JPS6298809A - 位相補償回路 - Google Patents

位相補償回路

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JPS6298809A
JPS6298809A JP60238761A JP23876185A JPS6298809A JP S6298809 A JPS6298809 A JP S6298809A JP 60238761 A JP60238761 A JP 60238761A JP 23876185 A JP23876185 A JP 23876185A JP S6298809 A JPS6298809 A JP S6298809A
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JP
Japan
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transistor
capacity
collector
amplifier
operational amplifier
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JP60238761A
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Tatsuo Hayakawa
早川 達夫
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NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は演算増巾器に関し、特に位相補償回路に関する
〔従来の技術〕
従来、演算増巾器の位相補償としては、リード補償と呼
ばれるものがあり、これはミラー容量と直列に抵抗を入
れる事により、ユニティゲイン周波数近辺で、位相奮進
め、位相余裕を得るものである。第5図は演算増幅器の
利得、位相対周波数特性を示し、12は開放利得を、1
0はリード補償前の又、11はリード補償後の周波数特
性全それぞれ示す。本例ではユニティゲイン周波数での
位相余裕は35度改善されている。
は、ユニティゲイン周波数よりかなり高い周波数、例え
ば10〜20 MHzにおいて発振したり、又、異常ピ
ーキングが起きたりする欠点があり、通信回線にこの演
算増幅器を用いた場会においては。
音声帯域内雑音又は、帯域外雑音の規格からも問題であ
る。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の位相補償回路は、演算増巾器内のローカルな閉
ループにミラー補償容量を付加し、ユニティゲインより
高い周波数での発振や異常ピーキング金防ぐものである
〇 本発明によれば%第1のトランジスタのベース全入力端
子とし、エミッタ接地の第2のトランジスタのコレクタ
を出力端子とし、第1のトランジスタのエミッタが第2
のトランジスタのベースに接続され、第1のトランジス
タのベースと第2のトランジスタのコレクタ間に抵抗と
第1のコンデンサが直列接続され、且つ第2のトランジ
スタのベースとコレクタ間に第2のコンデンサが接続さ
れた事を特徴とする位相補償回路が得られる。
〔実施例〕
次に、本発明について9面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例である。反転入力端子1、正
転入力端子2.正電源端子3%負を源端子4、出力端子
5を有し、入力PNPトランジスタQ+ 、Q2及びア
クティブロードNPNトランジスタQ3.Q4で1段目
の増巾器′!!−溝成し、NPNトランジスタQg、Q
aは2段目の増巾器全構成する0NPN l−ランジス
タQs−Qo は出力段のNPNトランジスタQ7及び
PNP トランジスタQ1゜をAB級に保つためのもの
であり% I、 、 1.は定電流源sR2は、トラン
ジスタQ、のバイアス電流を決足する抵抗である。リー
ド位相補償としテ、トランジスタQ、のコレクタとトラ
ンジスタQ、のベース間にミラー容量CIと直列に抵抗
Rtが挿入されている。さらに、トランジスタQ6のベ
ース・コレクタ間に容ft Cgが付加されている。
先づ、高周波における発振のメカニズムを第2図により
説明する。同図は、第1図の2段目増巾器のトランジス
タQ6のコレクタから、ミラー容量C+、抵抗R+’を
通ってトランジスタQ5のベースかラトランジスタQ、
のベース、コレクタへもどるローカルな閉ループ上、ト
ランジスタQ6のコレクタで切った等価回路である。6
は同ループの入力端子、7は出力端子、 RIN r 
CxNは、第1図の抵抗R,からトランジスタQ!のベ
ース方向を見念入力インピーダンスであジ、CD、はト
ランジスタQ6の入力容is ror Coはトランジ
スタQ、のコレクメ点での出力インピーダンステアル。
端子6から端子7への伝達関係I−Ly、は次式で表わ
される。
・・・・・・(1) ここでre、 ijHトランジスタQ5の出力インピー
ダンスである。
一例としてTo = 150にΩ、Co= 5pF 、
 RIN = IMQCxN= 511F’、 CF=
 20PF、 Rt = 3 KΩ、  re6 ” 
2抱LCn、 ” 4.4 pF  では谷極点はとな
り、10KH3以上の周波数では(1)式は、と表わさ
れる。ここで、AOは2段目低周波利得で約50 dB
である。(2)式は、3ポール特性であり極点fp、と
fl、との間で発振する。これに比し本発明をモテル化
すると第3図のように表わされる。
ここでA+i’j)ランジスタQ、のエミッタ7オロワ
ー% A2はトランジスタQ6のエミッタ接地増巾器を
表わす。容量Cgによるミラー効果により。
端子6から端子7への伝達関数H67′は次のようにな
る。
(3)式は2ポール特性であり、fpgk充分低くする
よう容量Cgの値を選べば、ユニティ−ゲイン周波数で
十分な位相余裕が得られ、前述のローカルルーズにおけ
る発振を回避できる。容jtcgの値としてば5pF程
度で十分である。 第4図は第312の等価回路のルー
プ利得φ周波数特性金示すグラフである。12はCgが
無い従来のループ利得・周波数特性であり I 0.6
M −18,1MHzの間で発振する事がわかる。同図
13は5本発明の容量Cを付加した時のループ利得・周
波数特性でユニライゲイン周波数10MHzで位相余裕
が十分得ら漬る事がわかる。容量Cgの一端はミラー容
量の一端と共通なので同−絶M&領域を使用して形成す
Zことができ、それほどのチップ面積の増大を招力ない
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、演算増巾器内のローカル
な閉ループ内にもう1つのミラー容量を付カロする事に
より、ローカルルーズの周波数待合全安定化し、演算増
巾器の高周波での発振、ピーキングといっ/こ従来の問
題点全解決した。これ(でより演算増巾器全体のユニテ
ィゲイン周u!l叙近込でリード補償が可能となシ、演
算増巾器を帰還増巾器として使用する際、帰還インピー
ダンスが高]  くても十分な位相余裕がとれる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の位相補償を有するg  演
算増巾器、第2図は第1図の演算増巾器内の発振源とな
る部分回路図、第3図は、本発明の一実t  施例の位
相補償回路をモデル化した回路図、第4−  図は1部
分回路のループ利得対周波数特性を示すグラフ、第5図
は、演算増巾器全体の開放利得、・  位相対周波数特
性を示すグラフである。 代理人 弁理士  内  原    皿 a( 磐l 凹 (、 第2 区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1のトランジスタのベースを入力端子とし、エミッタ
    接地の第2のトランジスタのコレクタを出力端子とし、
    第1のトランジスタのエミッタが第2のトランジスタの
    ベースに接続され、第1のトランジスタのベースと第2
    のトランジスタのコレクタ間に抵抗と第1のコンデンサ
    が直列接続され、且つ第2のトランジスタのベースとコ
    レクタ間に第2のコンデンサが接続された事を特徴とす
    る位相補償回路。
JP60238761A 1985-10-24 1985-10-24 位相補償回路 Expired - Lifetime JPH0767052B2 (ja)

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