JPS6290531A - イオンセンサの製造方法 - Google Patents
イオンセンサの製造方法Info
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■４発明の背景
［技術分野］
この発明は目的とするイオンを選択的に透過させるイオ
ンキャリヤ膜を用いたイオンセンサ及びその製造方法に
関する。
ンキャリヤ膜を用いたイオンセンサ及びその製造方法に
関する。
［先行技術］
試料液中の特定イオン濃度を測定する方法として受光分
析によるスペクトル法が知られているが、その方法は装
置が大型化し、診断現場での使用に適さず、かつ測定時
間が長くかかるなどの欠点がある。
析によるスペクトル法が知られているが、その方法は装
置が大型化し、診断現場での使用に適さず、かつ測定時
間が長くかかるなどの欠点がある。
この欠点を回避するイオンセンサとしてバリノマイシン
を担持させた高分子膜を用い、内部液室を設けた液膜電
極が知られている。しかし、内部液室を有するため、装
置を微小化することが困難であり、かつ液漏れ、汚染な
どの問題もあり、必ずしも好ましものではない。
を担持させた高分子膜を用い、内部液室を設けた液膜電
極が知られている。しかし、内部液室を有するため、装
置を微小化することが困難であり、かつ液漏れ、汚染な
どの問題もあり、必ずしも好ましものではない。
そこで、従来のバリノマイシン担持高分子膜を用い、内
部液室を設けた液膜電極からなるイオンセンサの欠点を
除外し、これに代わるものとして、イオン感応基体に直
接、イオンキャリヤ膜を被覆したイオンセンサが提案さ
れている。しかし、このようにイオン感応基体に直接、
イオンキャリヤ膜を所望の厚みで均一に被覆することは
容易ではない。例えば、この場合、一般的な手段として
、浸漬塗付法が考えられるが、その場合、浸漬用溶液の
粘度、侵漬引き上げ速度あるいは乾燥条件の調整が困難
であり、膜厚にばらつきが生じ易い。さらに工程的に面
倒で長時間を要するなどの問題もある。
部液室を設けた液膜電極からなるイオンセンサの欠点を
除外し、これに代わるものとして、イオン感応基体に直
接、イオンキャリヤ膜を被覆したイオンセンサが提案さ
れている。しかし、このようにイオン感応基体に直接、
イオンキャリヤ膜を所望の厚みで均一に被覆することは
容易ではない。例えば、この場合、一般的な手段として
、浸漬塗付法が考えられるが、その場合、浸漬用溶液の
粘度、侵漬引き上げ速度あるいは乾燥条件の調整が困難
であり、膜厚にばらつきが生じ易い。さらに工程的に面
倒で長時間を要するなどの問題もある。
ＩＩ 、発明の目的
この発明は応答速度が早く、かつ試料液中の共存イオン
の影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化を図
ることが可能なイオンセンサを提供することを目的とす
る。
の影響、流体の脈動の影響が少なく、装置の微小化を図
ることが可能なイオンセンサを提供することを目的とす
る。
前記目的を達成するために、この発明は少なくとも一端
が開口したチューブと、該チューブ内に、上記開口部よ
り若干後退させて設けられたイオン感応基体と、上記チ
ューブと感応基体との間に充填され、該感応基体の上記
チューブ開口部側の面と直接密着して覆い、目的イオン
を選択的に透過させるイオンキャリヤ膜とを具備してな
ることを特徴とするイオンセンサを提供するものである
。
が開口したチューブと、該チューブ内に、上記開口部よ
り若干後退させて設けられたイオン感応基体と、上記チ
ューブと感応基体との間に充填され、該感応基体の上記
チューブ開口部側の面と直接密着して覆い、目的イオン
を選択的に透過させるイオンキャリヤ膜とを具備してな
ることを特徴とするイオンセンサを提供するものである
。
上記発明の具体的態様として第１にチューブがイオンキ
ャリヤ膜組成と同じ組成であるイオンセンサを提供する
。
ャリヤ膜組成と同じ組成であるイオンセンサを提供する
。
第２にチューブが電気絶縁性の材質からなるイオンセン
サをさらに提供する。
サをさらに提供する。
第３に、イオン感応基体のチューブ開口部側の面と直接
密着して覆っているイオンキャリヤ膜の厚みが５０μｍ
ないし３ｍｍのイオンセンサをさらに提供する。
密着して覆っているイオンキャリヤ膜の厚みが５０μｍ
ないし３ｍｍのイオンセンサをさらに提供する。
第４に上記イオンキャリヤ膜がイオンキャリヤ、電解質
を分散して含有するベースポリマーからなるイオンセン
サをさらに提供する。
を分散して含有するベースポリマーからなるイオンセン
サをさらに提供する。
第５に上記イオン感応基体が白金、銀、銀／塩化銀、銅
、ニッケル又はパラジウムからなる線状体、あるいはこ
れら物質を表面に被覆したカーボン電極および酸化還元
膜を被覆したカーボン電極、カーボン電極、半導体（Ｓ
ｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ，、ＳｉＣなど）から選ばれるもので
あるイオンセンサをさらに提供する。
、ニッケル又はパラジウムからなる線状体、あるいはこ
れら物質を表面に被覆したカーボン電極および酸化還元
膜を被覆したカーボン電極、カーボン電極、半導体（Ｓ
ｎＯ２，Ｉｎ２Ｏ，、ＳｉＣなど）から選ばれるもので
あるイオンセンサをさらに提供する。
第６に上記目的イオンがカリウムイオンであり、イオン
キャリヤがバリノマイシンであるイオンセンサをさらに
提供する。
キャリヤがバリノマイシンであるイオンセンサをさらに
提供する。
第７に上記目的イオンがナトリウムイオンであり、イオ
ンキャリヤがベンゾ１５−クラウン５であるイオンセン
サをさらに提供する。 ・第８に上記イオン感応基体の
周面に絶縁材が施されているイオンセンサをさらに提供
する。
ンキャリヤがベンゾ１５−クラウン５であるイオンセン
サをさらに提供する。 ・第８に上記イオン感応基体の
周面に絶縁材が施されているイオンセンサをさらに提供
する。
次にこの発明はイオン感応基体（内部電８ｉ）に任意の
厚みのイオンキャリヤ膜を簡単に再現性良く被覆するこ
とができるイオンセンサの製造方法を提供することを目
的とする。又、イオンセンサの製造後に使用者がイオン
感応基体（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオン
センサの製造方法を提供することを目的とする。
厚みのイオンキャリヤ膜を簡単に再現性良く被覆するこ
とができるイオンセンサの製造方法を提供することを目
的とする。又、イオンセンサの製造後に使用者がイオン
