JPS6283481A - マイクロメカニクスにおけるパタ−ン作成方法 - Google Patents
マイクロメカニクスにおけるパタ−ン作成方法Info
- Publication number
- JPS6283481A JPS6283481A JP61227929A JP22792986A JPS6283481A JP S6283481 A JPS6283481 A JP S6283481A JP 61227929 A JP61227929 A JP 61227929A JP 22792986 A JP22792986 A JP 22792986A JP S6283481 A JPS6283481 A JP S6283481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etch mask
- patterning
- etched
- patterning step
- etch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/02—Local etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/69—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials
- H10P50/691—Etching of wafers, substrates or parts of devices using masks for semiconductor materials for Group V materials or Group III-V materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロメカニクス（ｍｉｃｒｏｍｅｃｈ−ａ
ｎｉｃｓ）における固体にパターンを形成するための方
法に関する。
ｎｉｃｓ）における固体にパターンを形成するための方
法に関する。
マイクロメカニクスにおいて固体をパターン化し、しか
もそのパターンが異なった厚さまたは異なった深さを持
つようにする必要のある場合には、このパターンは従来
ではたとえば穴明け、切削、火花侵食等の機械的方法だ
けを用いて形成されていた。
もそのパターンが異なった厚さまたは異なった深さを持
つようにする必要のある場合には、このパターンは従来
ではたとえば穴明け、切削、火花侵食等の機械的方法だ
けを用いて形成されていた。
半導体技術においては、ホトリソグラフィ標準プロセス
を用いて通常半導体の表面に０．１μｍ〜１μｍの深さ
のパターンが形成されている。使用されたホトレジスト
の厚さは１μｍ〜４μｍ程度であるので、半導体技術に
おいては任意に多くのホトリソグラフィのパターン化ス
テップを連続して行うことができる。しかもその場合、
先に行われたホトリングラフィのパターン化ステップに
て半導体の表面に既に作成されているパターンは障害に
ならない。
を用いて通常半導体の表面に０．１μｍ〜１μｍの深さ
のパターンが形成されている。使用されたホトレジスト
の厚さは１μｍ〜４μｍ程度であるので、半導体技術に
おいては任意に多くのホトリソグラフィのパターン化ス
テップを連続して行うことができる。しかもその場合、
先に行われたホトリングラフィのパターン化ステップに
て半導体の表面に既に作成されているパターンは障害に
ならない。
半導体技術において通常用いられているこのホトリング
ラフィ標準プロセスはそのままの形ではマイクロメカニ
クスに転用されない。というのは、マイクロメカニクス
においては固体には５００μｍ以上の深さのパターンが
必要であるからである。ホトリソグラフィ標準プロセス
の半導体技術におりて通常行われているような、多数回
連続して行われるパターン化ステップは、マイクロメカ
ニクスにおいては光技術によって実施することが出来な
い。それぞれ光技術を用いて連続的に行われる２つのパ
ターン化ステップはマイクロメカニクスにおいては実施
不可能である。
ラフィ標準プロセスはそのままの形ではマイクロメカニ
クスに転用されない。というのは、マイクロメカニクス
においては固体には５００μｍ以上の深さのパターンが
必要であるからである。ホトリソグラフィ標準プロセス
の半導体技術におりて通常行われているような、多数回
連続して行われるパターン化ステップは、マイクロメカ
ニクスにおいては光技術によって実施することが出来な
い。それぞれ光技術を用いて連続的に行われる２つのパ
ターン化ステップはマイクロメカニクスにおいては実施
不可能である。
そこで本発明は、マイクロメカニクスにおいて必要であ
る深さを有する少なくとも２つの連続するパターン化を
行うことができるような、冒頭で述べた種類の方法を提
供することを目的とする。
る深さを有する少なくとも２つの連続するパターン化を
行うことができるような、冒頭で述べた種類の方法を提
供することを目的とする。
この目的を達成するために、本発明は、マイクロメカニ
クスにおける固体にパターンを形成するために、少なく
とも２つの選択的に除去可能な異なったエッチマスクが
前記固体の上に連続して設けられ、最後のエッチマスク
の作成後に第１のパターン化ステップが行われ、最後の
エッチマスクの除去後に前記固体の上に残っているエッ
チマスクのによって他のパターン化ステップが行われ、
他のエッチマスクの除去および他のパターン化ステップ
