JPS6295376A - 発光材料 - Google Patents
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- JPS6295376A JPS6295376A JP23574485A JP23574485A JPS6295376A JP S6295376 A JPS6295376 A JP S6295376A JP 23574485 A JP23574485 A JP 23574485A JP 23574485 A JP23574485 A JP 23574485A JP S6295376 A JPS6295376 A JP S6295376A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特定の粒子径分布金有する導電性金属酸化物(
In403.5n02. Zn0)のうち少くとも1つ
と金およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光体〔ZnS:
Au、l”)とを適当量混合した後低速電子線励起によ
って黄緑色発光を示す発光材料て関するものである。
In403.5n02. Zn0)のうち少くとも1つ
と金およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光体〔ZnS:
Au、l”)とを適当量混合した後低速電子線励起によ
って黄緑色発光を示す発光材料て関するものである。
従来低速電子線励起によって高輝度の緑色発光を示す発
光組成物としては特定の粒度分布を有する導電性金属酸
化物(In203 、5n02. Zn0)のうち少く
とも1つと、ZnS : Au、Al螢光体とを1:9
9乃至1:4の重量比で混合してなる発光組成物C特公
昭59−33153 )が知られている。
光組成物としては特定の粒度分布を有する導電性金属酸
化物(In203 、5n02. Zn0)のうち少く
とも1つと、ZnS : Au、Al螢光体とを1:9
9乃至1:4の重量比で混合してなる発光組成物C特公
昭59−33153 )が知られている。
これらの発光組成物は加速電圧IKV以下、特に100
v以下の低速電子線励起下で高輝度の発光を示すが実用
的力面からさらに発光輝度の向上が望まれている。
v以下の低速電子線励起下で高輝度の発光を示すが実用
的力面からさらに発光輝度の向上が望まれている。
本発明は加速電圧がIKV以下、特に100■以下の低
速電子線励起下における発光輝度の向上し几黄緑色発光
組成物を提供することを目的とするものである。
速電子線励起下における発光輝度の向上し几黄緑色発光
組成物を提供することを目的とするものである。
本発明は中央値が0.1μ〜2.4μ標準偏差(檎σV
7′)が0.7以下である粒子分布を有する導電性金属
酸化物(In20s 、 SnO,、ZnO)のうち少
なくとも1つとZnS : AuA/螢光体と6++:
x 〜1:14の重量比で混合して々ることを特徴とす
る発光材料である。
酸化物(In20s 、 SnO,、ZnO)のうち少
なくとも1つとZnS : AuA/螢光体と6++:
x 〜1:14の重量比で混合して々ることを特徴とす
る発光材料である。
本発明は上述の構成をとることにより低速電子線励起下
において著るしく発光輝度の向上し九発光組成物全得た
。
において著るしく発光輝度の向上し九発光組成物全得た
。
本発明者等は黄緑発光組成物の発光輝度を向上させるた
めに従来知られている導電性金属酸化物の粒子分布と螢
光体について種々の研究を行っ念。
めに従来知られている導電性金属酸化物の粒子分布と螢
光体について種々の研究を行っ念。
その結果特定の粒子径分布を有しかつ高純度々導電性金
属酸化物とZnS : Au 、Al螢光体とを適当量
を充分混合した場合に発光輝度の向上した発光組成物が
得られることを見い出し、さらにこのような効果Q I
n2O3,に限らずこれらの代りに酸化錫(SnOJ
、酸化チタン(TiO2)、酸化タングステン(WO3
)、酸化ニオブ(Nb20.)等の高純度導電性金属酸
化物を用いた場合についても得られ本発明を完成するに