感応基体（内部電極）を任意の厚みに加工できるイオン
センサの製造方法を提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明のくオンセンサの製
造方法は、イオン感応基体を、該基体を挿入し得る所定
内径を有するチューブ内に該基体の先端が該チューブの
先端より、内方に引込んだ位置に挿入保持せしめる工程
と、その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペースト
・レジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前記イ
オン感応基体先端とチューブ先端との間を含めて前記イ
オン感応基体とチューブとの間に充填する工程と、この
充填されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲル化させ
る工程とを具備する。
造方法は、イオン感応基体を、該基体を挿入し得る所定
内径を有するチューブ内に該基体の先端が該チューブの
先端より、内方に引込んだ位置に挿入保持せしめる工程
と、その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペースト
・レジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前記イ
オン感応基体先端とチューブ先端との間を含めて前記イ
オン感応基体とチューブとの間に充填する工程と、この
充填されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲル化させ
る工程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チューブがセラミック、硬質プラスチック、
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電
極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれ
るものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００ｔでおこなうものである態様； 第７に前記イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の
先端がチューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置
に来るように、スペーサの厚みだけ引込んで保持される
態様； 第８に前記チューブの先端は、イオン感応基体の先端が
チューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置に来る
ように、切り取られる態様；である。
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電
極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれ
るものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００ｔでおこなうものである態様； 第７に前記イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の
先端がチューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置
に来るように、スペーサの厚みだけ引込んで保持される
態様； 第８に前記チューブの先端は、イオン感応基体の先端が
チューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置に来る
ように、切り取られる態様；である。
又、本発明のイオンセンサの製造方法は、イオン感応基
体を、該基体を挿入し得る所定内径を有するチューブ内
に挿入し、該基体の先端と該チューブの先端との相対的
位置関係を調整してイオンキャリヤ膜の膜厚を決定する
工程と、その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペー
スト・レジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前
記イオン感応基体先端とチューブ先端との間を含めて前
記イオン感応基体と絶縁チューブとの間に充填する工程
と、この充填されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲ
ル化させる工程とを具備する。
体を、該基体を挿入し得る所定内径を有するチューブ内
に挿入し、該基体の先端と該チューブの先端との相対的
位置関係を調整してイオンキャリヤ膜の膜厚を決定する
工程と、その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペー
スト・レジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前
記イオン感応基体先端とチューブ先端との間を含めて前
記イオン感応基体と絶縁チューブとの間に充填する工程
と、この充填されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲ
ル化させる工程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チューブがセラミック、硬質プラスチック、
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく５非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電
極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれ
るものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００℃でおこなうものである態様； 第７に前記イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の
先端がチューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置
に来るようにスペーサの厚みだけ引込んで保持される態
様； 第８に前記チューブの先端は、イオン感応基体の先端が
チューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置に来る
ように、切り取られる態様；である。
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく５非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電
極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれ
るものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００℃でおこなうものである態様； 第７に前記イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の
先端がチューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置
に来るようにスペーサの厚みだけ引込んで保持される態
様； 第８に前記チューブの先端は、イオン感応基体の先端が
チューブの先端から所望の距離だけ引込んだ位置に来る
ように、切り取られる態様；である。
又、本発明のイオンセンサの製造方法は、イオン感応基
体を、該基体を挿入し得る所定内径を有するチューブ内
に該基体の先端が該チューブの先端より、内方に引込ん
だ位置に挿入保持せしめる工程と、その状態でイオンキ
ャリヤ、電解質およびペースト・レジンを含むゾル状イ
オンキャリヤ膜組成物を前記イオン感応基体先端とチュ
ーブ先端との間を含めて前記イオン感応基体とチューブ
との間に充填する工程と、この充填されたゾル状イオン
キャリヤ膜組成物をゲル化させる工程と、前記イオン感
応基体先端のゲル状イオンキャリヤ膜の膜厚を決定する
工程とを具備する。
体を、該基体を挿入し得る所定内径を有するチューブ内
に該基体の先端が該チューブの先端より、内方に引込ん
だ位置に挿入保持せしめる工程と、その状態でイオンキ
ャリヤ、電解質およびペースト・レジンを含むゾル状イ
オンキャリヤ膜組成物を前記イオン感応基体先端とチュ
ーブ先端との間を含めて前記イオン感応基体とチューブ
との間に充填する工程と、この充填されたゾル状イオン
キャリヤ膜組成物をゲル化させる工程と、前記イオン感
応基体先端のゲル状イオンキャリヤ膜の膜厚を決定する
工程とを具備する。
さらに、本発明は前記イオンセンサの製造方法において
以下の実施態様を含む。
以下の実施態様を含む。
第１に前記チューブがセラミック、硬質プラスチック、
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化電極、白金電極、銀電極
、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれる
ものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００℃でおこなうものである態様； 第７にゲル状イオンキャリヤ膜の膜厚はゲル状イオンキ
ャリヤ膜を充填したチューブの先端をイオン感応基体先
端とチューブの先端が所望の距■になるよう切り取る態
様；である。
および軟質プラスチックから選ばれるものである態様； 第２に前記イオンキャリヤ膜組成物が可塑材をさらに含
むものである態様； 第３に前記ペースト・レジンが経時変化が少なく、非発
泡性のものである態様； 第４にイオンキャリヤがテトラドデシルアミン、バリノ
マイシン、クラウン化合物、リン酸エステルなどから選
ばれるものである態様；第５にイオン感応基体が酸化還
元膜被覆カーボン電極、銀塩化電極、白金電極、銀電極
、銅電極、ニッケル電極、半導体電極などから選ばれる
ものである態様； 第６に前記ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程
を温度８０〜２００℃でおこなうものである態様； 第７にゲル状イオンキャリヤ膜の膜厚はゲル状イオンキ
ャリヤ膜を充填したチューブの先端をイオン感応基体先
端とチューブの先端が所望の距■になるよう切り取る態
様；である。
Ｉｌｌ 、発明の詳細な説明
第１図に示す如く、底面（イオン感応部）１１を除いて
、表面に絶縁塗料１２を塗布した直径１ｍｍの白金線か
らなるイオン感応基体１３を予め用意し、これを内径１
．５ｍｍ、長さ５０ｍｍのチューブ（たとえばテフロン
チューブ）１４内に所望の位置関係を以って保持させる
。なお、イオン感応基体１３の上端にはリード線（たと
えば銅線）１５が導電性接着剤（または半田）１６を介
して固着されている。
、表面に絶縁塗料１２を塗布した直径１ｍｍの白金線か
らなるイオン感応基体１３を予め用意し、これを内径１
．５ｍｍ、長さ５０ｍｍのチューブ（たとえばテフロン
チューブ）１４内に所望の位置関係を以って保持させる
。なお、イオン感応基体１３の上端にはリード線（たと
えば銅線）１５が導電性接着剤（または半田）１６を介
して固着されている。
次に、このような位置関係を保持した状態でゾル状のイ
オンキャリヤ組成物１７をチューブ１４の下部とイオン
感応基体１３の下部との間の空隙に注入、充填する。つ
いで加熱下たとえば８０〜２００℃でイオンキャリヤ組
成物をゲル化させる。
オンキャリヤ組成物１７をチューブ１４の下部とイオン
感応基体１３の下部との間の空隙に注入、充填する。つ
いで加熱下たとえば８０〜２００℃でイオンキャリヤ組
成物をゲル化させる。
次に必要に応じ、イオン感応基体１３の上部とチューブ
１４の上部との間隙に絶縁性接着剤１８を充填し硬化さ
せてイオンセンサが作製される。
１４の上部との間隙に絶縁性接着剤１８を充填し硬化さ
せてイオンセンサが作製される。
この方法によれば、イオン感応基体１３の底面（Ｉ！５
応部）１１上の膜厚“Ｄ″はチューブ１４の開口端とイ
オン感応基体１３の底面とのずれ距離“ｄ”を任意に調
節することで一定に制御することができる。又、イオン
感応基体１３側面の水平方向の膜厚“Ｌ”はチューブ１
４の内径とイオン感応基体１３の外径との差“見“を任
意に調節することにより一定に制御することができる。
応部）１１上の膜厚“Ｄ″はチューブ１４の開口端とイ
オン感応基体１３の底面とのずれ距離“ｄ”を任意に調
節することで一定に制御することができる。又、イオン
感応基体１３側面の水平方向の膜厚“Ｌ”はチューブ１
４の内径とイオン感応基体１３の外径との差“見“を任
意に調節することにより一定に制御することができる。
なお、上記チューブ１４の材質は用途に応じ無機のもの
、たとえばセラミック、あるいは有機質のもの、たとえ
ば硬質プラスチック、軟質プラスチック等を適宜選択す
