JPS6289736A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS6289736A JPS6289736A JP22949385A JP22949385A JPS6289736A JP S6289736 A JPS6289736 A JP S6289736A JP 22949385 A JP22949385 A JP 22949385A JP 22949385 A JP22949385 A JP 22949385A JP S6289736 A JPS6289736 A JP S6289736A
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂成形品のプラズマ処理装置に関する。
゛ ポリプロピレン、ポリエチレンなどのオレフィン系
樹脂の成形品はその無極性などの性質に起因して塗膜密
着性などに劣るものである。
樹脂の成形品はその無極性などの性質に起因して塗膜密
着性などに劣るものである。
そのため、これら樹脂成形品に、マイクロ波で空気、酸
素、アルゴン、ヘリウムなどのガスを励起してえられる
、いわゆるプラズマを照射して、樹脂成形品に表面改質
を施すことが行なわれている。
素、アルゴン、ヘリウムなどのガスを励起してえられる
、いわゆるプラズマを照射して、樹脂成形品に表面改質
を施すことが行なわれている。
前記プラズマ処理はチャンバ内に被処理物を収容し、チ
ャンバ内を減圧状態にし、プラズマ発生器からのプラズ
マをチャンバ内に導入し、被処理物に照射することによ
って行なわれるが、被処理物をチャンバ内に定置した状
態で行なうと処理が不均一となるという問題があった。
ャンバ内を減圧状態にし、プラズマ発生器からのプラズ
マをチャンバ内に導入し、被処理物に照射することによ
って行なわれるが、被処理物をチャンバ内に定置した状
態で行なうと処理が不均一となるという問題があった。
そのため、（１）被処理物を適宜の架台に装架し、該被
処理物をチャンバ内で公転および（または）自転させな
がらプラズマを照射する方法（特開昭５８−２０８３２
８号公報参照）および（′２Ｊチャンバ内にファンを設
け、該ファンによりプラズマを拡散する方法などが提案
されている。
処理物をチャンバ内で公転および（または）自転させな
がらプラズマを照射する方法（特開昭５８−２０８３２
８号公報参照）および（′２Ｊチャンバ内にファンを設
け、該ファンによりプラズマを拡散する方法などが提案
されている。
しかしながら、前記方法のうち（１）被処理物を回転さ
せる方法は駆動装置を必要とし、装置が複雑化する、チ
ャンバ壁面と駆動装置可動部分とのシール性の確保が必
要であるなどの問題があり、また（′２Ｊファンにより
プラズマを拡散させる方法はファンにプラズマが衝突す
るため、プラズマが消滅するという問題がある。
せる方法は駆動装置を必要とし、装置が複雑化する、チ
ャンバ壁面と駆動装置可動部分とのシール性の確保が必
要であるなどの問題があり、また（′２Ｊファンにより
プラズマを拡散させる方法はファンにプラズマが衝突す
るため、プラズマが消滅するという問題がある。
本発明は、前記の点に鑑み、簡易な構成により被処理物
を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供
することにある。
を均一に処理することのできるプラズマ処理装置を提供
することにある。
本発明は、
（１）真空チャンバ内に収容した樹脂成形品にプラズマ
を照射して表面改質するためのプラズマ処理装置におい
て、真空チャンバ内に１個のプラズマシャワー管を設け
、かつ該プラズマシャワー管からの距離が大きいものほ
ど開口部の内径を大きくした複数個の排気口を真空チャ
ンバ周壁に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置、
および （２） ｊ３Ｌ空チャンバ内に収容した樹脂成形品にプ
ラズマを照射して表面改質するためのプラズマ処理装置
において、真空チャンバ周壁に１個の排気口を設け、か
つ該排気口から距離が大きいものほど吐出口の口径を大
きくした複数個のプラズマシャワー管を真空チャンバ内
に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置に関する。
を照射して表面改質するためのプラズマ処理装置におい
て、真空チャンバ内に１個のプラズマシャワー管を設け
、かつ該プラズマシャワー管からの距離が大きいものほ
ど開口部の内径を大きくした複数個の排気口を真空チャ
ンバ周壁に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置、
および （２） ｊ３Ｌ空チャンバ内に収容した樹脂成形品にプ
ラズマを照射して表面改質するためのプラズマ処理装置
において、真空チャンバ周壁に１個の排気口を設け、か
つ該排気口から距離が大きいものほど吐出口の口径を大
きくした複数個のプラズマシャワー管を真空チャンバ内
に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置に関する。
［実施例］
つぎに図面に基づき本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す概
略説明図、第２図は第１図の（Ｘ）−（Ｘ）線拡大断面
図、第３〜４図は本発明のプラズマ処理装置の他の実施
