JPS63101433A - 陰イオン交換膜およびその製造方法 - Google Patents
陰イオン交換膜およびその製造方法Info
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- JPS63101433A JPS63101433A JP61247532A JP24753286A JPS63101433A JP S63101433 A JPS63101433 A JP S63101433A JP 61247532 A JP61247532 A JP 61247532A JP 24753286 A JP24753286 A JP 24753286A JP S63101433 A JPS63101433 A JP S63101433A
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- anion exchange
- layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は耐久性および電流効率の優れた陰イオン交換膜
およびその製造方法に関する。
およびその製造方法に関する。
[従来の技術および発明が解決しようとする問題点]
近年、膜を利用したプロセスの開発は活発であり、中で
もイオン交換膜を用いたプロセスは省エネルギーの点等
から極めて注目されている。
もイオン交換膜を用いたプロセスは省エネルギーの点等
から極めて注目されている。
イオン交換膜の中で陽イオン交換膜はナフィオン(デュ
ポン社)に代表される、いわゆるパーフルオロカーボン
系の膜が開発された。この種の膜は骨格がパーフルオロ
カーボン重合体より構成されており、その耐久性は従来
の陽イオン交換膜に比べて極めて優れたものとなってい
る。
ポン社)に代表される、いわゆるパーフルオロカーボン
系の膜が開発された。この種の膜は骨格がパーフルオロ
カーボン重合体より構成されており、その耐久性は従来
の陽イオン交換膜に比べて極めて優れたものとなってい
る。
一方、陰イオン交換膜は耐久性の面から見ると問題の多
い分野であった。そこで本発明者の一人らは耐久性に優
れた陰イオン交換膜として、主鎖がパーフルオロカーボ
ン重合体から成る新規な構造を存する陰イオン交換膜を
すでに提案した(特開昭59−122520号公報)。
い分野であった。そこで本発明者の一人らは耐久性に優
れた陰イオン交換膜として、主鎖がパーフルオロカーボ
ン重合体から成る新規な構造を存する陰イオン交換膜を
すでに提案した(特開昭59−122520号公報)。
この種の膜は従来の膜に比べて優れた耐久性を有し、か
つ電気化学的性質においても同等あるいはそれ以上とい
1う画期的なものとなった。しかし、工業的に使用する
場合、特にプロトンの存在する系で使用する場合に電流
効率が低いという欠点を有していた。
つ電気化学的性質においても同等あるいはそれ以上とい
1う画期的なものとなった。しかし、工業的に使用する
場合、特にプロトンの存在する系で使用する場合に電流
効率が低いという欠点を有していた。
本発明は前記の観点からなされたものであって、その目
的は、耐久性に優れていて、なお電流効率の高い陰イオ
ン交換膜およびそれを製造する方法を提供することにあ
る。
的は、耐久性に優れていて、なお電流効率の高い陰イオ
ン交換膜およびそれを製造する方法を提供することにあ
る。
[問題点を解決するための手段]
本発明者らは、このような背景をもとに鋭意研究を重ね
、本発明を完成するに至った。
、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、下記一般式(1)
で表わされる構造を有する弱塩基性層と、一般式(上記
2式において、XはFまたはCF、1は0〜5の整数1
mは0または1.nは1〜5の整数、rおよびr′は同
じかまたは異なる2〜5の整数、Zはハロゲン、R1は
水素または炭素数1〜5のアルキルM、R2およびR3
は同じがまたは異なる炭素数1〜5のアルキル基であり
;pおよびqはともに正の数であってp/qは2〜16
であり;R4は1〜5のアルキル基、R5は水素もしく
は炭素数1〜5のアルキル基であるか、またはRとR5
とが一体となってポリメチレン鎖一(CH2)−5(b
は2または3である)を形成する。以下同じ) で表わされる構造を有する強塩基性層との二層構造から
なる、陰イオン交換膜および以下に説明するその製造方
法を要旨とするものである。
2式において、XはFまたはCF、1は0〜5の整数1
mは0または1.nは1〜5の整数、rおよびr′は同
じかまたは異なる2〜5の整数、Zはハロゲン、R1は