ることがでとる。 イオンキャリヤ膜組成物としてはイ
オンキャリヤ、電解質およびこれらを分散、担持し得る
ペースト・レジンを含むものを任意に選択し得る。又、
可塑材その他の添加剤を発明の目的を損わない限り含め
ることもできる。上記ペースト・レジンは経時変化が少
なく、非発泡性のものが好ましい。上記イオンキャリヤ
は測定すべとイオンの種類に応じ適宜選択し得る。たと
えばテトラドデシルアミン、バリノマイシン、クラウン
化合物、リン酸エステル等を用いることができる。
、たとえばセラミック、あるいは有機質のもの、たとえ
ば硬質プラスチック、軟質プラスチック等を適宜選択す
ることがでとる。 イオンキャリヤ膜組成物としてはイ
オンキャリヤ、電解質およびこれらを分散、担持し得る
ペースト・レジンを含むものを任意に選択し得る。又、
可塑材その他の添加剤を発明の目的を損わない限り含め
ることもできる。上記ペースト・レジンは経時変化が少
なく、非発泡性のものが好ましい。上記イオンキャリヤ
は測定すべとイオンの種類に応じ適宜選択し得る。たと
えばテトラドデシルアミン、バリノマイシン、クラウン
化合物、リン酸エステル等を用いることができる。
イオン感応基体１３としては特に制限はなく、酸化還元
膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極
、パラジウム電極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極
など適宜選択することができる。イオン感応基体１３の
感応部１７の膜厚” Ｄ ”は一般には５０μｍないし
３ｍｍの範囲で適宜選択される。
膜被覆カーボン電極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極
、パラジウム電極、銅電極、ニッケル電極、半導体電極
など適宜選択することができる。イオン感応基体１３の
感応部１７の膜厚” Ｄ ”は一般には５０μｍないし
３ｍｍの範囲で適宜選択される。
Ｍ３図（ａ）〜（Ｃ）に第１例のイオンセンサの製造方
法説明図を示す。第４図（ａ）、（ｂ）の第１例のイオ
ンセンサの製造方法のフローチャートに従って、具体的
に第１例の製造方法を説明する。
法説明図を示す。第４図（ａ）、（ｂ）の第１例のイオ
ンセンサの製造方法のフローチャートに従って、具体的
に第１例の製造方法を説明する。
まずステップ３４１で第３図（ａ）の左図に示すように
、感応部１７の膜厚“Ｄ”の厚みを持ったスペーサ１９
を絶縁チューブ１４にセットする。尚、スペーサ１９の
中央部にはイオン感応基体１３を容易にセット出来るよ
うに窪が作られている。ステップＳ４２で第３図（ａ）
の中央図に示すように、イオン感応基体１３をチューブ
１４に挿入セットする。ステップ５４３−４４で第３図
（ａ）の右図のように、イオン感応基体１３を絶縁性接
着剤１８でチューブ１４に固定する。次に、ステップＳ
４５で第３図（ｂ）の左図のように絶縁チューブ１４の
先端を上にして、ステップＳ４６で第３図（ｂ）の右図
のようにゾル状イオンキャリヤ膜組成物１７ａをチュー
ブ１４の先端部に充填する。ステップ３４７−４８で第
３図（Ｃ）に示すように、８０〜２００℃で加熱し、ゾ
ル状イオンキャリヤ膜組成物１７ａをゲル状イオンキャ
リヤ膜組成物１７ｂに変えて、イオンセンサ２０の製造
が完了する。
、感応部１７の膜厚“Ｄ”の厚みを持ったスペーサ１９
を絶縁チューブ１４にセットする。尚、スペーサ１９の
中央部にはイオン感応基体１３を容易にセット出来るよ
うに窪が作られている。ステップＳ４２で第３図（ａ）
の中央図に示すように、イオン感応基体１３をチューブ
１４に挿入セットする。ステップ５４３−４４で第３図
（ａ）の右図のように、イオン感応基体１３を絶縁性接
着剤１８でチューブ１４に固定する。次に、ステップＳ
４５で第３図（ｂ）の左図のように絶縁チューブ１４の
先端を上にして、ステップＳ４６で第３図（ｂ）の右図
のようにゾル状イオンキャリヤ膜組成物１７ａをチュー
ブ１４の先端部に充填する。ステップ３４７−４８で第
３図（Ｃ）に示すように、８０〜２００℃で加熱し、ゾ
ル状イオンキャリヤ膜組成物１７ａをゲル状イオンキャ
リヤ膜組成物１７ｂに変えて、イオンセンサ２０の製造
が完了する。
第５図に第２例のイオンセンサの製造方法説明図を示す
。尚、第５図には第３図（ａ）〜（ｃ）と共通する工程
は図示されていない。第６図（ａ）、（ｂ）の第２例の
イオンセンサの製造方法のフローチャートに従って、具
体的に第２例の製造方法を説明する。
。尚、第５図には第３図（ａ）〜（ｃ）と共通する工程
は図示されていない。第６図（ａ）、（ｂ）の第２例の
イオンセンサの製造方法のフローチャートに従って、具
体的に第２例の製造方法を説明する。
まずステップＳ６１で、イオン感応基体１３を充分な距
離”Ｘ”だけチューブ１４から引込めて、チューブ１４
に挿入セットする。ステップ５６２−６３で、イオン感
応基体１３を絶縁性接着剤１８でチューブ１４に固定す
る。次に、ステップＳ６４でチューブ１４の先端を上に
して、ステップＳ６５でゾル状イオンキャリヤ膜組成物
１７ａをチューブ１４の先端部に充填する。ステップＳ
６ロー６７では８０〜２００℃で加熱し、ゾル状イオン
キャリヤ膜組成物１７ａをゲル状イオンキャリヤ膜組成
物１フｂに変える。最後に、ステップ３６Ｂで第５図に
示すように、チューブ１４の先端を感応部１７の膜厚が
“Ｄ”の厚みを持つように切り取って、イオンセンサ２
０の製造が完了する。
離”Ｘ”だけチューブ１４から引込めて、チューブ１４
に挿入セットする。ステップ５６２−６３で、イオン感
応基体１３を絶縁性接着剤１８でチューブ１４に固定す
る。次に、ステップＳ６４でチューブ１４の先端を上に
して、ステップＳ６５でゾル状イオンキャリヤ膜組成物
１７ａをチューブ１４の先端部に充填する。ステップＳ
６ロー６７では８０〜２００℃で加熱し、ゾル状イオン
キャリヤ膜組成物１７ａをゲル状イオンキャリヤ膜組成
物１フｂに変える。最後に、ステップ３６Ｂで第５図に
示すように、チューブ１４の先端を感応部１７の膜厚が
“Ｄ”の厚みを持つように切り取って、イオンセンサ２
０の製造が完了する。
尚、第２例の製造方法において、チューブ１４の先端の
切り取りは、ステップＳ６３のイオン感応基体１３を絶
縁性接着剤１８でチューブ１４に固定した直後に行って
もよい。又、イオン感応基体１３をチューブ１４に挿入
セットする手法は本例に限らない。
切り取りは、ステップＳ６３のイオン感応基体１３を絶
縁性接着剤１８でチューブ１４に固定した直後に行って
