JPS6288338A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS6288338A JPS6288338A JP23022185A JP23022185A JPS6288338A JP S6288338 A JPS6288338 A JP S6288338A JP 23022185 A JP23022185 A JP 23022185A JP 23022185 A JP23022185 A JP 23022185A JP S6288338 A JPS6288338 A JP S6288338A
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- JP
- Japan
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- fuse
- cut
- fused
- polycrystalline silicon
- aluminum
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- Pending
Links
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶装置に関し、特に、ビームにより溶
断するヒューズの改良に関する。
断するヒューズの改良に関する。
近年、半導体記憶装置ｔは、記憶容量の増大とともに、
チップ内に冗長回路を有するものが作られるようになっ
てきた。これは、あらかじめ半導体チップ内に予備のメ
モリセルを形成しておき、不良のメモリセルを前記予備
のメモリセルとおきかえることにより、本来、不良品と
なるべき半導体チップを良品として救所１−１歩首りを
高めることを目的としたものである。
チップ内に冗長回路を有するものが作られるようになっ
てきた。これは、あらかじめ半導体チップ内に予備のメ
モリセルを形成しておき、不良のメモリセルを前記予備
のメモリセルとおきかえることにより、本来、不良品と
なるべき半導体チップを良品として救所１−１歩首りを
高めることを目的としたものである。
上で述べた予備のメモリセルとの置きかえは、冗長回路
を機能させることで行なうが、前記冗長回路への切りか
えし、１、一般に、回路内に設けられたヒユーズを解析
することにより実現される。
を機能させることで行なうが、前記冗長回路への切りか
えし、１、一般に、回路内に設けられたヒユーズを解析
することにより実現される。
ヒューズの溶断方法とｊ−では、大電流を流して溶断す
る方法と、半導体チップの外部からレーザー等のビーム
を照射１−て溶断する方法とがある。
る方法と、半導体チップの外部からレーザー等のビーム
を照射１−て溶断する方法とがある。
しかるに、前者の方法の場合、大電流を流すだめの大き
なトランジスタを半導体チップ内に設けなければならず
、チップ面積の増大をもたらすので、一般には、ビーム
による溶断という方法が用いられている。
なトランジスタを半導体チップ内に設けなければならず
、チップ面積の増大をもたらすので、一般には、ビーム
による溶断という方法が用いられている。
しかるに、上述した、ビームによる溶断に於いては、ヒ
ューズの溶断部分以外に照射されたビ−ムにより、絶縁
膜を損傷し、この部分より、アルカリイオンなどが侵入
し、半導体素子の電気特性を劣下させる可能性がある。
ューズの溶断部分以外に照射されたビ−ムにより、絶縁
膜を損傷し、この部分より、アルカリイオンなどが侵入
し、半導体素子の電気特性を劣下させる可能性がある。
このため、ビームの位置合せ精度を上げて、ヒ↓−ズの
溶断部分以外へのビーム照射を最小限に抑えるか、ある
いは、ビーム径を絞り、何度も照射することでヒューズ
を溶断するといった方法が用いられているが、いずれの
場合も、ヒューズの溶断に要する時間が増大し、処理能
力が低下してしまうという欠点があった。
溶断部分以外へのビーム照射を最小限に抑えるか、ある
いは、ビーム径を絞り、何度も照射することでヒューズ
を溶断するといった方法が用いられているが、いずれの
場合も、ヒューズの溶断に要する時間が増大し、処理能
力が低下してしまうという欠点があった。
本発明は、上記欠点を解消し、ヒユーズの溶断部分以外
のＩＰ！縁膜の損鴎を最小限に抑え、かつ、溶断時間を
大きくすることのないヒユーズを提供することである。
のＩＰ！縁膜の損鴎を最小限に抑え、かつ、溶断時間を
大きくすることのないヒユーズを提供することである。
本発明は、ビームにより溶断されるヒユーズの溶断部分
の周囲領域を、ヒユーズに用いられた物質より、ビーム
に対する反射率の大きな物質で覆うことにより構成され
る。
の周囲領域を、ヒユーズに用いられた物質より、ビーム
に対する反射率の大きな物質で覆うことにより構成され
る。
以下、実ｌ！Ｍ例により本発明の詳細な説明する。
第１図に本発明の一実施例の平面図を示す。
第１図に於すて、ヒユーズは多結晶シリコン１で構成さ
れており、溶断部分を囲むようにして」二記多結晶シリ
コン１より上ｊ−のアルミニウム２でおおわれている。
れており、溶断部分を囲むようにして」二記多結晶シリ
コン１より上ｊ−のアルミニウム２でおおわれている。
ここで、アルミニウムは、多結晶シリコンと比較し、レ
ーザービームに対する反射率が大きいので、ビーム強度
を、ａ当にえらび、多結晶シリコンのみが溶断するよう
にすれば、ヒユーズの溶断部分よりビームがはずれても
、基板はアルミニウムにより保護され、損傷をうけるこ
とはない。
ーザービームに対する反射率が大きいので、ビーム強度
を、ａ当にえらび、多結晶シリコンのみが溶断するよう
にすれば、ヒユーズの溶断部分よりビームがはずれても
、基板はアルミニウムにより保護され、損傷をうけるこ
とはない。
以上説明したように、本発明は、ビームにより溶断する
ヒユーズの溶断部分の周囲領域を、ヒューズを構成する
物質よりビームに対する反射率の大きな物質で覆うこと
により、ヒユーズの溶断部分以外の絶縁膜の損傷を最小
限に抑え、かつ、短時間でヒューズを溶断できる効果が
ある。
ヒユーズの溶断部分の周囲領域を、ヒューズを構成する
物質よりビームに対する反射率の大きな物質で覆うこと
により、ヒユーズの溶断部分以外の絶縁膜の損傷を最小
限に抑え、かつ、短時間でヒューズを溶断できる効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を説明するための平面図であ
る。 １・・・・・・多結晶シリコン、２・・・・・・アルミ
ニウム。 売 ７Ｉ￥Ｔ
る。 １・・・・・・多結晶シリコン、２・・・・・・アルミ
ニウム。 売 ７Ｉ￥Ｔ
Claims (1)
- ビームにより溶断するヒューズを有する半導体記憶装置
に於いて、前記ヒューズの溶断部分の周囲領域を、前記
ヒューズを構成する物質より、ビームに対する反射率の
大きな物質で覆ったことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23022185A JPS6288338A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23022185A JPS6288338A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288338A true JPS6288338A (ja) | 1987-04-22 |
Family
ID=16904453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23022185A Pending JPS6288338A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6288338A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184861A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | レーザ光によるトリミング方法 |
| US5907252A (en) * | 1996-09-24 | 1999-05-25 | Denso Corporation | Driving circuit for electromagnetic relay |
| US6258633B1 (en) * | 1995-02-16 | 2001-07-10 | University Of South Florida | Laser-programmable interconnect process for integrated circuit chips |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP23022185A patent/JPS6288338A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01184861A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Toshiba Corp | レーザ光によるトリミング方法 |
| US6258633B1 (en) * | 1995-02-16 | 2001-07-10 | University Of South Florida | Laser-programmable interconnect process for integrated circuit chips |
| US5907252A (en) * | 1996-09-24 | 1999-05-25 | Denso Corporation | Driving circuit for electromagnetic relay |
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