水素または炭素数1〜5のアルキルM、R2およびR3
は同じがまたは異なる炭素数1〜5のアルキル基であり
;pおよびqはともに正の数であってp/qは2〜16
であり;R4は1〜5のアルキル基、R5は水素もしく
は炭素数1〜5のアルキル基であるか、またはRとR5
とが一体となってポリメチレン鎖一(CH2)−5(b
は2または3である)を形成する。以下同じ) で表わされる構造を有する強塩基性層との二層構造から
なる、陰イオン交換膜および以下に説明するその製造方
法を要旨とするものである。
以下具体的に説明する。
上記弱塩基性層と強塩基性層との二層構造からなる陰イ
オン交換膜は、耐久性および電流効率のいずれについて
も優れた物性を有するが、電流効率の点で弱塩基性層の
膜厚を全体の1%〜50%とくに10%〜30%(すな
わち強塩基性層のそれは、99%〜50%とくに90%
〜70%)としたものがさらに好ましい。
オン交換膜は、耐久性および電流効率のいずれについて
も優れた物性を有するが、電流効率の点で弱塩基性層の
膜厚を全体の1%〜50%とくに10%〜30%(すな
わち強塩基性層のそれは、99%〜50%とくに90%
〜70%)としたものがさらに好ましい。
弱塩基性の割合が全膜厚に対して50%をこえると電流
効率の上昇に比べて一膜の抵抗が高くなりすぎる。これ
は電力の消費を増大せしめるため、工業的には好ましく
ない。
効率の上昇に比べて一膜の抵抗が高くなりすぎる。これ
は電力の消費を増大せしめるため、工業的には好ましく
ない。
本発明による方法で得られた膜が高い電流効率を示す理
由は明らかではないが、以下のように説明できる。
由は明らかではないが、以下のように説明できる。
弱塩基性層は強塩基性層に比べ含水率が低くなる。これ
によって膜の固定イオン濃度が高くなり電流効率が高く
なったものと判断している。特に酸性条件下では他の条
件に比べて膜の膨張が大きいため、その効率は顕著にな
るものと思われる。
によって膜の固定イオン濃度が高くなり電流効率が高く
なったものと判断している。特に酸性条件下では他の条
件に比べて膜の膨張が大きいため、その効率は顕著にな
るものと思われる。
本発明の二層構造イオン交換膜中の弱塩基性の陰イオン
交換基は、具体例として下記の構造のも一8O2−Ni
l−(CIl2 )2−Nl12−9O2−N(CIl
3 )−(C112)2−N112−8O2−NH−(
C112)F −N112−3op−N(CIら )−
(C112)3−N112−8O2−N(CI )−(
01% )3−Nl12−802−Nil−(CIl2
)4−N112−8O2−N(C1+3 )−(C
H□ )、”−Ni+2−902−N(CII )−(
CIl2 )4−Nl−12−力強塩基性の陰イオン交
換基は、具体例として下記の構造のものを 一9O2−NH−(C1i2)2−N (CIl3
)!+−3O2−N(CIl3 )−(C112)2−
N” (CIl:l )*−3O2−N(CIl9)−
(Ctlz )2−N (CIl3)(C2115)
2−9O2−N(C4110)−(C112)2−N
(Cf19)2 (C411a)−8op −Nil
−(Cflz )3−N (CI、)3−8o2−N
(CIら )−(CIl2)クーN (C1ら )
3−so2−N (04If。)−(CH2)3−N
(01% )2 (C4)to)−3O2−N(C1
+−1)−(C112L −N (CHり)3−so
2−N−(CIl2 )2−N (CIら )2
L(CIl2 )r−I それぞれ挙げることができる。
交換基は、具体例として下記の構造のも一8O2−Ni
l−(CIl2 )2−Nl12−9O2−N(CIl
3 )−(C112)2−N112−8O2−NH−(
C112)F −N112−3op−N(CIら )−
(C112)3−N112−8O2−N(CI )−(
01% )3−Nl12−802−Nil−(CIl2
)4−N112−8O2−N(C1+3 )−(C
H□ )、”−Ni+2−902−N(CII )−(
CIl2 )4−Nl−12−力強塩基性の陰イオン交
換基は、具体例として下記の構造のものを 一9O2−NH−(C1i2)2−N (CIl3
)!+−3O2−N(CIl3 )−(C112)2−
N” (CIl:l )*−3O2−N(CIl9)−
(Ctlz )2−N (CIl3)(C2115)
2−9O2−N(C4110)−(C112)2−N
(Cf19)2 (C411a)−8op −Nil
−(Cflz )3−N (CI、)3−8o2−N
(CIら )−(CIl2)クーN (C1ら )
3−so2−N (04If。)−(CH2)3−N
(01% )2 (C4)to)−3O2−N(C1
+−1)−(C112L −N (CHり)3−so
