｎ３５９０％
、好ましくは１０％〈　〔Ｎ３５７０％とし、０％≦〔
０〕≦７０％、好ましくはＯ％≦〔０〕≦３０％とする
のがよい。 なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。 特に、電荷発生層４３中の水素含有量は、ダングリング
ボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させる
ために必須不可欠であって、１０〜３０％であるのが望
ましい。この含有量範囲は表面改質層４５、ブロッキン
グ層４４及び電荷輸送層４２も同様である。また、導電
型を制御するための不純物として、Ｐ型化のためにボロ
ン以外にもＡｆ、　Ｇａ　、Ｉｎ　、　Ｔ７！等の周期
表Ｉ［１ａ族元素を使用できる。Ｎ型化のためにはリン
以外にも、ＡＳ％ｓｂ等の周期表第Ｖａ族元素を使用で
きる。 次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第４図について説明す
る。 この装置５１の真空槽５２内ではドラム状の基ｖｉ４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度に加熱し得るようになっている。 基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付きの
円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に高周
波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。なお、
図中の６２はＳ　ｉ　Ｈａ又はガス状シリコン化合物の
供給源、６３はＣＨ，等の炭化水素ガスの供給源、６４
はＮ２等の窒素化合物ガスの供給源、６５は０□等の酸
素化合物ガスの供給源、６６はＡｒ等のキャリアガス供
給源、６７は不純物ガス（例えばＢ２Ｈ，）供給源、６
８は各流量計である。このグロー放電装置において、ま
ず支持体である例えばＡＩ！基板４１の表面を清浄化し
た後に真空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が
１Ｏ−６Ｔ　ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ
基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃（望ましく
は１５０〜３００°Ｃ）に加熱保持する。次いで、高純
度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ　ｉＨａ又は
ガス状シリコン化合物、ＣＨ４、Ｎｚ　、Ｏ□等を適宜
真空槽５２内に導入し、例えば０．０１〜１０　Ｔ　ｏ
ｒｒの反応圧下で高周波電源５６により高周波電圧（例
えば１３．５６　ＭＨｚ　）を印加する。これによって
、上記各反応ガスを電極５７と基板４１との間でグロー
放電分解し、Ｎ＋型ａ　　Ｓｉｃ　：　ＨＳ　ｉ型ａ−
５ｉＣＯ：　Ｈ，ａ　　Ｓｌ　　：　Ｈ％　Ｐ　”又は
Ｎ＋型ａ−３ｉＣＯ：Ｈ，ａ−３ｉＣ：Ｈを上記の層４
４．４２．４３．４６．４５として基板上に連続的に（
即ち、例えば第１図の例に対応して）堆積させる。 上記製造方法においては、支持体上にａ−３ｔ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。 なお、上記ａ−３ｉ系感光体の各層の形成時において、
ダングリングボンドを補償するためには、上記したＨの
かわりに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形
で導入し、ａｓｈ：Ｆ％ａ−３ｔ　　：Ｈ：Ｆ％　ａ−
３ｉＮ：Ｆ、。 ａ−３ｉＮ：Ｈ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｆ。 ａ−８ＩＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。この場合のフ
ン素足は０．５〜１０％が望ましい。 なお、」二記の製造方法はグロー放電分解法によるもの
であるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化さ
れた水素導入下でＳｉを暴発させる方法（特に、本出願
人による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５
２４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が
可能である。 以下、本発明を具体的な実施例について説明する。 グロー放電分解法により、ドラム状Ａβ支持体上に第１
図の構造の電子写真感光体を作製した。 即ち、まず支持体である、例えば平滑な表面を持つドラ
ム状ＡＮ基板４１の表面を清浄化した後に、第４図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧が１Ｏ−６
Ｔｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を
所定温度、と（に１００〜３５０℃（望ましくは１５０
〜３００℃）に加熱保持する。次いで、高純度のＡｒガ
スをキャリアガスとして導入し、０．５　Ｔｏｒｒの背
圧のもとて周波数１３．５６　ＭＨｚの高周波電力を印
加し、１０分間の予備放電を行った。 次いで、Ｓ　ｉ　ＨａとＰＨ，からなる反応ガスを導入
し、流量比１　：　１　：　１　：　　（１，５Ｘｌ０
−’）の（Ａｒ＋　Ｓ　ｉ　Ｈａ　＋　ＣＨ４又はＮＺ
