JPS62843Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62843Y2 JPS62843Y2 JP1981136317U JP13631781U JPS62843Y2 JP S62843 Y2 JPS62843 Y2 JP S62843Y2 JP 1981136317 U JP1981136317 U JP 1981136317U JP 13631781 U JP13631781 U JP 13631781U JP S62843 Y2 JPS62843 Y2 JP S62843Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- temperature
- temperature measuring
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 56
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体ウエハのポリシング装置に関
する。
する。
半導体ウエハのポリシング加工ではメカノケミ
カル作用をもつポリシング液が用いられている。
ポリシング液の液温により加工能力が大きく左右
される。また、ポリシング中過度に温度上昇した
場合、半導体ウエハをポリシングする定盤や片面
研摩装置の場合では半導体ウエハを保持している
基板に熱変形を起させポリシングの精度を低下さ
せてしまう。したがつて、ポリシング中、直接半
導体ウエハに作用しているポリシング液の正確な
液温を測定する必要があつた。しかし、直接半導
体ウエハに作用しているポリシング液の温度を測
定するにあたつては、片面ポリシング装置では、
回転するウエハ貼付基板と回転するポリシング定
盤との間のポリシング液温度を測らねばならず、
また、両面ポリシング装置では、回転する上下ポ
リシング定盤の間に介在するポリシング液温度を
測らなければならない。このため、ポリシング液
に測温素子を浸すようにとりつけることと、その
検出した温度信号をポリシング装置外にとり出す
方法に工夫が必要である。
カル作用をもつポリシング液が用いられている。
ポリシング液の液温により加工能力が大きく左右
される。また、ポリシング中過度に温度上昇した
場合、半導体ウエハをポリシングする定盤や片面
研摩装置の場合では半導体ウエハを保持している
基板に熱変形を起させポリシングの精度を低下さ
せてしまう。したがつて、ポリシング中、直接半
導体ウエハに作用しているポリシング液の正確な
液温を測定する必要があつた。しかし、直接半導
体ウエハに作用しているポリシング液の温度を測
定するにあたつては、片面ポリシング装置では、
回転するウエハ貼付基板と回転するポリシング定
盤との間のポリシング液温度を測らねばならず、
また、両面ポリシング装置では、回転する上下ポ
リシング定盤の間に介在するポリシング液温度を
測らなければならない。このため、ポリシング液
に測温素子を浸すようにとりつけることと、その
検出した温度信号をポリシング装置外にとり出す
方法に工夫が必要である。
その工夫の一例として、片面ポリシング装置で
は、ウエハ貼付基板に小孔をあけ、そこに、熱電
対をさしこみ固定し熱電対の先端をポリシング液
に浸し、検出した温度信号を、ウエハ貼付基板の
ウエハを貼付けた面と反対側の面上に載置した温
度計にて検出し、読取る方法がある。この方法で
はウエハ貼付基板がポリシング中に回転すると、
温度計も回転するため、読取りに不自由が生じ
る。また、貼付基板上に載置するには、温度計は
大きすぎ、また、温度計の電源として電池をもち
いなくてはならず、重くなるためウエハに対して
偏心荷重が加わつてしまい、ポリシング上望まし
くない。この不都合をなくすために、熱電対から
の出力を、貼付基板の回転軸にとりつけたスリツ
プリングを介して取り出し、これを、電線によつ
て、ポリシング装置外に設置した温度計に導き、
検出・表示する方法も考えられる。この方法で温
度読取りは容易になつたが、回転軸の回りに特別
なスリツプリングの機構を取りつけなければなら
ず、また、スリツプリングは、固定した電導ブラ
シと回転する電導リングとの間のマサツ摺動を、
その機構とするものであるから、マサツ・マモウ
粉が発生し、これが、ポリシング定盤上にとびち
ると、ポリシング中のウエハにキズ、汚れなどを
生ぜしめ、ウエハの品質を劣下させること極めて
大であり、望ましくない。両面ポリシング装置に
おいても、上記片面ポリシング装置におけるウエ
ハ貼付基板を上ポリシング定盤に置きかえると、
同様の工夫、および、その欠点が生じる。
は、ウエハ貼付基板に小孔をあけ、そこに、熱電
対をさしこみ固定し熱電対の先端をポリシング液
に浸し、検出した温度信号を、ウエハ貼付基板の
ウエハを貼付けた面と反対側の面上に載置した温
度計にて検出し、読取る方法がある。この方法で
はウエハ貼付基板がポリシング中に回転すると、
温度計も回転するため、読取りに不自由が生じ
る。また、貼付基板上に載置するには、温度計は
大きすぎ、また、温度計の電源として電池をもち
いなくてはならず、重くなるためウエハに対して
偏心荷重が加わつてしまい、ポリシング上望まし
くない。この不都合をなくすために、熱電対から
の出力を、貼付基板の回転軸にとりつけたスリツ
プリングを介して取り出し、これを、電線によつ
て、ポリシング装置外に設置した温度計に導き、
検出・表示する方法も考えられる。この方法で温
度読取りは容易になつたが、回転軸の回りに特別
なスリツプリングの機構を取りつけなければなら
ず、また、スリツプリングは、固定した電導ブラ
シと回転する電導リングとの間のマサツ摺動を、
その機構とするものであるから、マサツ・マモウ
粉が発生し、これが、ポリシング定盤上にとびち
ると、ポリシング中のウエハにキズ、汚れなどを
生ぜしめ、ウエハの品質を劣下させること極めて
大であり、望ましくない。両面ポリシング装置に
