JPS6287534A - スチレン類の精製方法 - Google Patents
スチレン類の精製方法Info
- Publication number
- JPS6287534A JPS6287534A JP22935785A JP22935785A JPS6287534A JP S6287534 A JPS6287534 A JP S6287534A JP 22935785 A JP22935785 A JP 22935785A JP 22935785 A JP22935785 A JP 22935785A JP S6287534 A JPS6287534 A JP S6287534A
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- Japan
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- styrenes
- hydrogenation
- reaction
- styrene
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の目的
本発明はスチレン類の精製方法、特に含有される高不飽
和不純物を容易に除去・梢製する方法に関する。
和不純物を容易に除去・梢製する方法に関する。
（産業上の利用分野）
本発明の精製方法は、スチレン類に含まれる高不飽和不
純物、すなわちフェニルアセチレン等のアセチレン類及
びジオレフィン類を高い選択率で選択的に水素添加して
容易に除去できるので、重合特性にバラツキがなく、品
質の安定したＩリマー製品を得るのに適する絹製スチレ
ン類を製造するのに有利に使用される。
純物、すなわちフェニルアセチレン等のアセチレン類及
びジオレフィン類を高い選択率で選択的に水素添加して
容易に除去できるので、重合特性にバラツキがなく、品
質の安定したＩリマー製品を得るのに適する絹製スチレ
ン類を製造するのに有利に使用される。
（従来の技術）
スチレン類はポリマーＭＥとして広く用いられている。
しかし、スチレン類全重合させてポリマー全製造する場
合に、重合特性にバラツキがあり、安定した品質のポリ
マー製品が祷られない問題点があった。
合に、重合特性にバラツキがあり、安定した品質のポリ
マー製品が祷られない問題点があった。
その原因は、本発明者等の知見によれば、エチルベンゼ
ン類の脱水素反応によって得られるスチレン類が、その
反応において用いた触媒特性、反応形式、プラントの運
転条件等によって、高不飽和不純物、すなわちフェニル
アセチレン等のアセチレン類、ジオレフィン類などの含
有量が大巾に変動し、これらの制子飽和不純物がスチレ
ン類の重合時に重合抑制剤と（−て働くことによること
がわかった。
ン類の脱水素反応によって得られるスチレン類が、その
反応において用いた触媒特性、反応形式、プラントの運
転条件等によって、高不飽和不純物、すなわちフェニル
アセチレン等のアセチレン類、ジオレフィン類などの含
有量が大巾に変動し、これらの制子飽和不純物がスチレ
ン類の重合時に重合抑制剤と（−て働くことによること
がわかった。
従来、スチレン類に含有される高不飽和不純物の除去に
関する文献等はあまシ見当らなかった。ただわずかに、
特公昭４８−１６４９７号公報には、ニッケル５チ以上
、及びクロム、マンガン、銅の１穐以上をニッケルに対
して５０％以下含有せしめた固体多元触媒を特定の有機
硫黄化合物で処理した触媒を用いて、スチレン類を水素
添加処理し、含有されているフェニルアセチレンを選択
的に水素添加して除く記載がある。しかし、同公報に記
載の水素添加処理は、液空間速度がわずか５ ｈｒ−’
程度であることからして、かかる方法はフェニルアセチ
レンを選択的に水素添加して除くことができても、工業
的に有利に実施できる方ではない。
関する文献等はあまシ見当らなかった。ただわずかに、
特公昭４８−１６４９７号公報には、ニッケル５チ以上
、及びクロム、マンガン、銅の１穐以上をニッケルに対
して５０％以下含有せしめた固体多元触媒を特定の有機
硫黄化合物で処理した触媒を用いて、スチレン類を水素
添加処理し、含有されているフェニルアセチレンを選択
的に水素添加して除く記載がある。しかし、同公報に記
載の水素添加処理は、液空間速度がわずか５ ｈｒ−’
程度であることからして、かかる方法はフェニルアセチ
レンを選択的に水素添加して除くことができても、工業
的に有利に実施できる方ではない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、含有されているアセチレン類やジオレフィン
類、すなわち高不飽和不純物を工業的に有利に除去でき
るスチレン類の精製方法を千植供しようとするものであ
る。
類、すなわち高不飽和不純物を工業的に有利に除去でき
るスチレン類の精製方法を千植供しようとするものであ
る。
（ｂｌ 発明の構成
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は、前記の問題点を解決するために神々研究
を重ねた結果、高不飽和不純Ａ？′ＪＡを含有するスチ
レン類を水素添加処理するに当り、該スチレンカｌ全水
素際加処理する際の水素源として、脱水＃故応で生成し
たガス留分を用いて水添処理すれば、スチレン類を選択
的に水素添加して除去出来ることを児出し本発明に到達
