JPS6289211A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6289211A JPS6289211A JP23194485A JP23194485A JPS6289211A JP S6289211 A JPS6289211 A JP S6289211A JP 23194485 A JP23194485 A JP 23194485A JP 23194485 A JP23194485 A JP 23194485A JP S6289211 A JPS6289211 A JP S6289211A
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- Japan
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- magnetic pole
- pole layer
- upper magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ概要〕
薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良であって、上部磁極層
形成のためのドライエツチング用マスクを、樹脂膜およ
び金属膜よりなる二重構造のマスクで形成し、このマス
クの金属膜の厚さを、上部磁極層形成に要するエツチン
グ時間でエツチング除去されるような厚さとする。
形成のためのドライエツチング用マスクを、樹脂膜およ
び金属膜よりなる二重構造のマスクで形成し、このマス
クの金属膜の厚さを、上部磁極層形成に要するエツチン
グ時間でエツチング除去されるような厚さとする。
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法の改良に係り、特に
薄膜磁気ヘッドの上部磁極層のパターンニングに関する
。
薄膜磁気ヘッドの上部磁極層のパターンニングに関する
。
磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、益々小型
、軽量であることが要求され、それに答えて記録に寄与
する磁極先端部での磁気ヘッドの磁界分布が急峻で、高
密度の記録ができ、かつ一括して大量に製造できる薄膜
磁気ヘッドが提案されている。
、軽量であることが要求され、それに答えて記録に寄与
する磁極先端部での磁気ヘッドの磁界分布が急峻で、高
密度の記録ができ、かつ一括して大量に製造できる薄膜
磁気ヘッドが提案されている。
このような薄膜磁気ヘッドの上部磁極層は樹脂膜からな
るエツチング用マスクを用いてイオンミリング法等のド
ライエツチング法で所定のパターンニ形成されており、
このマスクとなる樹脂膜が上部磁極層のエツチングの際
に変質しないようにすることが要望されている。
るエツチング用マスクを用いてイオンミリング法等のド
ライエツチング法で所定のパターンニ形成されており、
このマスクとなる樹脂膜が上部磁極層のエツチングの際
に変質しないようにすることが要望されている。
このような薄膜磁気ヘッドの製造方法について第５図の
断面図を用いて説明する。
断面図を用いて説明する。
まず第５図に示すように、非磁性の基板１上にパーマロ
イ（ＮｉＦｅ）、コバルト−ジルコニウム（Ｃｏ−Ｚｒ
）等よりなる磁性膜をスパッタ法等を用いて成膜した後
、ホトリソグラフィ法等を用いて所定パターンに形成し
て下部磁極層２を形成する。
イ（ＮｉＦｅ）、コバルト−ジルコニウム（Ｃｏ−Ｚｒ
）等よりなる磁性膜をスパッタ法等を用いて成膜した後
、ホトリソグラフィ法等を用いて所定パターンに形成し
て下部磁極層２を形成する。
次いで基板１および下部磁極層２上に５ｉ０２膜をスパ
ッタ法で形成してギャップ層３を形成する。
ッタ法で形成してギャップ層３を形成する。
次いでレジスト膜を塗布後、所定のパターンにホトリソ
グラフィ法で形成し、この所定形状に形成されたレジス