例を示す概略説明図である。
略説明図、第２図は第１図の（Ｘ）−（Ｘ）線拡大断面
図、第３〜４図は本発明のプラズマ処理装置の他の実施
例を示す概略説明図である。
第１〜４図において、（１）は被処理物を処理するため
の真空チャンバである。（２）は空気、酸素、アルゴン
、ヘリウムなどのガスボンベであり、ガスはボンベ（′
２Ｊから配管（３）を通してプラズマ発生器（４）に送
られ、そこでマイクロ波発生器（５）からのマイクロ波
によって励起されてプラズマ状態とされる。生成したプ
ラズマは、真空チャンバ内上部に設けられたプラズマシ
ャワー管（６）のプラズマ吐出口（７）からチャンバ（
１）内に導入され、被処理物（８）に照射される。（９
）はプラズマシャワー管（６）からの距離が大きくなる
ほど開口部の内径が大きくなるように設けられてなる複
数個の排気口である。該排気口（９）は、チャンバ（１
）内を所定の真空度に維持するための真空ポンプに接続
される。
の真空チャンバである。（２）は空気、酸素、アルゴン
、ヘリウムなどのガスボンベであり、ガスはボンベ（′
２Ｊから配管（３）を通してプラズマ発生器（４）に送
られ、そこでマイクロ波発生器（５）からのマイクロ波
によって励起されてプラズマ状態とされる。生成したプ
ラズマは、真空チャンバ内上部に設けられたプラズマシ
ャワー管（６）のプラズマ吐出口（７）からチャンバ（
１）内に導入され、被処理物（８）に照射される。（９
）はプラズマシャワー管（６）からの距離が大きくなる
ほど開口部の内径が大きくなるように設けられてなる複
数個の排気口である。該排気口（９）は、チャンバ（１
）内を所定の真空度に維持するための真空ポンプに接続
される。
前記プラズマ処理装置において、排気口（９）は複数個
設けられていると共にプラズマシャワー管（６）から離
れた位置にある排気口（９）はど開口部の内径が大きく
なるように構成されている。そのためプラズマは複数方
向に分散するとともに各方向における排気口（９）まで
の移動に伴う抵抗が等しくなるため、プラズマ吐出口（
７１から照射されたプラズマは真空チャンバ（１）内に
おいて均一に分散され、被処理物（８）を真空チャンバ
（１）内に定置した状態でも均一処理が可能となる。
設けられていると共にプラズマシャワー管（６）から離
れた位置にある排気口（９）はど開口部の内径が大きく
なるように構成されている。そのためプラズマは複数方
向に分散するとともに各方向における排気口（９）まで
の移動に伴う抵抗が等しくなるため、プラズマ吐出口（
７１から照射されたプラズマは真空チャンバ（１）内に
おいて均一に分散され、被処理物（８）を真空チャンバ
（１）内に定置した状態でも均一処理が可能となる。
排気口（９）の位置および個数は、プラズマ吐出口（７
）の位置および個数、被処理物（８）の個数、形状およ
び大きさなどに合わせて適宜選定すれはよい。
）の位置および個数、被処理物（８）の個数、形状およ
び大きさなどに合わせて適宜選定すれはよい。
排気口（９）の最小内径と最大内径との比の値は、排気
口（９）の位置および個数により異なるが概ね２〜ＩＯ
が目安である。
口（９）の位置および個数により異なるが概ね２〜ＩＯ
が目安である。
第２図に示される実施例では真空チャンバ（１）の周方
向に７個の排気口（９）が設けられており、（９ｄ）、
（９ｃ）、（９ｂ）、（９ａ）の順に開口部の内径が大
きくなっている。
向に７個の排気口（９）が設けられており、（９ｄ）、
（９ｃ）、（９ｂ）、（９ａ）の順に開口部の内径が大
きくなっている。
また第３図に示される実施例では真空チャンバ（１）の
軸方向に７個の排気口（９）が設けられておリ、（９ｅ
）、（９ｒ）、（９ｇ）、（９ｈ）の順に開口部の内径
が大きくなっている。
軸方向に７個の排気口（９）が設けられておリ、（９ｅ
）、（９ｒ）、（９ｇ）、（９ｈ）の順に開口部の内径
が大きくなっている。
さらに第４図に示される実施例では真空チャンバ（１）
の端部（１０）に垂直方向に左右合計８個の排気口（９
）が設けられており、（９１）、（９ｊ）、（９ｋ）、
（９１）の順に開口部の内径が大きくなっている。
の端部（１０）に垂直方向に左右合計８個の排気口（９
）が設けられており、（９１）、（９ｊ）、（９ｋ）、
（９１）の順に開口部の内径が大きくなっている。
なお第２〜４図に示される実施例における排気口（９）
の配置は適宜組み合わせて用いてもよい。
の配置は適宜組み合わせて用いてもよい。
以上の説明において本発明のプラズマ処理装置は、１個
のプラズマシャワー管（６）と該プラズマシャワー管（
６）からの距離が大きいものほど開口部の内径を大きく
した複数個の排気口（９）とから構成されてなるが、そ
れとは逆に１個の排気口（９）と、該排気口（９）から
の距離が大きいものほど吐出口（刀の口径を大きくした
複数個のブ′ラズマシャワー管（６）とからなる構成に
よっても前述したごとく真空チャンバ（１）内のプラズ
マの分布を均一化することができる。
のプラズマシャワー管（６）と該プラズマシャワー管（
６）からの距離が大きいものほど開口部の内径を大きく
した複数個の排気口（９）とから構成されてなるが、そ
れとは逆に１個の排気口（９）と、該排気口（９）から
の距離が大きいものほど吐出口（刀の口径を大きくした
複数個のブ′ラズマシャワー管（６）とからなる構成に
よっても前述したごとく真空チャンバ（１）内のプラズ
マの分布を均一化することができる。
