JPS6296825A - 測光回路 - Google Patents
測光回路Info
- Publication number
- JPS6296825A JPS6296825A JP23849985A JP23849985A JPS6296825A JP S6296825 A JPS6296825 A JP S6296825A JP 23849985 A JP23849985 A JP 23849985A JP 23849985 A JP23849985 A JP 23849985A JP S6296825 A JPS6296825 A JP S6296825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- voltage
- light receiving
- receiving element
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
未発明はカメラの測光回路、特に受光素子から発生する
光電流を対数圧縮した後、対数伸張するカメラの測光回
路に関するものである。
光電流を対数圧縮した後、対数伸張するカメラの測光回
路に関するものである。
〈従来技術〉
」二足型式の測光回路は従来、第1図のように構成され
ていた。第1図を用いて従来装置を説明する。図中に於
いて1は受光素子でシリコンフォトセル(SPC)等で
構成される。2は演算増幅器、3はNPNトランジスタ
でそのベース、コレクタ間は短絡されダイオードとして
動作している。4は3と同一特性のNPNトランジスタ
、5は演算増幅器、6,7は3.4と同一特性のNPN
トランジスタ、8,9は定電流源でその値を各々r、
Ioとする。
ていた。第1図を用いて従来装置を説明する。図中に於
いて1は受光素子でシリコンフォトセル(SPC)等で
構成される。2は演算増幅器、3はNPNトランジスタ
でそのベース、コレクタ間は短絡されダイオードとして
動作している。4は3と同一特性のNPNトランジスタ
、5は演算増幅器、6,7は3.4と同一特性のNPN
トランジスタ、8,9は定電流源でその値を各々r、
Ioとする。
上記の構成で不図示の電源からの電圧が所定の各部に給
電されると、受光素子lに照射された光に応じて発生す
る光電流がトランジスタ3に流れ、その電圧降下分が増
幅器2の出力に発生する。この時上記光電流はトランジ
スタ3にて対数圧縮され、これらの回路にていわゆる対
数圧縮回路が構成される。増幅器2の出力電圧は伸張用
トランジスタ4のベースに印加されトランジスタ4のエ
ミッタの電圧が接地レベルであればトランジスタ4のコ
レクタには受光素子lの光m ’fif、と同一(1a
のコレクタ電流が流れる、実際にはトランジスタ4のエ
ミッタ電圧は増幅器5、トランジスタ6.7定電流源8
゜9で構成される電圧源にて与えられており、この場合
の動作を式を使って説明する。
電されると、受光素子lに照射された光に応じて発生す
る光電流がトランジスタ3に流れ、その電圧降下分が増
幅器2の出力に発生する。この時上記光電流はトランジ
スタ3にて対数圧縮され、これらの回路にていわゆる対
数圧縮回路が構成される。増幅器2の出力電圧は伸張用
トランジスタ4のベースに印加されトランジスタ4のエ
ミッタの電圧が接地レベルであればトランジスタ4のコ
レクタには受光素子lの光m ’fif、と同一(1a
のコレクタ電流が流れる、実際にはトランジスタ4のエ
ミッタ電圧は増幅器5、トランジスタ6.7定電流源8
゜9で構成される電圧源にて与えられており、この場合
の動作を式を使って説明する。
増幅器5の出力電圧v5は
一方、受光素子lの光電流をI SPCとすれば増幅器
2の出力電圧v2は となり、トランジスタ4のベースφエミッタ間には となるためトランジスタ4のコレクタ電流I CはO I c = −X I 5 P C ■ となり受光素子lの光電流l5PCをIo/I倍増幅で
きることになる。
2の出力電圧v2は となり、トランジスタ4のベースφエミッタ間には となるためトランジスタ4のコレクタ電流I CはO I c = −X I 5 P C ■ となり受光素子lの光電流l5PCをIo/I倍増幅で
きることになる。
該トランジスタ4のコレクタ電流の使用法としてはトラ
ンジスタ4のコレクタに不図示の積分回路を接続し、該
積分動作をシャッター開から開始し、その積分値が所定
値に達した時に不図示のレリーズ用マグネットに通電を
行ってカメラのシャッタ開成させる公知のシャッタ制御
回路や、あるいは、受光素子1にストロボ光による被写
体からの反射光を照射しトランジスタ4のコレクタ電流
を上述と同様に積分して、そのレベル判定し、積分レベ
ルが所定値に達した際にストロボ発光を停止させるとい
った種々の用途が想定される。その場合上記r o /
I倍に相当する情報としてはカメラの撮影パラメータ
であるフィルム感度、絞り値、シャッタースピードを設
定することが出来、情報設定演算がなされる。しかしな
がら第1図の回路状態は理想となるが トランジスタ4のペースエミッタ間電圧はとなり、トラ
ンジスタ4のコレクタ電流Icだけ誤差となりIcとし
ては温度特性を持った誤差となり、正確な露出制御を得