ト膜を加熱硬化して、下部絶縁層４を形成する。
グラフィ法で形成し、この所定形状に形成されたレジス
ト膜を加熱硬化して、下部絶縁層４を形成する。
更に薄膜コイル５を渦巻き状に形成し、次いで薄膜コイ
ル５上にレジスト膜を加熱硬化した上部絶縁層６を形成
後、ギャップ層３、絶縁Ｎ４，６を開口して下部磁極層
２上に開口部７を形成する。
ル５上にレジスト膜を加熱硬化した上部絶縁層６を形成
後、ギャップ層３、絶縁Ｎ４，６を開口して下部磁極層
２上に開口部７を形成する。
更に開口部７を介して下部磁極層２と接続するＮｊＦｅ
、 ＣｏＺｒ等よりなる上部磁極層８を基板ｌ上の全面
に形成し、その上に所定形状のレジスト膜９を形成する
。
、 ＣｏＺｒ等よりなる上部磁極層８を基板ｌ上の全面
に形成し、その上に所定形状のレジスト膜９を形成する
。
更にこのレジスト膜９をマスクとしてアルゴン（Ａｒ）
ガスを用いたイオンミリング法や、スパッタエツチング
法等のドライエツチングにより、上部磁極層８を所定の
パターンに形成している。
ガスを用いたイオンミリング法や、スパッタエツチング
法等のドライエツチングにより、上部磁極層８を所定の
パターンに形成している。
ところで、このようにイオンミリング法で上部磁極層を
エツチングして所定のパターンに成形するｌ’Ｗ、マス
クとなるホトレジストＨ臭９がＡｒガスの衝突によって
変質する問題がある。
エツチングして所定のパターンに成形するｌ’Ｗ、マス
クとなるホトレジストＨ臭９がＡｒガスの衝突によって
変質する問題がある。
そのため、エツチング後、不要となったホトレジスト膜
がアセトン等の溶媒によって溶解されなくなり、形成さ
れた上部磁極層の上に残留する不都合を生じる。このた
め、上部磁極層を形成した基板をアセトンの溶媒に浸漬
してホトレジスト膜をこすり落とすようにしていたが、
このような方法では形成された上部磁極層のパターンが
破損する場合がある。
がアセトン等の溶媒によって溶解されなくなり、形成さ
れた上部磁極層の上に残留する不都合を生じる。このた
め、上部磁極層を形成した基板をアセトンの溶媒に浸漬
してホトレジスト膜をこすり落とすようにしていたが、
このような方法では形成された上部磁極層のパターンが
破損する場合がある。
本発明は上記問題点を除去し、イオンミリングによって
上部磁極層を形成する際、マスクとなるホトレジスト膜
がイオンミリング用ガスの衝突によって変質しないよう
にした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
上部磁極層を形成する際、マスクとなるホトレジスト膜
がイオンミリング用ガスの衝突によって変質しないよう
にした薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１図および第
２図に示すように、上部磁極層８上に所定パターンの樹
脂膜１１および金属膜１２の二重層からなる上部磁極層
形成用マスク１４を形成し、この金属膜１２の厚さを上
部磁極層形成に必要なエツチング時間でエツチング除去
される程度の厚さとする。
２図に示すように、上部磁極層８上に所定パターンの樹
脂膜１１および金属膜１２の二重層からなる上部磁極層
形成用マスク１４を形成し、この金属膜１２の厚さを上
部磁極層形成に必要なエツチング時間でエツチング除去
される程度の厚さとする。
本発明の薄膜磁気へ・ノドの製造方法は、イオンミリン
グ法のようなドライエツチング法のマスクとなる樹脂膜
１１と金属膜１２の二層構造の被膜１４を上部磁極層８
上に形成し、この金属膜１２の厚さを上部磁極層８がエ
ツチング除去されるのに要する時間でエツチング除去さ
れる程度の厚さとする。
グ法のようなドライエツチング法のマスクとなる樹脂膜
１１と金属膜１２の二層構造の被膜１４を上部磁極層８
上に形成し、この金属膜１２の厚さを上部磁極層８がエ
ツチング除去されるのに要する時間でエツチング除去さ
れる程度の厚さとする。
そして樹脂膜１１がイオンミリング用のガスの原子の衝