の実施が繰返えされて、エッチマスクが前記固体の上に
存在している間多数のパターン化ステップが実施される
ことを特徴とする。
クスにおける固体にパターンを形成するために、少なく
とも２つの選択的に除去可能な異なったエッチマスクが
前記固体の上に連続して設けられ、最後のエッチマスク
の作成後に第１のパターン化ステップが行われ、最後の
エッチマスクの除去後に前記固体の上に残っているエッ
チマスクのによって他のパターン化ステップが行われ、
他のエッチマスクの除去および他のパターン化ステップ
の実施が繰返えされて、エッチマスクが前記固体の上に
存在している間多数のパターン化ステップが実施される
ことを特徴とする。
本発明による方法においては、固体の上には少なくとも
２つの選択的に除去可能なエッチマスクが設けられる。
２つの選択的に除去可能なエッチマスクが設けられる。
その場合、それぞれ重ねて設けられた２つのエッチマス
クは選択的にエツチング可能でなければならない。固体
の上に連続して設けられて選択的に除去可能なエッチマ
スクの個数によって、可能なパターン化ステップの個数
が決定される。少なくとも２つのパターン化ステップに
よって、固体には異なった厚さく深さ）を有するパター
ンを作ることができる。
クは選択的にエツチング可能でなければならない。固体
の上に連続して設けられて選択的に除去可能なエッチマ
スクの個数によって、可能なパターン化ステップの個数
が決定される。少なくとも２つのパターン化ステップに
よって、固体には異なった厚さく深さ）を有するパター
ンを作ることができる。
選択的に除去可能なエッチマスクはたとえば第１にチタ
ン−金膜で構成し、第２にホトレジスト膜で構成するこ
とができる。チタン−金エッチマスクはホトレジストマ
スクによってチタン−金膜から作ることができる。その
場合には最初にチタン−金膜が設けられ、その後にこの
チタン−金膜の上にホトレジストマスクが作られ、その
後このホトレジストマスクのパターンがエツチングによ
ってチタン−金膜に転写され、このようにしてチタン−
金膜からチタン−金エッチマスクが作成される。このチ
タン−金エッチマスクの作成後、補助剤として使用され
たホトレジストが再び除去される。
ン−金膜で構成し、第２にホトレジスト膜で構成するこ
とができる。チタン−金エッチマスクはホトレジストマ
スクによってチタン−金膜から作ることができる。その
場合には最初にチタン−金膜が設けられ、その後にこの
チタン−金膜の上にホトレジストマスクが作られ、その
後このホトレジストマスクのパターンがエツチングによ
ってチタン−金膜に転写され、このようにしてチタン−
金膜からチタン−金エッチマスクが作成される。このチ
タン−金エッチマスクの作成後、補助剤として使用され
たホトレジストが再び除去される。
次に本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図ないし第５図に示された実施例では、マイクロメ
カニクスにおいて使用するための２段階エツチング方法
の技術的プロセスの原理が図示されている。
カニクスにおいて使用するための２段階エツチング方法
の技術的プロセスの原理が図示されている。
第１図には、固体としてシリコンウェー−１が示されて
おシ、このシリコンウェハはその全面にチタン−金膜２
が蒸着されている。チタン−金膜２の上にはホトレジス
ト膜３が塗布されている。このホトレジスト膜３は当業
者にとっては公知のホトリソグラフィ標準プロセスに基
づいてパターン化されている。
おシ、このシリコンウェハはその全面にチタン−金膜２
が蒸着されている。チタン−金膜２の上にはホトレジス
ト膜３が塗布されている。このホトレジスト膜３は当業
者にとっては公知のホトリソグラフィ標準プロセスに基
づいてパターン化されている。
第２図においては、第１図のシリコンウニ／％１は、ホ
トレジスト膜６に作られたパターンがチタン−金膜２の
エツチングによってこのチタン−金膜２に形成され、そ
れによりチタン−金から成る第１のエッチマスクが作成
され、ホトレジスト膜３の残留ホトレジストが除去され
る。第１のエッチマスクはすなわちチタン−金膜２をパ
ターン化することによってこのチタン−金膜２から作ら
れる。チタン−金膜２のパターン化は必ずしもホトレジ
スト膜３によって行わなければならないことはない。同
様に、第１のエッチマスクは必ずしもチタン−金で構成
しなければならないことはない。
トレジスト膜６に作られたパターンがチタン−金膜２の
エツチングによってこのチタン−金膜２に形成され、そ
れによりチタン−金から成る第１のエッチマスクが作成
され、ホトレジスト膜３の残留ホトレジストが除去され
る。第１のエッチマスクはすなわちチタン−金膜２をパ
ターン化することによってこのチタン−金膜２から作ら
れる。チタン−金膜２のパターン化は必ずしもホトレジ
スト膜３によって行わなければならないことはない。同
様に、第１のエッチマスクは必ずしもチタン−金で構成
しなければならないことはない。
第１のエッチマスクは第２のエッチマスクに比較して選
択的に除去可能であるようなあらゆる材料で構成するこ
とができる。第１のエッチマスクは同様にパターン化さ
れたエッチマスクを製作することができるようなあらゆ
る方法を用いて作成することができる。
択的に除去可能であるようなあらゆる材料で構成するこ
とができる。第１のエッチマスクは同様にパターン化さ
れたエッチマスクを製作することができるようなあらゆ
