JPS6289216A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気的記録装置（磁気ディスク装置、磁気ド
ラム装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶
体（以下記憶体と呼ぶ）に関し、詳しくは、記憶体の金
属磁性薄膜媒体（以下金属媒体と呼ぶ）上の保護膜に関
する。

〔発明の概要〕

本発明は、金属媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭
素から選ばれる少なくとも１種以上の物質より成る薄膜
から被覆された記憶体に於いて、更にその表面に、少な
くともイミド基を有する高分子薄膜を被覆せしめること
により、記憶体と記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）
間の摩擦係数を著るしく低下させる事により記憶体の機
械的信頼性を高めると同時に、金属媒体上に、性質の異
なる無機と有機の被膜の積層することにより防食効果を
飛躍的に向上させたものである。

〔従来技術〕

金属媒体を有する記憶体に於いては、ヘッドとの接触に
耐えるだけの充分な機械的信頼性と金属媒体を摩食から
守る耐食性を有する保護膜を被覆せしめる事が必須であ
る。

従来、Ｒｈ、Ｃ！ｒ、Ｎ１−Ｐ、Ａｕ等の金属層を保護
膜として被覆する事が、特公昭４７−４９６０３、同４
Ｂ−１４２４１，同４Ｂ−４１８，８１、同５５−６２
５７．特開昭５３−７３ｊ０８、同５Ｂ−２６５２０等
で提案されているが、記憶体の耐食性を充分に確保する
には、該金属層の厚みを１ｏｏｏＫ以上にせねばならず
、又機械的信頼性は極めて低いものである。又特公昭４
９−２９４４５、同５２−１７４０２．同５Ｂ−５７６
１６、特開昭５７−１１７１２６等に湿式、乾式両表面
処理法による酸化物層の形成が提案されているが、該表
面処理法により、金属磁性薄膜媒体の磁気特性が変化し
、又得られた磁気記憶体の機械的信頼性及び耐食性も不
充分であった。又特公昭４９−２６５６５．同５０−５
０４４５．同５１−１５９６７、同５２−１８００１．
同５４−２９２４２．同５４−３４６０２．同５５−２
９５００、同５７−４０５６５．同５７−５８７３１、
同５８−５７６１４．同５Ｂ−３７６１５、特開昭５１
−４７４０１．同５１−１４８４０６１同５５−１０８
９３０．同５７−１４７１！＋３、同５７−１８９３３
９．同５８−１５５６５４、同５Ｂ−１０８０３０等の
酸化物膜そして、特公昭５５−５９０４７．特開昭５５
−７５９３１、同５８−１７９９３８．同５８−１７９
９３９、同５８−１７９９４０等の多種化合物膜は、潤
滑性に劣り、又耐食性を確保するには、やはり１０００
＾厚以上の膜厚にせねばならなかった。

又特開昭５７−１５２５１７の二価フェノール等の防錆
剤は、初期の防食性効果を長期に渡り維持する事が困難
であった。他方、潤滑膜として特公昭５４−３５５２’
ｌ、特開昭５３−１４３２［）６、同５６−４ｊ５２４
の炭素質膜は）他の保護膜にくらべ、優れた潤滑性を示
し、記憶体の機械的信頼性を高めたものの、ヘッドと記
憶体との接触を繰り返すことにより、該ヘッドと記ｔａ
体との静摩擦係数が増大しついには、記憶体の回転スピ
ンドルモーターが停止する。いわゆるリンギング現象を
起こし又ピンホールの発生も多く、防食効果がなかった
。又表面化学第５巻第４号（１９８４）Ｐ７８〜Ｐ８４
及び特開昭５９−１６８９５２、同５９−１７１．０２
６．同５９−１７１０２７にポリイミドのスパッタリン
グによる被膜についての発表があるが、これは、ヘッド
との摩擦係数は低いものの、長期の機械的信頼性と防食
効果がまだ不充分なものであった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述の如〈従来技術では、記憶体とヘッドとの接触によ
る記憶体とヘッドの物理的劣化及びリンギング現象、そ
して記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確保出来ないと
いう問題を有する。