突によって変質せず、エツチング後に容易にアセトン等
の溶媒によってエツチング除去されるようにしたもので
ある。
突によって変質せず、エツチング後に容易にアセトン等
の溶媒によってエツチング除去されるようにしたもので
ある。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図に示すように前記したようにして、基板１上に所
定パターンの下部磁極層２を形成後、ギャップ層３を形
成する。更に前記したように下部絶縁層４、薄膜コイル
５、上部絶縁層６を形成後、開口部７を形成してＧｏ−
Ｚｒよりなる上部磁極層８を形成する。
定パターンの下部磁極層２を形成後、ギャップ層３を形
成する。更に前記したように下部絶縁層４、薄膜コイル
５、上部絶縁層６を形成後、開口部７を形成してＧｏ−
Ｚｒよりなる上部磁極層８を形成する。
ここ迄の工程は従来の方法と同一である。更に上部磁極
層８の上部の全面にホトレジスト膜（ＡＺ−１３７５：
商品名）１１を塗布後、７５℃〜９０゛Ｃの温度でプリ
ベークする。
層８の上部の全面にホトレジスト膜（ＡＺ−１３７５：
商品名）１１を塗布後、７５℃〜９０゛Ｃの温度でプリ
ベークする。
次いで、この上にチタン（Ｔｉ）よりなる金属膜１２を
スパッタ、或いは蒸着法によって成膜する。更ニ金属Ｉ
ＩＩ １２上にホトレジスト膜１３を塗布後、ホトリソ
グラフィ法を用いて形成すべき上部磁極層のパターン形
状をしたホトレジスト膜１３に形成する。
スパッタ、或いは蒸着法によって成膜する。更ニ金属Ｉ
ＩＩ １２上にホトレジスト膜１３を塗布後、ホトリソ
グラフィ法を用いて形成すべき上部磁極層のパターン形
状をしたホトレジスト膜１３に形成する。
次いで第２図に示すように、ホトレジスト膜１３をマス
クとしてフレオン（商品名）ガスを用いたプラズマエツ
チング法によりＴｉ成膜２を所定のパターンにエツチン
グし、更にその下のホトレジストよりなる樹脂膜１１を
ホトリソグラフィ法でエツチングし、樹脂膜１１および
その上の金属ｌｌ１ｉｉ１２からなる二重構造の被膜よ
りなる上部磁極層形成用マスク１４を形成する。
クとしてフレオン（商品名）ガスを用いたプラズマエツ
チング法によりＴｉ成膜２を所定のパターンにエツチン
グし、更にその下のホトレジストよりなる樹脂膜１１を
ホトリソグラフィ法でエツチングし、樹脂膜１１および
その上の金属ｌｌ１ｉｉ１２からなる二重構造の被膜よ
りなる上部磁極層形成用マスク１４を形成する。
更に前記パターン形状グされたホトレジスト膜１１およ
びその上の金属膜１２の二層構造の上部磁極層形成用マ
スク１４を用いて、上部磁極層形成用被膜８を計ガスを
用いたイオンミリングによりエツチング除去して上部磁
極層を所定のパターンに形成する。
びその上の金属膜１２の二層構造の上部磁極層形成用マ
スク１４を用いて、上部磁極層形成用被膜８を計ガスを
用いたイオンミリングによりエツチング除去して上部磁
極層を所定のパターンに形成する。
このように上部磁極層８が所定のパターンにエツチング
形成された状態を第３図に示す。
形成された状態を第３図に示す。
この時、上部磁極層８がイオンミリングでエツチング除
去される間に、金属膜１２がエツチング除去される程度
に予め、イオンミリングのマスクとなる金属膜１２の厚
さを決めておく。
去される間に、金属膜１２がエツチング除去される程度
に予め、イオンミリングのマスクとなる金属膜１２の厚
さを決めておく。
例えば、Ｇｏ−Ｚｒよりなる上部磁極層形成用被膜８の
厚さを３μｍとした時、二層構造のマスクとなるＴｉ膜
Ｉ２の厚さは０．８４μｍの厚さとする。
厚さを３μｍとした時、二層構造のマスクとなるＴｉ膜
Ｉ２の厚さは０．８４μｍの厚さとする。
このようにすれば、ホトレジスト膜よりなる樹脂膜１１
の表面は金属膜１２で被覆されているため、イオンミリ
ング用の計ガスに曝されないので変質しない。
の表面は金属膜１２で被覆されているため、イオンミリ
ング用の計ガスに曝されないので変質しない。