　＋ＰＨ３）混合ガスをグロー放電分解することにより
、電荷ブロッキング機能を担うＮ＋型のａ−３ｉＣＯ：
　Ｈ層４４とａ−３ｉＣＯ：　Ｈ電荷輸送層４２とを６
μｍ／ｈｒの堆積速度で順次所定厚さに製膜した。引き
続き、ＰＨ３及びＣＨ４を供給停止し、Ｓ　ｉ　Ｈ４を
放電分解し、厚さ５．ｃ＋ｍのａ−３ｉ　　：ＨＮ４３
を形成した。引続いて、不純物ガスの流量比を変化させ
てグロー放電分解し、膜厚も変化させた中間層４６を形
成し、更にａ−３ｉＣＯ：Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｉ］表
面保護層４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた
。比較例として、中間層のない感光体を作成した。 こうして作成された感光体の構成をまとめると次の通り
であった。 （１）０表面改質層：　ａ−３ｉＮＯ：　Ｈ又はａ−３
ｉＣＯ：　　Ｈ （２）、中間層：ドープ量、膜厚変化（第５図参照）（
３）、ａ−３ｔ　　：Ｈ電荷発生Ｎ：膜厚＝５μｍ（４
）、ａ−３ｉＣＯ：　Ｈ電荷輸送層：膜厚＝　１６　ｐ
　ｍＣ含有量−１１％ ０含有量＝０．１％ （５）、ａ−３ｉＣＯ：　Ｈ又はａ−３ｉＮＯ：Ｈ電荷
プロフキング層： 膜厚−０，５°μｍ Ｃ含有量＝１２％ （６）、支持体：Ａｌシリンダー（鏡面研磨仕上げ）次
に上記の各感光体を使用して各種のテストを次のように
行なった。 引っかき強度 第６図に示すように、感光体３９面に垂直に当てた０、
３　Ｒダイヤ針７ｏに荷重Ｗを加え、感光体をモーター
７１で回転させ、傷をつける。次に、電子写真複写機Ｕ
−Ｂｉｘ１６００　　（小西六写真工業社製）改造機に
て画像出しを行ない、何ｇの荷重から画像に白スジが現
われるかで、その感光体の引っがき強度（ｇ）　とする
。 画像流れ 温度３３℃、相対湿度８０％の環境下で、感光体を電子
写真複写機Ｕ　　Ｂ　ｉｘ　４５００（小西六写真工業
社製）改造機内に２４時間順応させた後、現像剤、紙、
ブレードとは非接触で１０００コピーの空回しを行った
後、画像出しを行ない、以下の基準で画像流れの程度を
判定した。 ◎二画像流れが全くなり、５゜５ポイントの英字や細線
の再現性が良い。 ○：５．５ポイントの英字がやや太くなる。 △：５．５ポイントの英字がつぶれて読みづらい。 Ｘ：５．５ポイントの英字判読不能。 留雪立ＶＲ（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機を使った電位測定で、
４００ｎｍにピークをもつ除電光３０１　ｕｘ　＝ｓｅ
ｃを照射した後も残っている怒光体表面電位。 帯電電位■。（Ｖ） Ｕ　−Ｂ　ｉｘ　２５００改造機（小西六写真工業■製
）を用い、感光体流れ込み電流２００μＡ、露光なしの
条件で３６０ＳＸ型電位計（トレソク社製）で測定した
現像直前の表面電位。 半減露光’ｆｔ　Ｅ　１／２（ｌ　ｕｘ−ｓｅｃ）上記
の装置を用い、ダイクロイックミラー（光体光学社製）
により像露光波長のうち６２０ｎｍ以上の長波長成分を
シャープカットし、表面電位を５００■から２５０■に
半減するのに必要な露光量。 結果を第７図にまとめて示した。この結果から、本発明
に基いて感光体を作成すれば、電子写真用として各性能
に優れた感光体が得られることが分かる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例を示すものであって、 第１図はａ−Ｓｔ系悪感光体膣断面図、第２図はａ−３
ｉＣの光学的エネルギーギャップをしめずグラフ、 第３図はａ−３ｉＣＯ比抵抗を示すグラフ、第４図はグ
ロー放電装置の概略断面図、第５図は各感光体の層構成
を示す表、 第６図は引っかき強度試験機の概略図、第７図は各感光
体の特性を示す表、 である。 第８図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 なお、図面に示された符号において、 ３９−・・・−−一−−・・ａ−３ｉ系悪感光４１−−
−−−−・−支持体（基板） ４２−−−一−−−−−−電荷輸送層 ４３−・・−・・−・−電荷発生層 ４４・・−一−−−−・・−電荷プロッキング層４５−
−−−−−一表面改質層 ４６・・−・・−・−中間層 である。 代理人　弁理士　逢　坂　　　宏 第２図 ａ−Ｓｉ＋−ｘＣｘ：ＨＸ 第３図 第６図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくと
   も１種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素
   化シリコンからなる電荷ブロッキング層と；炭素原子及
   び酸素原子を含有するアモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化シリコンからなる電荷輸送層と；アモルファス水
   素化及び／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層と
   ；周期表第IIIａ族又は第Ｖａ族元素がドープされかつ
   炭素原子、窒素原子及び酸素原子のうちの少なくとも１
   種を含有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シ
   リコンからなる中間層と；炭素原子、窒素原子及び酸素
   原子のうちの少なくとも１種を前記中間層よりも多く含
   有するアモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコン
   からなる表面改質層とが順次積層されてなる感光体。