2−N−(CIl2 )2−N (CIら )2
L(CIl2 )r−I それぞれ挙げることができる。
本発明の陰イオン交換膜は、プロトンの透過を抑止する
ために、弱塩基性層側を陽極へ、強塩基性層側を陰極へ
向けて使用するのがよい。
ために、弱塩基性層側を陽極へ、強塩基性層側を陰極へ
向けて使用するのがよい。
本発明の陰イオン交換膜は下記一般式(3)で表わされ
る構造を有する共重合体の高分子反応によって製造でき
る。
る構造を有する共重合体の高分子反応によって製造でき
る。
上記一般式(3)を有する共重合体は、四フッ化エチレ
ンとたとえば下記に示すモノマーと共重合CF2−CP
−0−(CF2 )2−9O2FeF2 =CP−0−
CF2−Cl’(CFI )−0−(CF2 )2−8
O2FeF2−CF−(0−CF2−CP(CF3 )
)2−0−(CF2 )2−9O2PGF2−CF−
(CF212−9O2Fによってiすられる。共重合は
、フリーラジカル開始剤の存在下において0〜200℃
の範囲、1〜200気圧の範囲で得ることができる。
ンとたとえば下記に示すモノマーと共重合CF2−CP
−0−(CF2 )2−9O2FeF2 =CP−0−
CF2−Cl’(CFI )−0−(CF2 )2−8
O2FeF2−CF−(0−CF2−CP(CF3 )
)2−0−(CF2 )2−9O2PGF2−CF−
(CF212−9O2Fによってiすられる。共重合は
、フリーラジカル開始剤の存在下において0〜200℃
の範囲、1〜200気圧の範囲で得ることができる。
もちろん、本発明の陰イオン交換膜の製造に使用される
出発物質は、上記(3)式で示されるものに制限されな
い。
出発物質は、上記(3)式で示されるものに制限されな
い。
これらの共重合体は、フィルムに成型される。
この成型は通常溶融して薄い膜を成形する一般の技術を
用いることができる。
用いることができる。
本発明で使用されるフィルムの厚さは通常50μmない
し500μmのものが用いられ、フィルムの強度、比電
導度、電流効率等を考慮して適当な厚みを選択できる。
し500μmのものが用いられ、フィルムの強度、比電
導度、電流効率等を考慮して適当な厚みを選択できる。
またこのようなフィルムの強度を向上させるためテフロ
ン繊維布などで補強されたものであってもよい。
ン繊維布などで補強されたものであってもよい。
フィルムの形状は平膜状あるいはチューブ状であっても
よい。
よい。
以下、官能基導入方法の例について説明するが、本発明
の陰イオン交換膜は、これによって得られるものだけで
はない。
の陰イオン交換膜は、これによって得られるものだけで
はない。
上記一般式(3)を有するフィルムの一方の面を下記一
般式(4) %式%(4) で表わされるアミンと接触させることにより、スルホン
アミド基を導入する。導入層は全膜厚に対し1%〜50
%の範囲、好ましくは10%〜30%の範囲である。
般式(4) %式%(4) で表わされるアミンと接触させることにより、スルホン
アミド基を導入する。導入層は全膜厚に対し1%〜50
%の範囲、好ましくは10%〜30%の範囲である。
上記一般式(4)で表わされるアミンとしては、エチレ
ンジアミン、1.3−ジアミノプロピレン。
ンジアミン、1.3−ジアミノプロピレン。
1.4−ジアミノブタン等を例示することができる。
また、これらアミン類との反応はアミン中あるいは溶媒
を用いて行うことができる。
を用いて行うことができる。
この際、溶媒としてはジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
フラン、ジオキサン等のエーテル類;ベンゼン、トルエ
ン、ヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる。
反応温度は室温ないし80℃で十分である。
また残りのスルホニルフロリド基は、下記一般式(5)
%式%(5)
で表わされるアミンと反応させることにより、スルホン
アミド基に変換する。上記一般式(5)で表わされるア
ミンとしては、ジメチルアミノエチルアミン、ジエチル
アミノエチルアミン、ジブロピロアミノエチルアミン、
ジメチルアミノプロピルアミン、ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、ジメチルア
ミノブチルアミン等を例示することができる。
アミド基に変換する。上記一般式(5)で表わされるア
ミンとしては、ジメチルアミノエチルアミン、ジエチル
アミノエチルアミン、ジブロピロアミノエチルアミン、
ジメチルアミノプロピルアミン、ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、ジメチルア