おいても、上記片面ポリシング装置におけるウエ
ハ貼付基板を上ポリシング定盤に置きかえると、
同様の工夫、および、その欠点が生じる。
そこで、この考案は上記の事情に基づいてなさ
れたもので、定回転しているポリシング定盤と、
それによつてポリシングされる半導体ウエハの研
摩領域において、直接、ウエハの研摩に作用して
いるポリシング液の温度を測定し、これを、ワイ
ヤレスにして検出する機構をもつたポリシング装
置を提供するものである。
れたもので、定回転しているポリシング定盤と、
それによつてポリシングされる半導体ウエハの研
摩領域において、直接、ウエハの研摩に作用して
いるポリシング液の温度を測定し、これを、ワイ
ヤレスにして検出する機構をもつたポリシング装
置を提供するものである。
以下、実施例を示す図面を参照してこの考案を
説明する。
説明する。
第1図は片面ポリシングを行なう場合に適用し
た実施例で、1は回転定盤、2はこの定盤表面に
貼着されている研摩布、3は半導体ウエハ4…を
接着剤等で保持し、単独回転する保持基板であ
る。上記保持基板3には第2図に示すように等角
度に接着されているウエハ4…の各中心が位置す
る円上に中心を一致した孔5が穿設され、この孔
5にワイヤレス方式になる表面弾性波温度検出子
6が挿入れている。この挿入に際しては、温度検
出子6の先端感温部が保持基板3のウエハ保持面
に一致、もしくは、ウエハ厚さよりも小さい量だ
け突出されている。また、挿入にあたつては、検
出子の外側壁からの温度伝導を防ぐため、第3図
に示す検出子外側壁を断熱材8で被ふくして、孔
5に挿入し、基板に固定する。検出子は発振器内
蔵のものをもちい、信号をおくるためのアンテナ
は、保持基板3の回転軸の回りに環状に取りつけ
る。温度計(図示せず)はポリシング装置外に配
置され、温度計に内蔵する受信器によつて、検出
子からの信号を受信し、温度表示する。
た実施例で、1は回転定盤、2はこの定盤表面に
貼着されている研摩布、3は半導体ウエハ4…を
接着剤等で保持し、単独回転する保持基板であ
る。上記保持基板3には第2図に示すように等角
度に接着されているウエハ4…の各中心が位置す
る円上に中心を一致した孔5が穿設され、この孔
5にワイヤレス方式になる表面弾性波温度検出子
6が挿入れている。この挿入に際しては、温度検
出子6の先端感温部が保持基板3のウエハ保持面
に一致、もしくは、ウエハ厚さよりも小さい量だ
け突出されている。また、挿入にあたつては、検
出子の外側壁からの温度伝導を防ぐため、第3図
に示す検出子外側壁を断熱材8で被ふくして、孔
5に挿入し、基板に固定する。検出子は発振器内
蔵のものをもちい、信号をおくるためのアンテナ
は、保持基板3の回転軸の回りに環状に取りつけ
る。温度計(図示せず)はポリシング装置外に配
置され、温度計に内蔵する受信器によつて、検出
子からの信号を受信し、温度表示する。
上記の構成により、温度検出子6は半導体ウエ
ハ4…がポリシング中、自転公転している領域内
に流動するポリシング液7に常に接触し液温を測
定することになり、したがつてポリシング中の加
工温度が正確に知ることができるとともに、ポリ
シング加工温度を正確に制御できるようになつ
た。また、ワイヤレスで温度計測するため、従来
考えられた方法における欠点がなくなつた。
ハ4…がポリシング中、自転公転している領域内
に流動するポリシング液7に常に接触し液温を測
定することになり、したがつてポリシング中の加
工温度が正確に知ることができるとともに、ポリ
シング加工温度を正確に制御できるようになつ
た。また、ワイヤレスで温度計測するため、従来
考えられた方法における欠点がなくなつた。
第4図は温度測定子6を両面ポリシング装置の
上研摩回転定盤10に埋込だ別の実施例である。
この場合においても、埋込まれる位置は上研摩回
転定盤10と下研摩回転定盤11とに挾まれた状
態で回転するキヤリア12により自転される半導
体ウエハ4…の研摩領域内に流動するポリシング
液を測定する箇所が望ましいが、特に、上研摩定
盤の半径方向幅の中央位置がよい。また温度測定
子6を埋込む場合、第5図または第6図のように
研摩布13まで孔を穿設するかまたは回転定盤の
み穿設するかは適宜選ぶべきことであるが、研摩
布13に孔開けしない第6図の例では温度測定子
6の感温部と研摩布13とを密着させておく必要
がある。このようにすると、研摩布に浸透してき
た研摩液が必ず感温部に接触するので、孔開けし
た場合と、同じ効果がえられる。
上研摩回転定盤10に埋込だ別の実施例である。
この場合においても、埋込まれる位置は上研摩回
転定盤10と下研摩回転定盤11とに挾まれた状
態で回転するキヤリア12により自転される半導
体ウエハ4…の研摩領域内に流動するポリシング
液を測定する箇所が望ましいが、特に、上研摩定
盤の半径方向幅の中央位置がよい。また温度測定
子6を埋込む場合、第5図または第6図のように
研摩布13まで孔を穿設するかまたは回転定盤の
み穿設するかは適宜選ぶべきことであるが、研摩
布13に孔開けしない第6図の例では温度測定子
6の感温部と研摩布13とを密着させておく必要
がある。このようにすると、研摩布に浸透してき
た研摩液が必ず感温部に接触するので、孔開けし
た場合と、同じ効果がえられる。
第1図はこの考案の一実施例を示す構成図、第
2図は第1図における温度測定子の取付位置を示
す平面図、第3図は上記第1図の一部拡大断面
図、第4図はこの考案の他の実施例を示す構成
図、第5図および第6図はそれぞれ第3図におけ
る温度測定子の埋め込み状態を示す図である。 4……半導体ウエハ、6……温度測定子、7…
…ポリシング液。
2図は第1図における温度測定子の取付位置を示
す平面図、第3図は上記第1図の一部拡大断面
図、第4図はこの考案の他の実施例を示す構成
図、第5図および第6図はそれぞれ第3図におけ
る温度測定子の埋め込み状態を示す図である。 4……半導体ウエハ、6……温度測定子、7…