もよい。又、イオン感応基体１３をチューブ１４に挿入
セットする手法は本例に限らない。
この発明のイオンセンサの製造方法によれば、イオン感
応基体にイオンキャリヤ膜を被覆する方法として、チュ
ーブを用い、これにイオン感応基体を挿入し、その位置
関係を任意に調節するとともに、プラスチゾル状イオン
キャリヤ膜組成物をその間隙に充填し、ゲル化するよう
にしたから被膜工程が簡素化され、処理時間の短縮が図
れるとともに、膜厚の制御が容易となり一定厚のイオン
キャリヤ膜を再現性よく形成することができる。
応基体にイオンキャリヤ膜を被覆する方法として、チュ
ーブを用い、これにイオン感応基体を挿入し、その位置
関係を任意に調節するとともに、プラスチゾル状イオン
キャリヤ膜組成物をその間隙に充填し、ゲル化するよう
にしたから被膜工程が簡素化され、処理時間の短縮が図
れるとともに、膜厚の制御が容易となり一定厚のイオン
キャリヤ膜を再現性よく形成することができる。
また、任意の形状の内部電極のイオンセンサを製造する
場合にも極めて有利となる。更に、イオンキャリア膜の
膜厚を使用者が自由に決定できる方法をも示した。
場合にも極めて有利となる。更に、イオンキャリア膜の
膜厚を使用者が自由に決定できる方法をも示した。
次に、本発明によるイオンセンサの具体例を数例挙げる
。
。
（実施例１）
第１図は本発明の一実施例に係わるイオンセンサを示す
ものであって、図中１３は周面に絶縁塗料１２をコート
した直径１ｍｍの白金線からなるイオン感応基体である
。このイオン感応基体１３のチューブ開口部側の下端面
１１（イオン感応部位）には２〜３ｍｍの厚みを持って
、又、下部周面には１ｍｍの厚みを持ってイオンキャリ
ヤ膜１７が直接被覆されている。さらにイオンキャリヤ
膜１７の外表面には下面を除き、周面にチューブ、たと
えばテフロンチューブ１４（内径１．５ｍｍ、長さ５０
ｍｍ）が密着して設けられている。このイオン感応基体
１の上部とテフロンチューブ１４上部との間には絶縁性
接着剤（たとえばスリーボンドＴＢ−２０６７）１８が
充填されている。なお、図中１５は上記基体１３の上端
に接続したリード線（たとえば銅線）である。
ものであって、図中１３は周面に絶縁塗料１２をコート
した直径１ｍｍの白金線からなるイオン感応基体である
。このイオン感応基体１３のチューブ開口部側の下端面
１１（イオン感応部位）には２〜３ｍｍの厚みを持って
、又、下部周面には１ｍｍの厚みを持ってイオンキャリ
ヤ膜１７が直接被覆されている。さらにイオンキャリヤ
膜１７の外表面には下面を除き、周面にチューブ、たと
えばテフロンチューブ１４（内径１．５ｍｍ、長さ５０
ｍｍ）が密着して設けられている。このイオン感応基体
１の上部とテフロンチューブ１４上部との間には絶縁性
接着剤（たとえばスリーボンドＴＢ−２０６７）１８が
充填されている。なお、図中１５は上記基体１３の上端
に接続したリード線（たとえば銅線）である。
イオンキャリヤ組成物の具体例として、カリウムイオン
濃度測定用のものとしては下記の組成のものが用いられ
る。
濃度測定用のものとしては下記の組成のものが用いられ
る。
（カリウムイオンキャリヤ組成物）
ポリ塩化ビニル、ペーストレンジ
（平均ｆｆｉ合度： １０５０） ２ｏｏｆｆ
ｉｆｆｉ部バリノマイシン １０〃ジ
オクチルセバシン酸 ４００〃。−ニトロフェ
ニルオクチルエーテル ４００〃バリノマイシンを。−
ニトロフェニルオクチルエーテルに溶解したのちジオク
チルセバシン酸を加え、次にポリ塩化ビニル・ペースト
レジンを加えて十分に攪拌したのち、１０−’ｍｍＨｇ
以下の減圧下で５時間以上攪拌しながら脱泡することに
よりプラスチゾル状のイオンキャリヤ組成物を得た。
ｉｆｆｉ部バリノマイシン １０〃ジ
オクチルセバシン酸 ４００〃。−ニトロフェ
ニルオクチルエーテル ４００〃バリノマイシンを。−
ニトロフェニルオクチルエーテルに溶解したのちジオク
チルセバシン酸を加え、次にポリ塩化ビニル・ペースト
レジンを加えて十分に攪拌したのち、１０−’ｍｍＨｇ
以下の減圧下で５時間以上攪拌しながら脱泡することに
よりプラスチゾル状のイオンキャリヤ組成物を得た。
このプラスチゾルを電極先端部１７に充填したのち、す
ばやくオーブンを用いて１４０℃に加熱することにより
２−５分間でゲル化することができる。
ばやくオーブンを用いて１４０℃に加熱することにより
２−５分間でゲル化することができる。
次に第２図に示す如く、このイオンセンサ２０を用い、
基準電極（飽和ナトリウムカロメル電極）２１との間の
電位差を測定することにより試料液２２中のカリウム濃
度を測定した。なお、この測定は本発明のイオンセンサ
の安定性を検討するため濃度１０”’Ｍ／ＩＫｃＩ溶液
５０ｍＪ溶液５科 第７図に示す如く、一定電位差（３００±５ｍＶ）（２
５．ｏ℃±０．１℃）が得られた。
基準電極（飽和ナトリウムカロメル電極）２１との間の
電位差を測定することにより試料液２２中のカリウム濃
度を測定した。なお、この測定は本発明のイオンセンサ
の安定性を検討するため濃度１０”’Ｍ／ＩＫｃＩ溶液
５０ｍＪ溶液５科 第７図に示す如く、一定電位差（３００±５ｍＶ）（２
５．ｏ℃±０．１℃）が得られた。
さらに、試料液中のカリウムイオン濃度を７、５Ｘ１
０−３Ｍ／ｌ，７．５Ｘ１ ０”２Ｍ／ｌ。
０−３Ｍ／ｌ，７．５Ｘ１ ０”２Ｍ／ｌ。
７、５Ｘ１０−’Ｍ／ｉと変化させ、それぞれについて
の平衡電位値を測定したところ、第８図のように、２４
５ｍＶ，３０５ｍＶ，３６０ｍＶとなり、これらの相関
関係からネルンスト式を満足する直線が得られ、その勾
配から５ ８ ｍ Ｖ ／ ｌ ｏ ｇ（ ［Ｋ” ］
／ｍｏｌ ・ｄｍ−３）を得た。この時の応答速度は
６０秒以内であった。
の平衡電位値を測定したところ、第８図のように、２４
５ｍＶ，３０５ｍＶ，３６０ｍＶとなり、これらの相関
関係からネルンスト式を満足する直線が得られ、その勾
配から５ ８ ｍ Ｖ ／ ｌ ｏ ｇ（ ［Ｋ” ］
／ｍｏｌ ・ｄｍ−３）を得た。この時の応答速度は
６０秒以内であった。
（実施例２）
上記実施例１における白金線の代わりに直径１ｍｍの銀
線を用いた以外は上記実施例１と同様にしてイオンセン
サをつくり、これを用いて同様のカリウムイオン濃度測
定をおこなった。その結果を第７図および第８図に示す
。なお、この場合において第７図に示す結果は１ 、
５ Ｘ １ ０−’Ｍ／ｆｌＫＣＩ溶液５０ｍ１中で
１０時間連続測定した場合、第８図は試料液中のカリウ
ムイオン濃度を２ Ｘ １ ０−’Ｍ／ｌ〜９ｘｌＯ−
２Ｍ／文に変化させたときのものである。この第８図に
