JPS62201265A - 薄膜型サ−マルヘツド - Google Patents
薄膜型サ−マルヘツドInfo
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- JPS62201265A JPS62201265A JP61044250A JP4425086A JPS62201265A JP S62201265 A JPS62201265 A JP S62201265A JP 61044250 A JP61044250 A JP 61044250A JP 4425086 A JP4425086 A JP 4425086A JP S62201265 A JPS62201265 A JP S62201265A
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 title abstract 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 16
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 2
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018514 Al—O—N Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910004479 Ta2N Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- -1 Ta5i02 Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し技術分野]
本発明は薄膜型サーマルヘッドに関し、特に改良された
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
薄膜発熱抵抗体を有する薄膜型サーマルヘッドに関する
。
[従来技術とその問題点]
薄膜発熱抵抗体を用いる薄膜型サーマルヘッドはコンピ
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、Ta2N 、 Ta−8i02 、cr−s
i等がある。
ュータ、ワードプロセッサ、ファクシミリ等における印
字ヘッドとして広く用いられている。サーマルヘッドは
抵抗発熱体のドツトを多数配列し、それらを選択的に通
電することにより所望のパターンないし文字の形に発熱
させ、印字リボンの色材を用紙面へ熱転写させるように
なっている。抵抗発熱体には種々のものが知られ、或い
は使用されているが、良く用いられる材料としてはNi
−Cr 、Ta2N 、 Ta−8i02 、cr−s
i等がある。
これらはサーマルヘッド用抵抗発熱体としてすぐれた特
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱ににって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
性を有するが、種々の欠点も有する。合金等の金属系の
発熱抵抗体は耐熱性及び耐酸化性に劣り、印字に必要な
エネルギーを繰返し印加した場合、発熱ににって発熱抵
抗体に酸化現象が発生し、抵抗値の増大を招き、印字特
性の低下を招く。
また、これらの金属系の発熱抵抗体は繰返し通電による
熱パルスにより急激な熱サイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を牛してクランクの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
熱パルスにより急激な熱サイクル下に置かれたとき大き
く熱膨張・収縮し、下地基板と表面耐摩耗性保護膜との
間に大きい応力を牛してクランクの原因となる。一方、
Ta5i02等の酸化物や窒化物等の場合には、熱伝導
率が小さいため発熱体内での均熱性に欠け、印字品質を
低下させた。
また、金属系の発熱抵抗体は固有抵抗率が小さく、また
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく(T
a2Nで200〜300μΩcm1Ta−3i02でも
約2000μΩcm>、4ノーマルヘツドに必要な面積
抵抗1違/目前後を得ようとすると、数十への薄膜の発
熱抵抗体を実現しなければならべず、安定して製造する
ことが困難である。曲型的な製法はスパッタリング、イ
オンブレーティング、CVD法などの周知の半導体プロ
セス技術であるが、膜厚が1000人程度ないと工程制
御が困難である。また、これらの発熱体月利の抵抗温度
係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値に制御
することが困難である。さらに、金属系では発熱体と電
力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵抗値変
動や断線等の不良の発生の原因となる。
上記の化合物系の発熱抵抗体でも固有抵抗が小さく(T
