JPS63100402A - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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Publication number
JPS63100402A
JPS63100402A JP61245254A JP24525486A JPS63100402A JP S63100402 A JPS63100402 A JP S63100402A JP 61245254 A JP61245254 A JP 61245254A JP 24525486 A JP24525486 A JP 24525486A JP S63100402 A JPS63100402 A JP S63100402A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
number average
optical
disk
average mol
optical disk
Prior art date
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Pending
Application number
JP61245254A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuo Tajima
田島 哲夫
Hiroaki Miwa
広明 三輪
Ryoichi Sudo
須藤 亮一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61245254A priority Critical patent/JPS63100402A/ja
Publication of JPS63100402A publication Critical patent/JPS63100402A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスクに係り、特にレタデーシ冒ンが小さ
くて光学的均質性にすぐれ、情報読み取り感度の高い光
ディスクに関するものである。
〔従来の技術〕
ディスク上にレーザー光線のスポットビームを照射して
、ディスク上に微細なビットを形成することにより情報
を記録し、このビットからの反射またはこのビットの透
過光量を検出して情報を読みだす光学式情報記録、再生
方式は、情報記録密度を著しく上げることができる。
また上記光学式、情報記録、再生方式は、再生される画
像や音質がすぐれた特性を有することから、画像や音声
の記録、再生等に広く実用されることが期待されている
上記の記録再生方式に用いるディスクは、ディスク基材
をレーザー光が透過するため、ディスク基材は透明であ
ることは勿論、光学的に均質であることが要求される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来光ディスクには、メタクリル樹脂等が適用されてい
る。しかしメタクリル樹脂は、耐熱性、耐湿性、耐衝撃
性がまだ充分とは云い難いという問題がある。
また、ビスフェノールA(:2.2−ビス(4−ヒドロ
キシフェニル)プロパン)をホスゲンや炭酸ジフェニル
等と反応させて得られるポリカーボネート樹脂は、耐熱
性、耐湿性、耐衝撃性等はすぐれているが、レタデーシ
冒ン(複屈折値)が大きくて光学的性質が劣り、ディス
クに記録された情報の読み取り感度が低下したり、エラ
ーが発生するという問題がある(日経エレクトロニクス
、第292号、1982年6月7日号)。
本発明の目的はレタデーシ璽ンが小さくて光学的均質性
にすぐれ、ディスクに記録された情報の読み取り感度の
高い光ディスクを提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、下記繰り返し単位(1)からなる数平均分
子量λ000〜2(1000のポリサルホン樹脂を基材
とする光ディスクによって達成される。
但し上記繰り返し単位+11中、R1は水素またはフェ
ニル基、R2は水素、メチル基、フェニル基またはビフ
ェニル基である。
本発明に用いるポリサルホン樹脂は、数平均分子量が2
.000〜200.OOQのものが好ましい。
数平均分子量が2.000より小さくなると、光ディス
クが熱によってソリ、ネジレ等の変化を受は易くなり、
数平均分子量が200[]00より高いと成型しにくく
なる。
さらに本発明のディスク基材には成型時にスタンパとの
離凰性を改良するためにシリコーン、ワックス、脂肪酸
、脂肪酸エステル、脂肪酸金属塩、脂肪族アルコール等
の助剤や、光ディスクの帯電防止のために高級アルコー
ルのスルホン酸塩、第4級アンモニウム塩等の助剤を、
本発明の目的達成を阻害しない範囲で加えてもよい。
なお、上記の助剤は、単独で用いてもよく、二種以上混
合して用いてもよい。
本発明の光ディスクは、複製ディスクの場合には、上記
繰り返し単位(1)からなる数平均分子量2.000〜
2001)00のポリサルホン樹脂を射出成型またはプ
レス成型等の方法によってスタンパをセットした金星で
情報記録信号(トラッキング信号)となるビットを転写
