JPS6310592A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は多層配線基板の製造方法に関し、特にマルチ　
　　パッケージ用の多層配線基板の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の多層配線基板の多／ｍ回路部の層間絶縁
ｌｉ！Ｑは有機樹脂膜絶縁層もしくは無線絶縁膜が用い
られてきた。例えば特公昭５１−２０６９９に示される
ものは多層セラミック基板上に多層回路を形成すること
にあたり層間絶縁部を無機妊縁層であるガラス層で形成
する工程についてのべている。また「電子材料１９８１
年７月号Ｊ　Ｐ、２２〜Ｐ、２８には、この種の多層配
線基板の例として、セラミック多層配線板、有機高分子
を用いたマルチチップ基板、プリント配線板についての
構造、製造方法について述べている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した多、智配線基板の層間絶縁膜は有機樹脂絶縁膜
または無機絶縁膜のどちらかであシ、この２つの複合膜
にはなっていない。

これは従来の無機絶縁膜の形成方法が４００℃以上の加
熱を必要とする工法が多く、この温度に、有機樹脂絶縁
膜が耐えられないからである。ＲＦスパータリング法で
は温度上昇が３００℃以下におさえられるが膜の形成速
度が毎分２０〜３０Ｘと、非常に遅く多層配線基板の層
間絶縁、莫形成にに向いていない。したがって層間絶縁
膜が無機と有機の多層複合膜になると、強度、柔軟度の
幅がひろがる。膜厚、比誘電率、誘電圧接ｒコントロー
ルして、電気的特性が改善できる等な々のプリントがあ
るにもかかわらず複合膜形成工法が確立していなかっ九
ので従来は用いられていなかった。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明の多層配線基板の製造方法は、基板上に第１４体
層を形成する第１の工程と、その上に無機絶縁膜を形成
する第２の工程と、その上に所望の位置にビアホールを
有するポリイミド膜を形成する第３の工程と、このビア
ホールを利用し、ビアホール下の無機絶縁膜をエツチン
グ除去し、所望の位置にビアホールを有し、無機絶縁膜
とポリイミド膜ρ為らなる絶縁層を形成する第４の工程
とを含み、これら導体層と絶縁層を交互に形成する第１
〜第４までの工程をくり返し、所望の層数の多層回路を
形成すること′ｆＩ：特徴としている。

本発明はまた無機絶縁膜にビアホールを形成するにあた
り、その上部に形成されたポリジイミド膜のビアホール
パターン？利用し、２層絶縁膜でありながらビアホール
位置のセルファ２イメント化と、工程の簡略化をはかっ
ている。

本発明はまた、無機絶ｔ＆膜を電子サイクロトロン共鳴
プラズマＣＶＤを用いることによ９２００℃以下で無機
絶縁膜を得ることができ、ポリイミド膜にダメージをあ
たえることなく、２層絶縁族を形成することができる。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す工程図である。

まず第１図Ａに示すように耐熱性絶縁基板１１の表面に
第１の導体層１２を形成する。導体ｒｒ１１２は金もし
くは銅よシなシ、膜厚は５〜１０μｍ程度である。エツ
チング法もしくは選択メッキ法で導体層１２は形成され
る。

次に第１図Ｂに示すように無機絶ｌｉ＆膜１３を形成す
る。本実施例ではＳｉ０ｇ膜もしくはＳ　ｉ　ｓＮａ膜
がＥＣＲプラズマＣＶＤ法により形成されている。ＥＣ
ＲはＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅ５ｏ
ｎａｎｃｅの略であシ、電子サイクロトロン共鳴と訳さ
れるっプラズマの発生に従来の熱フィラメントを用いず
、電子サイクロトロン共鳴を利用し、またプラズマのエ
ネルギーが有効に作用するため、加熱なしで高品位のＳ
ｉ０ｇ膜、ＳｉｓＮａＩｇを形成することができる。膜
厚Ｆｉ５〜１０μである。次に第１図Ｃに示すように無
機絶縁膜１３上に、ポリイミド膜１４ｆ、形成する。ポ
リイミド膜１４の所望の位置にはビアホール１５がおい
ており、その部分には、無機絶縁膜１３が露出している
。このようなポリイミド膜は、次のような手順で形成さ
れる。まず東しのフォトニースＵＲ３１４０のような感
光性ポリイミド前躯体ワニスを無機絶縁膜１３の表面に
コーティングする。粘度が４０ポアズの場合、１１００
０ｒｐ　　の回転数でスピンコードすると乾燥後膜厚で
約２５μが得られる。乾燥条件Ｆｉｓｏ℃９０分間であ
る。次に図示していないガラスマスクを用いて、感光性
ポリイシド前躯体ワニスの所望の部分を露光する。露光
エネルギーは、大体５０〜１００　ｍｊ／ｃ！！　　で
ある。露光後、アルコールを主成分とする所定の現像液
で現像すると、露光していない部分が現像液に溶解し、
所望の部分が残り、ビアホールパターンが得られる。次
に、１８０℃で３０分間、２５０℃で３０分間、４００
”Ｃで３０分間のステップキエアをおこないポリイミド
前駆体をイミド。化させ、ポリイミド膜？得る。

