JPS63102766U - - Google Patents

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JPS63102766U
JPS63102766U JP20409486U JP20409486U JPS63102766U JP S63102766 U JPS63102766 U JP S63102766U JP 20409486 U JP20409486 U JP 20409486U JP 20409486 U JP20409486 U JP 20409486U JP S63102766 U JPS63102766 U JP S63102766U
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JP
Japan
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boat
cooling
carbon
liquid phase
epitaxial growth
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JP20409486U
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Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の液相エピタキシヤル成長装置
の縦断面図、第２図は実施例２の縦断面図、第３
図は従来の液相エピタキシヤル成長装置の断面図
である。 １……カーボンボート、２……反応管、３……
抵抗ヒータ、４……スライダー・メルトカツト駆
動部、５……ボート移動機構、６，９，１３，１
４……ボート冷却室、７……ゲートバルブ、８…
…ボート上下移動機構、１０……シヤツター、１
１……フロントハツチ、１２……作業ＢＯＸ、１
５……ハツチ、１６……ボート搬送系。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 作業ＢＯＸ内の基板搭載用カーボンボートを反
    応管内に該ボートを冷却させるボート冷却室を介
    して出し入れする液相エピタキシヤル成長装置に
    おいて、前記カーボンボートを冷却させる第２の
    ボート冷却室を前記第１のボート冷却室に隣接し
    て付設し、さらに反応管から第１のボート冷却室
    に搬送されたカーボンボートを第２のボート冷却
    室に移送する搬送系及び第２のボート冷却室から
    作業ＢＯＸ内にカーボンボートを帰還させる搬送
    系を具備したことを特徴とする液相エピタキシヤ
    ル成長装置。
JP20409486U 1986-12-24 1986-12-24 Pending JPS63102766U (ja)

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JPS63102766U true JPS63102766U (ja) 1988-07-04

Family

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JP20409486U Pending JPS63102766U (ja) 1986-12-24 1986-12-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004003262A1 (ja) * 2002-06-28 2004-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha 薄板製造方法および薄板製造装置

Cited By (4)

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US7186578B2 (en) 2002-06-28 2007-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Thin sheet production method and thin sheet production device
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