る方法を用いて作成することができる。
第６図においては、第２図のシリコンウニ／Ｓ１は、シ
リコンウェハ１の上の第１のエッチマスク２と新しいホ
トレジス）３ａとを有している。新しいホトレジスト３
ａはシリコンウェーＳ１と第１のエッチマスク２とから
成る第２図の構成体の上に塗布され、その後パターン化
されている。このホトレジスト膜５ａはチタン−金膜２
に比較して選択的にエツチング可能である。
リコンウェハ１の上の第１のエッチマスク２と新しいホ
トレジス）３ａとを有している。新しいホトレジスト３
ａはシリコンウェーＳ１と第１のエッチマスク２とから
成る第２図の構成体の上に塗布され、その後パターン化
されている。このホトレジスト膜５ａはチタン−金膜２
に比較して選択的にエツチング可能である。
、尼４図においては、第５図の構成体は、シリコンウェ
ハ１の上に第１のエッチマスク２と第２のエッチマスク
３ａとが設けられ、第２のエッチマスク３ａの開口部の
下に位置する第１のエッチマスク２のチタン−金膜がエ
ツチングされ、さらにその後、シリコンウェハ１をパタ
ーン化するために第１のパターン化ステップにてシリコ
ンウニ／１１をエツチングすることによって貫通穴４が
プレエツチングされている。シリコンウェハ１をパター
ン化するための第１のパターン化ステップの際には、穴
４は約５００μｍの深さまでプレエツチングされる。
ハ１の上に第１のエッチマスク２と第２のエッチマスク
３ａとが設けられ、第２のエッチマスク３ａの開口部の
下に位置する第１のエッチマスク２のチタン−金膜がエ
ツチングされ、さらにその後、シリコンウェハ１をパタ
ーン化するために第１のパターン化ステップにてシリコ
ンウニ／１１をエツチングすることによって貫通穴４が
プレエツチングされている。シリコンウェハ１をパター
ン化するための第１のパターン化ステップの際には、穴
４は約５００μｍの深さまでプレエツチングされる。
第５図においては、第４図の構成体は、第２のエッチマ
スク３ａが除去され、シリコンウェハ１ヲハターン化す
るための第２のパターン化ステップにおいて第１のエッ
チマスク２の開口部のところでは穴４および窪み５内の
シリコンウェハ１の他の部分がエツチング除去される。
スク３ａが除去され、シリコンウェハ１ヲハターン化す
るための第２のパターン化ステップにおいて第１のエッ
チマスク２の開口部のところでは穴４および窪み５内の
シリコンウェハ１の他の部分がエツチング除去される。
第１図ないし第５図に示した実施例は相対圧力センサ用
の基板の製作について図解したものである。シリコンウ
ェハ１をパターン化するための第１のパターン化ステッ
プにおいては、貫通穴４は約３００ ａ ｍの深さまで
プレエツチングされ、シリコンウェハ１をパターン化す
るだめの第２のパターン化ステップにおいては、この穴
４は約４００μｍの深さまで通しエツチングされ、この
穴４の周囲に約１００μｍの深さの環状溝５がエツチン
グされる。
の基板の製作について図解したものである。シリコンウ
ェハ１をパターン化するための第１のパターン化ステッ
プにおいては、貫通穴４は約３００ ａ ｍの深さまで
プレエツチングされ、シリコンウェハ１をパターン化す
るだめの第２のパターン化ステップにおいては、この穴
４は約４００μｍの深さまで通しエツチングされ、この
穴４の周囲に約１００μｍの深さの環状溝５がエツチン
グされる。
第６図にはシリコンウェハ１と号１Ｊのシリコンウェハ
１ａとから成る相対圧力センサの断面図が示されている
。シリコンウェハ１は貫通穴４と環状溝５とを有してｈ
る。
１ａとから成る相対圧力センサの断面図が示されている
。シリコンウェハ１は貫通穴４と環状溝５とを有してｈ
る。
第７図にはマイクロメカニクスにおける２段階エツチン
グ方法の他の実施例が示されてｈる。この第７図に基つ
いて、環状ダイヤ７ラム６の二直にパターン化されたエ
ツチングについて説明する。
グ方法の他の実施例が示されてｈる。この第７図に基つ
いて、環状ダイヤ７ラム６の二直にパターン化されたエ
ツチングについて説明する。
すなわち、第４図に示されたシリコンウェハ１の第１の
パターン化ステップに相当する第１のエツチングステッ
プにおいては、環状ダイヤフラム６のプレエツチングが
行われる。第５図に示されたシリコンウェハ１の第２の
パターン化ステップに相当する第２のエツチングステッ
プにおいては、エツチングによって行われる中央部７の
薄肉化と共に、環状ダイヤフラム乙の最終厚さに至るま
で精密エツチングが行われる。第７図に示した特殊な例
においては、第２のエツチングステップ（シリコンウェ
ハの第２のパターン化ステップ）は自動的なエツチング
停止を有する電気化学的精密エツチング方法によって行
われる。中央部７のエツチング除去は環状ダイヤフラム
の自由な動きを可能にするために必要である。
パターン化ステップに相当する第１のエツチングステッ
プにおいては、環状ダイヤフラム６のプレエツチングが
行われる。第５図に示されたシリコンウェハ１の第２の
パターン化ステップに相当する第２のエツチングステッ
プにおいては、エツチングによって行われる中央部７の
薄肉化と共に、環状ダイヤフラム乙の最終厚さに至るま
で精密エツチングが行われる。第７図に示した特殊な例
においては、第２のエツチングステップ（シリコンウェ
ハの第２のパターン化ステップ）は自動的なエツチング
停止を有する電気化学的精密エツチング方法によって行
われる。中央部７のエツチング除去は環状ダイヤフラム