至った。
属酸化物とZnS : Au 、Al螢光体とを適当量
を充分混合した場合に発光輝度の向上した発光組成物が
得られることを見い出し、さらにこのような効果Q I
n2O3,に限らずこれらの代りに酸化錫(SnOJ
、酸化チタン(TiO2)、酸化タングステン(WO3
)、酸化ニオブ(Nb20.)等の高純度導電性金属酸
化物を用いた場合についても得られ本発明を完成するに
至った。
本発明の発光組成物の構成成分である導電性物質に用い
られる導電性金属酸化物としては、99.9チ以上のI
n2O3,ZnO、5n02. T i02 、 WO
3、Nb2O5等が挙げられる。特に得られる組成物の
発光輝度の点から99.99%以上の高純度のIn2O
3,SnO2,およびZnOがより好ましい。なおIn
2O3と5n02 とを比較すると、黄緑色発光螢光
体が同一である場合、一般に加速電圧が60V以下の場
合はIn2O3を用い友組成物の方が5u02に用いた
組成物よりも発光輝度が高く、加速電圧が60Vよりも
高い場合にはその逆となる。
られる導電性金属酸化物としては、99.9チ以上のI
n2O3,ZnO、5n02. T i02 、 WO
3、Nb2O5等が挙げられる。特に得られる組成物の
発光輝度の点から99.99%以上の高純度のIn2O
3,SnO2,およびZnOがより好ましい。なおIn
2O3と5n02 とを比較すると、黄緑色発光螢光
体が同一である場合、一般に加速電圧が60V以下の場
合はIn2O3を用い友組成物の方が5u02に用いた
組成物よりも発光輝度が高く、加速電圧が60Vよりも
高い場合にはその逆となる。
これら導電性金属酸化物は中央値が0.1〜2.4μ、
標準偏差値が0.7以下の粒子径分布全有するものが用
いられる。中央値が上記範囲外であり、標準偏差値が0
.7より大きい粒度分布を有するものは得られる組成物
の発光輝度が低く使用されない。より好ましい中央値範
囲は導電性物質と混合される黄緑色発光螢光体の粒度、
純度等によって異るが、一般には0.5〜1.5μであ
る。tた標準偏差値は中央値が一定である場合できるだ
け小さい方が好ましく、一般には0.5以下であるのが
好ましい。
標準偏差値が0.7以下の粒子径分布全有するものが用
いられる。中央値が上記範囲外であり、標準偏差値が0
.7より大きい粒度分布を有するものは得られる組成物
の発光輝度が低く使用されない。より好ましい中央値範
囲は導電性物質と混合される黄緑色発光螢光体の粒度、
純度等によって異るが、一般には0.5〜1.5μであ
る。tた標準偏差値は中央値が一定である場合できるだ
け小さい方が好ましく、一般には0.5以下であるのが
好ましい。
上記のような粒子径分布を有する導電性金属酸化物fi
99.1%以上の高純度試薬を空気中、中性雰囲気中あ
るいは弱還元性雰囲気中で焼成することによって得た焼
成物を直接あるいはボールミル。
99.1%以上の高純度試薬を空気中、中性雰囲気中あ
るいは弱還元性雰囲気中で焼成することによって得た焼
成物を直接あるいはボールミル。
ロールミル等によって粉砕しt後分級することによって
得る。ま穴炭酸塩、蓚酸塩、水酸化物等の高温で容易に
金属酸化物に変わり得る化合物を空気中で焼成して金属
酸化物を得、これを分級することによって得てもよい。
得る。ま穴炭酸塩、蓚酸塩、水酸化物等の高温で容易に
金属酸化物に変わり得る化合物を空気中で焼成して金属
酸化物を得、これを分級することによって得てもよい。
焼成物を用いるのけ焼成しない生粉に比較して焼成物の
方が温度安定性が良いからであり、従って焼成物を用い
た場合の方が生粉を用いた場合よりも発光の安定性のよ
い組成物を得ることができる。
方が温度安定性が良いからであり、従って焼成物を用い
た場合の方が生粉を用いた場合よりも発光の安定性のよ
い組成物を得ることができる。
また発光材料の構成成分であるZnS : Au、Al
螢光体は一般に次に述べるような方法で製造される。
螢光体は一般に次に述べるような方法で製造される。
zns 生粉に金イオン、アルミニウムイオンの水溶液
例えば所定1の塩化金酸H(AuCj?4〕・4H20