示す直線の勾配から３ ０ ｍ Ｖ ／ Ａ． ｏ ｇ
（ ［ Ｋ ” 、１ ／ ｍ ｏ ｌ ・ｄｍ””
）を得た。
線を用いた以外は上記実施例１と同様にしてイオンセン
サをつくり、これを用いて同様のカリウムイオン濃度測
定をおこなった。その結果を第７図および第８図に示す
。なお、この場合において第７図に示す結果は１ 、
５ Ｘ １ ０−’Ｍ／ｆｌＫＣＩ溶液５０ｍ１中で
１０時間連続測定した場合、第８図は試料液中のカリウ
ムイオン濃度を２ Ｘ １ ０−’Ｍ／ｌ〜９ｘｌＯ−
２Ｍ／文に変化させたときのものである。この第８図に
示す直線の勾配から３ ０ ｍ Ｖ ／ Ａ． ｏ ｇ
（ ［ Ｋ ” 、１ ／ ｍ ｏ ｌ ・ｄｍ””
）を得た。
（実施例３）
実施例２と同様に直径１ｍｍの銀線を用い、カリウムイ
オンキャリヤ膜の代わりにペースト状ポリ塩化ビニルを
ベースポリマーとするナトリウムイオンキャリヤ膜を被
覆したナトリウムイオンセンサを作成し、実施例２と同
様にして試料液中のナトリウムイオン濃度の測定をおこ
なった。その測定結果を第９図に示す。なお、この場合
、試料ン夜中のナトリウムイオン？農度をＩ Ｍ／ｉ〜
１０３Ｍ／ｌに変化させた。この得られた直線勾配から
２ ０ ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ ［Ｎａ” ］ （ ２
５℃±０．１℃）が得られた。
オンキャリヤ膜の代わりにペースト状ポリ塩化ビニルを
ベースポリマーとするナトリウムイオンキャリヤ膜を被
覆したナトリウムイオンセンサを作成し、実施例２と同
様にして試料液中のナトリウムイオン濃度の測定をおこ
なった。その測定結果を第９図に示す。なお、この場合
、試料ン夜中のナトリウムイオン？農度をＩ Ｍ／ｉ〜
１０３Ｍ／ｌに変化させた。この得られた直線勾配から
２ ０ ｍＶ／ｄｅｃａｄｅ ［Ｎａ” ］ （ ２
５℃±０．１℃）が得られた。
この実施例におけるナトリウムイオンキャリャ膜の組成
は以下のものであった。
は以下のものであった。
（ナトリウムイオンキャリヤ組成物）
ペースト状ポリ塩化ビニル
（平均重合度：１０５０） ２００ｉ量部ベン
ゾ１５−クラウン５ １０〃ジオクチルセバシン
酸 ４００〃ニトロベンゼン
４００〃（実施例４） 上記実施例１における白金線の代わりに直径１．３ｍｍ
のベーサル・ブレーン・ピロリティック・グラファイト
（ＢＰＧ）を用い、カリウムイオンキャリヤ組成物とし
て ビス［（ベンゾ−１５−クラウン−５）−４′−メチル
］ピメレート（同位化学研究所）（またはビス（ベンゾ
−１５−クラウン−５） ） １
０．、重量部ジオクチルセバシン酸 ２００重
量部ポリ塩化ビニル・ベーストレジン （平均重合度： ８００ ） １００ ）１を
用い、このプラスチゾルを１４０℃で５分間加熱してゲ
ル化することにより膜厚ｉｎｍの塩化ビニル膜を形成し
た。なおりＰＧの一端は、予め導電性接着剤（アミコン
Ｃ−８５０−６）を用いてリード線を接着しておいた。
ゾ１５−クラウン５ １０〃ジオクチルセバシン
酸 ４００〃ニトロベンゼン
４００〃（実施例４） 上記実施例１における白金線の代わりに直径１．３ｍｍ
のベーサル・ブレーン・ピロリティック・グラファイト
（ＢＰＧ）を用い、カリウムイオンキャリヤ組成物とし
て ビス［（ベンゾ−１５−クラウン−５）−４′−メチル
］ピメレート（同位化学研究所）（またはビス（ベンゾ
−１５−クラウン−５） ） １
０．、重量部ジオクチルセバシン酸 ２００重
量部ポリ塩化ビニル・ベーストレジン （平均重合度： ８００ ） １００ ）１を
用い、このプラスチゾルを１４０℃で５分間加熱してゲ
ル化することにより膜厚ｉｎｍの塩化ビニル膜を形成し
た。なおりＰＧの一端は、予め導電性接着剤（アミコン
Ｃ−８５０−６）を用いてリード線を接着しておいた。
このようにして作成したセンサ起電力を試料溶液中のカ
リウムイオン濃度を５Ｘ１０−’から１ｍｏｕ／ｉまで
変えて温度３７℃で測定した。
リウムイオン濃度を５Ｘ１０−’から１ｍｏｕ／ｉまで
変えて温度３７℃で測定した。
ｌＸｌ０−３から１０−’Ｍの範囲の濃度では起電力は
、第１０図に示すようによい直線関係を示し、その直線
の勾配は、５７ｍＶ／ｌｏｇ ［Ｋ”］であった。この
ときの９５％応答に要する時間は、１０−３〜１０’Ｍ
の範囲では１分以内であった。
、第１０図に示すようによい直線関係を示し、その直線
の勾配は、５７ｍＶ／ｌｏｇ ［Ｋ”］であった。この
ときの９５％応答に要する時間は、１０−３〜１０’Ｍ
の範囲では１分以内であった。
（実施例５）（ナトリウムイオンセンサの例）実施例４
と同様にしてＢＰＧ電極の表面に、ナトリウムイオンキ
ャリヤ膜として、 ビス［（１２−クラウン−４）メチルコメチルドデシル
マロネート（同位化学研究所）１０重量部 ジオクチルセバシン酸 ２００〃ポリ塩化ビニ
ル・ベーストレジン （平均重合度： ８００ ） １００ ／／組
成のプラスチゾルを実施例４と同じ条件下で、膜厚１ｍ
ｍに形成した。
と同様にしてＢＰＧ電極の表面に、ナトリウムイオンキ
ャリヤ膜として、 ビス［（１２−クラウン−４）メチルコメチルドデシル
マロネート（同位化学研究所）１０重量部 ジオクチルセバシン酸 ２００〃ポリ塩化ビニ
ル・ベーストレジン （平均重合度： ８００ ） １００ ／／組
成のプラスチゾルを実施例４と同じ条件下で、膜厚１ｍ
ｍに形成した。
この電極を温度３７℃でナトリウムイオン濃度を１ｍＭ
−ＩＭのＮａＣＪｌ溶液を用いて変化させて起電力を測
定した結果、起電力とナトリウムイオン濃度との間には
良い直線関係が成立し、その直線の勾配は、５７ｍＶ／
ｉｏｇ ［Ｎａ＋ ］］／ｍｏｆＬ−ｄｍ−３であった
。また応答速度は９０％応答は１分以内であった。
−ＩＭのＮａＣＪｌ溶液を用いて変化させて起電力を測
定した結果、起電力とナトリウムイオン濃度との間には
良い直線関係が成立し、その直線の勾配は、５７ｍＶ／
ｉｏｇ ［Ｎａ＋ ］］／ｍｏｆＬ−ｄｍ−３であった
。また応答速度は９０％応答は１分以内であった。
なお、上記実施例において、イオン感応基体の感応部位
のイオンキャリヤ膜厚として２〜３ｍｍの場合について
述べたが、この膜厚は一般に５０μｍないし３ｍｍの範
囲で適宜選択することができる。又、イオン感応基体は
上述のものに限らず、銀／塩化銀、又はパラジウムから
なるもの、あるいはこれらの物質を表面に被覆したカー
ボン電極、または、半導体（５ｎ０２ 、 ｒｎｚｏ３
．Ｓｉ（：など）およびカーボン電極を用いることもで
きる。
のイオンキャリヤ膜厚として２〜３ｍｍの場合について
述べたが、この膜厚は一般に５０μｍないし３ｍｍの範