a2Nで200〜300μΩcm1Ta−3i02でも
約2000μΩcm>、4ノーマルヘツドに必要な面積
抵抗1違/目前後を得ようとすると、数十への薄膜の発
熱抵抗体を実現しなければならべず、安定して製造する
ことが困難である。曲型的な製法はスパッタリング、イ
オンブレーティング、CVD法などの周知の半導体プロ
セス技術であるが、膜厚が1000人程度ないと工程制
御が困難である。また、これらの発熱体月利の抵抗温度
係数は成分比に対して比較的不感であり、所望値に制御
することが困難である。さらに、金属系では発熱体と電
力供給電極との間に反応が生じ、発熱抵抗体の抵抗値変
動や断線等の不良の発生の原因となる。
[発明の目的]
従って、本発明の目的は、耐熱性が高く、寿命が長く、
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数か調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
固有抵抗率が大きく、しかも温度係数か調整可能な薄膜
発熱抵抗体を用いた薄膜型サーマルヘッドを提供するこ
とにある。
[発明の概要]
本発明は、薄膜発熱抵抗体として、高融点金属と、アル
ミニウムと、窒素とを主成分として含有させたことを特
徴とする。すなわち、M−Al2−N系発熱抵抗体であ
る。ここにHは高融点金属で11、No、 w 1tH
,Ni、 V 、 Zr、 1−alTa、 Fe1C
o及びCrより選ばれた少なくとも1種である。
ミニウムと、窒素とを主成分として含有させたことを特
徴とする。すなわち、M−Al2−N系発熱抵抗体であ
る。ここにHは高融点金属で11、No、 w 1tH
,Ni、 V 、 Zr、 1−alTa、 Fe1C
o及びCrより選ばれた少なくとも1種である。
高融点金属の存在により発熱体の抵抗率は繰返し熱パル
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
スによっても長期に変化せず、安定したサーマルヘッド
が得られる。また金属系の場合とちがい、酸−窒化物で
あるため熱膨張・収縮が小さく、上下層との熱膨張係数
の差による大きい内部応力の発生、ひいてはクラックの
発生がない。
金属やAlNの最沈を増やせば熱伝導性が良くなり均熱
性が向上し、サーマルヘッドとしての電力効率の向上が
計られる。また、十分な酸素の存在により経時酸化のお
それもなく特性が安定する。
性が向上し、サーマルヘッドとしての電力効率の向上が
計られる。また、十分な酸素の存在により経時酸化のお
それもなく特性が安定する。
さらに、高融点金属の含有率に対して固有抵抗率が大き
く変化するので、その含有量を制御することでサーマル
ヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば104μ
Ωcm抵抗温度係数±1100pI)/ ’Cのような
発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このような高抵抗
率では、発熱体の薄膜は1000人前後が好適となり、
成膜が容易となる。
く変化するので、その含有量を制御することでサーマル
ヘッドの特性の制御範囲が大きくなり、例えば104μ
Ωcm抵抗温度係数±1100pI)/ ’Cのような
発熱体抵抗の設計も容易になし得る。このような高抵抗
率では、発熱体の薄膜は1000人前後が好適となり、
成膜が容易となる。
[発明の詳細な説明]
本発明の薄膜型サーマルヘッドの構成の概要は第1図に
示されている。図中1はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層2が形成される。グレーズ層
2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またより好ましくはさ
らに発熱抵抗−4一 体層に用いられる高融点金属と同じものを含む。
示されている。図中1はグレーズドセラミック基板であ
り、その表面にグレーズ層2が形成される。グレーズ層
2は磁器のうわぐすりに相当する酸化物であり、硅素及
びアルミニウムの酸化物を含み、またより好ましくはさ
らに発熱抵抗−4一 体層に用いられる高融点金属と同じものを含む。
グレーズ層2の上には例えば公知のスパッタ法により本
発明の薄膜抵抗発熱体3が成膜され、さらに電力供給用
電極(旧、Cr、 Al等、特にAl )4が蒸着ま
たはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性保
護膜(例えばA2−0−N系、Al−0系、Al1−3
i−0系等)6がスパッタ法等で成膜される。
発明の薄膜抵抗発熱体3が成膜され、さらに電力供給用
電極(旧、Cr、 Al等、特にAl )4が蒸着ま
たはスパッタなどで成膜され、最後に公知の耐摩耗性保
護膜(例えばA2−0−N系、Al−0系、Al1−3
i−0系等)6がスパッタ法等で成膜される。
発熱抵抗体3は本発明に従って、アルミニウムと高融点
金属M (Ti、 No、 W 、Hf、 Ni、 V
、 Zr1La、 Cr1Ta、 Fe1Coの少な