そこで本発明はこの様な問題点を解決するもので、その
目的とするところは、酸化物、窒化物。

炭化物及び炭素より選ばれる少なくとも１種の物質より
成る薄膜の保護膜の耐食性を改善するとともにヘッドと
の摩擦係数を改善し、長期信頼性に優れた金属媒体を有
する記憶体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の記憶体は、基体上に金属媒体を形成した後、Ｏ
ｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗｂから選ばれる少なくとも１種の物
質よりなる被膜の形成の有無に於いて、酸化物、窒化物
、炭化物及び炭素より選ばれる少なくとも１種の物質よ
り成る薄膜を形成し、更に該薄膜の表面に少なくともイ
ミド基を有する高分子薄膜を被覆せしめた事を特徴とす
る。

Ｏｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂは、金属媒体と、酸化物、窒化
物、炭化物及び炭素間の密着性をより確かにする目的で
被覆し、その膜厚は、５０〜２００久で充分である。

酸化物は、Ｓ　ｉ　Ｏ□、　Ｔ　ｉ　０２　　、　Ｏｒ
２０３　　等、窒化物はＴｉＮ　、Ｔａ２Ｎ　、ＡｔＮ
　、Ｓｉ、Ｎ４等、炭化物は、ＳｉＯ、ＴｉＯ等、炭素
は、ダイヤモンド状、グラファイト状、アモルファス状
のいずれでも良く、膜厚は、１５０λ〜８００＾形成す
る。以上は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブ
レーティング法やＣＶＤ法のいずれの方法でも形成可能
である。

次にイミド基を有する高分子薄膜は、ポリイミド、ポリ
イミドアミｙ、ポリイミドアミンから選ばれる少なくと
も１種の高分子体をターゲットとしてスパッタリング法
等で形成するものであり、更に該高分子体に弗素樹脂、
ＭｏＢ２　、ＷＳ、。

Ｂ　２７　、炭素から選ばれる少なくとも１種の物質を
含有せしめた場合、得られた高分子薄膜とヘッドとの摩
擦係数は更に低下し、より望ましい。懸方モノマーやプ
リざリマーを塗布、焼成することによりイミド基を有す
る高分子薄膜を形成しても良く、材料は市販品も多く、
例えばトレニース　２０００、Ａ’Ｐ４００（東し）、
ＤＡ−５ＮＤ（目星化学）等であり、適切な溶媒で濃度
を調節し、スピンコード法、スプレー法９等速引き上げ
法の既知の方法で塗布し、１５０〜２３０℃で、１時間
〜５時間焼成する。いずれの方法でも、膜厚は１００〜
５００Ｘが適肖である。

〔作用〕

本発明の上記の構成によれば、金属媒体の上に防食効果
、膜の硬度に優れ、又摩擦係数の低い、酸化物、窒化物
、炭化物、炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より
成る薄膜が形成されるが、該薄膜の戻欠陥が発生し製造
工程上、該欠陥を皆無にすることは不可能である。そこ
で、該薄膜とまったく性質の異なるイミド基を有する高
分子薄膜を更に被覆することにより、保護瞑を積層化し
、欠陥の発生を極力少なくする事が可能になり、金属媒
体を水分等の摩食環境から守る一方、イミド基を有する
高分子薄膜の下層に高硬度膜をル成する事により、該高
分子薄膜とヘッド間の機械的信頼性が飛躍的に向上した
。

〔実施例１〕 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性合金メッキとしてＮｉＰ合金メッキを約２０μ溝
の厚さにメッキ後、研摩により１５μｍの厚さ、表面粗
さ［１０３μｍ以下にし、更に金属磁性薄膜としてＣｏ
−Ｎ１−Ｐ合金を約Ｑ、０７μｍ厚にメッキした。

次にマグネトロンスパッタ装置で、Ｃｒを１００＾、Ｓ
ｉｎ、を５ｏｏＫ連続して形成した。

更にカプトンをターゲットとして、下記スパッタ条件で
、ポリイミド薄膜を２００久形成した。

〔実施例２〕 実施例１と同様にして金属媒体を有するディスクを作製
した。

次にマグネトロンスパッタ装置で、Ｔ１を５０＾、炭素
質膜（アモルファス状）を４００１形成更にＴニー２１
３０ポリマー（東し）をターゲットとして下記スパッタ
条件で、炭素ｌＭｏＳ２、弗素樹脂含有のイミドアミン
薄膜を３００久形成した。

