JPS628411A - 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の技術分野） （発明の技術的背景およびその問題点）従来、電カケー
プルにおいては、電界を緩和する目的から、絶縁体層の
内、外部に半導電層が形成されており、最近はその優れ
た電気特性、保守管理のしやすさから高圧ケーブルの開
発が鋭意進められている。

高圧ケーブルにおいては、絶縁体であるポリオレフィン
のクリーン化、含有水分減少の架橋方式として乾式架橋
方法の採用、外部浸入水分の遮断の目的で遮水層の採用
等が考えられ検討が進められている。一方絶縁厚低減も
重要な課題の一つであり、そのためには絶縁体の電気的
破壊強度金高める事及び半導電層と絶縁層の界面を補強
することが必要であり、その方法としては半導電層に電
圧安定効果を有する塩化ノルマルパラフィン、シリコー
ン油、クリシジルメタクリレート等を添加することが公
仰である。（特開昭５５−１５１７０９号公報、特公昭
４９−３９３４８号公報、実開昭５４−７００８２号公
報等） しかしながら、上記方法では交流破壊電圧あるいはイン
パルス電圧が充分ではなく、電圧安定効果を有する物質
が半導電層からブリードし几り。

不純物として作用するという難点を有していた。

そこで１本出願人は前記欠点を解消する目的で内”部半
導電層にＮ−ビニルカルバゾールを添加し次ものを先に
出願（特願昭５９−６３２９７号公報）しているが、か
かる電カケープルにおいては、Ｎ−ビニルカルバゾール
が架橋時の熱により、架橋ポリオレフィン絶縁体層中に
拡散しかつ架橋ポリオレフィン絶縁体層中の架橋剤によ
りポリオレフィンとグラフト化するが、グラフト効率が
それ捏上がラス、Ｎ−ビニルカルバゾールの長期安定性
が乏しいという欠点がある。

（発明の目的） 本発明の目的は架橋前に予備加熱全行なうことにより、
Ｎ−ビニルカルバゾールを架橋ポリオレフィン絶縁体層
へ拡散させ次いで加熱架橋中に。

絶縁体層中のポリオレフィンの架橋反応に参加し、エチ
レン分子鎖とグラフト化上せ、長期安定性があり、かつ
交流破壊電圧およびインパルス電圧の大幅に向上した架
橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造方法を提供す
ることにある。

（発明の概要）　　　　゛ 本発明の架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの製造方
法は、導体の周上に内部半導電層、架橋ポリオレフィン
絶縁体層、外部半導電層を順次押出被覆した後、これを
架橋せしめて成る架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブル
の製造方法において。

前記半導電層はベースポリマー１００重量部に対して０
．０２〜２５重量部のＮ−ビニルカルバゾールを含有し
、しかも架橋前に予備加熱されることを特徴としている
。

本発明のポリオレフィン絶縁体としてはポリエチレン、
エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル
共重合体等が使用される。

又、本発明においては、Ｎ−ビニル力ルバゾールノ添加
ｔｔ−ペースポリマー１００重量部に対して、０．０２
〜２５重量部と限定しているがこれは、０．０２重量部
未満では耐圧向上に対する効果が少なく、又２５重量部
を越えて添加して４耐圧向上に対する効果の向上がなく
かえって機械的特性を低下させるためである。

更に予備加熱の温度としては６０〜１２０℃が３０分と
しているがこれは、温度が６０℃未満で、′はＮ−ビニ
ルカルバゾールが充分絶縁体層に拡散ビ＝−カ〜・・シ
ー〜が充分絶縁体層に拡散しに〈　“〈１２０分を越え
て加熱すると絶縁体層の外側の１ら 外部半導電層に１でＮ−ビニルカルバゾールが拡１、。

散し易くなる友めである。

尚１本明細書中にはケーブルの半導電層について述べた
が、ケーブルの分岐部、終端部等の半導電部分も同様の
処理を施せば同様の効果が得られる。

（発明の実施例） 次に、大発明の実施例及び従来例について説明する。

実施例１〜６　、　従来例１．２ 直径１．２■φの導体上に内部半導電層としてＥＥＡＩ
　００重量部に対し、アセチレンブラック５６重量部、
老化防止剤０．７Ｍｎ部、架橋剤０．８重４４ＨＢおよ
びＮ−ビニルカルバゾール１重量部を混合したものｔ−
０，５ｍ厚で押出被覆し、絶縁体層としては架橋ポリエ
チレン絶縁＃をｌｌｌ１１厚で外部半導電Ｉｉｉを０．
５　ｍ厚で順次押出被覆した後１表に示す条件（温度お
よび時間）で予備加熱し１次いで常法により１８０〜１
９０℃で加熱架橋を行い、試験ケーブルを作成した。得
られた試験ケーブルについて交流破壊電圧及び７０℃×
５日間の真空乾燥によるか、劣化後の交流破壊電圧を世
１１定したとＮ−ビニルカルバゾールを添加しないもの
である。

（発明の効果フ 以上の実施例からも明らかな如く、本発明の製造方法に
より半導電層にＮ−ビニルカルバゾールを添加し、架橋
前に予備加熱全行なえば、予備加熱によりＮ−ビニルカ
ルバゾールがポリオレフィン絶縁体層に拡散し、その後
ポリオレフィンの架橋反応に後加させ、エチレン分子鎖
とグラフト化させることができるので、化学的に安定化
し、長期間使用後におｈでも充分な耐交流破壊電圧特性
を有する架橋ポリオレフィン絶縁電カケープルを提供す
ることができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導体の周上に内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶
   縁体層、外部半導電層を順次押出被覆した後、これを架
   橋せしめて成る架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの
   製造方法において、前記半導電層はベースポリマー１０
   ０重量部に対して０．０２〜２５重量部のＮ−ビニルカ
   ルバゾールを含有し、しかも架橋前に予備加熱されるこ
   とを特徴とする架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの
   製造方法。 ２、予備加熱は６０〜１２０℃で５〜１２０分間行なわ
   れる特許請求の範囲第１項記載の架橋ポリオレフィン絶
   縁電力ケーブルの製造方法。