しディスク基材を成型し、さらに−膜力に信号ビット転
写面に金属を真空蒸着、スパッタリングまたはイオンブ
レーティング等の方法によって反射層を形成し、さらに
必要に応じて反射層上に保護層を形成して製造すること
ができる。
またメモリディスクの場合は、上記と同様にして情報記
録信号となるビットを転写し、このビット面上に非晶質
レアーメタルやレーザによって熱的に分解し得る化合物
等のユーザーで書き込みが可能な記録層をスパッタリン
グ、真空蒸着または塗布等によって形成し、この記録層
上に必要に応じて上記のような反射層や保護層を形成し
て製造することができる。
〔実施例〕
次に本発明を実施例によってさらに詳しく説明する。
ポリサルホン樹脂は、以下の弐〇)〜(4)で表わされ
る繰り返し単位からなる数平均分子量2 (ILOOO
〜180.000の範囲にあるものを用いた。
数平均分子量: 2へ000 数平均分子量: 5へ000 数平均分子量 : 4へ000及び180,000また
比較試料として、以下の式(A)で表わされる繰り返し
単位からなる数平均分子量3QOOOの市販ポリカーボ
ネート樹脂及び以下の式(B)で表わされる繰り返し単
位からなる数平均分子量30.000の市販ポリサルホ
ン樹脂を用いた。
光ディスクは、以下のようにして製造した。すなわち上
記6種類の樹脂ペレットを用い、それぞれスタンバを装
着した金型中に射出成散し、信号ビットの刻まれた厚さ
1.21111%直径120箇のディスクを得た。この
信号ビットの刻まれた面上にスパッタリングによってア
ルミニウムの反射層を形成し、この反射層上にアクリル
ラッカーを塗布し、乾燥して保護層を形成して製造した
光ディスクの特性は、以下(+) 、 (II)に示す
方法で測定した。
(1)  耐熱性 光ディスクを120℃に4時間放置して、ディスクのソ
リ、ネジレの有無を調べた。
(11)  光学的均質性 光ディスクのレタデーシ1ンをエリプソメータ(溝尻光
学工業所社製)を用いてディスクの内側から外側まで1
0ケ所にわたって測定し、最も大きい値を最大レタデー
シ嘗ンとした。測足値の小さいものほど光学的均質性が
すぐれている。なお、レタデーシ曹ン測定に際しては、
光源に波長632゜8nmのHe −N eレーザー光
を用いた。
次に光ディスクを上記の方法で測定した結果を表に示し
た。表から本発明に係る4種類のポリサルホン樹脂で製
作した光ディスクは、市販のポリカーボネート樹脂、市
販のポリサルホン樹脂で製造した光ディスクと同様の耐
熱性を有することがわかった。
そのうえ本発明に係るポリサルホン樹脂で製作した光デ
ィスクは、市販のポリカーボネート樹脂、市販のポリサ
ルホン樹脂で製造した光ディスクより最大レタデーシ胃
ンが極めて小さく、光学的均質性が著しくすぐれている
ことがわかった。
また表中の本発明に係る4種類のポリサルホン樹脂で製
作した光ディスクは、上記以外の特性も十分満足する実
用価値の高いものであった。
表 (*)  耐熱性に関する。120℃で4時間放置。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、レタデーシ曹ンが小
さくて光学的均質性にすぐれ、ディスクに記録された情
報の読み取り感度の高い光ディスクが得られる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、下記繰り返し単位(1)からなる数平均分子量2,
    000〜200,000のポリサルホン樹脂を基材とす
    ることを特徴とする光ディスク。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・(1) 但し、上記繰り返し単位(1)中、R_1は水素または
    フェニル基、R_2は水素、メチル基、フェニル基また
    はビフェニル基である。
JP61245254A 1986-10-17 1986-10-17 光デイスク Pending JPS63100402A (ja)

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JP61245254A JPS63100402A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 光デイスク

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JP61245254A JPS63100402A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 光デイスク

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JPS63100402A true JPS63100402A (ja) 1988-05-02

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JP61245254A Pending JPS63100402A (ja) 1986-10-17 1986-10-17 光デイスク

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