JPS6284413A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6284413A JPS6284413A JP22346685A JP22346685A JPS6284413A JP S6284413 A JPS6284413 A JP S6284413A JP 22346685 A JP22346685 A JP 22346685A JP 22346685 A JP22346685 A JP 22346685A JP S6284413 A JPS6284413 A JP S6284413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist
- feni
- plating
- photoresist layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は磁気記録再生装置などに用いられる薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ッドの製造方法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、ビデオテープレコーダなどの磁気記録再生装置の
記録密度を増やすという要求が強まっている。このため
に磁気ヘッドとしては薄膜磁気ヘッドが注目されている
。
記録密度を増やすという要求が強まっている。このため
に磁気ヘッドとしては薄膜磁気ヘッドが注目されている
。
この薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアにはＦｅＮ ｉ 。
ＦｅＡ Ｉ Ｓ ｉまたはＣｏ系のアモルファス膜など
を、蒸着、スパッタ、メッキなどの手段で基板上に形成
し、所定の形状にエツチングしたものが用いられる。
を、蒸着、スパッタ、メッキなどの手段で基板上に形成
し、所定の形状にエツチングしたものが用いられる。
前記部材のうち特にＦｅＮｉを基板上にメッキしたもの
は磁気特性がよく、磁気コアの段差部組面にもよくメッ
キされ、装置も安価で量産性に富むなどの理由で多く用
いられている。
は磁気特性がよく、磁気コアの段差部組面にもよくメッ
キされ、装置も安価で量産性に富むなどの理由で多く用
いられている。
このＦｅＮｉのメッキ方法としては従来下記の２種類の
方法が用いられていた。その１つは基板全面にメッキし
、必要部分以外をエツチングにより除去する方法であり
、他の１つは必要部分にのみメツキをする方法である。
方法が用いられていた。その１つは基板全面にメッキし
、必要部分以外をエツチングにより除去する方法であり
、他の１つは必要部分にのみメツキをする方法である。
前者の方法はメッキ層の被膜がエツチング時の応力によ
りメッキの下地層から剥離し易い上に、メッキ層の膜厚
が不均一となり易いため実際上は用いられていない。後
者の方法で従来用いられていた工程を第３図に示す。
りメッキの下地層から剥離し易い上に、メッキ層の膜厚
が不均一となり易いため実際上は用いられていない。後
者の方法で従来用いられていた工程を第３図に示す。
図において、（イ）の工程で基板１上に、スパッタや蒸
着などの手段でＦｅＮｉ膜を厚さ０．１乃至０．３μｍ
で積層しメッキ下地膜２を形成する。このメッキ下地膜
２の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層３
を形成し、所定の形状のフォトマスクを介して露光し、
現像硬膜処理してパターニングを行なう。次に（ロ）の
工程でＦｅＮ ｉメッキ液に浸して試料を直流電源の陰
極に連結して電流を流し、フォトレジスト層３が除去さ
れた部分にのみＦｅＮｉメッキ層４を形成する。次に（
ハ）の工程でフォトレジスト層３を除去し、（ニ）の工
程で試料表面をＡｒビームによりエツチングすれば、メ
ッキ下地膜２の露出部分のみが除去されて必要部分にの
みＦｅＮ ｉメッキ層４が形成できる。
着などの手段でＦｅＮｉ膜を厚さ０．１乃至０．３μｍ
で積層しメッキ下地膜２を形成する。このメッキ下地膜
２の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層３
を形成し、所定の形状のフォトマスクを介して露光し、
現像硬膜処理してパターニングを行なう。次に（ロ）の