このキュア時に、感光性成分は、揮発し、ポリイミド膜
中には残らない。キュア後のポリイミド膜厚は１０〜１
２μである。こうして第１図Ｃに示すように、所望の位
置にビアホール１５を有するポリイミド膜１４が形成さ
れる。次に、ＨＦ系のエツチング液を用いて、ビアホー
ル１５部分の無機絶縁膜を除去する。この時、ポリイミ
ド膜１４がエツチングレジストとしての役目をする。し
たがって、ポリイミド膜と、無機絶縁膜のビアホールは
同一箇所に形成され、位置ずれは、発生しないセル７ア
ライメント方式になっていることに注意されたい。こう
して第１図りに示されるように、無機膜と、ポリイミド
膜の２層膜からなシ、所望の位置にビアホール金有する
絶縁層１６が形成される。

さらにこの上に、同様な工程を繰り返すことにより、第
２の導体層１７及び無機絶縁膜１８、ポリイミド膜１９
の２層よシなる絶縁層２０が形成される、これを第１図
に示す。本実施例では導体層が２層、絶縁層も２層であ
るが第３の導体層等を順次積層して任意の層数の多層回
路が形成できることはもちろんである。

〔発明の効果〕

本発明は以上説明したように１　　　　　　絶縁層上に
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によす５ｉＯＪ［や５ｉｓＮ４
．［などの無機絶縁層を形成することにより、従来作製
が困難であった有機膜と無機膜との複合絶縁膜の形成が
容易におこなえるという効果がある。また本発明はポリ
イシドＢＱヲ感光性ポリイシド前駆体ワニスを用いて形
成し、さらに、形成されたポリイシド族のビアホールパ
ターンを用いてその下の無機絶縁膜のビアホールをエツ
チングで形成する方法を用いることにより、無機−ポリ
イミド２層膜のビアホールを位置ずれなく、シかも少な
い工程数で容易に形成できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す工程の断面図である。 １１・・・・・・耐熱性基板、１２，１７・・・・・・
導体層、１３．１８・・・・・・無機絶縁膜、１４，１
９−・・・・・ポリイミド膜、１５・−・・・・ビアホ
ール、１６，２０・・・・・・絶縁層。 ＼、−） 俸）図＋８） 手続補正書輸発） ６２．９．３０ 昭和　　年　　月「ン屏

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　耐熱性基板上に多層回路を形成する方法において、前
   記耐熱性基板上もしくは絶縁層上に導体層を形成する第
   １の工程と、前記導体層を含む基板上もしくは絶縁層上
   に、無機絶縁膜を形成する第２の工程と前記無機絶縁膜
   上に所望の位置にビアホールを有するポリイシド膜を形
   成する第３の工程と、前記ビアホール下の無機絶縁膜を
   エッチング除去し、所望の位置にビアホールを有し、無
   機絶縁膜とポリシイド膜の２層膜よりなる絶縁層を形成
   する第４の工程とを含み、前記第１〜第４までの工程を
   くり返すことにより所望の層数の多層回路を形成するこ
   とを特徴とする多層配線基板の製造方法。 　前記、第３の工程において、感光性ポリシイド（前駆
   体）ワニスを用いて所望の位置にビアホールを有するポ
   リシイド膜を得ることを特徴とする特許請求範囲第１項
   記載の多層配線基板の製造方法。 　前記、第２の工程において、電子サイクロトロン共鳴
   プラズマＣＶＤ法によって無機絶縁膜を形成することを
   特徴とする特許請求範囲第１項及び第２項記載の多層配
   線基板の製造方法。