ミノブチルアミン等を例示することができる。
また、これらのアミン類との反応はアミン中あるいは溶
媒を用いて行うことができる。
媒を用いて行うことができる。
溶媒を用いる場合は、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサンなどのエーテル類;ベンゼン、トル
エン、ヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる
。
フラン、ジオキサンなどのエーテル類;ベンゼン、トル
エン、ヘキサン等の炭化水素類等を用いることができる
。
反応温度は室温〜80℃、反応時間は60時間で十分で
ある。
ある。
上記一般式(4)のアミンと一般式(5)のアミンの処
理の順序を逆にしてもよい。
理の順序を逆にしてもよい。
このようにして得られたスルホンアミド基を有するフィ
ルムにアルキル化剤を作用させるか、または水酸化アル
カリ金属を作用させたのちアルキル化剤を作用させる。
ルムにアルキル化剤を作用させるか、または水酸化アル
カリ金属を作用させたのちアルキル化剤を作用させる。
水酸化アルカリ金属としては水酸化リチウム。
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水溶液を用いる
ことができるが、反応効率の点でメタノールのような溶
媒を使用するのがよい。この水酸化アルカリ金属を作用
させる際の反応温度は室温〜90℃の範囲で十分である
。
ことができるが、反応効率の点でメタノールのような溶
媒を使用するのがよい。この水酸化アルカリ金属を作用
させる際の反応温度は室温〜90℃の範囲で十分である
。
アルキル化剤としては、炭素数1〜5のヨウ化アルキル
例えばヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化ブチル等を
用いることができる。このアルキル化では、メタノール
、エタノール、ジメチルホルムアミド等を溶媒として使
用しつる。
例えばヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化ブチル等を
用いることができる。このアルキル化では、メタノール
、エタノール、ジメチルホルムアミド等を溶媒として使
用しつる。
このようにして、前記一般式(2)のR4がアルキル化
剤のアルキル基である本発明の陰イオン交換膜かえられ
る。そして、アルキル化剤による処理の前に水酸化アル
カリ金属を作用させない場合は、前記一般式(1)のR
1および一般式(2)のR5がいずれも水素であるもの
かえられる。いっぽう水酸化アルカリ金属による処理を
経る場合は、RだけでなくこれらRおよびR5のいずれ
もがアルキル化剤のアルキル基となる。
剤のアルキル基である本発明の陰イオン交換膜かえられ
る。そして、アルキル化剤による処理の前に水酸化アル
カリ金属を作用させない場合は、前記一般式(1)のR
1および一般式(2)のR5がいずれも水素であるもの
かえられる。いっぽう水酸化アルカリ金属による処理を
経る場合は、RだけでなくこれらRおよびR5のいずれ
もがアルキル化剤のアルキル基となる。
ここで得られる陰イオン交換基を有する膜の対イオンを
交換する必要がある場合は、常法により、アルカリ金属
塩で処理すればよい。
交換する必要がある場合は、常法により、アルカリ金属
塩で処理すればよい。
[発明の効果]
本発明による陰イオン交換膜を例えば無機塩からの酸や
アルカリの回収;酸あるいはアルカリ存在下からの有価
金属の回収等、特に耐久性と高い電流効率を必要とする
各種電解用隔膜として使用することにより、長期間の使
用に耐え、かつ、生産効率を高めることができるため生
産コストを低減することができる。
アルカリの回収;酸あるいはアルカリ存在下からの有価
金属の回収等、特に耐久性と高い電流効率を必要とする
各種電解用隔膜として使用することにより、長期間の使
用に耐え、かつ、生産効率を高めることができるため生
産コストを低減することができる。
[実施例]
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
以下の実施例において、膜の抵抗は、0.5N食塩水中
で十分平衡させたのち、交流1000サイクル、温度2
5℃で測定したものである。また、陰イオン交換膜は、
その弱塩基性層を陽極側に、強塩基性層を陰極側に向け
て、電解層にセットした。
で十分平衡させたのち、交流1000サイクル、温度2
5℃で測定したものである。また、陰イオン交換膜は、
その弱塩基性層を陽極側に、強塩基性層を陰極側に向け
て、電解層にセットした。
実施例I