し。
を重ねた結果、高不飽和不純Ａ？′ＪＡを含有するスチ
レン類を水素添加処理するに当り、該スチレンカｌ全水
素際加処理する際の水素源として、脱水＃故応で生成し
たガス留分を用いて水添処理すれば、スチレン類を選択
的に水素添加して除去出来ることを児出し本発明に到達
し。
たものである。
すなわち、本発明のスチレン類の精製方法は、スチレン
類を水素添加か媒の存在下で水素ふ加処理をして含有さ
れる高不飽和不純物を：ｌＡ択的に水素添加して除く方
法において該水素添加反応における水素源として脱水素
反応で生成したがス留分を用いることを特徴とする方法
である。
類を水素添加か媒の存在下で水素ふ加処理をして含有さ
れる高不飽和不純物を：ｌＡ択的に水素添加して除く方
法において該水素添加反応における水素源として脱水素
反応で生成したがス留分を用いることを特徴とする方法
である。
脱水素反応で生成するがス留分を利用する事のメリット
は、 １、選択的にフェニルアセチレン類を水素添加出来る事 ２、 このがス留分け、水素が含壕れでおり、同じプラ
ントエリア内で水素が手当て出来る事 などがあげられる。
は、 １、選択的にフェニルアセチレン類を水素添加出来る事 ２、 このがス留分け、水素が含壕れでおり、同じプラ
ントエリア内で水素が手当て出来る事 などがあげられる。
本発明で使用している脱水素反応からのガスは、主とし
て水素から成り立っているが、その他に、メタン、二酸
化炭素を主成分として含み、他にＣ２〜Ｃ５の炭化水素
がス及び−酸化炭素等を含んでいる。
て水素から成り立っているが、その他に、メタン、二酸
化炭素を主成分として含み、他にＣ２〜Ｃ５の炭化水素
がス及び−酸化炭素等を含んでいる。
本発明の精製方法の対象となるスチレン類とは、スチレ
ン、ｐ−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−ｔ−ブ
チルスチレン及びジビニルベンゼン等のスチレン類、又
はそれらの少なくとも１槓を含有する組成物をいう。
ン、ｐ−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−ｔ−ブ
チルスチレン及びジビニルベンゼン等のスチレン類、又
はそれらの少なくとも１槓を含有する組成物をいう。
カカルスチレン類は、通常、エチルベンゼン、ｐ−メチ
ルエチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｔ−７”チルエ
チルベンゼン、ジエチルベンゼン÷ 等の少なくとも１釉エチルベンゼン類を脱水素触媒、た
とえばＦｅ−ＣｅＫを主成分とする触媒（ｔＶｆ開昭４
９−１２０８８７号、同４９−１２０８８号、同５３−
１２９１９０号、及び同５３−１２９１９１号の各公報
等参照）、又はＦｅ−Ｃｒ−Ｋを主成分とする触媒等の
独々の脱水素触媒の存在下で脱水素反応をさせて得られ
る反応生成物、又は同反応生成物の蒸留分離によって得
られる留分等である。
ルエチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ｔ−７”チルエ
チルベンゼン、ジエチルベンゼン÷ 等の少なくとも１釉エチルベンゼン類を脱水素触媒、た
とえばＦｅ−ＣｅＫを主成分とする触媒（ｔＶｆ開昭４
９−１２０８８７号、同４９−１２０８８号、同５３−
１２９１９０号、及び同５３−１２９１９１号の各公報
等参照）、又はＦｅ−Ｃｒ−Ｋを主成分とする触媒等の
独々の脱水素触媒の存在下で脱水素反応をさせて得られ
る反応生成物、又は同反応生成物の蒸留分離によって得
られる留分等である。
上記のような方法で得られるスチレン類には、フェニル
アセチレン等のアセチレン類、及びジビニルベンゼンを
含むジオレフィン類が含まれている。本明細書では、か
かるスチレン類に含有される不純物のアセチレン類及び
ジオレフィン類を総称して「高不飽和不純物」という。
アセチレン等のアセチレン類、及びジビニルベンゼンを
含むジオレフィン類が含まれている。本明細書では、か
かるスチレン類に含有される不純物のアセチレン類及び
ジオレフィン類を総称して「高不飽和不純物」という。
スチレン類中に含有される高不飽和不純物の含有量は、
製造粂件等によっても異なるが、アセチレン類が１０〜
１０００ ｐｐｍ （重量）程度、ジオレフィン類が５
００ｐｐｍ（７量）程度である。
製造粂件等によっても異なるが、アセチレン類が１０〜
１０００ ｐｐｍ （重量）程度、ジオレフィン類が５
００ｐｐｍ（７量）程度である。
本発明の精製方法で使用する水素添加触媒は、水素徐加
融奴能を肩するものであればよい。好ましいその触媒は
白金属金属を触媒成分として含有する触媒である。この
極の水素添加触媒は、通常、その触媒成分が適当な担体
に担持されておシ、その触媒成分の担持量は通常、００
１〜１重思チ、好ましくは０．０５〜０．５ ｉ３′量
チである。
融奴能を肩するものであればよい。好ましいその触媒は
白金属金属を触媒成分として含有する触媒である。この
極の水素添加触媒は、通常、その触媒成分が適当な担体
に担持されておシ、その触媒成分の担持量は通常、００
１〜１重思チ、好ましくは０．０５〜０．５ ｉ３′量
チである。
また、その担体としては、耐熱性の無機化合物担体、た
とえばアルミナ、シリカなどの合成ｒル担体、或いはケ
イソウ土、多孔性粘土などの天然無機物担体等があげら