くとも1種)とを含む酸化物である。この高融点金属は
種類によって作用上のちがいがあるが、しかし単独また
はどの組合せを用いても発熱抵抗体の抵抗率107〜1
02μΩcmの範囲で大きく変動する。更には特定の高
融点金属を選択することにより、所望の抵抗率及び温度
係数の発熱体を設計しうる。例えば抵抗率104μΩc
mのものを選択すれば膜厚は1000Å以上となしうる
。一般に高融点金属は20〜60wt%の範囲で選択し
うる。この点については実施例により具体的に示す。
金属M (Ti、 No、 W 、Hf、 Ni、 V
、 Zr1La、 Cr1Ta、 Fe1Coの少な
くとも1種)とを含む酸化物である。この高融点金属は
種類によって作用上のちがいがあるが、しかし単独また
はどの組合せを用いても発熱抵抗体の抵抗率107〜1
02μΩcmの範囲で大きく変動する。更には特定の高
融点金属を選択することにより、所望の抵抗率及び温度
係数の発熱体を設計しうる。例えば抵抗率104μΩc
mのものを選択すれば膜厚は1000Å以上となしうる
。一般に高融点金属は20〜60wt%の範囲で選択し
うる。この点については実施例により具体的に示す。
ANは耐熱性、耐酸性の窒化物を形成しうるちのであり
、その比率を変えることにより耐熱性を保ちイ【から抵
抗率を変えることができる。例えば酊Nは抵抗率>>1
07μΩcm、温度係数 く−1500ppm/ °C
であるが、高融点金属Mの含有率が10W1%以」ニで
107μΩcm以下、−100ppm/ °C以上を得
ることができる。
、その比率を変えることにより耐熱性を保ちイ【から抵
抗率を変えることができる。例えば酊Nは抵抗率>>1
07μΩcm、温度係数 く−1500ppm/ °C
であるが、高融点金属Mの含有率が10W1%以」ニで
107μΩcm以下、−100ppm/ °C以上を得
ることができる。
H,Al、Hのうち少なくとも2種を含有する耐摩耗保
護層6を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は耐摩耗保護
層に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり好ま
しい。さらに、電極4,5としてA12を用いれば、同
様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好ましい。
護層6を選択すれば、本発明の発熱抵抗体は耐摩耗保護
層に良くなじみ、また熱膨張係数の差が少なくなり好ま
しい。さらに、電極4,5としてA12を用いれば、同
様に電極と発熱抵抗体とのなじみが良くなり好ましい。
本発明の発熱抵抗体は特にスパッタ法で製造することが
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレッ1〜化し、これをタ
ーゲットとしてArをスパッタガスとして用い、その他
必要に応じてN2ガス等を共存させ、Arイオンをター
ゲットに衝撃させ、放出されたイオンないし原子を基板
上に付着させる。膜組成はペレットの組成及びスパッタ
条件を変えることにより調整しうる。
できる。例えば所望の組成比を有する固形物粉末を予め
製造し、それを圧縮成形してペレッ1〜化し、これをタ
ーゲットとしてArをスパッタガスとして用い、その他
必要に応じてN2ガス等を共存させ、Arイオンをター
ゲットに衝撃させ、放出されたイオンないし原子を基板
上に付着させる。膜組成はペレットの組成及びスパッタ
条件を変えることにより調整しうる。
実施例
組成14o Aで 。、23 NO,45のペレッ
トをタープッl〜として1〜6mTorrのArをスパ
ッタガスとして用い、ターゲット−基板距離60#、R
[電力1〜10W / cnF、基板温度200〜40
0℃の条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し
、ざらにAl電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッ
ドを作成した。
トをタープッl〜として1〜6mTorrのArをスパ
ッタガスとして用い、ターゲット−基板距離60#、R
[電力1〜10W / cnF、基板温度200〜40
0℃の条件を調整して、上記組成の発熱抵抗体を製作し
、ざらにAl電極、保護膜を順に成膜してサーマルヘッ
ドを作成した。
なお、基板表面層及び保護層にはAl及びSiの他にN
oを少量含有させた。得られたサーマルヘッドに対して
、次ぎのテストを行った。
oを少量含有させた。得られたサーマルヘッドに対して
、次ぎのテストを行った。
x= 0.32のサンプルに対してパルス幅0.3m秒
、周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして
従来のTa2N発熱抵抗体Aと、Zr−8i発熱抵抗体
Cに対する耐熱パルスデストの結果を第2図に併記した
。第2図のBは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
、周期2m秒の熱パルスを加えたときの抵抗値変化率を