工程でＦｅＮ ｉメッキ液に浸して試料を直流電源の陰
極に連結して電流を流し、フォトレジスト層３が除去さ
れた部分にのみＦｅＮｉメッキ層４を形成する。次に（
ハ）の工程でフォトレジスト層３を除去し、（ニ）の工
程で試料表面をＡｒビームによりエツチングすれば、メ
ッキ下地膜２の露出部分のみが除去されて必要部分にの
みＦｅＮ ｉメッキ層４が形成できる。
しかし上記の従来の方法によると、メッキ層４の厚さと
しては通常３μｍ以上が必要であり、フォトレジスト層
３の厚さはメッキ層４の厚さより数μｍ厚くする必要が
あるため、パターニングの精度が悪くなるという問題が
あった。またフォトレジスト層３の現像後のパターンの
断面が（イ）に示すようにテーパ状になるため、ＦｅＮ
ｉメッキ層４は逆テーパ状となる。薄膜磁気ヘッドに
おいては上部コアの上に５ｉｏ２．＾１２０３などの保
護膜を設け、さらに保護板を接着してテープ摺動面を形
成するが、（ニ）に示す形状の磁気コアではコアの側面
に保護膜が付着しない。このためこの部分は空隙となり
、磁気テープ走行時にこの空隙部に磁性粉体などの異物
が堆積して目づまりをおこし、磁気テープや磁気ヘッド
を傷つけるという欠点があった。
しては通常３μｍ以上が必要であり、フォトレジスト層
３の厚さはメッキ層４の厚さより数μｍ厚くする必要が
あるため、パターニングの精度が悪くなるという問題が
あった。またフォトレジスト層３の現像後のパターンの
断面が（イ）に示すようにテーパ状になるため、ＦｅＮ
ｉメッキ層４は逆テーパ状となる。薄膜磁気ヘッドに
おいては上部コアの上に５ｉｏ２．＾１２０３などの保
護膜を設け、さらに保護板を接着してテープ摺動面を形
成するが、（ニ）に示す形状の磁気コアではコアの側面
に保護膜が付着しない。このためこの部分は空隙となり
、磁気テープ走行時にこの空隙部に磁性粉体などの異物
が堆積して目づまりをおこし、磁気テープや磁気ヘッド
を傷つけるという欠点があった。
［発明の目的］
本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、パタ
ーン精度のよい、磁気テープや磁気ヘッドを傷つけるこ
とを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。
ーン精度のよい、磁気テープや磁気ヘッドを傷つけるこ
とを防止することができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を
提供することを目的とする。
［発明の概要］
本発明は基板上にメッキ下地層、第１のフォトレジスト
層、酸化物中間層及び第２のフォトレジスト層をそれぞ
れ薄膜で順次形成し、この第２のフォトレジスト層をパ
ターニングして所定の部分を選択的に除去し、この第２
のフォトレジスト層の除去部分の前記酸化物中間層を除
去し、残存した前記第２のフォトレジスト層及び前記酸
化物中間層除去部分の前記第１のフォトレジスト層をそ
れぞれ除去し、この第１のフォトレジスト層の除去部分
にのみ［ｅ旧メッキ層を堆積させ、残存する前記酸化物
中間層及び第１のフォトレジスト層を除去し、最後にＦ
ｅＮ ｉメッキ層部以外のメッキ下地層を除去して磁気
ヨークを形成することにより、所期の目的を達成するよ
うにしたものである。
層、酸化物中間層及び第２のフォトレジスト層をそれぞ
れ薄膜で順次形成し、この第２のフォトレジスト層をパ
ターニングして所定の部分を選択的に除去し、この第２
のフォトレジスト層の除去部分の前記酸化物中間層を除
去し、残存した前記第２のフォトレジスト層及び前記酸
化物中間層除去部分の前記第１のフォトレジスト層をそ
れぞれ除去し、この第１のフォトレジスト層の除去部分
にのみ［ｅ旧メッキ層を堆積させ、残存する前記酸化物
中間層及び第１のフォトレジスト層を除去し、最後にＦ
ｅＮ ｉメッキ層部以外のメッキ下地層を除去して磁気
ヨークを形成することにより、所期の目的を達成するよ
うにしたものである。
［発明の実施例］
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施
例を図面を参照して説明する。
例を図面を参照して説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。この図において第３