〔実施例５〕 研摩されたＮ１−Ｐ合金メッキディスク基板に、マグネ
トロンスパッタ装置でＯｒを５ｏｏＸ。

いで、Ｃｒ　Ｏ−Ｎ　ｉ　−Ｏｒ合金（ｃｏ、−３０ａ
ｔ。

％　Ｎ　ｉ　、−７，５ａｔ、％Ｏｒ　）を９００久、
更にＴｉＮを３００Ｘ形成した。

スパッタ中は、酸素分圧を８　Ｘ　１０−’ｔｏｒｒ以
下に保ち、上記３Ｎを連続形成した。

更に実施例２同様にイミドアミン薄膜を５００又形成し
た。

〔実施例４〕 実施例１同様の金属媒体を有するディスクを作製した。

テトラメトキシシランをブタノールに希釈した後、（１
−Ｍ）酢酸を添加し加分分解液とした。

（固形分濃度はＳｉＯとして計算して０．５％％ とした。） スピンコード法により（ディスク片面づつ）、ディスク
表面全体に上記の加水分解液を滴下し、１１０００ｒｐ
で２０秒間回転し、６５℃で１０分間予備焼成を行った
。

次にＤＡ−５ＮＤの０．０１％希釈液を上記同様にスピ
ンコード法で塗布した後、２００℃で２時間、本焼成を
行なうことにより、ポリケイ酸被膜を６ｏｏｉ、ポリイ
ミド被膜を２００久形成した〔実施例５〕 実施例１同様の金属媒体を有するディスクを作製した。

次にマグネトロンスパッタ装置を用い、Ｔａを１００＾
、Ｔａｇ！を５００に形成した後、実施例２同様のスパ
ッタ条件で、Ｔ工１１００ポリマー（東し）を５００久
形成した。

尚、実施例中で、イミド基を有する高分子薄膜を被覆し
たディスクを比較品として作製し品質評価を同時に行な
った。

比較例 実施例１に於いて、ＯｒとＳｉｎ、の形成を除くかたち
で、金属媒体上に直接ポリイミド薄膜を２００人形成し
た。

以上の実施例、比較例で述べたディスクの品質評価を、
ａＳＳ試験と耐湿試験で行りた。ａＳＳ試験では、静摩
擦係数と出力の低下率を求め、耐湿試験は、８０℃、８
０％Ｒ，Ｈの環境にディスクを放置し、放置時間の経過
を追って、ミッシングピット数を確認し、その増加した
時点を寿命とした。

〔発明の効果〕

以上述べた様に本発明によれば、よりＵ膜で、機械的信
頼性と耐食性を充分に確保した高密度記録対応のディス
クの提供が可能になった。

尚、本発明は、基板がプラスチックであるフロッピーデ
ィスクや磁気テープ類そして、光磁気ディスクにも適用
可能であり、その他、ガラス等、基板の材質は実施例に
とられれるものではない。

以　　上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金
   属磁性薄膜媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素か
   ら選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆さ
   れ、更に該薄膜の表面に少なくともイミド基を有する高
   分子薄膜を被覆せしめた事を特徴とする磁気記憶体。
2. （２）金属磁性薄膜媒体と酸化物、窒化物、炭化物及び
   炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜と
   の間にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれる少なくとも
   １種の物質よりなる被膜が形成せしめられた事を特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。
3. （３）イミド基を有する高分子薄膜がポリイミド、ポリ
   イミドアミド、及びポリイミドアミンから選ばれる少な
   くとも１種の高分子体より成る事を特徴とする特許請求
   の範囲第１項又は第２項記載の磁気記憶体。
4. （４）イミド基を有する高分子薄膜が、弗素樹脂、Ｍｏ
   Ｓ＿２、ＷＳ＿２、ＢＮ、炭素から選ばれる少なくとも
   １種の物質を含有する事を特徴とする特許請求の範囲第
   １項又は第２項記載の磁気記憶体。