そのばあいプラズマシャワー管（６）の位置および個数
は、被処理物（８）の個数、形状および太きさなどに合
わせて適宜選定すればよい。
は、被処理物（８）の個数、形状および太きさなどに合
わせて適宜選定すればよい。
プラズマ吐出口（７）の最小口径と最大口径との比の値
は、プラズマシャワー管（６）の位置および個数により
異なるが概ね ２〜１０が目安である。
は、プラズマシャワー管（６）の位置および個数により
異なるが概ね ２〜１０が目安である。
本発明は以上説明したとおり、真空チャンバ内に１個の
プラズマシャワー管を設け、かつ該プラズマシャワー管
からの距離が大きいものほど内径を大きくした複数個の
排気口を真空チャンバ周壁に設ける、または真空チャン
バ周壁に１個の排気口を設け、かつ該排気口からの距離
が大きいものほど吐出口の口径を大きくした複数個のプ
ラズマシャワー管とを設けるという簡単な構成により、
被処理物を定置した状態で均一に処理できるという効果
があり、装置の簡略化を可能にし、それによりコストダ
ウンを図ることができる。
プラズマシャワー管を設け、かつ該プラズマシャワー管
からの距離が大きいものほど内径を大きくした複数個の
排気口を真空チャンバ周壁に設ける、または真空チャン
バ周壁に１個の排気口を設け、かつ該排気口からの距離
が大きいものほど吐出口の口径を大きくした複数個のプ
ラズマシャワー管とを設けるという簡単な構成により、
被処理物を定置した状態で均一に処理できるという効果
があり、装置の簡略化を可能にし、それによりコストダ
ウンを図ることができる。
第１図は本発明のプラズマ処理装置の一実施例を示す概
略説明図、第２図は第１図の（Ｘ）−（Ｘ）線拡大断面
図、第３〜４図は本発明のプラズマ処理装置の他の実施
例を示す概略説明図である。 （図面の主要符号） （１）：真空チャンバ （４）：プラズマ発生器 （６）：プラズマシャワー管 ＋８１ ： Ｍ処理物 （９）：排気口 才２図
略説明図、第２図は第１図の（Ｘ）−（Ｘ）線拡大断面
図、第３〜４図は本発明のプラズマ処理装置の他の実施
例を示す概略説明図である。 （図面の主要符号） （１）：真空チャンバ （４）：プラズマ発生器 （６）：プラズマシャワー管 ＋８１ ： Ｍ処理物 （９）：排気口 才２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空チャンバ内に収容した樹脂成形品にプラズマを
照射して表面改質するためのプラズマ処理装置において
、真空チャンバ内に１個のプラズマシャワー管を設け、
かつプラズマシャワー管からの距離が大きいものほど開
口部の内径を大きくした複数個の排気口を真空チャンバ
周壁に設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 ２ 真空チャンバ内に収容した樹脂成形品にプラズマを
照射して表面改質するためのプラズマ処理装置において
、真空チャンバ周壁に１個の排気口を設け、かつ該排気
口からの距離が大きいものほど吐出口の口径を大きくし
た複数個のプラズマシャワー管を真空チャンバ内に設け
たことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22949385A JPS6289736A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22949385A JPS6289736A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289736A true JPS6289736A (ja) | 1987-04-24 |
Family
ID=16893027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22949385A Pending JPS6289736A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0658416A3 (ja) * | 1993-11-23 | 1995-07-26 | Heinze Dyconex Patente | |
| JP2000073029A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-07 | Nitto Denko Corp | 粘着部材及びその製造方法 |
| US6531069B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP22949385A patent/JPS6289736A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0658416A3 (ja) * | 1993-11-23 | 1995-07-26 | Heinze Dyconex Patente | |
| JP2000073029A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-07 | Nitto Denko Corp | 粘着部材及びその製造方法 |
| US6531069B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections |
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