るにははなはだ不都合である。
ンジスタ4のコレクタに不図示の積分回路を接続し、該
積分動作をシャッター開から開始し、その積分値が所定
値に達した時に不図示のレリーズ用マグネットに通電を
行ってカメラのシャッタ開成させる公知のシャッタ制御
回路や、あるいは、受光素子1にストロボ光による被写
体からの反射光を照射しトランジスタ4のコレクタ電流
を上述と同様に積分して、そのレベル判定し、積分レベ
ルが所定値に達した際にストロボ発光を停止させるとい
った種々の用途が想定される。その場合上記r o /
I倍に相当する情報としてはカメラの撮影パラメータ
であるフィルム感度、絞り値、シャッタースピードを設
定することが出来、情報設定演算がなされる。しかしな
がら第1図の回路状態は理想となるが トランジスタ4のペースエミッタ間電圧はとなり、トラ
ンジスタ4のコレクタ電流Icだけ誤差となりIcとし
ては温度特性を持った誤差となり、正確な露出制御を得
るにははなはだ不都合である。
く目的〉
本発明の目的は上述の従来装置の欠点を除去し、上記誤
差を補償した正確な光電流信号を得る測光回路を提供せ
んとするものである。本発明では上記目的を達成する構
成として受光素子を入力に接続すると共に帰還路中に対
数圧lii素子を接続した対数圧縮回路の出力を制御電
極に印加されると共にその一方の主電極に所定電圧が印
加されるトランジスタを有し、該トランジスタの出力電
流として受光素子の光信号を得る測光回路において、前
記トランジスタの前記一方の主電極に前記所定電圧を関
数とする抵抗成分を有する素子を接続したものである。
差を補償した正確な光電流信号を得る測光回路を提供せ
んとするものである。本発明では上記目的を達成する構
成として受光素子を入力に接続すると共に帰還路中に対
数圧lii素子を接続した対数圧縮回路の出力を制御電
極に印加されると共にその一方の主電極に所定電圧が印
加されるトランジスタを有し、該トランジスタの出力電
流として受光素子の光信号を得る測光回路において、前
記トランジスタの前記一方の主電極に前記所定電圧を関
数とする抵抗成分を有する素子を接続したものである。
〈実施例〉
第3図は本発明に係る測光回路の一実施例に示す回路図
であり、図中に於いて第1.第2図と同一・素子に対し
ては同一番号を符しである。
であり、図中に於いて第1.第2図と同一・素子に対し
ては同一番号を符しである。
図中12はNチャンネルMDSFETで図中のG、S、
Dの記号は各々ゲート、ソース、ドレインを表す。13
は演算増幅器、14.15は上述のトランジスタ、3,
4,6.7と同一特性を有するNPNトランジスタであ
り、又16゜17は定電流源である。
Dの記号は各々ゲート、ソース、ドレインを表す。13
は演算増幅器、14.15は上述のトランジスタ、3,
4,6.7と同一特性を有するNPNトランジスタであ
り、又16゜17は定電流源である。
以りの構成にて回路素子13〜17にて構成される定電
圧源は定電圧源(5〜9)と同様絶対温度Tに比例した
電圧を発生する定電圧源であり、その電圧がFET12
のゲートに印加され、FET12のゲートソース間電圧
に応じてドレインソース間の抵抗が変化する。FET
12のゲートソース間の抵抗をROMとすればトランジ
スタ4のペースエミッタ間の電圧はめには となるようにRONを決定すれば良い、即ちになればよ
い。
圧源は定電圧源(5〜9)と同様絶対温度Tに比例した
電圧を発生する定電圧源であり、その電圧がFET12
のゲートに印加され、FET12のゲートソース間電圧
に応じてドレインソース間の抵抗が変化する。FET
12のゲートソース間の抵抗をROMとすればトランジ
スタ4のペースエミッタ間の電圧はめには となるようにRONを決定すれば良い、即ちになればよ
い。
そこで、FET12のゲートソース間電圧ROM特性が
(1)を満足する様に動作点を設定る。これを式で示す
と増幅器13の出力をV13とすると T V13=−fl nn (nは定電流源16.17の
電流比)よって、FET12のゲートソース間電圧VC
S はvcs=Vt3−v’+ になる様にFET12を設定すればよいことになり、こ
れにてトランジスタのコレクター電流第4図は本発明に
係る測光回路の他の実施例を示す回路図である。図中1
8−1.18−2−−−一−−,18−8,20−1,
20−2−−−−−−。
(1)を満足する様に動作点を設定る。これを式で示す
と増幅器13の出力をV13とすると T V13=−fl nn (nは定電流源16.17の
電流比)よって、FET12のゲートソース間電圧VC
S はvcs=Vt3−v’+ になる様にFET12を設定すればよいことになり、こ
れにてトランジスタのコレクター電流第4図は本発明に
係る測光回路の他の実施例を示す回路図である。図中1
8−1.18−2−−−一−−,18−8,20−1,
20−2−−−−−−。
20−8はアナログスイッチ−でC端子を高レベルにす
るとそのA、B端子間は短絡し、C端子を低レベルにす
るとA、B端子間は開放する。
るとそのA、B端子間は短絡し、C端子を低レベルにす
るとA、B端子間は開放する。
19−1 、19−2−−−−−− 、19−8は各々
RI R2−−−−−R8の値を有する抵抗、8−1.