囲で適宜選択することができる。又、イオン感応基体は
上述のものに限らず、銀／塩化銀、又はパラジウムから
なるもの、あるいはこれらの物質を表面に被覆したカー
ボン電極、または、半導体（５ｎ０２ 、 ｒｎｚｏ３
．Ｓｉ（：など）およびカーボン電極を用いることもで
きる。
測定されるイオンもカリウム、ナトリウムに限らず、他
のイオンキャリヤ膜を適宜選択することにより他のイオ
ンの濃度を測定することもできる。
のイオンキャリヤ膜を適宜選択することにより他のイオ
ンの濃度を測定することもできる。
又、イオンキャリヤ膜を被覆するチューブ（第１図中１
４）はイオンセンサの耐久性、安定性の向上を図るうえ
で好ましいが、場合によってはこれを省略しても差支え
ない。
４）はイオンセンサの耐久性、安定性の向上を図るうえ
で好ましいが、場合によってはこれを省略しても差支え
ない。
ＩＶ 、発明の具体的効果
本発明のイオンセンサは比較的厚いイオンキャリヤ膜を
介して選択透過した目的イオンを測定するようにしたか
ら測定液中の共存イオンの影響、測定液の脈動による影
響を受けることがなく、かつイオンの応答も迅速であり
、従来の如き内部液室も必要としないから液漏れのおそ
れがなく、かつ小型化ならびに耐久性の向上を図ること
ができる。
介して選択透過した目的イオンを測定するようにしたか
ら測定液中の共存イオンの影響、測定液の脈動による影
響を受けることがなく、かつイオンの応答も迅速であり
、従来の如き内部液室も必要としないから液漏れのおそ
れがなく、かつ小型化ならびに耐久性の向上を図ること
ができる。
本発明のイオンセンサは上記実施例のほか種々のイオン
メータに組み込んで使用することができる。
メータに組み込んで使用することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わるイオンセンサの一部
断面図、 第２図は第１図に示すイオンセンサの使用例を示す模式
図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は第１例のイオンセンサの製造方
法説明図、 第４図（ａ）、（ｂ）は第１例のイオンセンサの製造方
法のフローチャート、 第５図は第２例のイオンセンサの製造方法説明図、 第６図（ａ）、（ｂ）は第２例のイオンセンサの製造方
法のフローチャート、 第７図〜第１０図は本実施例のイオンセンサを用いて電
位を測定した場合の結果を示す線図である。 図中、１１・・・イオン感応基体底面、１２・・・絶縁
塗料、１３・・・イオン感応基体、１４・・・チューブ
、１５・・・リード線、１６・・・導電性接着剤、１７
・・・イオンキャリア組成物、１７ａ・・・ズル状イオ
ンキャリア組成物、１７ｂ・・・ゲル状イオンキャリア
組成物、１８・・・絶縁性接着剤、１９・・・スペーサ
、２０・・・イオンセンサ、２１・・・基準電極、２２
・・・資料溶液である。
断面図、 第２図は第１図に示すイオンセンサの使用例を示す模式
図、 第３図（ａ）〜（Ｃ）は第１例のイオンセンサの製造方
法説明図、 第４図（ａ）、（ｂ）は第１例のイオンセンサの製造方
法のフローチャート、 第５図は第２例のイオンセンサの製造方法説明図、 第６図（ａ）、（ｂ）は第２例のイオンセンサの製造方
法のフローチャート、 第７図〜第１０図は本実施例のイオンセンサを用いて電
位を測定した場合の結果を示す線図である。 図中、１１・・・イオン感応基体底面、１２・・・絶縁
塗料、１３・・・イオン感応基体、１４・・・チューブ
、１５・・・リード線、１６・・・導電性接着剤、１７
・・・イオンキャリア組成物、１７ａ・・・ズル状イオ
ンキャリア組成物、１７ｂ・・・ゲル状イオンキャリア
組成物、１８・・・絶縁性接着剤、１９・・・スペーサ
、２０・・・イオンセンサ、２１・・・基準電極、２２
・・・資料溶液である。
Claims (27)
- （１）少なくとも一端が開口したチューブと、該チュー
ブ内に前記開口部より後退させて設けられたイオン感応
基体と、前記チューブの開口部とイオン感応基体の開口
部側の面との間に充填された、目的イオンを選択的に透
過させるイオンキャリヤ膜とを具備してなることを特徴
とするイオンセンサ。 - （２）チューブはイオンキャリヤ膜組成と同じ組成であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオン
センサ。 - （３）チューブは電気絶縁性の材質からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のイオンセンサ。 - （４）イオン感応基体の開口部側の面を覆つているイオ
ンキャリヤ膜の厚みを５０μｍから３ｍｍの間とするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンセン
サ。 - （５）イオンキャリヤ膜組成が、イオンキャリヤと電解
質を分散させたポリマからなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のイオンセンサ。 - （６）イオンキャリヤは、テトラドデシルアミン、バリ
ノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステルのグルー
プから選ばれるものであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のイオンセンサ。 - （７）イオン感応基体は、白金、銀、銀／塩化銀、銅、
ニッケルおよびパラジウム、前記物質の表面を被覆した
カーボン電極、カーボン電極および半導体のグループか
ら選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のイオンセンサ。 - （８）イオン感応基体を、該基体を挿入し得る所定内径
を有するチューブ内に該基体の先端が該チューブの先端
より、内方に引込んだ位置に挿入保持せしめる工程と、
その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペースト・レ
ジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前記イオン
感応基体先端とチューブ先端との間を含めて上記イオン
感応基体とチューブとの間に充填する工程と、この充填
されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲル化させる工
程とを具備してなることを特徴とするイオンセンサの製
造方法。 - （９）チューブは、セラミック、硬質プラスチック、お
