JPS6314327A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶体（
以下、記憶体と呼ぶ）の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記
憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下、ヘッドと呼ぶ
）との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と、水分
等の方食環境に充分金属媒体が耐える耐食性を与える保
護膜形成が必須である。

従来より、炭素質膜が優れたヘッド浮上性を与える事か
ら、金属媒体上に、Ａ　ｒ　、）！　ｅ等の希ガス雰囲
気下で、グラファイトやアモルファスカーボンをターゲ
ットとし、直流電圧印加マグネトロンスパッタリングに
より、炭素質膜を被覆した。

又近年、炭素質膜上に各種固体、液体の潤滑層を形成し
、記憶体とヘッド間の摩擦係数を低減し、機械的信頼性
の向上を計る事が試みられている。

上述の如く、炭素質膜の形成を直流印加マグネトロンス
パッタ方式で行なった場合、ターゲットに含まれる灰分
（絶縁性酸化物）が起点となるスプラッタ現象により、
酸化物と炭素の塊状混合物が記憶体表面に付着する。該
混合物はヘッドとの接触で容易に記憶体表面からπｔな
れ、摺動時にへ７ド、メディア間に絡む事により記憶体
及びヘッド表面にダメージを与える。この現象は、前述
の各挿潤滑層を炭素質膜上に形成した場合にもほぼ同様
に認められる。又該混合物が離脱した記憶体表面は、直
接雰囲気中水分に触れるため、方食が進行しやすい。

他方、上記炭素質膜に被覆された部分に於いても、加温
湿雰囲気下で方食点が発生する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の技術では、記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確
保し、記憶体とヘッドとの接触による双方の物理的劣化
が極めて少ない記ｔに体の作製が出来なかった。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分等の環境に対し充分な耐食性を付
与し、塊状混合物が付着しない均一な表層を形成しうる
炭素質膜の製造方法を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕 基体上に炭素質膜が被覆され、炭素質膜上に脂肪酸とＬ
ｉ、Ｎ　ａ　％　Ｋ　％　Ｍ　８％　ＣｉＬから選ばれ
る金し４との塩が被覆された磁気記憶体に於いて炭素質
膜が、交流電圧印加のマグネトロンスパッタ方式で被覆
せしめた事を特徴とする。

〔作　用〕

本発明の製造方法によれば、交流電圧印加によるグロー
放電であるので、ターゲットに含まれる灰分のチャージ
アップはなく、スブラノタ現象による塊状混合物の付着
は起きない。従って材質が均一で、異常凸のない滑らか
な表層の炭素質膜が形成できる。他方、希ガス中に残留
Ｈ２０及び０２分圧の５倍以上のＨ２ガスを又Ｈ２ガス
と同等の弗素含有炭化水素ガスを混合した事により、炭
素質膜表面に従来形成された、Ｃ０ＯＨ基やＯＨ基等の
親水基の形成が少なくなった事が、そして、０−Ｆ及び
Ｃ−・Ｈ結合が形成されている事が赤外吸収波形の分析
で明らかになった。この事から形成された炭素質膜は吸
湿性、撥水性ともに改善された。

上記の作用により、得られた記憶体は、ヘッドとの接触
により、従来の如く大きなダメージを受ける事も又ヘッ
ドに与える事もなくなり、又加温湿下に放置された場合
、発錆までの時間が長くなった。以上により、小型ハー
ドディスクドライブに代表される厳しい使用条件（８５
℃、８０％Ｒ０Ｈ０）下でも信頼して使用可能な記憶体
を提供できる製造方法が確立できた。

〔実施例〕

Ａ２合金ディスク基板上に非磁性Ｎｉ’Ｐメッキを約１
５μｍ被覆した後、研摩により１０μ、厚表面粗度００
２μｍ以下に加工した。

更に洗浄、乾燥の後、第１表の条件で炭素質膜を形成し
た。尚、到達圧力はＩ　Ｘ　１０−５ｔｏｒｒ　ｓ基板
のスパッタ前加熱ば８０’０，３分保持とした。

又ＲＦ電源は１３．５６　Ｍ　Ｈｚを用いた。

更に下記処理液を用いて等速引き上げ法によりステアリ
ン酸ナトリウムを約２ｏＸ被覆また・液温度　　２５℃ 引き上げ速度　　１０ｃｍ／謳 実施例で述べたディスクの品質評価をａＳＳ耐久試験及
び耐湿試験で行なった。

Ｃ３Ｓ耐久試験はａＳＳ前後の外観変化、静摩擦係数と
出力低下率を求めた。（使用ヘッド：３３７０ミニモノ
リシツク） 耐湿試験は８５℃、８０％Ｒ，Ｈ，の環境にディスクを
放置し、放置日数を追ってミツスイングビット数を測定
し、その増加が確認された時点を身命と判断した。

以上の如く、未発明により作製された記憶体は耐湿性及
びａＳＳ耐久の機械的信頼性が大幅に向上した。

本発明の製造方法は、プラスチ、ツク、金属やセラミッ
ク上に金属媒体が形成された記憶体上にＯｒ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｎｂ等の金弯薄膵の形成の有無の後、炭素質膜をマ
グネトロンスパッタ方式で被覆せしめる際、グラファイ
トやアモルファスカーボンをターゲットとし交流電圧印
加によるグロー放電でスパッタリングを行ない、雰囲気
として希ガスとＨ２ガス及び弗素含有炭化水素ガス混合
状態である事を特徴とする。

交流印加は通常の６　ＤＨ２或いはその前後以上の周波
数であり、特別限定されるものではない。

又Ｈ２ガスは残留ガス中のＨ２Ｏ及び０２分圧の５倍以
上、望ましくは１０倍以上導入し、弗素含有炭化水素ガ
スばＨ２ガスと同等以上になる様に導入する事が望まし
く、材料としては弗素を含み、酸素を含まないものであ
れば、特にいずれを用いても良い。次に希ガスを導入し
、１　Ｘ　１０−３ｔｏｒｒ以上にスパッタ室内圧を設
定する。

〔発明の効果〕

高密度化本土比の記憶体とし″７薄膜メディアが登場し
て久しいが、長期信頼性に不安かあるため、その使用は
一部に限られていた。

本発明の製法：てより得られた記憶体は、Ｃ３Ｓ耐久試
験後も外観的な変化、スティノクンヨントラブル、そし
て出力低下は１惚めらｎず又高温高湿下に放置されても
１ケ月以上、金属媒体に何等の変化、も生じない。

増々小型化し厳し環境下でドライブが用いられつつある
が、本発明による記憶体を用いることにより、記憶体、
ヘッドともに、それによる特性劣化は無視できる範囲で
ある。

以上の知く、高密度、高耐久化記憶体の？！造、ならび
に提供が可能になった。

以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　最　上　務　他１名 ザ ｌ′ 【」

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に炭素質膜が被覆され、炭素質膜上に脂肪
   酸とＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選ばれる金属との
   塩が被覆された磁気記憶体に於いて、炭素質膜が、交流
   電圧印加のマグネトロンスパッタ方式で被覆せしめた事
   を特徴とする磁気記憶体の製造方法。
2. （２）希ガスとＨ＿２炭化水素ガスの 混合ガス雰囲気下で炭素質膜を被覆せしめた事を特徴と
   する特許請求の範囲第一項記載の磁気記憶体の製造方法
   。