水溶液、硫酸アルミニウム(Al2 (804) s・
16H20)水溶液に浸して泥状にし蒸発乾固して粉砕
した粉末を還元雰囲気中で900℃〜1200°Cで数
時間焼成することによって得られる。付活済Au 、A
lの量は母体ZnS l 9に対しそれぞi’L10−
5〜5xlO″″す。
例えば所定1の塩化金酸H(AuCj?4〕・4H20
水溶液、硫酸アルミニウム(Al2 (804) s・
16H20)水溶液に浸して泥状にし蒸発乾固して粉砕
した粉末を還元雰囲気中で900℃〜1200°Cで数
時間焼成することによって得られる。付活済Au 、A
lの量は母体ZnS l 9に対しそれぞi’L10−
5〜5xlO″″す。
0〜5X10”、!i’である。
以上の螢光体作成においてハロゲン化アルカリ金属、ハ
ロゲン化アルカリ土類金属等の融剤ti加して焼成する
ことが望ましい。
ロゲン化アルカリ土類金属等の融剤ti加して焼成する
ことが望ましい。
この螢光体は一般に中央値が1μ〜20μ標準偏差値が
0.7以下の粒子径分布全層している。本発明において
特に好ましいのは中央値が3μ〜lOμのものである。
0.7以下の粒子径分布全層している。本発明において
特に好ましいのは中央値が3μ〜lOμのものである。
本発明の発光組成物は上述の導電性物質と緑色発光螢光
体とを乳鉢、ボールミル2ミキサーミル等によって得る
ことができる。
体とを乳鉢、ボールミル2ミキサーミル等によって得る
ことができる。
両者は導電性物質/黄緑色発光螢光体の値が1/14〜
14/1と々る重量比で混合され導電物質の値がl/1
4 より小さいとき導電物質によるチャージアップ防止
効果は得られず従って組成物はその特性が黄緑色発光螢
光体に近いものとなり低速電子線励起下で発光しなくな
る。一方導電性物質/黄緑色発光螢光体の値が14/1
より大きいとき、得られる組成物は発光は非常に弱いも
のとなる。
14/1と々る重量比で混合され導電物質の値がl/1
4 より小さいとき導電物質によるチャージアップ防止
効果は得られず従って組成物はその特性が黄緑色発光螢
光体に近いものとなり低速電子線励起下で発光しなくな
る。一方導電性物質/黄緑色発光螢光体の値が14/1
より大きいとき、得られる組成物は発光は非常に弱いも
のとなる。
これはチャージアップ防止効果は充分であるが導電物質
によって螢光体からの発光が遮われるためであると考え
られる。
によって螢光体からの発光が遮われるためであると考え
られる。
本発明で得られる発光組成物音例えば第3図に示すよう
な低速電子線励起装置内にセットして、カンード(2)
からの電子線(3)ラグリッド(4)ヲ通して発光材料
(5)に照射することにより低速電子線で十分明るい発
光をさせることが出来る。
な低速電子線励起装置内にセットして、カンード(2)
からの電子線(3)ラグリッド(4)ヲ通して発光材料
(5)に照射することにより低速電子線で十分明るい発
光をさせることが出来る。
第2図は99.99%のIn2O3とZnS : Au
A/螢光体とを混合した発光組成物におけるI n 2
03含有債(重t%)と組成物の発光輝度との関係を示
すグラフであり、曲線a、bおよびCはそれぞれ標準偏
差値はいずれも0.4であるが中央値がそれぞれ0.3
μ、0.6μ、1.5μであるIn2O3を用いた場合
である。なお第2図において発光輝度(縦軸)は曲線C
の最大発光輝度を100%とし念相対値で表わしである
。
A/螢光体とを混合した発光組成物におけるI n 2
03含有債(重t%)と組成物の発光輝度との関係を示
すグラフであり、曲線a、bおよびCはそれぞれ標準偏
差値はいずれも0.4であるが中央値がそれぞれ0.3
μ、0.6μ、1.5μであるIn2O3を用いた場合
である。なお第2図において発光輝度(縦軸)は曲線C
の最大発光輝度を100%とし念相対値で表わしである
。
第2図から明らかなように、In2O3の中央値が小さ
くなれば々るほど最大発光輝度を得るのに必要I In
2O3含有量は少くなる。す力わち、中央値が小さいI
n 203を用いれば中央値がより大きいIn2O3
f用いた場合よりも少いIn2O3含有量で高輝度の発