れる。
とえばアルミナ、シリカなどの合成ｒル担体、或いはケ
イソウ土、多孔性粘土などの天然無機物担体等があげら
れる。
本発明の精製方法の特徴は、前記した様にその水素添加
反応を脱水素反応で生成したガス留分を用いて行なわせ
る点にある。
反応を脱水素反応で生成したガス留分を用いて行なわせ
る点にある。
本発明の水素添加における反応圧力は、通常、減圧〜加
圧下、好ましくは１０ ｋｇ／ｃｍ２Ｇ 以下である。
圧下、好ましくは１０ ｋｇ／ｃｍ２Ｇ 以下である。
水素分圧は２ ｋｆ／ａｎ２Ｇ以下、好ましくは１ｋｇ
／Ｃｌｎ２Ｇ以下が好ましい。その水素分圧が高すぎる
とスチレン等の有用なスチレン類が水素添加されてロス
になるし、その水素分圧があまシ低くすぎると目的の高
不飽和不純物を有効に水素添加して除くことができなく
なる。
／Ｃｌｎ２Ｇ以下が好ましい。その水素分圧が高すぎる
とスチレン等の有用なスチレン類が水素添加されてロス
になるし、その水素分圧があまシ低くすぎると目的の高
不飽和不純物を有効に水素添加して除くことができなく
なる。
本発明の水素添加における反応温度は２００℃以下、好
ましくは１００℃〜室温である。その反応温度が高すぎ
るとスチレン等のスチレン類が水素添加されてロスにな
るし、低くすぎると目的の高不飽和不純物の水素添加速
度がおそくなシ、工業的実施上の支障となる。
ましくは１００℃〜室温である。その反応温度が高すぎ
るとスチレン等のスチレン類が水素添加されてロスにな
るし、低くすぎると目的の高不飽和不純物の水素添加速
度がおそくなシ、工業的実施上の支障となる。
本発明の水素添加反Ｚ ｉ”、Ｉ、パッチ方式により行
なわせることができるし、所定温度に保たれた触媒層ヘ
スチレン類及び水素を連続的に供給して反応させる連続
方式によっても実施することができる。連続方式で反応
・させる場合の触媒層へのスチレン類の供給速度は、液
空間速度（ＬＨ８Ｖ）で１〜５００ ｈｒ−１、好まし
くは１０〜３００ ｈｒ である。同速度が高すぎる
とフェニルアセチレン等の高不飽和不純物の転化率が低
下して、充分に除去できなくなるし、同速度が低くすぎ
るとスチレン等の有用なスチレン類が水素添加されてロ
スになる。
なわせることができるし、所定温度に保たれた触媒層ヘ
スチレン類及び水素を連続的に供給して反応させる連続
方式によっても実施することができる。連続方式で反応
・させる場合の触媒層へのスチレン類の供給速度は、液
空間速度（ＬＨ８Ｖ）で１〜５００ ｈｒ−１、好まし
くは１０〜３００ ｈｒ である。同速度が高すぎる
とフェニルアセチレン等の高不飽和不純物の転化率が低
下して、充分に除去できなくなるし、同速度が低くすぎ
るとスチレン等の有用なスチレン類が水素添加されてロ
スになる。
（実施例等）
以下に、触媒製造例、実施例及び比較例をあげてさらに
詳述する。これらの例に記載のｐｐｍ及びチは特に記載
しない限シ重量基準による。
詳述する。これらの例に記載のｐｐｍ及びチは特に記載
しない限シ重量基準による。
触媒製造例
３龍φ×３贋肩の円柱型に成形したγ−アルミナに、濃
ｇ０．６重量％の塩化パラジウム水溶液を含浸させ、１
１０℃で１昼夜乾燥させた。
ｇ０．６重量％の塩化パラジウム水溶液を含浸させ、１
１０℃で１昼夜乾燥させた。
次いで、その乾燥物を水素気流下で４００℃の温度で１
６時時間光処理して組成がＰｄ （０，３チ）／γ−Ａ
ｔ２０３の水素添加触媒を得た。
６時時間光処理して組成がＰｄ （０，３チ）／γ−Ａ
ｔ２０３の水素添加触媒を得た。
実施例１
前記の製造例で調製した触媒６Ｉを前型反応器に充填し
、この触媒層の温度を８０℃に保ちながら、これにスチ
レン６０重量％エチルベンゼン３５ｉｉ％、フェニルア
セチレン１５０］ｉ、ｔｐＩ）ｍ及び他の脱水素反応生
成物からなる粗スチレンを下記の反応条件で水素添加処
理をした。
、この触媒層の温度を８０℃に保ちながら、これにスチ
レン６０重量％エチルベンゼン３５ｉｉ％、フェニルア
セチレン１５０］ｉ、ｔｐＩ）ｍ及び他の脱水素反応生
成物からなる粗スチレンを下記の反応条件で水素添加処
理をした。
水素としては脱水素反応で生成したガスをそのまま５ｋ
Ｖ′ｃｒｎａの圧力で反応系へ導入した。
Ｖ′ｃｒｎａの圧力で反応系へ導入した。
反応条件
反応温度 ８０℃
反応圧力 ４ｋｆ／ｃｍ Ｇ
Ｈ２／／フェニルアセチレン ３モル１モルスチレン供
給速度 １００ ｈｒ−１（ＬＨ３Ｖ） 反応生成物の分析結果からフェニルアセチレンの除去率
及び水素添加選択率を下肥式てもとすき求めたところ（
れぞれ４０％と３５％であった。
給速度 １００ ｈｒ−１（ＬＨ３Ｖ） 反応生成物の分析結果からフェニルアセチレンの除去率
及び水素添加選択率を下肥式てもとすき求めたところ（
れぞれ４０％と３５％であった。
この場合反応器出口で未反応水素が確認された。
比較例１
実施例１と同じ触媒を用いて水素に１００係純度水素を
用いた以外は反応条件も全く同じどした。
用いた以外は反応条件も全く同じどした。
フェニルアセチレンの除去率及び水素添加選択率は、そ
れぞれ４０チと２６−であった。
れぞれ４０チと２６−であった。
これらの比較から脱水素反応で生成したガス留分を水素
源として使用するとフェニルアセチレンの水素添加選択
率が向上することが明らかである。
源として使用するとフェニルアセチレンの水素添加選択