そのため、第４図に示すように前記した二重構造のマス
クとなる樹脂膜１１は、アセトンのような有機溶媒に容
易に熔解して除去される。
クとなる樹脂膜１１は、アセトンのような有機溶媒に容
易に熔解して除去される。
尚、本発明の他の実施例として、マスク用の樹脂膜１１
として用いるホトレジスト膜の代わりにアセトン、トル
エン等の有機溶媒に容易に熔解するアクリル樹脂を用い
ても良い。
として用いるホトレジスト膜の代わりにアセトン、トル
エン等の有機溶媒に容易に熔解するアクリル樹脂を用い
ても良い。
また二重構造の上部磁極層形成用マスク１４のマスクと
なるホトレジスト膜１３を用いて金属膜１２を所定のパ
ターンにイオンミリング法でエツチング除去した後、そ
の下の樹脂膜１１は酸素ガスを用いたプラズマエツチン
グ法で除去しても良い。
なるホトレジスト膜１３を用いて金属膜１２を所定のパ
ターンにイオンミリング法でエツチング除去した後、そ
の下の樹脂膜１１は酸素ガスを用いたプラズマエツチン
グ法で除去しても良い。
また金属膜１２を所定のパターンにエツチングする際、
前記したプラズマエツチングの代わりにイオンミリング
法を用いても良い。
前記したプラズマエツチングの代わりにイオンミリング
法を用いても良い。
また金属膜１２としてへΩ膜を用いても良い。この場合
は〜膜の厚さは２．６４μｍとし、上部磁極層形成用被
膜のＧｏ−Ｚｒ膜の厚さは３μｍとし、この師膜はイオ
ンミリング法で所定のパターンに形成する。
は〜膜の厚さは２．６４μｍとし、上部磁極層形成用被
膜のＧｏ−Ｚｒ膜の厚さは３μｍとし、この師膜はイオ
ンミリング法で所定のパターンに形成する。
以上述べたように、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、上部磁極層をイオンミリング法により所定の
パターンに形成した時、このイオンミリングの際に用い
たホトレジスト膜と金Ｍ膜とよりなる二重構造のマスク
は、上部′の金属膜が上部磁極層形成の際のエツチング
で除去されており、かつホトレジスト膜はその上の金属
膜で被覆されているので、変質を受けない。
によれば、上部磁極層をイオンミリング法により所定の
パターンに形成した時、このイオンミリングの際に用い
たホトレジスト膜と金Ｍ膜とよりなる二重構造のマスク
は、上部′の金属膜が上部磁極層形成の際のエツチング
で除去されており、かつホトレジスト膜はその上の金属
膜で被覆されているので、変質を受けない。
従って、その変質していないホトレジスト膜は有機溶媒
で簡単に除去できるので、薄膜磁気ヘッドの製造が容易
となり、また形成された上部磁極層上にホトレジスト膜
が残留することが無くなるので、高信頼度の薄膜磁気ヘ
ッドが得られる効果がある。
で簡単に除去できるので、薄膜磁気ヘッドの製造が容易
となり、また形成された上部磁極層上にホトレジスト膜
が残留することが無くなるので、高信頼度の薄膜磁気ヘ
ッドが得られる効果がある。
第１図は本発明に於けるマスク形成用ホトレジスト膜の
形成工程図、 第２図は本発明に於けるマスク用被膜の形成工程図、 第３図は本発明に於けるマスク用被膜の金属膜並びに上
部磁極層のエソチング工程図、第４図は本発明のマスク
形成用ホトレジスト膜のエノチング工程図、 第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの断面図である。 図に於いて、 １は基板、２は下部磁極層、３はギャップ層、４は下部
絶縁層、５は薄膜コイル、６は上部絶縁層、７は開口部
、８は上部磁極層、１１は樹脂膜、１２は金属膜、１３
はホトレジスト膜、１４は上部磁極、１形成用マスクを
示す。 ｊ；トし）”ｌト狭１３ 、ｉ−＃ｇｆＩＡ ７：ｌ ７ ｆ／ｋＦ’ｉＩ ｔ−
１、Ｌｙ２ＪＪ＝ｑｉ−シ森ｘｊＺｒ２ゴ第１図 ＋右（明吟マス２甲楕吏ｎガシ八′１孝骸第２図 マプ７用キ朔えのイソ鵬月丈′Ｊらυ°１−．上４１４
上腕１４濤・、７千ｎ−ｒ、角凹第 ３ 図