光を得ることが出来る。ま次第2図から明らか彦ように
各中央値における最大発光輝度を比較しt場合、In2
O3の中央値が0.6μで最大発光輝度は最も高くなる
。
くなれば々るほど最大発光輝度を得るのに必要I In
2O3含有量は少くなる。す力わち、中央値が小さいI
n 203を用いれば中央値がより大きいIn2O3
f用いた場合よりも少いIn2O3含有量で高輝度の発
光を得ることが出来る。ま次第2図から明らか彦ように
各中央値における最大発光輝度を比較しt場合、In2
O3の中央値が0.6μで最大発光輝度は最も高くなる
。
第1図は第2図と同じIn2O3とZnS : AuA
A’螢光体とを混合し次発光組成物において、標準偏差
を一定(γ=0.4)とじ友場合の1n2o3の中央値
と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフである。
A’螢光体とを混合し次発光組成物において、標準偏差
を一定(γ=0.4)とじ友場合の1n2o3の中央値
と組成物の最大発光輝度との関係を示すグラフである。
第1図において最大発光輝度(RI軸)は中央値が1.
5μであるIn2O3を用いた組成物の最大発光輝度を
100チとし几相対値で表わしである。
5μであるIn2O3を用いた組成物の最大発光輝度を
100チとし几相対値で表わしである。
第1図から明らかかように、中央値がおよそ0.5μま
では中央値が小さく々ればなるほど最大発光輝度は向上
し、およそ0.6μで極大と々るが、中央値がさらに小
さく々ると最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
では中央値が小さく々ればなるほど最大発光輝度は向上
し、およそ0.6μで極大と々るが、中央値がさらに小
さく々ると最大輝度は逆に低下しはじめる傾向にある。
一般試薬のI n 20 sは通常20μ〜30μの中
央値を有しているが、この一般試薬のIn2O3を用い
た発光組成物の発光輝度を基準として考えれば中央値が
0.1〜2.4μで99.9%以上の高純度In2O3
fc選択的に用いた方が発光輝度の向上した発光組成物
が得られる。しかし導電性金属酸化物の純度が悪くなる
と、標準偏差が大きく成ると共に、発光効率が低下する
又、導電性金属酸化物と螢光体との混合の状態も同様に
発光効率に起因する、このためこれら導電性金属酸化物
では粒子径の最適値を選べ得ぬ原因になる。
央値を有しているが、この一般試薬のIn2O3を用い
た発光組成物の発光輝度を基準として考えれば中央値が
0.1〜2.4μで99.9%以上の高純度In2O3
fc選択的に用いた方が発光輝度の向上した発光組成物
が得られる。しかし導電性金属酸化物の純度が悪くなる
と、標準偏差が大きく成ると共に、発光効率が低下する
又、導電性金属酸化物と螢光体との混合の状態も同様に
発光効率に起因する、このためこれら導電性金属酸化物
では粒子径の最適値を選べ得ぬ原因になる。
即ち、本発明で示されるように高純度のI n 20
sを用い、しかも充分な混合全行うことにより最適彦条
件下で発光輝度全針りその結果として0.1〜2.4μ
のIn2O3のうち特に中央値が04〜0.9μの”2
03 k用いた場合発光輝度は著るしく向上し九組成物
を得ることができる。
sを用い、しかも充分な混合全行うことにより最適彦条
件下で発光輝度全針りその結果として0.1〜2.4μ
のIn2O3のうち特に中央値が04〜0.9μの”2
03 k用いた場合発光輝度は著るしく向上し九組成物
を得ることができる。
なお標準偏差値もまた組成物の発光輝度に影響を及ぼす
。すなわち上記0.1〜2.4μの中央値範囲において
は標準偏差値が大きくなるに従って発光輝度は低下する
傾向である。これは標準偏差値が大きくなればなるほど
発光輝度への寄与率の低い大きな粒子、および小さな粒
子金より多く含むように力る為である。この点から標準
偏差値は0.7以下と定められる。より好ましく f′
10.5以下である。
。すなわち上記0.1〜2.4μの中央値範囲において
は標準偏差値が大きくなるに従って発光輝度は低下する
傾向である。これは標準偏差値が大きくなればなるほど