図に示す従来例と同一または同等部分には同一符号を付
して示す。（イ）の工程で基板１上に磁界中スパッタ法
を用いてＦｅＮｉによるメッキ下地層２を厚さ約０．１
μｍに形成する。次に粘度が約１００ ｃｐのフォトレ
ジストを約２０００回転／分の速度で回転するスピンナ
ーで塗布し熱硬化させる。
図に示す従来例と同一または同等部分には同一符号を付
して示す。（イ）の工程で基板１上に磁界中スパッタ法
を用いてＦｅＮｉによるメッキ下地層２を厚さ約０．１
μｍに形成する。次に粘度が約１００ ｃｐのフォトレ
ジストを約２０００回転／分の速度で回転するスピンナ
ーで塗布し熱硬化させる。
この熱硬化条件は工程の安定上重要であり、通常８５℃
で２０分程度加熱した４９１５０ ’Ｃで２０分程度加
熱し、さらに１８０’Ｃで４０分程度のベーキングを行
なう。このとき形成される第１のフォトレジスト層３の
厚さは、約８μｍとなる。次に（ロ）の工程で５ｆ０２
により、スパッタ法を用いて厚さ０．２乃至０．３μｍ
の酸化物中間層５を形成する。次に、（ハ）の工程で、
第２のフォトレジスト膜６を約０．５μｍの厚さに塗布
し、所定の形状の図示せぬフォトマスクを介して露光し
、さらに現像処理をして所定のパターン６ａを形成する
。このとき第２のフォトレジスト膜６は、非常に簿いた
めパターン６ａの精度は非常に良くなる。次に（ニ）の
工程でＣＦ４のガスを用いて第２のフォトレジスト膜６
のパターン６ａを介して酸化物中間層５をドライエツチ
ングし、酸化物中間層５にパターン５ａを形成する。次
に（ホ）の工程で３Ｘ１０’乃至４ Ｘ １ｏ−３’ｒ
ｏｒｒ程度の０２ガス中で第１のフォトレジスト層３の
ドライエツチングを行なう。このとき硬化された第１の
フォトレジスト層３は垂直にエツチングされる。次に（
へ）の工程で露出されたメッキ下地層２をＡｒビームに
よりクリーニングした後にＦｅＮｉメッキを行ない、Ｆ
ｅＮ ｉメッキ層４を形成する。次に（ト）の工程でリ
アクティブ・イオン・エツチング法で酸化物中間層５の
パターン５ａを除去し、（４）の工程で図示せぬ灰化装
置（アッシャ−）により第１のフォトレジスト層３のパ
ターン３ａを除去する。最後に（す）の工程でＡｒイオ
ンビームによりメッキ下地層２の不要部分を除去してＦ
ｅＮｉメッキ層４による磁気ヨークを得ることができる
。
で２０分程度加熱した４９１５０ ’Ｃで２０分程度加
熱し、さらに１８０’Ｃで４０分程度のベーキングを行
なう。このとき形成される第１のフォトレジスト層３の
厚さは、約８μｍとなる。次に（ロ）の工程で５ｆ０２
により、スパッタ法を用いて厚さ０．２乃至０．３μｍ
の酸化物中間層５を形成する。次に、（ハ）の工程で、
第２のフォトレジスト膜６を約０．５μｍの厚さに塗布
し、所定の形状の図示せぬフォトマスクを介して露光し
、さらに現像処理をして所定のパターン６ａを形成する
。このとき第２のフォトレジスト膜６は、非常に簿いた
めパターン６ａの精度は非常に良くなる。次に（ニ）の
工程でＣＦ４のガスを用いて第２のフォトレジスト膜６
のパターン６ａを介して酸化物中間層５をドライエツチ
ングし、酸化物中間層５にパターン５ａを形成する。次
に（ホ）の工程で３Ｘ１０’乃至４ Ｘ １ｏ−３’ｒ
ｏｒｒ程度の０２ガス中で第１のフォトレジスト層３の
ドライエツチングを行なう。このとき硬化された第１の
フォトレジスト層３は垂直にエツチングされる。次に（
へ）の工程で露出されたメッキ下地層２をＡｒビームに
よりクリーニングした後にＦｅＮｉメッキを行ない、Ｆ
ｅＮ ｉメッキ層４を形成する。次に（ト）の工程でリ
アクティブ・イオン・エツチング法で酸化物中間層５の
パターン５ａを除去し、（４）の工程で図示せぬ灰化装
置（アッシャ−）により第１のフォトレジスト層３のパ
ターン３ａを除去する。最後に（す）の工程でＡｒイオ
ンビームによりメッキ下地層２の不要部分を除去してＦ
ｅＮｉメッキ層４による磁気ヨークを得ることができる
。
本実施例によればＦｅＮ ｉメッキ層４の側面がほぼ垂
直となるため、パターン精度は著しく向上する。
直となるため、パターン精度は著しく向上する。
また、この側面に磁気ヘッド形成のための保護膜が完全
に付着するので、空隙を生ずることがなく、異物が累積
することもない。従って磁気テープや磁気ヘッドを傷つ
けることもない。
に付着するので、空隙を生ずることがなく、異物が累積
することもない。従って磁気テープや磁気ヘッドを傷つ