CF2−CF2とCF2−CF−0−CF2−CP(C
F3 )−〇−(CF2 )2−so?pとの共重合に
より得られた共重合体をフィルム化ルム化(膜厚170
μm、p/q=6.5)した。 次いで得られた膜を片
面のみ反応できる装置に装着し、片面を20℃で40分
間エチレンドアミンと反応させた。反応した層は20μ
mであった。(反応層の検定は次の方法によった。上記
の反応させた膜を一部切りとって、10wt%水酸化ナ
トリウム水溶液/メタノール(容量比1:1)l:60
℃で2日間浸漬したのち、水で十分洗浄した。次に護膜
をクリスタルバイオレットで染色したところ、150μ
mの層が紫色に菅色した。
F3 )−〇−(CF2 )2−so?pとの共重合に
より得られた共重合体をフィルム化ルム化(膜厚170
μm、p/q=6.5)した。 次いで得られた膜を片
面のみ反応できる装置に装着し、片面を20℃で40分
間エチレンドアミンと反応させた。反応した層は20μ
mであった。(反応層の検定は次の方法によった。上記
の反応させた膜を一部切りとって、10wt%水酸化ナ
トリウム水溶液/メタノール(容量比1:1)l:60
℃で2日間浸漬したのち、水で十分洗浄した。次に護膜
をクリスタルバイオレットで染色したところ、150μ
mの層が紫色に菅色した。
従って20μmの層がエチレンジアミンと反応したこと
が判る。) 次に護膜をジメチルアミノプロピルアミンに浸漬し、4
0℃で50時間反応させた後、メタノールで洗浄した。
が判る。) 次に護膜をジメチルアミノプロピルアミンに浸漬し、4
0℃で50時間反応させた後、メタノールで洗浄した。
次に10wt%水酸化ナトリウム水溶液/メタノール(
容量比1:1)に浸漬し、50℃で30時間処理した後
、メタノールで洗浄した。次いでヨウ化メチル/ジメチ
ルホルムアミド(容量比1:4)中に、60℃で7日間
浸漬した。次にメタノールで洗浄した後、塩化リチウム
のメタノール溶液(10wt%)中、50℃で24時間
処理してCI−に転換した。
容量比1:1)に浸漬し、50℃で30時間処理した後
、メタノールで洗浄した。次いでヨウ化メチル/ジメチ
ルホルムアミド(容量比1:4)中に、60℃で7日間
浸漬した。次にメタノールで洗浄した後、塩化リチウム
のメタノール溶液(10wt%)中、50℃で24時間
処理してCI−に転換した。
得られた膜をクレゾールレッドで染色したところ、15
0μmの層で黄橙色に染色され、20μmの層は染色さ
れなかった。次に得られた膜を4N−HClに浸漬した
のち、クレゾールレッドで染色したところ、膜の全面が
染色された。以」二のことから20μmの層で弱塩基性
の交換基を150μmの層で強塩基性の交換基をそれぞ
れ存している膜(弱塩基性層の厚さ/強塩基性層の厚さ
−12/88)が得られたことを確認した。得られた膜
の抵抗は5.OΩ・cdであった。
0μmの層で黄橙色に染色され、20μmの層は染色さ
れなかった。次に得られた膜を4N−HClに浸漬した
のち、クレゾールレッドで染色したところ、膜の全面が
染色された。以」二のことから20μmの層で弱塩基性
の交換基を150μmの層で強塩基性の交換基をそれぞ
れ存している膜(弱塩基性層の厚さ/強塩基性層の厚さ
−12/88)が得られたことを確認した。得られた膜
の抵抗は5.OΩ・cdであった。
次いで陰極、陽イオン交換膜(デュポン社製ナフィオン
324)、陰イオン交換膜(本実施例で得られた膜)、
陽極の順序で3室型電解層を組み立てた。
324)、陰イオン交換膜(本実施例で得られた膜)、
陽極の順序で3室型電解層を組み立てた。
次に陰極と陽イオン交換膜の間に20wt%水酸化ナト
リウム水溶液を取得することができるように、水をフィ
ードし、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜との間の中間
室に7 M N a N Oaをフィードし、陰イオ
ン交換膜と陽極の間に25wt%HNO3水溶液を取得
することができるように水をフィードして、30A/d
rrrで70℃で電解を6か月間行った。HNO3取得
の電流効率は60〜63%の範囲で安定であった。
リウム水溶液を取得することができるように、水をフィ
ードし、陽イオン交換膜と陰イオン交換膜との間の中間
室に7 M N a N Oaをフィードし、陰イオ
ン交換膜と陽極の間に25wt%HNO3水溶液を取得
することができるように水をフィードして、30A/d
rrrで70℃で電解を6か月間行った。HNO3取得
の電流効率は60〜63%の範囲で安定であった。
比較例1
・ 実施例1で使用したと同様のフィルムを使用し、実