8−2−一〜−−,8−8は各々I 1. I 2−一
−−−−、I Qの値を有する定電流源。
RI R2−−−−−R8の値を有する抵抗、8−1.
8−2−一〜−−,8−8は各々I 1. I 2−一
−−−−、I Qの値を有する定電流源。
21は3ビツトデコーダでa、b、cが入力端子、d1
〜d8がデコード出力である。
〜d8がデコード出力である。
22〜24はスイッチでカメラの撮影パラメータに対応
して設定可能なものである。他の回路構成において、第
3図実施例と同一のものには同一記号を附しである。上
記構成で1例えばスイッチ22〜24を全て開放状態に
するとデコーダ21の出力はdlが選ばれ、高レベルと
なり18−1.20−1が導通状態、18−2−−−−
−−.18−8.20−2−−−−−−.20−8は開
放状態になる。このためトランジスタ4のエミッタと増
幅器5の出力の間には抵抗19−1が接続されることに
なる。また、トランジスタ6に流れる電流源としては8
−1が選ばれるが電流源8−1(11とする)と抵抗1
9−1(R1とする)の関係を第3図説明と同様に 工I R1=□・R O の関係になるよう設定すれば抵抗1011の影響なく、
受光素子1の光電流が対数圧縮、伸張可能となる。又、
スイッチ22〜24の設定にて選ばれる電流源と抵抗の
関係を同様にしてとすれば、スイッチ22〜24の情報
設定状態によらず、常にトランジスタ4のコレクター電
流が理想イ1aとなる。
して設定可能なものである。他の回路構成において、第
3図実施例と同一のものには同一記号を附しである。上
記構成で1例えばスイッチ22〜24を全て開放状態に
するとデコーダ21の出力はdlが選ばれ、高レベルと
なり18−1.20−1が導通状態、18−2−−−−
−−.18−8.20−2−−−−−−.20−8は開
放状態になる。このためトランジスタ4のエミッタと増
幅器5の出力の間には抵抗19−1が接続されることに
なる。また、トランジスタ6に流れる電流源としては8
−1が選ばれるが電流源8−1(11とする)と抵抗1
9−1(R1とする)の関係を第3図説明と同様に 工I R1=□・R O の関係になるよう設定すれば抵抗1011の影響なく、
受光素子1の光電流が対数圧縮、伸張可能となる。又、
スイッチ22〜24の設定にて選ばれる電流源と抵抗の
関係を同様にしてとすれば、スイッチ22〜24の情報
設定状態によらず、常にトランジスタ4のコレクター電
流が理想イ1aとなる。
く効果〉
以上の如く本発明では光信号を対数圧縮した後伸張し、
かつ伸張過程にて情報値を設定可能ならしめた測光回路
における出力に含まれる誤差成分を除去し、常に正確な
光電流を得ることが出来るものである。
かつ伸張過程にて情報値を設定可能ならしめた測光回路
における出力に含まれる誤差成分を除去し、常に正確な
光電流を得ることが出来るものである。
第1図は従来のI!III光回路を示す回路図、第2図
は第1図示の回路を実装した際の回路を示す回路図、第
3図は本発明に係る測光回路の−実施例を示す回路図、
第4図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 lは受光素子、2SIBは演算増幅器、3゜4.5,6
,14.15はNPN トランジスタ、8.9,16.
17は定電流源、10.11は抵抗、12はMO5型電
界効果トランジスタ、1B−1,18−2,18−8,
20−1,20−2,20−8はアナログスイッチ、1
9−1 、19−2 、19−8は抵抗、8−1.8−
2.8−8は定電流源、21はデコーダ、22,23.
24はスイッチである。 特許出願人 キャノン株式会社 ’E1[I] F、28 6′
は第1図示の回路を実装した際の回路を示す回路図、第
3図は本発明に係る測光回路の−実施例を示す回路図、
第4図は本発明の他の実施例を示す回路図である。 lは受光素子、2SIBは演算増幅器、3゜4.5,6
,14.15はNPN トランジスタ、8.9,16.
17は定電流源、10.11は抵抗、12はMO5型電
界効果トランジスタ、1B−1,18−2,18−8,
20−1,20−2,20−8はアナログスイッチ、1
9−1 、19−2 、19−8は抵抗、8−1.8−
2.8−8は定電流源、21はデコーダ、22,23.
24はスイッチである。 特許出願人 キャノン株式会社 ’E1[I] F、28 6′
Claims (1)
- 受光素子を入力に接続すると共に帰還路中に対数圧縮素
子を接続した対数圧縮回路の出力を制御電極に印加され
ると共にその一方の主電極に所定電圧が印加されるトラ
ンジスタを有し、該トランジスタの出力電流として受光
素子の光信号を得る測光回路において、前記トランジス
タの前記一方の主電極に前記所定電圧を関数とする抵抗
成分を有する素子を接続したことを特徴とする測光回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849985A JPS6296825A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 測光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849985A JPS6296825A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 測光回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296825A true JPS6296825A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17031153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23849985A Pending JPS6296825A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 測光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296825A (ja) |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23849985A patent/JPS6296825A/ja active Pending
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