けることもない。
本実施例では第１のフォトレジスト層３を３×ＴＯｒｒ
稈度の０２ガスプラズマを用いれば、第２図に示すよう
に第１のフォトレジスト層３は、逆テーパ状にエツチン
グされる。この結果テーパ状のＦｅＮ ｉメッキ層が得
られ、磁気テープや磁気ヘッドの損傷はさらに軽減され
る。
稈度の０２ガスプラズマを用いれば、第２図に示すよう
に第１のフォトレジスト層３は、逆テーパ状にエツチン
グされる。この結果テーパ状のＦｅＮ ｉメッキ層が得
られ、磁気テープや磁気ヘッドの損傷はさらに軽減され
る。
［発明の効果］
上述したように本発明によれば、パターン精度がよく、
磁気テープや磁気ヘッドを傷つけることを防止すること
ができる磁気ヨークを持つ薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
磁気テープや磁気ヘッドを傷つけることを防止すること
ができる磁気ヨークを持つ薄膜磁気ヘッドを製造するこ
とができる。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例による工程を示す断面図、第２図は本発明の他の実
施例による工程の一部を示す断面図、第３図は従来の薄
膜磁気ヘッドの製造方法による工程を示す断面図である
。 １・・・基板 ２・・・メッキ下地膜３．
６・・・フォトレジスト層 ４・・・ｒｅＮｉメッキ層 ５・・・酸化物中間層
代理人 弁理士 則 近 憲 缶 周 宇 治 弘 第２図 第１図 第３図
施例による工程を示す断面図、第２図は本発明の他の実
施例による工程の一部を示す断面図、第３図は従来の薄
膜磁気ヘッドの製造方法による工程を示す断面図である
。 １・・・基板 ２・・・メッキ下地膜３．
６・・・フォトレジスト層 ４・・・ｒｅＮｉメッキ層 ５・・・酸化物中間層
代理人 弁理士 則 近 憲 缶 周 宇 治 弘 第２図 第１図 第３図
Claims (1)
- 基板上にメッキ下地層、第１のフォトレジスト層、酸化
物中間層及び第２のフォトレジスト層をそれぞれ薄膜で
順次形成する工程と、この第２のフォトレジスト層をパ
ターニングし所定の部分を選択的に除去する工程と、こ
の第２のフォトレジスト層の除去部分の前記酸化物中間
層を除去する工程と、残存した前記第２のフォトレジス
ト層及び前記酸化物中間層除去部分の前記第１のフォト
レジスト層をそれぞれ除去する工程と、この第１のフォ
トレジスト層の除去部分にのみＦｅＮｉメッキ層を堆積
させる工程と、残存する前記酸化物中間層及び第１のフ
ォトレジスト層を除去する工程と、前記ＦｅＮｉメッキ
層部分以外のメッキ下地層を除去する工程とにより、磁
気ヨークを形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22346685A JPS6284413A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22346685A JPS6284413A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284413A true JPS6284413A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16798586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22346685A Pending JPS6284413A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284413A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025213A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22346685A patent/JPS6284413A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH025213A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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