率が向上することが明らかである。
（ｃｉ 発明の効果
本発明の精製方法は、スチレン類中に含まれるフェニル
アセチレン等の不純物を、高い水素添加選択率で除去す
ることができ、その際にスチレン等の有用成分の水素添
加による消耗が少ない。
アセチレン等の不純物を、高い水素添加選択率で除去す
ることができ、その際にスチレン等の有用成分の水素添
加による消耗が少ない。
Claims (1)
- （１）スチレン類を水素添加触媒の存在下で水素添加処
理して含有される高不飽和不純物を選択的に水素添加し
て除去する方法において、該スチレン類を水素添加処理
する際の水素源として脱水素反応で生成したガス留分を
用いることを特徴とするスチレン類の精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229357A JPH0745419B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | スチレン類の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60229357A JPH0745419B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | スチレン類の精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287534A true JPS6287534A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0745419B2 JPH0745419B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16890897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60229357A Expired - Lifetime JPH0745419B2 (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | スチレン類の精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0745419B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156816A (en) * | 1990-10-04 | 1992-10-20 | Fina Technology, Inc. | System for purifying styrene monomer feedstock using ethylbenzene dehydrogenation waste gas |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3634531A (en) * | 1968-10-30 | 1972-01-11 | Basf Ag | Production of styrene |
| JPS604139A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Showa Denko Kk | 選択的水素添加方法 |
| JPS6013724A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-24 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | スチレン類の精製方法 |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60229357A patent/JPH0745419B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3634531A (en) * | 1968-10-30 | 1972-01-11 | Basf Ag | Production of styrene |
| JPS604139A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Showa Denko Kk | 選択的水素添加方法 |
| JPS6013724A (ja) * | 1983-07-01 | 1985-01-24 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | スチレン類の精製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156816A (en) * | 1990-10-04 | 1992-10-20 | Fina Technology, Inc. | System for purifying styrene monomer feedstock using ethylbenzene dehydrogenation waste gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0745419B2 (ja) | 1995-05-17 |
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