の自由な動きを可能にするために必要である。
環状ダイヤフラム６および中央部７を有する第７図の構
成要素は第６図と同じように基板１を有しているが、こ
の基板１は概要を理解し易くするために詳細には示され
ていない。しかしながら、基板１は第７図の圧力センサ
においても第６図の圧力センサと同じようにパターン化
されている。
成要素は第６図と同じように基板１を有しているが、こ
の基板１は概要を理解し易くするために詳細には示され
ていない。しかしながら、基板１は第７図の圧力センサ
においても第６図の圧力センサと同じようにパターン化
されている。
２段階エツチング方法について説明するために、第１図
ないし第５図における膜厚はシリコンウェハ１の厚さに
比較して実寸過少に図示されていない。膜２． ３．
３ａは目的に適う厚さを有することができる。特に、エ
ツチングマスク２＋３．３ａはα１μｍ〜１０βｍの厚
さを有することができる。種々異なったエツチングマス
クを時間的に連続してかつ空間的に重ねてパターン化す
ることができる。少なくとも２つのエッチマスクをパタ
ーン化することによって、シリコンウェハ・１または他
の固体内に異なった深さのパターンを作ることができる
。この異なった深さのパターンはその場合特に５０μｍ
以上の深さであり、これらの異なった深さのパターンの
深さは特に２００μｍ以上の差を有する。
ないし第５図における膜厚はシリコンウェハ１の厚さに
比較して実寸過少に図示されていない。膜２． ３．
３ａは目的に適う厚さを有することができる。特に、エ
ツチングマスク２＋３．３ａはα１μｍ〜１０βｍの厚
さを有することができる。種々異なったエツチングマス
クを時間的に連続してかつ空間的に重ねてパターン化す
ることができる。少なくとも２つのエッチマスクをパタ
ーン化することによって、シリコンウェハ・１または他
の固体内に異なった深さのパターンを作ることができる
。この異なった深さのパターンはその場合特に５０μｍ
以上の深さであり、これらの異なった深さのパターンの
深さは特に２００μｍ以上の差を有する。
第１図ないし第５図は本発明による方法の技術的プロセ
スの原理を説明するだめの説明図、第６図および第７図
は本発明による方法を用いて製造されたマイクロメカニ
クスのデバイスのそれぞれ異なる例を示す概略断面図で
ある。 １・・・シリコンウェハ、２・・・チタン−金膜（第１
のエッチマスク）、６・・・ホトレジストｇ、３ａ・・
・ホトレジスト膜（第２のエッチマスク）、４・・・穴
、５・・・環状溝、６・・・環状ダイヤフラム、７・・
・中央部。 ’Ｉ’１ｌｌＩＱ）イ、ヵ。ｒＢＩＬＪ： ７Ｔ村 潔
ぐゴ’、’ｆ％。 、・二；１（“Ｅ
スの原理を説明するだめの説明図、第６図および第７図
は本発明による方法を用いて製造されたマイクロメカニ
クスのデバイスのそれぞれ異なる例を示す概略断面図で
ある。 １・・・シリコンウェハ、２・・・チタン−金膜（第１
のエッチマスク）、６・・・ホトレジストｇ、３ａ・・
・ホトレジスト膜（第２のエッチマスク）、４・・・穴
、５・・・環状溝、６・・・環状ダイヤフラム、７・・
・中央部。 ’Ｉ’１ｌｌＩＱ）イ、ヵ。ｒＢＩＬＪ： ７Ｔ村 潔
ぐゴ’、’ｆ％。 、・二；１（“Ｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）マイクロメカニクスにおける固体（１）にパターン
を形成するために、少くとも２つの選択的に除去可能な
異なつたエッチマスク（２、３ａ）が前記固体（１）の
上に連続して設けられ、最後のエッチマスク（３）の作
成後に第１のパターン化ステップが行われ、最後のエッ
チマスク（３ａ）の除去後に前記固体（１）の上に残つ
ているエッチマスク（２）によつて他のパターン化ステ
ップが行われ、他のエッチマスクの除去および他のパタ
ーン化ステップの実施が繰返されて、エッチマスクが前
記固体（１）の上に存在している間多数のパターン化ス
テップが実施されることを特徴とするマイクロメカニク
スにおけるパターン作成方法。 ２）少なくとも２つの直接重ねられたエッチマスク（２
、３ａ）は選択的に除去可能であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ３）２つの選択的に除去可能な異なつたエッチマスク（
２、３ａ）が固体（１）上に連続して設けられ、第２の
エッチマスク（３ａ）の作成後第１のパターン化ステッ
プが行われ、第２のエッチマスク（３ａ）の除去後前記
固体（１）上に残つている第１のエッチマスク（２）に
よつて第２のパターン化が行われることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の方法。 ４）１つのエッチマスク（２）はチタン−金から成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれか１項に記載の方法。 ５）１つのエッチマスク（３ａ）はホトレジストから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
のいずれか１項に記載の方法。 ６）第１のエッチマスク（２）はホトレジストマスク（
３）によつてパターン化され、このホトレジストマスク
はその第１のエッチマスク（２）のパターン化後に再び
除去されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第５項のいずれか１項に記載の方法。 ７）第１のパターン化ステップの際には貫通穴（４）が