施例1で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかっ
た以外は実施例1と同様に処理をして陰イオン交換膜を
得た。クレゾールレッドで染色したところ膜の全面が黄
橙色に染色された。
施例1で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかっ
た以外は実施例1と同様に処理をして陰イオン交換膜を
得た。クレゾールレッドで染色したところ膜の全面が黄
橙色に染色された。
また、膜の抵抗は3.9Ω・C−であった。
さらに、得られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を
組み立て、運転した。この場合のHNO3取得の電流効
率は39%であった。
組み立て、運転した。この場合のHNO3取得の電流効
率は39%であった。
実施例2
実施例1で使用したと同様のフィルムを使用し実施例1
と同様にして、20℃で6時間エチレンジアミンを反応
させた。反応層は100μmであった(弱塩基性層の厚
さ/強塩基性層の厚さ−59/4 1) 。
と同様にして、20℃で6時間エチレンジアミンを反応
させた。反応層は100μmであった(弱塩基性層の厚
さ/強塩基性層の厚さ−59/4 1) 。
以下は実施例と同様に処理して目的の膜を得た。
得られた膜の抵抗は125Ω・CIであった。
さらに、得られた膜を用いて実施例1と同様の電解層を
組み立て電解を行った。この場合、HNO3取得の電流
効率は67%であった。
組み立て電解を行った。この場合、HNO3取得の電流
効率は67%であった。
実施例3
実施例1で用いたジメチルアミノプロピルアミンの代り
にジメチルアミノエチルアミンを用いた以外は実施例1
と同様の方法で陰イオン交換膜(すなわち、膜厚170
μm、p/q=6.5)を得た。クレゾールレッドで染
色したところ、150μmの層で黄橙色に染色された。
にジメチルアミノエチルアミンを用いた以外は実施例1
と同様の方法で陰イオン交換膜(すなわち、膜厚170
μm、p/q=6.5)を得た。クレゾールレッドで染
色したところ、150μmの層で黄橙色に染色された。
20μmの層は染色されなかった。次に得られた膜を4
N−HClに浸漬したのちクレゾールレッドで染色した
ところ、膜の全面が染色された。以上のことから、20
μmの層で弱塩基性の交換基を150μmの層で強塩基
性の交換基をそれぞれ有している膜が得られたことを確
認した。得られた膜の抵抗は5.3Ω・cJであった。
N−HClに浸漬したのちクレゾールレッドで染色した
ところ、膜の全面が染色された。以上のことから、20
μmの層で弱塩基性の交換基を150μmの層で強塩基
性の交換基をそれぞれ有している膜が得られたことを確
認した。得られた膜の抵抗は5.3Ω・cJであった。
得られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は63%
であった。
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は63%
であった。
比較例2
実施例3で使用したと同様のフィルムを使用し、実施例
3で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかった以
外は実施例3と同様に処理して陰イオン交換膜を得た。
3で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかった以
外は実施例3と同様に処理して陰イオン交換膜を得た。
クレゾールレッドで染色したところ膜の全面が黄橙色に
染色された。膜の抵抗は4.0Ω・ciであった。得ら
れた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、運
転した。この場合のHNO3取得の電流効率は42%で
あった。
染色された。膜の抵抗は4.0Ω・ciであった。得ら
れた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、運
転した。この場合のHNO3取得の電流効率は42%で
あった。
実施例4
実施例1で用いたジメチルアミノプロピルアミンの代り
にジブチルアミノプロピルアミンを用いた以外は実施例
1と全く同様の方法で陰イオン交換膜を得た。クレゾー
ルレッドで染色したところ、150μmの層で黄橙色に
染色された。20μmの層は染色されなかった。次に得
られた膜を4N−HClに浸漬したのちクレゾールレッ
ドで染色したところ、膜の全面が染色された。以上のこ
とから、20μmの層で弱塩基性の交換基を、150μ
mの層で強塩基性の交換基をそれぞれ有している膜が得