発光輝度への寄与率の低い大きな粒子、および小さな粒
子金より多く含むように力る為である。この点から標準
偏差値は0.7以下と定められる。より好ましく f′
10.5以下である。
なお第1図、第2図はIn2O3とZnS : Au、
AA’螢光体とを混合した発光組成物についてのグラフ
であるがIn2O3の代りに他の導電粉を用い友場合も
第1図、第2図と同じ傾向が得られた。本発明の発光組
成物において、導電性金属酸化物の中央値が0.1μ〜
2.4μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径分布を有す
るものと限定し、また導電性物質と緑色螢光体との混合
重量比全14/1〜1/14と限定したのは上述の知見
に基すいてである。
AA’螢光体とを混合した発光組成物についてのグラフ
であるがIn2O3の代りに他の導電粉を用い友場合も
第1図、第2図と同じ傾向が得られた。本発明の発光組
成物において、導電性金属酸化物の中央値が0.1μ〜
2.4μ、標準偏差値が0.7以下の粒子径分布を有す
るものと限定し、また導電性物質と緑色螢光体との混合
重量比全14/1〜1/14と限定したのは上述の知見
に基すいてである。
以上述べたように本発明は加速電圧がIKV以下特に1
00V以下の低速電子線励起下における発光輝度の向上
し交線色発光組成物を提供するものでありその工業的利
用価値は大きい。
00V以下の低速電子線励起下における発光輝度の向上
し交線色発光組成物を提供するものでありその工業的利
用価値は大きい。
次に実施例によって本発明を説明する。
(実施例1)
99.99%のIn20se溶解しアンモニア水を加え
て水酸化物を沈澱させ、水洗し濾過乾燥した後1200
℃で1時間空気中で焼成した後粉砕しその后分級し中央
値が1.5μ標準偏差値が0.4の粒子径分布を有する
Ir+zOs 59と通常の製造方法で製造した中央値
が6μ標準偏差値が0.35の粒子径分布を有するZn
S : Au 、Al螢光体5gとを乳鉢を用い充分混
合し友後混合物から30ダをとり第3図に示す装置内に
装着した。装着は真空室1内に設置されている絶縁基板
7上の陽極6の上にその組成物5を設けることにより行
った。この装置の内部f 1xlO−9Torr以下に
排気し友後、酸化物コートフィラメント2を活性化し、
フィラメント電流0.09 mAで熱電子3を発生させ
グリッド4と陽極60間に0−150Vの直流電圧を印
加し友ところNOV付近から黄緑発光がみとめられ、3
0Vで120 Ft−Lの輝度が得られた。
て水酸化物を沈澱させ、水洗し濾過乾燥した後1200
℃で1時間空気中で焼成した後粉砕しその后分級し中央
値が1.5μ標準偏差値が0.4の粒子径分布を有する
Ir+zOs 59と通常の製造方法で製造した中央値
が6μ標準偏差値が0.35の粒子径分布を有するZn
S : Au 、Al螢光体5gとを乳鉢を用い充分混
合し友後混合物から30ダをとり第3図に示す装置内に
装着した。装着は真空室1内に設置されている絶縁基板
7上の陽極6の上にその組成物5を設けることにより行
った。この装置の内部f 1xlO−9Torr以下に
排気し友後、酸化物コートフィラメント2を活性化し、
フィラメント電流0.09 mAで熱電子3を発生させ
グリッド4と陽極60間に0−150Vの直流電圧を印
加し友ところNOV付近から黄緑発光がみとめられ、3
0Vで120 Ft−Lの輝度が得られた。
(実施例2)
実施例1と同様にして作成しfc In2O3t”分級
し中央値が0.6μ標準偏差0.4の粒子径分布を有す
るIn2O33fiと実施例1と同じZnS : Au
、All螢光体7gとを乳鉢で充分混合し念。得られる
組成物を用い実施例1と同様にして低速電子線で励起し
たところ6v付近から発光が認められ30Vで150
F’t−Lの輝度が得られto(実施例3) 実施例1と同様にして作成した5n02ヲ分級し中央値
が0.5μ標準偏差値0.4の粒子径分布を有する5n
023.9と実施例1と同じZnS : Au、Al螢
光体7gとを乳鉢音用い混合した。得られる組成物を用
い実施例1と同様にして低速電子線で励起したところ1