前記固体（１）にプレエッチングされ、第２のパターン
化ステップの際には前記貫通穴（４）は通しエッチング
されかつその貫通穴（４）の周囲に環状溝（５）がエッ
チングされることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれか１項に記載の方法。 ８）第１のパターン化ステップの際には前記固体（１）
には環状ダイヤフラム（６）がプレエッチングされ、第
２のパターン化ステップの際にはその環状ダイヤフラム
（６）が最終厚さに至るまでエッチングされかつその環
状ダイヤフラム（６）の内側に位置する中央部（７）が
薄肉化されることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれか１項に記載の方法。 ９）自動エッチング停止を有する電気化学的精密エッチ
ング方法が使用されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第８項のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3534860 | 1985-09-30 | ||
| DE3534860.7 | 1985-09-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283481A true JPS6283481A (ja) | 1987-04-16 |
Family
ID=6282372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61227929A Pending JPS6283481A (ja) | 1985-09-30 | 1986-09-26 | マイクロメカニクスにおけるパタ−ン作成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4761210A (ja) |
| EP (1) | EP0217071B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6283481A (ja) |
| DE (1) | DE3667078D1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8801017A (nl) * | 1988-04-20 | 1989-11-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een scheerblad voor een droogscheerapparaat. |
| DE58905475D1 (de) * | 1989-05-30 | 1993-10-07 | Siemens Ag | Drucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| CH682528A5 (fr) * | 1990-03-16 | 1993-09-30 | Westonbridge Int Ltd | Procédé de réalisation par attaque chimique d'au moins une cavité dans un substrat et substrat obtenu par ce procédé. |
| EP0570609B1 (de) * | 1992-05-20 | 1999-11-03 | International Business Machines Corporation | Verfahren zum Erzeugen einer mehrstufigen Struktur in einem Substrat |
| TW374211B (en) * | 1995-08-03 | 1999-11-11 | Ibm | Machine structures fabricated of multiple microstructure layers |
| JP3437517B2 (ja) * | 1999-02-16 | 2003-08-18 | キヤノン株式会社 | 二次元位相型光学素子の作製方法 |
| US9150980B2 (en) * | 2013-08-08 | 2015-10-06 | The Boeing Company | Method of removing a metal detail from a substrate |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5230170A (en) * | 1975-09-03 | 1977-03-07 | Hitachi Ltd | Method of photoetching |
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| JPS55124230A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of pattern |
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1986
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