…ポリシング液。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 回転基板に貼着された研摩布に接しポリシン
グ液を介在されて自転公転しながら研摩される
半導体ウエハの上記自転公転領域内に流動する
ポリシング液に常に検温部が接する位置に設け
られたワイヤレス温度測定子を設けたことを特
徴とする半導体ウエハのポリシング装置。 (2) 温度測定子を、ウエハ接着基板の、等角度に
貼付られたウエハの中心を通る円上の一箇所に
埋込んだことを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第1項記載の半導体ウエハのポリシング装
置。 (3) 温度測定子を、上ポリシング定盤の半径方向
の幅の中央位置の一箇所に埋込んだことを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の半
導体ウエハのポリシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981136317U JPS5842937U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体ウエハのポリシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981136317U JPS5842937U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体ウエハのポリシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842937U JPS5842937U (ja) | 1983-03-23 |
| JPS62843Y2 true JPS62843Y2 (ja) | 1987-01-09 |
Family
ID=29929649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981136317U Granted JPS5842937U (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 半導体ウエハのポリシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842937U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2025074660A (ja) * | 2023-10-30 | 2025-05-14 | 株式会社Sumco | ワークの研磨装置及び研磨方法 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP1981136317U patent/JPS5842937U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5842937U (ja) | 1983-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW316248B (ja) | ||
| US4095453A (en) | Differential thermal analysis cell | |
| US5882244A (en) | Polishing apparatus | |
| EP0460384B1 (en) | End point detector for polishing operations | |
| KR100263786B1 (ko) | 자동 계량 장치 | |
| KR980011982A (ko) | 씨엠피장치의 반도체웨이퍼 레벨링 감지장치 및 방법 | |
| JP2007510164A (ja) | 研磨終点検知システム及び摩擦センサを使用する方法 | |
| CN102278967A (zh) | 抛光液厚度测量装置、测量方法和化学机械抛光设备 | |
| JPH0545886B2 (ja) | ||
| CN205237796U (zh) | 化学机械研磨装置 | |
| TW200300720A (en) | Polishing cloth | |
| JPS62843Y2 (ja) | ||
| TW406343B (en) | Method and device for measuring temperature, etc., of machined surface of hard base and hard base for measurement | |
| TWI719056B (zh) | 研磨裝置 | |
| JP2000340538A (ja) | 基板の平坦化方法および平坦化加工装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| GB2128739A (en) | Ultrasonic inspection devices | |
| JPS5849812B2 (ja) | 温度センサ−の製造方法 | |
| JPS6177728A (ja) | 熱電堆型赤外検出素子 | |
| JPS60201868A (ja) | ウェハのメカノケミカルポリシング加工方法および装置 | |
| JPH09218102A (ja) | 温度検知装置 | |
| JPS6124906Y2 (ja) | ||
| JPS5990116A (ja) | 温度制御装置 | |
| JPH08227771A (ja) | 半導体素子用ソケット | |
| JPH09148281A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| CN222021381U (zh) | 电涡流传感器探头及化学机械抛光设备 |