よび軟質プラスチックのグループから選ばれるものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のイオン
センサの製造方法。 - （１０）イオンキャリヤは、テトラドデシルアミン、
バリノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステルのグ
ループから選ばれるものであることを特徴とする特許請
求の範囲第８項記載のイオンセンサの製造方法。 - （１１）イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カーボン電
極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニッケ
ル電極、半導体電極のグループから選ばれるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のイオンセ
ンサの製造方法。 - （１２）ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程を
温度８０〜２００℃でおこなうものであることを特徴と
する特許請求の範囲第８項記載のイオンセンサの製造方
法。 - （１３）イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の先
端がチューブの先端から所望の距離だけ引っ込んだ位置
に来るように、スペーサの厚みだけ引っ込んで保持され
ることを特徴とする特許請求の範囲第８項記載のイオン
センサの製造方法。 - （１４）チューブの先端は、イオン感応基体の先端がチ
ューブの先端から所望の距離だけ引っ込んだ位置に来る
ように、切り取られることを特徴とする特許請求の範囲
第８項記載のイオンセンサの製造方法。 - （１５）イオン感応基体を、該基体を挿入し得る所定内
径を有するチューブ内に挿入し、該基体の先端と該チュ
ーブの先端との相対的位置関係を調整して、イオンキャ
リヤ膜の膜厚を決定する工程と、その状態でイオンキャ
リヤ、電解質およびペースト・レジンを含むゾル状イオ
ンキャリヤ膜組成物を前記イオン感応基体先端とチュー
ブ先端との間を含めて上記イオン感応基体とチューブと
の間に充填する工程と、この充填されたゾル状イオンキ
ャリヤ膜組成物をゲル化させる工程とを具備してなるこ
とを特徴とするイオンセンサの製造方法。 - （１６）チューブは、セラミック、硬質プラスチック
、および軟質プラスチックのグループから選ばれるもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載の
イオンセンサの製造方法。 - （１７）イオンキャリヤは、テトラドデシルアミン、バ
リノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステルのグル
ープから選ばれるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第１５項記載のイオンセンサの製造方法。 - （１８）イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カーボン電
極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニッケ
ル電極、半導体電極のグループから選ばれるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載のイオン
センサの製造方法。 - （１９）ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程を
温度８０〜２００℃でおこなうものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１５項記載のイオンセンサの製造
方法。 - （２０）イオン感応基体の先端は、イオン感応基体の先
端がチューブの先端から所望の距離だけ引っ込んだ位置
に来るように、スペーサの厚みだけ引っ込んで保持され
ることを特徴とする特許請求の範囲第１５項記載のイオ
ンセンサの製造方法。 - （２１）チューブの先端は、イオン感応基体の先端がチ
ューブの先端から所望の距離だけ引っ込んだ位置に来る
ように、切り取られることを特徴とする特許請求の範囲
第１５項記載のイオンセンサの製造方法。 - （２２）イオン感応基体を、該基体を挿入し得る所定内
径を有するチューブ内に該基体の先端が該チューブの先
端より、内方に引込んだ位置に挿入保持せしめる工程と
、その状態でイオンキャリヤ、電解質およびペースト・
レジンを含むゾル状イオンキャリヤ膜組成物を前記イオ
ン感応基体先端とチューブ先端との間を含めて上記イオ
ン感応基体とチューブとの間に充填する工程と、この充
填されたゾル状イオンキャリヤ膜組成物をゲル化させる
工程と、前記イオン感応基体先端のゲル状イオンキャリ
ヤ膜の膜厚を決定する工程とを具備してなることを特徴
とするイオンセンサの製造方法。 - （２３）チューブは、セラミック、硬質プラスチック、
および軟質プラスチックのグループから選ばれるもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第２２記載のイオ
ンセンサの製造方法。 - （２４）イオンキャリヤは、テトラドデシルアミン、バ
リノマイシン、クラウン化合物、リン酸エステルのグル
ープから選ばれるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第２２項記載のイオンセンサの製造方法。 - （２５）イオン感応基体は、酸化還元膜被覆カーボン電
極、銀塩化銀電極、白金電極、銀電極、銅電極、ニッケ
ル電極、半導体電極のグループから選ばれるものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第２２項記載のイオン
センサの製造方法。 - （２６）ゾル状イオンキャリヤ膜組成物のゲル化工程を
温度８０〜２００℃でおこなうものであることを特徴と
する特許請求の範囲第２２項記載のイオンセンサの製造
方法。 - （２７）ゲル状イオンキャリヤ膜の膜厚は、ゲル状イオ
ンキャリヤ膜を充填したチューブの先端をイオン感応基
体先端とチューブの先端が所望の距離になるように切り
取ることを特徴とする特許請求の範囲第２２項記載のイ
オンセンサの製造方法。
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