2V付近から発光がみとめられ30Vで130 Ft−
Lの輝度が得られt0
し中央値が0.6μ標準偏差0.4の粒子径分布を有す
るIn2O33fiと実施例1と同じZnS : Au
、All螢光体7gとを乳鉢で充分混合し念。得られる
組成物を用い実施例1と同様にして低速電子線で励起し
たところ6v付近から発光が認められ30Vで150
F’t−Lの輝度が得られto(実施例3) 実施例1と同様にして作成した5n02ヲ分級し中央値
が0.5μ標準偏差値0.4の粒子径分布を有する5n
023.9と実施例1と同じZnS : Au、Al螢
光体7gとを乳鉢音用い混合した。得られる組成物を用
い実施例1と同様にして低速電子線で励起したところ1
2V付近から発光がみとめられ30Vで130 Ft−
Lの輝度が得られt0
第1図はIn2O3とZnS : Au、AJとを混合
し次発光組成物において標準偏差値を一定とじ九場合の
In2O3の中央値と組成物の最大発光輝度との関係を
示すグラフである。 第2図はIntO3とZnS : Au、AJとの混合
重量比に対する発光強度を示す図である。 第3図は低速電子線励起用デマンタプル装置全示す断面
図で1は真空槽、2はカソード、3は電子線、4はグリ
ッド、5は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板である。
し次発光組成物において標準偏差値を一定とじ九場合の
In2O3の中央値と組成物の最大発光輝度との関係を
示すグラフである。 第2図はIntO3とZnS : Au、AJとの混合
重量比に対する発光強度を示す図である。 第3図は低速電子線励起用デマンタプル装置全示す断面
図で1は真空槽、2はカソード、3は電子線、4はグリ
ッド、5は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)中央値が0.1μ〜 2.4μ標準偏差(log%
)が0.7以下である粒子径分布を有する導電性金属酸
化物(In_2O_3,SnO_2,ZnO)のうち少
なくとも1つと金およびアルミニウム付活硫化亜鉛螢光
体〔ZnS:Au,Al但し金およびアルミニウムの付
活量が母体ZnS1gに対しそれぞれ1×10^−^5
〜5×10^−^2g,0〜5×10^−^2gである
〕とを14:1〜1:14の重量比で混合してなる発光
材料。 2)前記螢光体の中央値が3μ〜10μであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の発光材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23574485A JPS6295376A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 発光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23574485A JPS6295376A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 発光材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6295376A true JPS6295376A (ja) | 1987-05-01 |
Family
ID=16990577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23574485A Pending JPS6295376A (ja) | 1985-10-21 | 1985-10-21 | 発光材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6295376A (ja) |
-
1985
- 1985-10-21 JP JP23574485A patent/JPS6295376A/ja active Pending
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