JPS628632U - - Google Patents

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JPS628632U
JPS628632U JP1985100319U JP10031985U JPS628632U JP S628632 U JPS628632 U JP S628632U JP 1985100319 U JP1985100319 U JP 1985100319U JP 10031985 U JP10031985 U JP 10031985U JP S628632 U JPS628632 U JP S628632U
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JP
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dome
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vertical semiconductor
semiconductor heat
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【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案の一実施例に係る縦形半導
体熱処理装置の反応ガス分散ドームの概略正面図
、第２図は、第１図に示す反応ガス分散ドームの
部分断面図、第３図および第４図は、この考案の
他実施例に係る縦形半導体熱処理装置の反応ガス
分散ドームの概略正面図および平面図である。 １０，１１０：縦形半導体熱処理装置の反応ガ
ス分散ドーム、１１：反応ガス分散ドームの脚、
１２：反応管、１４：反応管の底部、１８：反応
ガスの導管、２０，１２０：オリフイス、１１３
：反応ガス分散ドームの上面、１１５：反応ガス
分散ドームの傾斜面。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応ガスの流れを反応管内で分散する縦形
    半導体熱処理装置の反応ガス分散ドームにおいて
    、反応ガス分散ドームが、多数のオリフイスを有
    する中空体に形成されるとともに、反応ガスの導
    管先端が反応ガス分散ドームに連通されて、反応
    ガスが、反応管の底部に堆積する塵芥を舞上げる
    ことなく、オリフイスから噴出されることを特徴
    とする縦形半導体熱処理装置の反応ガス分散ドー
    ム。 (2) オリフイスは、噴出される反応ガスが側壁
    に衝突後、上方に向うように、反応管の側壁に対
    して、その中心線が傾斜している、実用新案登録
    請求の範囲第１項記載の縦形半導体熱処理装置の
    反応ガス分散ドーム。 (3) オリフイスは、噴出される反応ガスが、直
    ちに上方に向かように、反応管の側壁とほぼ平行
    な中心線を有している、実用新案登録請求の範囲
    第１項または第２項記載の縦形半導体熱処理装置
    の反応ガス分散ドーム。
JP1985100319U 1985-07-01 1985-07-01 Pending JPS628632U (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154226A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Fuji Xerox Co Ltd プラズマｃｖｄ装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58154226A (ja) * 1982-03-10 1983-09-13 Fuji Xerox Co Ltd プラズマｃｖｄ装置

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