第2図に示した。またNoの含有率による抵抗率及び抵
抗温度係数を第3図に示した。なお対照サンプルとして
従来のTa2N発熱抵抗体Aと、Zr−8i発熱抵抗体
Cに対する耐熱パルスデストの結果を第2図に併記した
。第2図のBは本発明による発熱抵抗体を用いたサーマ
ルヘッドを示す。
[作用効果]
第2図から分るように、本発明の)to−Al −N未
発熱抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パルスを多数
加えても抵抗値が変らず、耐熱性が食い。従来の発熱抵
抗体A(Ta2N)やC(Zr−3i)では成る一定数
の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる。
発熱抵抗体Bを用いたサーマルヘッドは熱パルスを多数
加えても抵抗値が変らず、耐熱性が食い。従来の発熱抵
抗体A(Ta2N)やC(Zr−3i)では成る一定数
の熱パルスを越えると抵抗の変化が大きくなる。
第3図から分るように、本発明の発熱抵抗体は高融点金
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
属の含有量に応じてその抵抗率及び抵抗温度係数が大き
く変動する。従って高融点金属の含有率を調整すること
によってこれらの値を所望の値に設計することができる
。
耐熱性の向上には発熱体面内の温度分布の均一化、及び
熱膨張係数の減少によるものと思われる。
熱膨張係数の減少によるものと思われる。
また発熱体中に^lを含むためにAI2電極を用いても
それが発熱体中へ拡散するおそれがなく、従って安価な
Al電極を給電用に用いることができる。また、耐摩耗
保護膜にMo、Al、Nを含有した材料を用いれば、相
互間のなじみが良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に
強くなり、クラック・剥離等の発生が抑制される。また
、本発明の発熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿
気の影響を受は難い。
それが発熱体中へ拡散するおそれがなく、従って安価な
Al電極を給電用に用いることができる。また、耐摩耗
保護膜にMo、Al、Nを含有した材料を用いれば、相
互間のなじみが良くなって密着性が向上し、熱衝撃等に
強くなり、クラック・剥離等の発生が抑制される。また
、本発明の発熱抵抗体は耐薬品性に優れ、アルカリや湿
気の影響を受は難い。
第1図はサーマルヘッドの構造を示す断面図、第2図は
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示すグラフ、及び第3図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。
本発明の発熱抵抗体を用いたサーマルヘッド及び従来例
の耐熱テストを示すグラフ、及び第3図は本発明のサー
マルヘッドにおいて発熱抵抗体中に含有される高融点金
属と抵抗率及び抵抗温度係数との関係を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱絶縁層を有する下地基板に、高融点金属とアルミ
ニウムと窒素とを主成分とする発熱抵抗体薄膜を設け、
その表面に耐摩耗性保護膜を形成し、さらに前記抵抗体
に電力供給用電極を接続した、薄膜型サーマルヘッド。 2、高融点金属がTi、Mo、W、Hf、Ni、V、Z
r、La、Cr、Ta、Fe、Coよりなる群から選ば
れる前記第1項記載のサーマルヘッド。 3、耐摩耗性保護膜が窒素と、アルミニウムと、高融点
金属のうち少なくとも2種の元素を含んでいる前記第1
項記載のサーマルヘッド。 4、電力供給用電極がAl単層である前記第1項ないし
第3項のいずれかに記載のサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044250A JPS62201265A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61044250A JPS62201265A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201265A true JPS62201265A (ja) | 1987-09-04 |
Family
ID=12686282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61044250A Pending JPS62201265A (ja) | 1986-03-03 | 1986-03-03 | 薄膜型サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201265A (ja) |
-
1986
- 1986-03-03 JP JP61044250A patent/JPS62201265A/ja active Pending
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