られたことを確認した。得られた膜の抵抗は4.2Ω・
cdであった。得られた膜を用いて実施例1と同様に電
解層を組み立て、運転した。この場合のHNO3取得の
電流効率は62%であった。
にジブチルアミノプロピルアミンを用いた以外は実施例
1と全く同様の方法で陰イオン交換膜を得た。クレゾー
ルレッドで染色したところ、150μmの層で黄橙色に
染色された。20μmの層は染色されなかった。次に得
られた膜を4N−HClに浸漬したのちクレゾールレッ
ドで染色したところ、膜の全面が染色された。以上のこ
とから、20μmの層で弱塩基性の交換基を、150μ
mの層で強塩基性の交換基をそれぞれ有している膜が得
られたことを確認した。得られた膜の抵抗は4.2Ω・
cdであった。得られた膜を用いて実施例1と同様に電
解層を組み立て、運転した。この場合のHNO3取得の
電流効率は62%であった。
比較例3
実施例4で使用したと同様のフィルムを使用し、実施例
4で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかった以
外は実施例4と同様に処理して陰イオン交換膜を得た。
4で行われたエチレンジアミンの処理を行わなかった以
外は実施例4と同様に処理して陰イオン交換膜を得た。
クレゾールレッドで染色したところ膜の全面が黄橙色に
染色された。膜の抵抗は3.4Ω・cI#であった。得
られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は38%
であった。
染色された。膜の抵抗は3.4Ω・cI#であった。得
られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は38%
であった。
実施例5
CF、−CF2とCF2−CP−0−CF2−CF(C
F3 )−0−(CF2 )2−3o2Fとの共重合に
より得られた共重合体をフィルム化(膜厚120μm、
p/q−7,6)したのち、片面のみ反応できる装置に
膜を装着し、20℃で50分間1,4−ジアミノブタン
と反応させた。実施例1と同様に反応層を検定したとこ
ろ、25μmが反応していることが判った。
F3 )−0−(CF2 )2−3o2Fとの共重合に
より得られた共重合体をフィルム化(膜厚120μm、
p/q−7,6)したのち、片面のみ反応できる装置に
膜を装着し、20℃で50分間1,4−ジアミノブタン
と反応させた。実施例1と同様に反応層を検定したとこ
ろ、25μmが反応していることが判った。
次に菌膜を用いて実施例1と同様にジメチルアミノプロ
ピルアミンの反応を行い、陰イオン交換膜を得た。この
膜をクレゾールレッドで染色したところ、95μmの層
で黄橙色に染色され、20μmの層は染色されなかった
。次に得られた膜を4N−HCj2に浸漬したのち、ク
レゾールレッドで染色したところ、膜の全面にわたって
染色された。以上の結果から、25μmの層で弱塩基性
の交換基を、95μmの層で強塩基性の交換基をそれぞ
れ有している膜が得られたことを確認した。
ピルアミンの反応を行い、陰イオン交換膜を得た。この
膜をクレゾールレッドで染色したところ、95μmの層
で黄橙色に染色され、20μmの層は染色されなかった
。次に得られた膜を4N−HCj2に浸漬したのち、ク
レゾールレッドで染色したところ、膜の全面にわたって
染色された。以上の結果から、25μmの層で弱塩基性
の交換基を、95μmの層で強塩基性の交換基をそれぞ
れ有している膜が得られたことを確認した。
得られた膜の抵抗は7.8Ω・C−であった。
得られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て
、運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は70
%であった。
、運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は70
%であった。
比較例4
実施例5で使用したと同様のフィルムを使用し、実施例
5で行われた1、4−ジアミノブタンの処理を行わなか
った以外は実施例5と同様に処理して陰イオン交換膜を
得た。
5で行われた1、4−ジアミノブタンの処理を行わなか
った以外は実施例5と同様に処理して陰イオン交換膜を
得た。
クレゾールレッドで染色したところ、膜の全面が黄橙色
に染色された。膜の抵抗は5.9Ω・cdであった。得
られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は52%
であった。
に染色された。膜の抵抗は5.9Ω・cdであった。得
られた膜を用いて実施例1と同様に電解層を組み立て、