形成工程図、 第２図は本発明に於けるマスク用被膜の形成工程図、 第３図は本発明に於けるマスク用被膜の金属膜並びに上
部磁極層のエソチング工程図、第４図は本発明のマスク
形成用ホトレジスト膜のエノチング工程図、 第５図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明するた
めの断面図である。 図に於いて、 １は基板、２は下部磁極層、３はギャップ層、４は下部
絶縁層、５は薄膜コイル、６は上部絶縁層、７は開口部
、８は上部磁極層、１１は樹脂膜、１２は金属膜、１３
はホトレジスト膜、１４は上部磁極、１形成用マスクを
示す。 ｊ；トし）”ｌト狭１３ 、ｉ−＃ｇｆＩＡ ７：ｌ ７ ｆ／ｋＦ’ｉＩ ｔ−
１、Ｌｙ２ＪＪ＝ｑｉ−シ森ｘｊＺｒ２ゴ第１図 ＋右（明吟マス２甲楕吏ｎガシ八′１孝骸第２図 マプ７用キ朔えのイソ鵬月丈′Ｊらυ°１−．上４１４
上腕１４濤・、７千ｎ−ｒ、角凹第 ３ 図
Claims (2)
- （１）基板（１）上に下部磁極層（２）、ギャップ層（
３）、下部絶縁層（４）、薄膜コイル層（５）上部絶縁
層（６）、上部磁極層（８）を順次積層形成後、該上部
磁極層（８）を所定パターンにエッチング除去する薄膜
磁気ヘッドの製造方法に於いて、 前記上部磁極層（８）をエッチングするに先立ち、該上
部磁極層（８）上に所定パターンの樹脂膜（１１）およ
び金属膜（１２）の二重層からなる上部磁極層形成用マ
スク（１４）を形成し、前記金属膜（１２）の厚さは上
部磁極層（８）形成に必要なエッチング時間でエッチン
グ除去される厚さであることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - （２）前記上部磁極層（８）がコバルト−ジルコニウム
（Ｃｏ−Ｚｒ）系膜、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ）膜、セ
ンダスト膜のいずれかで形成され、前記上部磁極層形成
用マスク（１４）の金属膜がアルミニウム（Ａｌ）膜、
或いはチタン（Ｔｉ）膜にて形成されていることを特徴
とする特許請求の範囲第（１）項に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23194485A JPS6289211A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23194485A JPS6289211A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289211A true JPS6289211A (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=16931507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23194485A Pending JPS6289211A (ja) | 1985-10-16 | 1985-10-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271413A (ja) * | 1988-05-12 | 1990-03-12 | Digital Equip Corp <Dec> | 改良した磁気ドメイン構造を有する極片の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-16 JP JP23194485A patent/JPS6289211A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271413A (ja) * | 1988-05-12 | 1990-03-12 | Digital Equip Corp <Dec> | 改良した磁気ドメイン構造を有する極片の製造方法 |
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