運転した。この場合のHNO3取得の電流効率は52%
であった。
Claims (3)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる構造を有する弱塩基性層と、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (上記2式において、XはFまたはCF_3、lは0〜
5の整数、mは0または1、nは1〜5の整数、rおよ
びr′は同じかまたは異なる2〜5の整数、Zはハロゲ
ン、R_1は水素または炭素数1〜5のアルキル基、R
_2およびR_3は同じかまたは異なる炭素数1〜5の
アルキル基であり;pおよびqはともに正の数であって
p/qは2〜16であり;R_4は1〜5のアルキル基
、R_5は水素もしくは炭素数1〜5のアルキル基であ
るか、またはR_4とR_5とが一体となってポリメチ
レン鎖−(CH_2)−_b(bは2または3である)
を形成する、以下同じ) で表わされる構造を有する強塩基性層との二層構造から
なる、陰イオン交換膜。 - (2)弱塩基性層の厚さ/強塩基性層の厚さの比が1/
99〜50/50である。特許請求の範囲(1)項記載
の陰イオン交換膜。 - (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる構造を有する膜の一方の面から全膜厚の1
%〜50%を一般式 H_2N−(CH_2)_r−NH_2 で表わされるアミンと、かつ残りを一般式 H_2N−(CH_2)_r′−N(R_2)(R_3
)で表わされるアミンと反応させ、つぎに (a)炭素数1〜5のヨウ化アルキルと反応させるかま
たは (b)アルカリ金属水酸化物と反応させたのち、炭素数
1〜5のヨウ化アルキルと反 応させる ことを特徴とする、陰イオン交換膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247532A JPH0735445B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 陰イオン交換膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247532A JPH0735445B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 陰イオン交換膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101433A true JPS63101433A (ja) | 1988-05-06 |
| JPH0735445B2 JPH0735445B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=17164898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247532A Expired - Fee Related JPH0735445B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 陰イオン交換膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735445B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012120991A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Daihatsu Motor Co Ltd | アニオン交換膜 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61247532A patent/JPH0735445B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012120991A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Daihatsu Motor Co Ltd | アニオン交換膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0735445B2 (ja) | 1995-04-19 |
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|---|---|---|---|
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